JPH053541B2 - - Google Patents
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- JPH053541B2 JPH053541B2 JP59065173A JP6517384A JPH053541B2 JP H053541 B2 JPH053541 B2 JP H053541B2 JP 59065173 A JP59065173 A JP 59065173A JP 6517384 A JP6517384 A JP 6517384A JP H053541 B2 JPH053541 B2 JP H053541B2
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- gas
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- isobutane
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Description
本発明はイソブタンガス等の可燃性ガスのガス
検知素子に関する。 従来イソブタンガス等の可燃性ガスのガス検知
素子としてはSnO2を主成分としてこれに感度を
向上させるべくAg、Au、Pd、Pt、Rh、Ru等の
貴金属を添加したものが知られているが、イソブ
タンガス等の可燃性ガスに対する感度が向上する
ばかりではなくアルコール等の雑ガスに対する感
度も同様に向上して特定のガスのみの検知が出来
ない欠点を有する。 本発明はかかる欠点を解決し、イソブタンガス
等の可燃性ガスに対し優れた感度を有すると共に
アルコール等の雑ガスに対して撰択的にガス検知
が出来るガス検知素子を提供することを目的とし
たものであり、SnO2を主成分として、これに対
して副成分として金属微粉末のSiまたは／及び
Alを0.01〜５重量％添加せしめて成る。 図は主成分SnO2に対して副成分として金属微
粉末のSiを種々の配合量で添加して得られたガス
検知素子の温度350℃下における該各Siの配合量
と、空気中における電気抵抗値（以下単に抵抗値
と称す）RA、イソブタンガス濃度1800ppm雰囲
気中の抵抗値RB並びにエタノールガス濃度
3600ppm雰囲気中の抵抗値REの各関係を示すも
ので、図から明らかな様にガス検知素子の空気中
における抵抗値RAはSiの添加量が５重量％まで
はほぼ一定であるが５重量％超えると減少傾向を
示し、またガス検知素子のイソブタンガス雰囲気
中における抵抗値RBはSiの添加量が0.01％重量
％より多くなるに従つて減少を示すが５重量％超
えると最小値に達して横這傾向を示し、またガス
検知素子のエタノールガス雰囲気中における抵抗
値REはSiの添加量が５重量％まではほぼ一定で
あるが５重量％超えると徐々に下降傾向を示すこ
とが分る。 従つて主成分SnO2に対して副成分Siの添加量
が0.01重量％未満ではイソブタンガス雰囲気中の
抵抗値RBとエタノールガス雰囲気中の抵抗値RE
とは近似した値のため検知ガスに対する撰択性が
極めて低いため、ガス検知素子の主成分SnO2に
対する副成分Siの添加量の下限は少なくとも0.01
重量％にすることによつて検知ガスに対する感度
向上と選択性効果が得られる。尚ガス検知素子は
主成分SnO2に対して添加すべき副成分Siの量の
添加量の上限は空気中抵抗値RAとイソブタンガ
ス抵抗値RB並びにエタノールガス抵抗値REとの
差が顕著に現れる５重量％とする。またガス検知
素子に対する信頼性並びに安全性の観点から主成
分SnO2に対して副成分Siの添加範囲を0.5〜２重
量％にすることがより好ましい。 副成分としてSiの代りに種々の配合量の金属微
粉末のAl或いは金属微粉末のSiとAlとを夫々添
加して得たガス検知素子につき前記と同条件下で
空気中および各ガス雰囲気中における夫々の抵抗
値RA，RB，REを測定した場合もSiの場合と同
様の結果が得られた。次に実施例、比較例によつ
て本発明を更に説明する。 実施例 SnCl4水溶液をアンモニア水で中和して沈澱生
成物を得、この沈澱生成物を濾過して温度570℃
で３時間焼成後、これを粉砕してSnO2から成る
ガス検知素子原料を得、この原料にSi微粉末を
SnO2に対して1.5重量％添加混合し、かかる混合
物に純水を加えてペースト状にし、大きさ縦2.5
mm、横3.5mm、厚さ1.0mmの形状に成形し、温度
600℃で１時間焼成してガス検知素子KAを得た。 比較例 主成分SnO2に対し副成分Siの代りにPdを1.5重
量％添加する以外は前記実施例と同様にしてガス
検知素子KBを得た。 得られたガス検知素子KAおよびKBを温度350
℃に保持しながら、空気中の抵抗値RA、イソブ
タンガス濃度1800ppm雰囲気中の抵抗値RB、エ
タノールガス雰囲気中の抵抗値REの夫々につい
て測定し、空気中の抵抗値RAの対数値logRAと
各ガス雰囲気中の抵抗値RB，REの対数値logRB
及び対数値logREとの差をガス検知素子KA若し
くはKBの検知ガスに対する感度特性として求め
た。その結果を表に示す。
検知素子に関する。 従来イソブタンガス等の可燃性ガスのガス検知
素子としてはSnO2を主成分としてこれに感度を
向上させるべくAg、Au、Pd、Pt、Rh、Ru等の
貴金属を添加したものが知られているが、イソブ
タンガス等の可燃性ガスに対する感度が向上する
ばかりではなくアルコール等の雑ガスに対する感
度も同様に向上して特定のガスのみの検知が出来
ない欠点を有する。 本発明はかかる欠点を解決し、イソブタンガス
等の可燃性ガスに対し優れた感度を有すると共に
アルコール等の雑ガスに対して撰択的にガス検知
が出来るガス検知素子を提供することを目的とし
たものであり、SnO2を主成分として、これに対
して副成分として金属微粉末のSiまたは／及び
Alを0.01〜５重量％添加せしめて成る。 図は主成分SnO2に対して副成分として金属微
粉末のSiを種々の配合量で添加して得られたガス
検知素子の温度350℃下における該各Siの配合量
と、空気中における電気抵抗値（以下単に抵抗値
と称す）RA、イソブタンガス濃度1800ppm雰囲
気中の抵抗値RB並びにエタノールガス濃度
3600ppm雰囲気中の抵抗値REの各関係を示すも
ので、図から明らかな様にガス検知素子の空気中
における抵抗値RAはSiの添加量が５重量％まで
はほぼ一定であるが５重量％超えると減少傾向を
示し、またガス検知素子のイソブタンガス雰囲気
中における抵抗値RBはSiの添加量が0.01％重量
％より多くなるに従つて減少を示すが５重量％超
えると最小値に達して横這傾向を示し、またガス
検知素子のエタノールガス雰囲気中における抵抗
値REはSiの添加量が５重量％まではほぼ一定で
あるが５重量％超えると徐々に下降傾向を示すこ
とが分る。 従つて主成分SnO2に対して副成分Siの添加量
が0.01重量％未満ではイソブタンガス雰囲気中の
抵抗値RBとエタノールガス雰囲気中の抵抗値RE
とは近似した値のため検知ガスに対する撰択性が
極めて低いため、ガス検知素子の主成分SnO2に
対する副成分Siの添加量の下限は少なくとも0.01
重量％にすることによつて検知ガスに対する感度
向上と選択性効果が得られる。尚ガス検知素子は
主成分SnO2に対して添加すべき副成分Siの量の
添加量の上限は空気中抵抗値RAとイソブタンガ
ス抵抗値RB並びにエタノールガス抵抗値REとの
差が顕著に現れる５重量％とする。またガス検知
素子に対する信頼性並びに安全性の観点から主成
分SnO2に対して副成分Siの添加範囲を0.5〜２重
量％にすることがより好ましい。 副成分としてSiの代りに種々の配合量の金属微
粉末のAl或いは金属微粉末のSiとAlとを夫々添
加して得たガス検知素子につき前記と同条件下で
空気中および各ガス雰囲気中における夫々の抵抗
値RA，RB，REを測定した場合もSiの場合と同
様の結果が得られた。次に実施例、比較例によつ
て本発明を更に説明する。 実施例 SnCl4水溶液をアンモニア水で中和して沈澱生
成物を得、この沈澱生成物を濾過して温度570℃
で３時間焼成後、これを粉砕してSnO2から成る
ガス検知素子原料を得、この原料にSi微粉末を
SnO2に対して1.5重量％添加混合し、かかる混合
物に純水を加えてペースト状にし、大きさ縦2.5
mm、横3.5mm、厚さ1.0mmの形状に成形し、温度
600℃で１時間焼成してガス検知素子KAを得た。 比較例 主成分SnO2に対し副成分Siの代りにPdを1.5重
量％添加する以外は前記実施例と同様にしてガス
検知素子KBを得た。 得られたガス検知素子KAおよびKBを温度350
℃に保持しながら、空気中の抵抗値RA、イソブ
タンガス濃度1800ppm雰囲気中の抵抗値RB、エ
タノールガス雰囲気中の抵抗値REの夫々につい
て測定し、空気中の抵抗値RAの対数値logRAと
各ガス雰囲気中の抵抗値RB，REの対数値logRB
及び対数値logREとの差をガス検知素子KA若し
くはKBの検知ガスに対する感度特性として求め
た。その結果を表に示す。
【表】
この表から実施例のガス検知素子KAは比較例
のガス検知素子KBに比してイソブタンガスに対
する感度が向上したこと並びに実施例のガス検知
素子KAは比較例のガス検知素子に比してイソブ
タンガスとエタノールガスとに対する感度に顕著
な差があるため検知ガスに対する優れた選択性を
有することが確認された。 このように本発明のガス検知素子は主成分
SnO2に対し副成分Siまたは／及びAlの金属微粉
末を0.01〜５重量％添加せしめて成るためにイソ
ブタンガス等の可燃性ガスに対する感度に優れる
と共に特定ガスに対する撰択性にも優れる効果を
有する。
のガス検知素子KBに比してイソブタンガスに対
する感度が向上したこと並びに実施例のガス検知
素子KAは比較例のガス検知素子に比してイソブ
タンガスとエタノールガスとに対する感度に顕著
な差があるため検知ガスに対する優れた選択性を
有することが確認された。 このように本発明のガス検知素子は主成分
SnO2に対し副成分Siまたは／及びAlの金属微粉
末を0.01〜５重量％添加せしめて成るためにイソ
ブタンガス等の可燃性ガスに対する感度に優れる
と共に特定ガスに対する撰択性にも優れる効果を
有する。
図は主成分SnO2に対して添加したSiの重量％
と各抵抗値RA，RB，REとの関係を示す図であ
る。
と各抵抗値RA，RB，REとの関係を示す図であ
る。
Claims (1)
- １ SnO2を主成分として、これに対して副成分
として金属微粉末のSiまたは／及びAlを0.01〜５
重量％添加せしめて成るガス検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6517384A JPS60209159A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6517384A JPS60209159A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ガス検知素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209159A JPS60209159A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH053541B2 true JPH053541B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=13279234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6517384A Granted JPS60209159A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ガス検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209159A (ja) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5163693A (ja) * | 1974-11-29 | 1976-06-02 | Kaoru Aotani | Gasukenchisoshi |
| JPS51126897A (en) * | 1975-04-26 | 1976-11-05 | Marcon Electronics Co Ltd | Gas detector element |
| JPS5349493A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-04 | Saito Noboru | Gas detecting element composed of oxide semiconductor |
| JPS53135698A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of gas detecting element |
| JPS53135700A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Inflammable gas detecting element |
| JPS5613905A (en) * | 1980-04-05 | 1981-02-10 | Kenji Nakamura | Manufacture of blank of wiping tool |
| JPS5749850A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Nec Corp | Gas detecting element |
| JPS5753533A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-30 | Int Harvester Co | Manufacture of polyimide and polyimide precursor |
| JPS6013452B2 (ja) * | 1977-02-08 | 1985-04-08 | ウエスチングハウス・エレクトリツク・コーポレーシヨン | 温度検知装置 |
| JPS60100755A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-04 | Fuigaro Giken Kk | ガスセンサ |
| JPS60114759A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Nec Corp | 半導体式ガス検知素子 |
| JPS60170758A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Nec Corp | 半導体ガス検知素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6013452U (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体ガス検知素子 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP6517384A patent/JPS60209159A/ja active Granted
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5163693A (ja) * | 1974-11-29 | 1976-06-02 | Kaoru Aotani | Gasukenchisoshi |
| JPS51126897A (en) * | 1975-04-26 | 1976-11-05 | Marcon Electronics Co Ltd | Gas detector element |
| JPS5349493A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-04 | Saito Noboru | Gas detecting element composed of oxide semiconductor |
| JPS6013452B2 (ja) * | 1977-02-08 | 1985-04-08 | ウエスチングハウス・エレクトリツク・コーポレーシヨン | 温度検知装置 |
| JPS53135698A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of gas detecting element |
| JPS53135700A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Inflammable gas detecting element |
| JPS5613905A (en) * | 1980-04-05 | 1981-02-10 | Kenji Nakamura | Manufacture of blank of wiping tool |
| JPS5749850A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Nec Corp | Gas detecting element |
| JPS5753533A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-30 | Int Harvester Co | Manufacture of polyimide and polyimide precursor |
| JPS60100755A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-04 | Fuigaro Giken Kk | ガスセンサ |
| JPS60114759A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Nec Corp | 半導体式ガス検知素子 |
| JPS60170758A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Nec Corp | 半導体ガス検知素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60209159A (ja) | 1985-10-21 |
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