JPH05347366A - ガラスセラミック基板を用いた気密電子部品 - Google Patents
ガラスセラミック基板を用いた気密電子部品Info
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- JPH05347366A JPH05347366A JP4153387A JP15338792A JPH05347366A JP H05347366 A JPH05347366 A JP H05347366A JP 4153387 A JP4153387 A JP 4153387A JP 15338792 A JP15338792 A JP 15338792A JP H05347366 A JPH05347366 A JP H05347366A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温焼成ガラスセラミックを用いて製造され
る、気密性及び耐久性に優れた気密電子部品を提供す
る。 【構成】 気密収納するべき電子部品チップ４を保持す
る低温焼成ガラスセラミック基板１と、気密封止するた
めの蓋部８とを有し、基板１中に含まれるガラス成分と
同質のガラスまたは低融点ガラスを接着剤７として用い
て該蓋部８を該基板１に接着する。
る、気密性及び耐久性に優れた気密電子部品を提供す
る。 【構成】 気密収納するべき電子部品チップ４を保持す
る低温焼成ガラスセラミック基板１と、気密封止するた
めの蓋部８とを有し、基板１中に含まれるガラス成分と
同質のガラスまたは低融点ガラスを接着剤７として用い
て該蓋部８を該基板１に接着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスセラミックパッ
ケージ基板とハーメチックシールを用い、水晶振動子お
よびＦＥＴ、ＬＳＩ等の半導体ベアチップを気密容器に
納めた電子部品に関する。
ケージ基板とハーメチックシールを用い、水晶振動子お
よびＦＥＴ、ＬＳＩ等の半導体ベアチップを気密容器に
納めた電子部品に関する。
【０００２】水晶振動子や、ＦＥＴ、ＬＳＩ等の半導体
ベアチップは、通常、ガラスセラミック基板を利用した
気密容器に収納されて、一個の電子部品として回路基板
上に取り付けられる。
ベアチップは、通常、ガラスセラミック基板を利用した
気密容器に収納されて、一個の電子部品として回路基板
上に取り付けられる。
【０００３】
【従来の技術】従来、セラミック基板として、１５００
℃程度の高温焼成により製造されるアルミナ多層セラミ
ック焼成体が用いられてきた。このとき、気密用の蓋が
置かれる部分には、基板となるアルミナセラミックのグ
リーンシート上にタングステンまたはＭｏ−Ｍｎ合金等
の導体を塗布し、基板と同時に焼成する。その後、この
導体上にニッケルまたは金のメッキを施す。次いで基板
の凹部に半導体ベアチップ等を置き、必要な配線を行っ
た後、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏアロイ）、Ｆｅ−Ｎ
ｉ４２アロイ、セラミック等の蓋を前記のニッケルまた
は金のメッキの上にろう付け接着して気密封止する。
℃程度の高温焼成により製造されるアルミナ多層セラミ
ック焼成体が用いられてきた。このとき、気密用の蓋が
置かれる部分には、基板となるアルミナセラミックのグ
リーンシート上にタングステンまたはＭｏ−Ｍｎ合金等
の導体を塗布し、基板と同時に焼成する。その後、この
導体上にニッケルまたは金のメッキを施す。次いで基板
の凹部に半導体ベアチップ等を置き、必要な配線を行っ
た後、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏアロイ）、Ｆｅ−Ｎ
ｉ４２アロイ、セラミック等の蓋を前記のニッケルまた
は金のメッキの上にろう付け接着して気密封止する。
【０００４】このような高温焼成基板に対して、近年に
なって、低温焼成ガラスセラミック基板が利用されるよ
うになった。このような基板は、抵抗、コンデンサを内
蔵させて複合化し、同時焼成することが可能となるとい
う利点がある。また、８５０℃程度の比較的低温で焼成
するため、高導電率の金や銀といった導体をその内部配
線等に使用することができる。
なって、低温焼成ガラスセラミック基板が利用されるよ
うになった。このような基板は、抵抗、コンデンサを内
蔵させて複合化し、同時焼成することが可能となるとい
う利点がある。また、８５０℃程度の比較的低温で焼成
するため、高導電率の金や銀といった導体をその内部配
線等に使用することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような低温焼成基
板を用いて電子部品用気密容器を作るためには、ガラス
セラミック基板上にスクリーン印刷法により、Ａｕ、Ａ
ｇＰｄ、Ａｇ、Ｃｕ系などの導体膜を形成して、その上
に上記と同様の蓋をろう付けにより接着することが考え
られる。しかしながら、この印刷法により導体膜を作成
すると、印刷用の溶剤、バインダー等の混ぜ物が蒸発す
るため、導体膜がポーラスなものとなり、気密性および
接合強度の点で劣ることが問題となる。
板を用いて電子部品用気密容器を作るためには、ガラス
セラミック基板上にスクリーン印刷法により、Ａｕ、Ａ
ｇＰｄ、Ａｇ、Ｃｕ系などの導体膜を形成して、その上
に上記と同様の蓋をろう付けにより接着することが考え
られる。しかしながら、この印刷法により導体膜を作成
すると、印刷用の溶剤、バインダー等の混ぜ物が蒸発す
るため、導体膜がポーラスなものとなり、気密性および
接合強度の点で劣ることが問題となる。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決し、気密電子
部品の製造に低温焼成基板を用いることを可能にする。
部品の製造に低温焼成基板を用いることを可能にする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、気密収納する
べき電子部品チップを保持する低温焼成ガラスセラミッ
ク基板と、これを気密封止するための蓋部とを有し、該
蓋部を、基板中に含まれるガラス成分と同質のガラスま
たは低融点ガラスを接着剤として用いて上記基板に接着
したことを特徴とするガラスセラミック基板を用いた気
密電子部品を提供する。
べき電子部品チップを保持する低温焼成ガラスセラミッ
ク基板と、これを気密封止するための蓋部とを有し、該
蓋部を、基板中に含まれるガラス成分と同質のガラスま
たは低融点ガラスを接着剤として用いて上記基板に接着
したことを特徴とするガラスセラミック基板を用いた気
密電子部品を提供する。
【０００８】本発明において使用できる低温焼成ガラス
セラミック基板としては、たとえば、アルミナガラス系
セラミック基板がある。このガラスセラミック基板に
は、水晶振動子や、ＦＥＴ等の半導体ベアチップを納め
るための凹部がある。このガラスセラミック基板には、
ソリッドなセラミック基板のほか、回路および配線を立
体的に配したセラミック多層配線基板を使用することが
でき、回路の高密度化をはかることができる。この基板
の大きさとしては、１０ｍｍ2 から１５０ｍｍ2程度の
ものを用いることができる。また、基板の厚さは、特に
限定されないが、通常、０．８ｍｍから２．０ｍｍ程度
である。
セラミック基板としては、たとえば、アルミナガラス系
セラミック基板がある。このガラスセラミック基板に
は、水晶振動子や、ＦＥＴ等の半導体ベアチップを納め
るための凹部がある。このガラスセラミック基板には、
ソリッドなセラミック基板のほか、回路および配線を立
体的に配したセラミック多層配線基板を使用することが
でき、回路の高密度化をはかることができる。この基板
の大きさとしては、１０ｍｍ2 から１５０ｍｍ2程度の
ものを用いることができる。また、基板の厚さは、特に
限定されないが、通常、０．８ｍｍから２．０ｍｍ程度
である。
【０００９】また、本発明において使用できる蓋部とし
ては、たとえば、９６％アルミナのガラスセラミックと
いった各種セラミック、Ｆｅ−Ｎｉ４２アロイ、フェル
ニコの一種であるコバール等のものがある。その形状は
特に限定されないが、平面的形状または基板の凹部に対
応する凸部を有する形状が一般的に使用される。蓋部の
厚さは、通常、０．６３５ｍｍから１．２ｍｍ程度であ
る。
ては、たとえば、９６％アルミナのガラスセラミックと
いった各種セラミック、Ｆｅ−Ｎｉ４２アロイ、フェル
ニコの一種であるコバール等のものがある。その形状は
特に限定されないが、平面的形状または基板の凹部に対
応する凸部を有する形状が一般的に使用される。蓋部の
厚さは、通常、０．６３５ｍｍから１．２ｍｍ程度であ
る。
【００１０】さらに、接着剤として使用されるガラスま
たは低融点ガラスとしては、Ｂ2 Ｏ 5 ＋ＳｉＯ2 ＋Ｐｂ
Ｏがある。このようなガラスをアクリル系またはセルロ
ース系バインダとテルピン油、テレビン油などの有機溶
剤と混練することにより、ペースト状にし、例えば、デ
ィスペンサにより塗布したり、スクリーン印刷したりし
て、接着部位に広げることができる。その後、接着剤を
塗布した面の上に上記の蓋部をおいて、必要な乾燥また
は焼成の工程を経て、気密部品を完成させることができ
る。乾燥工程は、１２０〜１５０℃で１０〜３０分程度
乾燥炉に放置して行う。本発明の気密電子部品は、内部
部品の同時焼成や、高導電率導体の使用が可能であると
いった低温焼成セラミック基板の利点を生かしながら、
気密性、接合強度並びに耐久性に優れているという特徴
を有する。また、ろう付けの工程を省略することができ
る。さらに、基板と蓋部との接着工程は単純なものであ
るので、製造コストの低減をはかることができる。
たは低融点ガラスとしては、Ｂ2 Ｏ 5 ＋ＳｉＯ2 ＋Ｐｂ
Ｏがある。このようなガラスをアクリル系またはセルロ
ース系バインダとテルピン油、テレビン油などの有機溶
剤と混練することにより、ペースト状にし、例えば、デ
ィスペンサにより塗布したり、スクリーン印刷したりし
て、接着部位に広げることができる。その後、接着剤を
塗布した面の上に上記の蓋部をおいて、必要な乾燥また
は焼成の工程を経て、気密部品を完成させることができ
る。乾燥工程は、１２０〜１５０℃で１０〜３０分程度
乾燥炉に放置して行う。本発明の気密電子部品は、内部
部品の同時焼成や、高導電率導体の使用が可能であると
いった低温焼成セラミック基板の利点を生かしながら、
気密性、接合強度並びに耐久性に優れているという特徴
を有する。また、ろう付けの工程を省略することができ
る。さらに、基板と蓋部との接着工程は単純なものであ
るので、製造コストの低減をはかることができる。
【００１１】
【実施例】以下に、図１を参照しつつ本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
【００１２】図１には、本発明の一実施例による気密電
子部品の断面を示す。半導体ベアチップ等を納めるガラ
スセラミック基板上１の凹部は２段となっており、最底
部および一段目には電極２、３がすでに取り付けられて
いる。このガラスセラミック基板の大きさは、例えば、
１０ｍｍ角から３０ｍｍ角程度である。最底部の電極２
の上にベアチップ４をおき、ベアチップ４の上面から
は、ワイヤボンディングにより一段高い電極３へと配線
５が引き出される。これらの電極から基板外への引き出
しは、基板１内の水平または垂直の配線６によりするこ
とができる。
子部品の断面を示す。半導体ベアチップ等を納めるガラ
スセラミック基板上１の凹部は２段となっており、最底
部および一段目には電極２、３がすでに取り付けられて
いる。このガラスセラミック基板の大きさは、例えば、
１０ｍｍ角から３０ｍｍ角程度である。最底部の電極２
の上にベアチップ４をおき、ベアチップ４の上面から
は、ワイヤボンディングにより一段高い電極３へと配線
５が引き出される。これらの電極から基板外への引き出
しは、基板１内の水平または垂直の配線６によりするこ
とができる。
【００１３】低融点ガラスのペースト７を基板の頂面に
塗布した後、厚さ０．６３５〜１．２ｍｍ程度のセラミ
ックの平板８を置き、低融点ガラスを乾燥させて、焼成
する。乾燥は、１２０〜１５０℃で１０〜３０分程度、
焼成は３００〜５００℃で１分から１０分程度、焼成炉
内にある時間が３０分から６０分程度で行う。このよう
にして、気密電子部品を完成することができる。
塗布した後、厚さ０．６３５〜１．２ｍｍ程度のセラミ
ックの平板８を置き、低融点ガラスを乾燥させて、焼成
する。乾燥は、１２０〜１５０℃で１０〜３０分程度、
焼成は３００〜５００℃で１分から１０分程度、焼成炉
内にある時間が３０分から６０分程度で行う。このよう
にして、気密電子部品を完成することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、内部部品の同時焼成
や、高導電率導体の使用が可能であるといった低温焼成
セラミック基板の利点を生かし、さらに、気密性、接合
強度並びに耐久性に優れた気密電子部品を提供すること
ができる。また、製造工程の簡略化により製造コストの
低減をはかることができる。従って、本発明は、電子部
品及び半導体製造業の分野において広く利用することが
できるものである。
や、高導電率導体の使用が可能であるといった低温焼成
セラミック基板の利点を生かし、さらに、気密性、接合
強度並びに耐久性に優れた気密電子部品を提供すること
ができる。また、製造工程の簡略化により製造コストの
低減をはかることができる。従って、本発明は、電子部
品及び半導体製造業の分野において広く利用することが
できるものである。
【図１】本発明の気密電子部品の一実施例の断面図を示
す。
す。
１ ガラスセラミック基板 ２、３ 電極 ４ ベアチップ ５ 配線 ６ ガラスペースト（接着剤） ７ コバールの平板（蓋部）
Claims (1)
- 【請求項１】 気密収納するべき電子部品チップを保持
する低温焼成ガラスセラミック基板と、これを気密封止
するための蓋部とを有し、該蓋部を、基板中に含まれる
ガラス成分と同質のガラスまたは低融点ガラスを接着剤
として用いて上記基板に接着したことを特徴とするガラ
スセラミック基板を用いた気密電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153387A JPH05347366A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ガラスセラミック基板を用いた気密電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153387A JPH05347366A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ガラスセラミック基板を用いた気密電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347366A true JPH05347366A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15561373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153387A Pending JPH05347366A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ガラスセラミック基板を用いた気密電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009537985A (ja) * | 2006-05-19 | 2009-10-29 | ソルインドラ，インコーポレーテッド | 気密密閉非平面太陽電池 |
| JP2012243845A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tcst Tech Co Ltd | 電子部品を封止するために用いる高密度ｌｔｃｃパッケージ構造及びその高密度ｌｔｃｃ材料 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP4153387A patent/JPH05347366A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009537985A (ja) * | 2006-05-19 | 2009-10-29 | ソルインドラ，インコーポレーテッド | 気密密閉非平面太陽電池 |
| JP2013243403A (ja) * | 2006-05-19 | 2013-12-05 | Solyndra Inc | 気密密閉非平面太陽電池 |
| JP2012243845A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tcst Tech Co Ltd | 電子部品を封止するために用いる高密度ｌｔｃｃパッケージ構造及びその高密度ｌｔｃｃ材料 |
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