JPH05343310A - レジスト塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 コータカップ内で基板にレジストを塗布した
際、このコータカップの底に流れ落ちるレジストをドレ
イン配管から排出するレジスト塗布装置に関し、特にド
レイン配管の内壁に付着しているレジストを自動的に洗
浄できるレジスト塗布装置の提供を目的とする。 【構成】 ドレイン配管33から排出されるレジスト12に
含まれる溶媒13を分離する溶媒分離手段Ａと、この溶媒
分離手段Ａにより分離された溶媒13を制御装置45により
制御されてドレイン配管33内に噴出し、このドレイン配
管33の内壁に付着しているレジスト12を洗浄する溶媒噴
射手段Ｂとを含ませてレジスト塗布装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コータカップ内で基板
にレジストを塗布した際に、このコータカップの底に流
れ落ちるレジストをドレイン配管から排出するレジスト
塗布装置、特にドレイン配管の内壁に付着しているレジ
ストを自動的に洗浄できるレジスト塗布装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】次に、従来のレジスト塗布装置について
図２を参照して説明する。図２は、従来のレジスト塗布
装置の要部の模式的な側断面図である。

【０００３】従来のレジスト塗布装置は、図２に示すよ
うに、レジスト滴下ノズル21、コータカップ22、ドレイ
ン配管23、回転吸着チャック24、モータ25、廃液タンク
26などを含んで構成されていた。

【０００４】このレジスト塗布装置により基板、例えば
半導体ウェーハ11の表面に液状のレジスト12を塗布する
には、回転吸着チャック24に吸着させた半導体ウェーハ
11の表面上にレジスト12をレジスト滴下ノズル21から適
量だけ滴下した後に、モータ25を起動して回転吸着チャ
ック24とともに半導体ウェーハ11を高速で水平面内で回
転することにより行なっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウェ
ーハ11の表面上にレジスト12を塗布する際に、遠心力に
より半導体ウェーハ11の表面から飛散したレジスト12は
コータカップ22の底に落下した後に、このコータカップ
22の底に連通したドレイン配管23を通って廃液タンク26
に流れ落ちる。

【０００６】このレジスト12の粘度は比較的高く、しか
もその中に含まれる溶媒は揮発し易いためにレジスト塗
布装置を長く使用していると、ドレイン配管23の内壁に
付着したレジスト12' がゲル状となってその管内を詰ま
らせる (図２参照) 。

【０００７】ゲル状になったレジスト12' により管内が
詰まったドレイン配管23を正常の状態に戻すためには、
このドレイン配管23をレジスト塗布装置から一時的に取
り外し、ゲル状のレジスト12' を溶解する溶剤に長時
間、例えば一昼夜程度浸漬しなければならなかった。

【０００８】このために従来のレジスト塗布装置におい
ては、その保守が煩わしくしかも多くの手間が必要とな
るとともに、設備稼働率が低くなるという問題があっ
た。本発明は、このような問題を解消するためになされ
たものであって、その目的はドレイン配管の内壁に付着
しているレジストを自動的に洗浄できるようにしたレジ
スト塗布装置の提供にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的は図１に示すよ
うに、表面に液状のレジスト12を滴下された半導体ウェ
ーハ11をコータカップ32内で水平方向に回転し、この半
導体ウェーハ11の表面にレジスト12を塗布する際に、こ
のコータカップ32の底に流れ落ちるレジスト12をドレイ
ン配管33から排出するレジスト塗布装置において、ドレ
イン配管33から排出されるレジスト12に含まれる溶媒13
を分離する溶媒分離手段Ａと、この溶媒分離手段Ａによ
り分離された溶媒13を制御装置45により制御されてドレ
イン配管33内に噴出し、このドレイン配管33の内壁に付
着しているレジスト12を洗浄する溶媒噴射手段Ｂとを有
することを特徴とするレジスト塗布装置により達成され
る。

【００１０】

【作用】本発明のレジスト塗布装置は、ドレイン配管33
から排出されるレジスト12より溶媒13を溶媒分離手段Ａ
が分離し、そして制御装置45により制御される溶媒噴射
手段Ｂが溶媒13をドレイン配管33内に注入し、このドレ
イン配管33の内壁に付着しているレジスト12を洗浄する
ように構成している。

【００１１】したがって、本発明のレジスト塗布装置の
ドレイン配管33の内壁に付着しているレジスト12は自動
的に洗浄されることとなる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の一実施例のレジスト塗布装置
を図１を参照して説明する。図１は、本発明の一実施例
のレジスト塗布装置の要部の模式的な側断面図である。

【００１３】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。本発明の一実施例のレジスト塗布装置は、図１に
示すように、レジスト滴下ノズル31、コータカップ32、
ドレイン配管33、回転吸着チャック34、モータ35、廃液
タンク36、加熱ヒータ37、水冷管38、溶媒タンク39、上
限液面検出フロート41、下限液面検出フロート40、汲上
管42、ポンプ43、噴出管44及び制御装置45とを含ませて
構成したものである。なお、廃液タンク36、加熱ヒータ
37及び水冷管38とで溶媒分離手段Ａを構成し、また溶媒
タンク39、上限液面検出フロート41、下限液面検出フロ
ート40、汲上管42、ポンプ43及び噴出管44とで溶媒噴出
手段Ｂを構成する。

【００１４】本発明の一実施例のレジスト塗布装置によ
る半導体ウェーハ11の表面にレジスト12を塗布方法は、
図２を参照して説明した従来のレジスト塗布装置による
塗布方法と同様である。

【００１５】すなわち、本発明の一実施例のレジスト塗
布装置により半導体ウェーハ11の表面へのレジスト12の
塗布も、回転吸着チャック34に吸着させた半導体ウェー
ハ11の表面上にレジスト滴下ノズル31からレジスト12を
適量、例えば２〜３グラム程度滴下した後に、直ちにモ
ータ35を起動して回転吸着チャック34とともに半導体ウ
ェーハ11を高速で水平方向に回転することにより行な
う。

【００１６】したがって、本発明の一実施例のレジスト
塗布装置においても、半導体ウェーハ11の表面上にレジ
スト12を塗布した際に、遠心力により半導体ウェーハ11
の表面から飛散したレジスト12はコータカップ32の底に
落下した後に、このコータカップ32の底に連通したドレ
イン配管33を通って廃液タンク36に流れ落ちるととも
に、ドレイン配管33の内壁にもレジスト12が付着するこ
ととなる。

【００１７】そして、ドレイン配管33の内壁に付着した
レジスト12をそのまま放置すると、このレジスト12はゲ
ル状のレジスト12'(図２参照) に変質して除々にドレイ
ン配管33の内壁に堆積し、最終的には従来のレジスト塗
布装置のドレイン配管23と同様にドレイン配管33内がゲ
ル状のレジスト12' により詰まることとなる。

【００１８】本発明の一実施例のレジスト塗布装置は、
レジスト12から分離した溶媒でドレイン配管33内を自動
的に洗浄し、このドレイン配管33内がゲル状のレジスト
12'で詰まることがないようにしたものである。

【００１９】次に、このレジスト塗布装置により半導体
ウェーハ11にレジスト12を塗布した際にドレイン配管33
の内壁に付着したレジスト12 (なお、このレジスト12は
塗布直後であるから流動性を有することは勿論である)
の洗浄方法について順を追って説明する。

【００２０】まず、上述の塗布作業によりレジスト12を
溜めている廃液タンク36を加熱ヒータ37により加熱し、
このレジスト12に含まれる溶媒13は蒸気となって廃液タ
ンク36内の空間を満たすとともに、この廃液タンク36内
に一端を連通した水冷管38に向かって流れ出す。

【００２１】そして、蒸気の溶媒13は、この水冷管38内
で冷却されて液体の溶媒13となって溶媒タンク39に溜ま
る。なお、36a は、断熱性と耐熱性とを有するスリット
板36a であって、廃液タンク36のレジスト12の左右方向
の移動を微小にするとともに、廃液タンク36内で蒸気と
なった溶媒13のドレイン配管33内への流入を防止するも
のである。

【００２２】この溶媒タンク39内には、ハイレベルの液
面を検出して電気信号を制御装置45に入力する上限液面
検出フロート41と、ハイレベルの液面より低いローレベ
ルの液面を検出して電気信号を制御装置45に入力する下
限液面検出フロート40とが設置されている。

【００２３】この制御装置45は、上限液面検出フロート
41から電気信号を入力するとホンプ43を起動し、下限液
面検出フロート40から電気信号を入力するとポンプ43の
回転を停止するように構成されている。

【００２４】したがって、溶媒タンク39内に溜まった溶
媒13の液面がハイレベルになると上限液面検出フロート
41を介して制御装置45により起動されたポンプ43は、汲
上管42を介して溶媒タンク39内の溶媒13を汲み上げ、そ
して噴出管44からドレイン配管33内に溶媒13を噴出し、
ドレイン配管33の内壁に流動状態で付着しているレジス
ト12を洗い流して廃液タンク36内に落下させる。

【００２５】そして、かかる洗浄により溶媒タンク39内
の溶媒13の液面がローレベルに下がると下限液面検出フ
ロート40からの電気信号を入力した制御装置45がポンプ
43を停止し、ドレイン配管33内への溶媒13の噴射も一時
的に停止する。

【００２６】以上説明したように本発明の一実施例のレ
ジスト塗布装置は、ドレイン配管33内に溶媒13を間歇的
に噴射してレジスト12を自動的に洗浄するから、ドレイ
ン配管33の内壁にレジスト12がゲル状のレジスト12'(図
２参照) となって付着することがない。

【００２７】このように構成した本発明の一実施例のレ
ジスト塗布装置は、上限液面検出フロート41と下限液面
検出フロート40の設定方法や溶媒タンク39の内平面の広
さなど変えることにより、ドレイン配管33内への溶媒13
の噴射のタイミングを自在に設定できることとなる。

【００２８】また、この一実施例のレジスト塗布装置
は、半導体ウェーハ11以外の基板、例えばパターンニン
グされてマスクやレチクルとなる基板に対しても適用で
きることは勿論である。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェーハへのレジスト塗布作業を実施した際に、ドレイン
配管の内壁に付着しているレジストを自動的に洗浄する
レジスト塗布装置の供給を可能にする。

【００３０】したがって、本発明のレジスト塗布装置を
採用すれば、煩雑な保守作業から開放されるとともに、
レジスト塗布装置の稼働率が向上することとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】は本発明の一実施例のレジスト塗布装置の要部
の模式的な側断面図

【図２】は従来のレジスト塗布装置の要部の模式的な側
断面図

【符号の説明】

11は、半導体ウェーハ (基板) 、12は、レジスト、12'
は、ゲル状のレジスト、13は、溶媒、21,31 は、レジス
ト滴下ノズル、22,32 は、コータカップ、23,33 は、ド
レイン配管、24,34 は、回転吸着チャック、25,35 は、
モータ、26,36 は、廃液タンク、37は、加熱ヒータ、38
は、水冷管、39は、溶媒タンク、40は、下限液面検出フ
ロート、41は、上限液面検出フロート、42は、汲上管、
43は、ポンプ、44は、噴射管、45は制御装置をそれぞれ
示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に液状のレジスト(12)を滴下された
   基板(11)をコータカップ(32)内で水平方向に回転し、こ
   の基板(11)の表面に前記レジスト(12)を塗布する際に、
   このコータカップ(32)の底に流れ落ちる前記レジスト(1
   2)をドレイン配管(33)から排出するレジスト塗布装置に
   おいて、 前記ドレイン配管(33)から排出される前記レジスト(12)
   に含まれる溶媒(13)を分離する溶媒分離手段(A) と、 前記溶媒分離手段(A) により分離された前記溶媒(13)を
   制御装置(45)により制御されて前記ドレイン配管(33)内
   に噴出し、このドレイン配管(33)の内壁に付着している
   前記レジスト(12)を洗浄する溶媒噴射手段(B) とを有す
   ることを特徴とするレジスト塗布装置。