JPH05332796A - 複合センサ素子 - Google Patents
複合センサ素子Info
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- JPH05332796A JPH05332796A JP4165536A JP16553692A JPH05332796A JP H05332796 A JPH05332796 A JP H05332796A JP 4165536 A JP4165536 A JP 4165536A JP 16553692 A JP16553692 A JP 16553692A JP H05332796 A JPH05332796 A JP H05332796A
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- resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気温，輻射温度，風速の正確な個別計測。小
型，低消費電力化。 【構成】 基板１上に、空間部７を設けて、ダイアフラ
ム部１０を形成する。ダイアフラム部１０には薄膜感温
抵抗４ａと４ｂが形成されている。抵抗４ａについて
は、その全領域を覆うように、その上方部に高輻射率物
質８が蒸着されている。この複合センサ素子によれば、
抵抗４ｂの値から気温を計測でき、この計測気温と抵抗
４ａの値から計測される温度とから輻射温度を求めるこ
とができる。また、抵抗４ｂの値から計測される温度が
所定の温度となるように、抵抗４ｂへの供給電流を制御
することにより、風速を計測することができる。
型，低消費電力化。 【構成】 基板１上に、空間部７を設けて、ダイアフラ
ム部１０を形成する。ダイアフラム部１０には薄膜感温
抵抗４ａと４ｂが形成されている。抵抗４ａについて
は、その全領域を覆うように、その上方部に高輻射率物
質８が蒸着されている。この複合センサ素子によれば、
抵抗４ｂの値から気温を計測でき、この計測気温と抵抗
４ａの値から計測される温度とから輻射温度を求めるこ
とができる。また、抵抗４ｂの値から計測される温度が
所定の温度となるように、抵抗４ｂへの供給電流を制御
することにより、風速を計測することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、空調制御の分野にお
いて、快適度として例えば室内環境の快適さを示す予測
平均温感ＰＭＶ（Predicted Mean Vote ）を計測するた
めに用いて好適な複合センサ素子に関するものである。
いて、快適度として例えば室内環境の快適さを示す予測
平均温感ＰＭＶ（Predicted Mean Vote ）を計測するた
めに用いて好適な複合センサ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、快適度センサとして、サーミ
スタを用いたものがある。図４はその一例を示すセンサ
部の概略である。同図において、４１は反射板、４２は
サーミスタ、４３は多孔状カバーである。反射板４１は
半球状に形成されており、この反射板４１の焦点にサー
ミスタ４２が設置され、これを覆うようにして多孔状カ
バー４３が設けられている。反射板４１は周囲からの輻
射をサーミスタ４２に集める。多孔状カバー４３は周囲
の風を適宜通してサーミスタ４２に当てる。この快適度
センサでは、サーミスタ４２を所定の温度に加熱制御す
ることにより、この際のサーミスタ４２への供給電流値
と図示せぬ温度センサによる検出気温とから、気温と輻
射温度と風速とを変数として表現される快適度を求める
ことができる。すなわち、サーミスタ４２を所定の温度
とするために必要な供給電流には輻射と風速の影響が反
映されているため、この際の供給電流値と気温とから快
適度を求めることができる。
スタを用いたものがある。図４はその一例を示すセンサ
部の概略である。同図において、４１は反射板、４２は
サーミスタ、４３は多孔状カバーである。反射板４１は
半球状に形成されており、この反射板４１の焦点にサー
ミスタ４２が設置され、これを覆うようにして多孔状カ
バー４３が設けられている。反射板４１は周囲からの輻
射をサーミスタ４２に集める。多孔状カバー４３は周囲
の風を適宜通してサーミスタ４２に当てる。この快適度
センサでは、サーミスタ４２を所定の温度に加熱制御す
ることにより、この際のサーミスタ４２への供給電流値
と図示せぬ温度センサによる検出気温とから、気温と輻
射温度と風速とを変数として表現される快適度を求める
ことができる。すなわち、サーミスタ４２を所定の温度
とするために必要な供給電流には輻射と風速の影響が反
映されているため、この際の供給電流値と気温とから快
適度を求めることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の快適度センサによると、サーミスタ４２への
供給電流値という輻射温度と風速とが複雑に関係した物
理量を計測しており、また多孔状カバー４３を通して計
測される風速は設置方向の変化に対して敏感に変化する
ため測定の再現性が悪く、気温，輻射温度および風速の
出力への寄与率が不明確となり、快適度の指標として例
えばＰＭＶを求めようとしても、これを正確に求めるこ
とができないという問題があった。
うな従来の快適度センサによると、サーミスタ４２への
供給電流値という輻射温度と風速とが複雑に関係した物
理量を計測しており、また多孔状カバー４３を通して計
測される風速は設置方向の変化に対して敏感に変化する
ため測定の再現性が悪く、気温，輻射温度および風速の
出力への寄与率が不明確となり、快適度の指標として例
えばＰＭＶを求めようとしても、これを正確に求めるこ
とができないという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するためになされたもので、基板の一部に所定の
空間を設けて薄肉状にダイアフラム部を形成し、このダ
イアフラム部に形成した第１および第２の薄膜感温素子
のうち、第１の薄膜感温素子の上方部または下方部の少
なくとも一方に高輻射率物質をコーティングしたもので
ある。
を解決するためになされたもので、基板の一部に所定の
空間を設けて薄肉状にダイアフラム部を形成し、このダ
イアフラム部に形成した第１および第２の薄膜感温素子
のうち、第１の薄膜感温素子の上方部または下方部の少
なくとも一方に高輻射率物質をコーティングしたもので
ある。
【０００５】
【作用】したがってこの発明によれば、ダイアフラム部
に形成された第１および第２の薄膜感温素子が基板から
熱絶縁され、高輻射率物質のコーティングされていない
第２の薄膜感温素子の値から気温の計測が可能となる。
また、第２の薄膜感温素子の値から計測される気温と高
輻射率物質のコーティングされた第１の薄膜感温素子の
値から計測される温度とから、輻射温度を求めることが
可能となる。さらに、第２の薄膜感温素子の値から計測
される温度が所定の温度となるように、第２の薄膜感温
素子への供給電流を制御するものとすれば、この際の供
給電流値から風速の計測が可能となる。
に形成された第１および第２の薄膜感温素子が基板から
熱絶縁され、高輻射率物質のコーティングされていない
第２の薄膜感温素子の値から気温の計測が可能となる。
また、第２の薄膜感温素子の値から計測される気温と高
輻射率物質のコーティングされた第１の薄膜感温素子の
値から計測される温度とから、輻射温度を求めることが
可能となる。さらに、第２の薄膜感温素子の値から計測
される温度が所定の温度となるように、第２の薄膜感温
素子への供給電流を制御するものとすれば、この際の供
給電流値から風速の計測が可能となる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明に係る複合センサ素子を詳細に
説明する。
説明する。
【０００７】図１はこの複合センサ素子の一実施例を示
す概略斜視図であり、図２はそのII−II線断面図であ
る。
す概略斜視図であり、図２はそのII−II線断面図であ
る。
【０００８】図において、１はセンサ基板、２ａは第１
の検出部、２ｂは第２の検出部、３はエッチング窓、４
ａは第１の薄膜感温素子、４ｂは第２の薄膜感温素子、
５はボンディングパッド、６ａ，６ｂは絶縁膜、７は窪
み空間部、８は高輻射率物質、９は基板温度測定用素子
である。薄膜感温素子４ａ，４ｂ，基板温度測定用素子
９の終端はボンディングパット５になっており、ワイア
ボンドなどによって外部回路と接続される。
の検出部、２ｂは第２の検出部、３はエッチング窓、４
ａは第１の薄膜感温素子、４ｂは第２の薄膜感温素子、
５はボンディングパッド、６ａ，６ｂは絶縁膜、７は窪
み空間部、８は高輻射率物質、９は基板温度測定用素子
である。薄膜感温素子４ａ，４ｂ，基板温度測定用素子
９の終端はボンディングパット５になっており、ワイア
ボンドなどによって外部回路と接続される。
【０００９】この複合センサ素子は次のような工程を経
て形成されている。
て形成されている。
【００１０】すなわち、例えば約１．７ｍｍ角，厚さ
０．４ｍｍの結晶面を表面とする単結晶シリコンをセン
サ基板１とし、このセンサ基板１の表面に絶縁膜６ａと
して例えば窒化シリコン膜をスパッタあるいはＣＶＤに
よって形成する。そして、この絶縁膜６ａの上に薄膜感
温抵抗体層として、例えば白金をスパッタあるいは蒸着
によって形成する。そして、この薄膜感温抵抗体層をフ
ォトリソグラフィによって所定のパターンにエッチング
し、第１の薄膜感温素子４ａ，第２の薄膜感温素子４ｂ
および基板温度測定用素子９を形成する。
０．４ｍｍの結晶面を表面とする単結晶シリコンをセン
サ基板１とし、このセンサ基板１の表面に絶縁膜６ａと
して例えば窒化シリコン膜をスパッタあるいはＣＶＤに
よって形成する。そして、この絶縁膜６ａの上に薄膜感
温抵抗体層として、例えば白金をスパッタあるいは蒸着
によって形成する。そして、この薄膜感温抵抗体層をフ
ォトリソグラフィによって所定のパターンにエッチング
し、第１の薄膜感温素子４ａ，第２の薄膜感温素子４ｂ
および基板温度測定用素子９を形成する。
【００１１】そして、薄膜感温素子４ａ，４ｂおよび基
板温度測定用素子９の形成された絶縁膜６ａの上に、抵
抗保護のために絶縁膜６ｂを形成する。そして、この絶
縁膜６ｂの上に高輻射率物質として、例えば金黒をコー
ティング（蒸着）する。そして、この高輻射率物質をフ
ォトリソグラフィによって、第１の薄膜感温素子４ａの
上方部を残して除去する。本実施例においては、薄膜感
温素子４ａの全領域を覆うものとして、高輻射率物質８
を残している。
板温度測定用素子９の形成された絶縁膜６ａの上に、抵
抗保護のために絶縁膜６ｂを形成する。そして、この絶
縁膜６ｂの上に高輻射率物質として、例えば金黒をコー
ティング（蒸着）する。そして、この高輻射率物質をフ
ォトリソグラフィによって、第１の薄膜感温素子４ａの
上方部を残して除去する。本実施例においては、薄膜感
温素子４ａの全領域を覆うものとして、高輻射率物質８
を残している。
【００１２】そして、フォトリソグラフィによって絶縁
膜６ａ，６ｂをエッチング用の窓３とボンディングパッ
ト５が露出するようにエッチングした後、窓３を通して
シリコンの異方性エッチング溶液、例えばＫＯＨとイソ
プロピルアルコール混合液を用い、センサ基板１の絶縁
膜６ａの下部に所定の大きさの窪み空間部７を形成す
る。これにより、窪み空間部７を下部空間として、薄肉
状のダイアフラム部１０が形成される。
膜６ａ，６ｂをエッチング用の窓３とボンディングパッ
ト５が露出するようにエッチングした後、窓３を通して
シリコンの異方性エッチング溶液、例えばＫＯＨとイソ
プロピルアルコール混合液を用い、センサ基板１の絶縁
膜６ａの下部に所定の大きさの窪み空間部７を形成す
る。これにより、窪み空間部７を下部空間として、薄肉
状のダイアフラム部１０が形成される。
【００１３】すなわち、絶縁膜６ａと薄膜感温素子４ａ
と絶縁膜６ｂと高輻射率物質８との積層構造を第１の検
出部２ａとし、絶縁膜６ａと薄膜感温素子４ｂと絶縁膜
６ｂとの積層構造を第２の検出部２ｂとし、この第１の
検出部２ａと第２の検出部２ｂとを擁してなるダイアフ
ラム部１０が、窪み空間部７を下部空間としてセンサ基
板１上に形成される。検出部２ａ，２ｂは、ダイアフラ
ム部１０に形成されているので、センサ基板１から熱絶
縁され、その熱容量が非常に小さいものとなる。
と絶縁膜６ｂと高輻射率物質８との積層構造を第１の検
出部２ａとし、絶縁膜６ａと薄膜感温素子４ｂと絶縁膜
６ｂとの積層構造を第２の検出部２ｂとし、この第１の
検出部２ａと第２の検出部２ｂとを擁してなるダイアフ
ラム部１０が、窪み空間部７を下部空間としてセンサ基
板１上に形成される。検出部２ａ，２ｂは、ダイアフラ
ム部１０に形成されているので、センサ基板１から熱絶
縁され、その熱容量が非常に小さいものとなる。
【００１４】なお、上記プロセスは、一例にすぎず、絶
縁膜６ａ，６ｂには二酸化シリコンなどを、また薄膜感
温素子４ａ，４ｂにはニッケル，ニッケル鉄合金など
を、また高輻射率物資８にはカーボンブラックなどを用
いてもよい。また、窪み空間部７を形成する手段は異方
性エッチングに限られるものではなく、等方性エッチン
グ、あるいは基板裏側からのバックサイドエッチングな
どによって形成してもよい。
縁膜６ａ，６ｂには二酸化シリコンなどを、また薄膜感
温素子４ａ，４ｂにはニッケル，ニッケル鉄合金など
を、また高輻射率物資８にはカーボンブラックなどを用
いてもよい。また、窪み空間部７を形成する手段は異方
性エッチングに限られるものではなく、等方性エッチン
グ、あるいは基板裏側からのバックサイドエッチングな
どによって形成してもよい。
【００１５】次に、この複合センサ素子を用いて行う複
合計測（気温計測，輻射温度計測，風速計測）につい
て、その概要を説明する。
合計測（気温計測，輻射温度計測，風速計測）につい
て、その概要を説明する。
【００１６】この複合センサ素子によれば、検出部２
ａ，２ｂの薄膜感温素子４ａ，４ｂに自己発熱しないよ
うな小さな測定電流を流し、これにより生ずる電圧降下
に基づき薄膜感温素子４ａ，４ｂの値を測定することに
より、検出部２ａ，２ｂでの温度Ｔａ，Ｔｂを求めるこ
とができる。
ａ，２ｂの薄膜感温素子４ａ，４ｂに自己発熱しないよ
うな小さな測定電流を流し、これにより生ずる電圧降下
に基づき薄膜感温素子４ａ，４ｂの値を測定することに
より、検出部２ａ，２ｂでの温度Ｔａ，Ｔｂを求めるこ
とができる。
【００１７】ここで、高輻射率物質８でコーティングさ
れた第１の検出部２ａでは、その輻射率を０．９以上に
することが可能である。これに対し、高輻射率物質８を
コーティングしていない第２の検出部２ｂでは、その輻
射率が０．１以下となる。
れた第１の検出部２ａでは、その輻射率を０．９以上に
することが可能である。これに対し、高輻射率物質８を
コーティングしていない第２の検出部２ｂでは、その輻
射率が０．１以下となる。
【００１８】すなわち、第２の検出部２ｂは殆ど輻射の
影響を受けないので、ここでの測定温度Ｔｂは気温に一
致している。したがって、薄膜感温素子４ｂの値に基づ
き、複合センサ素子の環境の気温を計測することができ
る。
影響を受けないので、ここでの測定温度Ｔｂは気温に一
致している。したがって、薄膜感温素子４ｂの値に基づ
き、複合センサ素子の環境の気温を計測することができ
る。
【００１９】これに対し、第１の検出部２ａでの測定温
度Ｔａは、輻射の影響を大きく受ける。このため、輻射
温度と温度Ｔａ，Ｔｂとの関係を予め実験などで求めて
おけば、その関係を用いて、この複合センサ素子の環境
の輻射温度を求めることができる。
度Ｔａは、輻射の影響を大きく受ける。このため、輻射
温度と温度Ｔａ，Ｔｂとの関係を予め実験などで求めて
おけば、その関係を用いて、この複合センサ素子の環境
の輻射温度を求めることができる。
【００２０】また、この複合センサ素子の環境の風速
は、熱線風速計と同じ原理で計測することができる。す
なわち、基板温度測定用素子９の値に基づき基板温度Ｔ
ｃを測定しながら、計測温度Ｔｂが一定温度になるよう
に薄膜感温素子４ｂへの供給電流を制御することによ
り、この際の供給電流値（あるいは供給電力）から風速
を求めることができる。
は、熱線風速計と同じ原理で計測することができる。す
なわち、基板温度測定用素子９の値に基づき基板温度Ｔ
ｃを測定しながら、計測温度Ｔｂが一定温度になるよう
に薄膜感温素子４ｂへの供給電流を制御することによ
り、この際の供給電流値（あるいは供給電力）から風速
を求めることができる。
【００２１】図３は上述した複合計測を実現するための
ブロック回路構成図である。同図において、Ｒ０は基準
抵抗、Ｒ１は薄膜感温素子４ｂ、Ｒ２は薄膜感温素子４
ａ、Ｒ３は基板温度測定用素子９を示す。Ｉ１，Ｉ２，
Ｉ３は定電流源、１１はマルチプレクサ（ＭＰＸ）は、
１２はＡ／Ｄ変換器、１３はマイクロプロセッサ（ＣＰ
Ｕ）、１４はＣＰＵ１４からの指令に応じて制御電流を
出力するＤ／Ａ変換器、１５はＲＯＭである。
ブロック回路構成図である。同図において、Ｒ０は基準
抵抗、Ｒ１は薄膜感温素子４ｂ、Ｒ２は薄膜感温素子４
ａ、Ｒ３は基板温度測定用素子９を示す。Ｉ１，Ｉ２，
Ｉ３は定電流源、１１はマルチプレクサ（ＭＰＸ）は、
１２はＡ／Ｄ変換器、１３はマイクロプロセッサ（ＣＰ
Ｕ）、１４はＣＰＵ１４からの指令に応じて制御電流を
出力するＤ／Ａ変換器、１５はＲＯＭである。
【００２２】まず、気温と輻射温度を計測する。この場
合、定電流源Ｉ１は抵抗Ｒ０とＲ１との直列抵抗に、定
電流源Ｉ２は抵抗Ｒ２に、定電流源Ｉ３は抵抗Ｒ３に非
常に小さな測定電流（１０μＡ程度）を流す。この際、
Ｄ／Ａ変換器１４は、その制御電流を零とする。マルチ
プレクサ１１は、抵抗Ｒ０とＲ１との接続点に生ずる電
圧Ｖ１と、定電流源Ｉ２と抵抗Ｒ２との接続点に生ずる
電圧Ｖ２とを切り替えて、Ａ／Ｄ変換器１２へ与える。
Ａ／Ｄ変換器１２は、供与される電圧Ｖ１およびＶ２を
デジタル値に変換して、ＣＰＵ１３へ与える。ＣＰＵ１
３は、予め与えられている抵抗値と温度との関係〔白金
の場合、Ｒ（Ｔ）＝Ｒ（０）×（１＋αＴ＋βＴ2 ）、
但し、Ｔ：温度、α：約３．８×１０-3、β：約−０．
６×１０-6〕を用いて、Ｖ２から第１の検出部２ａでの
温度Ｔａ、Ｖ１から第２の検出部２ｂでの温度Ｔｂを計
算する。
合、定電流源Ｉ１は抵抗Ｒ０とＲ１との直列抵抗に、定
電流源Ｉ２は抵抗Ｒ２に、定電流源Ｉ３は抵抗Ｒ３に非
常に小さな測定電流（１０μＡ程度）を流す。この際、
Ｄ／Ａ変換器１４は、その制御電流を零とする。マルチ
プレクサ１１は、抵抗Ｒ０とＲ１との接続点に生ずる電
圧Ｖ１と、定電流源Ｉ２と抵抗Ｒ２との接続点に生ずる
電圧Ｖ２とを切り替えて、Ａ／Ｄ変換器１２へ与える。
Ａ／Ｄ変換器１２は、供与される電圧Ｖ１およびＶ２を
デジタル値に変換して、ＣＰＵ１３へ与える。ＣＰＵ１
３は、予め与えられている抵抗値と温度との関係〔白金
の場合、Ｒ（Ｔ）＝Ｒ（０）×（１＋αＴ＋βＴ2 ）、
但し、Ｔ：温度、α：約３．８×１０-3、β：約−０．
６×１０-6〕を用いて、Ｖ２から第１の検出部２ａでの
温度Ｔａ、Ｖ１から第２の検出部２ｂでの温度Ｔｂを計
算する。
【００２３】すなわち、ＣＰＵ１３は、第２の検出部２
ｂでの温度Ｔｂを計算し、この温度Ｔｂを複合センサ素
子の環境の温度として求める。また、ＲＯＭ１５には予
め実験などによって求められたＴａ，Ｔｂと輻射温度と
の関係が書き込まれており、ＣＰＵ１３は、このＲＯＭ
１５に書き込まれた内容を参照して、複合センサ素子の
環境の輻射温度を求める。
ｂでの温度Ｔｂを計算し、この温度Ｔｂを複合センサ素
子の環境の温度として求める。また、ＲＯＭ１５には予
め実験などによって求められたＴａ，Ｔｂと輻射温度と
の関係が書き込まれており、ＣＰＵ１３は、このＲＯＭ
１５に書き込まれた内容を参照して、複合センサ素子の
環境の輻射温度を求める。
【００２４】次に、風速を計測する。この場合、定電流
源Ｉ１は抵抗Ｒ０とＲ１との直列抵抗に、定電流源Ｉ２
は抵抗Ｒ２に、定電流源Ｉ３は抵抗Ｒ３に、非常に小さ
な測定電流（１０μＡ程度）を流す。マルチプレクサ１
１は、定電流源Ｉ１と抵抗Ｒ０との接続点に生ずる電圧
Ｖ０と、抵抗Ｒ０と抵抗Ｒ１との接続点に生ずる電圧Ｖ
１と、定電流源Ｉ３と抵抗Ｒ３との接続点に生ずる電圧
Ｖ３とを切り替えて、Ａ／Ｄ変換器１２へ与える。Ａ／
Ｄ変換器１２は、供与される電圧Ｖ０，Ｖ１およびＶ３
をデジタル値に変換して、ＣＰＵ１３へ与える。
源Ｉ１は抵抗Ｒ０とＲ１との直列抵抗に、定電流源Ｉ２
は抵抗Ｒ２に、定電流源Ｉ３は抵抗Ｒ３に、非常に小さ
な測定電流（１０μＡ程度）を流す。マルチプレクサ１
１は、定電流源Ｉ１と抵抗Ｒ０との接続点に生ずる電圧
Ｖ０と、抵抗Ｒ０と抵抗Ｒ１との接続点に生ずる電圧Ｖ
１と、定電流源Ｉ３と抵抗Ｒ３との接続点に生ずる電圧
Ｖ３とを切り替えて、Ａ／Ｄ変換器１２へ与える。Ａ／
Ｄ変換器１２は、供与される電圧Ｖ０，Ｖ１およびＶ３
をデジタル値に変換して、ＣＰＵ１３へ与える。
【００２５】ＣＰＵ１３は、Ｖ０とＶ１とに基づき、Ｒ
１＝Ｒ０×Ｖ１／（Ｖ０−Ｖ１）を求め、第２の検出部
２ｂでの温度Ｔｂを計算する。そして、Ｖ３に基づき、
基板温度Ｔｃを計算する。そして、ＣＰＵ１３は、Ｔｂ
−Ｔｃが所定の大きさ（例えば６０℃）になるように、
Ｄ／Ａ変換器１４から出力される制御電流の値を操作す
る。本実施例においては、風速が０．５ｍ／秒の時、必
要な電力は約３ｍＷであった。この制御動作が安定した
ときに、抵抗Ｒ１に流れる電流値Ｉ１＝（Ｖ０−Ｖ１）
／Ｒ０から、キングの式を用いて、風速ｖ＝Ａ×（Ｉ１
2 −Ｉ１0 2）2を求める。ただし、Ａは予め実験室など
で求められた定数、Ｉ１0は風速零の時に所定の温度に
なるのに必要な電流値である。
１＝Ｒ０×Ｖ１／（Ｖ０−Ｖ１）を求め、第２の検出部
２ｂでの温度Ｔｂを計算する。そして、Ｖ３に基づき、
基板温度Ｔｃを計算する。そして、ＣＰＵ１３は、Ｔｂ
−Ｔｃが所定の大きさ（例えば６０℃）になるように、
Ｄ／Ａ変換器１４から出力される制御電流の値を操作す
る。本実施例においては、風速が０．５ｍ／秒の時、必
要な電力は約３ｍＷであった。この制御動作が安定した
ときに、抵抗Ｒ１に流れる電流値Ｉ１＝（Ｖ０−Ｖ１）
／Ｒ０から、キングの式を用いて、風速ｖ＝Ａ×（Ｉ１
2 −Ｉ１0 2）2を求める。ただし、Ａは予め実験室など
で求められた定数、Ｉ１0は風速零の時に所定の温度に
なるのに必要な電流値である。
【００２６】このように、本実施例による複合センサ素
子によれば、環境の気温，輻射温度および風速を個別に
正確に測定することができるので、これらの計測結果に
基づき快適度として例えばＰＭＶ値をより精度良く求め
ることできるようになる。また、本実施例によれば、そ
の構造ならびに原理から明らかなように、小型でかつ低
消費電力であるという特徴を有する。
子によれば、環境の気温，輻射温度および風速を個別に
正確に測定することができるので、これらの計測結果に
基づき快適度として例えばＰＭＶ値をより精度良く求め
ることできるようになる。また、本実施例によれば、そ
の構造ならびに原理から明らかなように、小型でかつ低
消費電力であるという特徴を有する。
【００２７】なお、本実施例においては、高輻射率物質
８を薄膜感温素子４ａの全領域を覆うように形成した
が、薄膜感温素子４ａの一部領域を覆うように形成して
もよい。また、高輻射率物質８は、絶縁膜６ａ側に形成
するようにしてもよく、絶縁膜６ａ側と６ｂ側の両方に
形成するようにしてもよい。
８を薄膜感温素子４ａの全領域を覆うように形成した
が、薄膜感温素子４ａの一部領域を覆うように形成して
もよい。また、高輻射率物質８は、絶縁膜６ａ側に形成
するようにしてもよく、絶縁膜６ａ側と６ｂ側の両方に
形成するようにしてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、基板の一部に所定の空間を設けて薄肉状
にダイアフラム部を形成し、このダイアフラム部に形成
した第１および第２の薄膜感温素子のうち、第１の薄膜
感温素子の上方部または下方部の少なくとも一方に高輻
射率物質をコーティングしたので、気温，輻射温度およ
び風速を個別に正確に計測することが可能となり、これ
らの計測結果に基づき快適度として例えばＰＭＶを精度
良く求めることができるようになる。また、小型化を促
進し、低消費電力とすることも可能となる。
発明によれば、基板の一部に所定の空間を設けて薄肉状
にダイアフラム部を形成し、このダイアフラム部に形成
した第１および第２の薄膜感温素子のうち、第１の薄膜
感温素子の上方部または下方部の少なくとも一方に高輻
射率物質をコーティングしたので、気温，輻射温度およ
び風速を個別に正確に計測することが可能となり、これ
らの計測結果に基づき快適度として例えばＰＭＶを精度
良く求めることができるようになる。また、小型化を促
進し、低消費電力とすることも可能となる。
【図１】本発明に係る複合センサ素子の一実施例を示す
概略斜視図。
概略斜視図。
【図２】図１におけるII−II線断面図。
【図３】この複合センサ素子を用いて複合計測を実現す
るためのブロック回路構成図。
るためのブロック回路構成図。
【図４】従来の快適度センサの一例を示すセンサ部の概
略図。
略図。
１ センサ基板 ２ａ 第１の検出部 ２ｂ 第２の検出部 ４ａ 第１の薄膜感温素子 ４ｂ 第２の薄膜感温素子 ６ａ 絶縁膜 ６ｂ 絶縁膜 ７ 窪み空間部 ８ 高輻射率物質 ９ 基板温度測定用素子
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の一部に所定の空間を設けて薄肉状
に形成されたダイアフラム部と、このダイアフラム部に
形成された第１および第２の薄膜感温素子とを備え、前
記第１の薄膜感温素子の上方部または下方部の少なくと
も一方に高輻射率物質がコーティングされていることを
特徴とする複合センサ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4165536A JP2686878B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 複合センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4165536A JP2686878B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 複合センサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05332796A true JPH05332796A (ja) | 1993-12-14 |
| JP2686878B2 JP2686878B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=15814254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4165536A Expired - Fee Related JP2686878B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 複合センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686878B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011526160A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-06 | サバン ベンチャーズ ピーティーワイ リミテッド | エアロゾルセンサ |
| JP2012211789A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Mitsubishi Materials Corp | 赤外線センサ及びこれを備えた回路基板 |
| CN113465755A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 北京振兴计量测试研究所 | 一种稳态辐射温度的间接测试方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03262923A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 環境センサ |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP4165536A patent/JP2686878B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03262923A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 環境センサ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011526160A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-06 | サバン ベンチャーズ ピーティーワイ リミテッド | エアロゾルセンサ |
| US9027385B2 (en) | 2008-06-30 | 2015-05-12 | Saban Ventures Pty Limited | Aerosol sensor |
| JP2012211789A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Mitsubishi Materials Corp | 赤外線センサ及びこれを備えた回路基板 |
| CN113465755A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 北京振兴计量测试研究所 | 一种稳态辐射温度的间接测试方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2686878B2 (ja) | 1997-12-08 |
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