JPH05325867A - パルスビーム発生方法および発生装置 - Google Patents
パルスビーム発生方法および発生装置Info
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- JPH05325867A JPH05325867A JP4124866A JP12486692A JPH05325867A JP H05325867 A JPH05325867 A JP H05325867A JP 4124866 A JP4124866 A JP 4124866A JP 12486692 A JP12486692 A JP 12486692A JP H05325867 A JPH05325867 A JP H05325867A
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- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 12
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- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 3
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- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 荷電ビームの電流量を低下させることなく、
パルス幅を短縮させること。 【構成】 円形の断面形状を有する荷電ビーム40を発
生させるビーム発生装置1と、加電ビーム40の断面形
状を細長状とする細長成形手段10と、荷電ビーム40
を断面形状の長手方向と直交する方向に偏向する偏向手
段13と、荷電ビーム40を切取るアパーチャー15
と、荷電ビーム40の断面形状を円形に戻す戻し成形手
段16とが順次配置されている。
パルス幅を短縮させること。 【構成】 円形の断面形状を有する荷電ビーム40を発
生させるビーム発生装置1と、加電ビーム40の断面形
状を細長状とする細長成形手段10と、荷電ビーム40
を断面形状の長手方向と直交する方向に偏向する偏向手
段13と、荷電ビーム40を切取るアパーチャー15
と、荷電ビーム40の断面形状を円形に戻す戻し成形手
段16とが順次配置されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビームまたはイオン
ビーム等の荷電ビームを用いたパルスビーム発生方法お
よびパルスビーム発生装置に関する。
ビーム等の荷電ビームを用いたパルスビーム発生方法お
よびパルスビーム発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ピコ秒オーダのパルス幅のパルスビーム
は、主にEBテスタに用いられている。パルスビームの
発生方法としては、電子ビームを横方向電界を用いて偏
向し、これをアパーチャーで切り取るビーム偏向方式が
使われる。この方法は走査電子顕微鏡(SEM)への装
着が簡単で、ナノ〜ピコ秒までのパルス幅が容易に出せ
る利点がある。
は、主にEBテスタに用いられている。パルスビームの
発生方法としては、電子ビームを横方向電界を用いて偏
向し、これをアパーチャーで切り取るビーム偏向方式が
使われる。この方法は走査電子顕微鏡(SEM)への装
着が簡単で、ナノ〜ピコ秒までのパルス幅が容易に出せ
る利点がある。
【0003】図3にEBテスタ用のパルスビーム発生装
置およびその光線図を示す。図3に示すように陰極10
1とウェーネルト102と陽極103からなる電子銃に
より、略円形の断面形状を有する電子ビーム110が加
速された状態で出射される。放射状に出射された電子ビ
ーム110は、コンデンサ・レンズ106および対物レ
ンズ107によって収束され、試料面109の上に陰極
の像が結像される。このとき、円形開口を有する対物ア
パーチャー(チョッピング・アパーチャー)108がコ
ンデンサ・レンズ106と対物レンズ107との間に設
けられ、ビームの開き角が定められる。コンデンサ・レ
ンズ106と電子銃の間に偏向器104が設けられ、電
源105から正弦波やパルスを偏向器104に入力する
と、偏向器104によって電子ビーム110が偏向され
る。そして対物アパーチャー108によって、電子ビー
ム110が周期的に切り取られ、パルスビームが形成さ
れる。
置およびその光線図を示す。図3に示すように陰極10
1とウェーネルト102と陽極103からなる電子銃に
より、略円形の断面形状を有する電子ビーム110が加
速された状態で出射される。放射状に出射された電子ビ
ーム110は、コンデンサ・レンズ106および対物レ
ンズ107によって収束され、試料面109の上に陰極
の像が結像される。このとき、円形開口を有する対物ア
パーチャー(チョッピング・アパーチャー)108がコ
ンデンサ・レンズ106と対物レンズ107との間に設
けられ、ビームの開き角が定められる。コンデンサ・レ
ンズ106と電子銃の間に偏向器104が設けられ、電
源105から正弦波やパルスを偏向器104に入力する
と、偏向器104によって電子ビーム110が偏向され
る。そして対物アパーチャー108によって、電子ビー
ム110が周期的に切り取られ、パルスビームが形成さ
れる。
【0004】チョッピング・アパーチャー,偏向器およ
ぴ電子ビームの関係を模式的に図4に示す。電子ビーム
210は平行平板型偏向器201によって偏向され、チ
ョッピング・アパーチャー202(対物アパーチャーの
共役像)によってビームは切り取られる。このときのチ
ョッピング・アパーチャー202の開口内径をDa,ア
パーチャー202上でのビーム径をdaとすると、得ら
れるパルスビームのパルス幅τは簡易的に τ=2dVa(da+Da)/khLda ……(1) と表される。
ぴ電子ビームの関係を模式的に図4に示す。電子ビーム
210は平行平板型偏向器201によって偏向され、チ
ョッピング・アパーチャー202(対物アパーチャーの
共役像)によってビームは切り取られる。このときのチ
ョッピング・アパーチャー202の開口内径をDa,ア
パーチャー202上でのビーム径をdaとすると、得ら
れるパルスビームのパルス幅τは簡易的に τ=2dVa(da+Da)/khLda ……(1) と表される。
【0005】式(1)でdは偏向器の電極間隔、hは偏
向器の電極長さ、Vaは電子ビームの加速電圧、Lda
は偏向器からチョッピング・アパーチャーまでの距離、
kは偏向電圧の変化速度である。式(1)からわかるよ
うに、パルス幅τはチョッピング・アパーチャーの開口
内径Daとアパーチャー上でのビーム径daの和(da
+Da)に比例する。
向器の電極長さ、Vaは電子ビームの加速電圧、Lda
は偏向器からチョッピング・アパーチャーまでの距離、
kは偏向電圧の変化速度である。式(1)からわかるよ
うに、パルス幅τはチョッピング・アパーチャーの開口
内径Daとアパーチャー上でのビーム径daの和(da
+Da)に比例する。
【0006】式(1)からわかるように、短いパルス幅
のパルスビームを発生するためには、(da+Da)を
小さくする必要がある。しかしアパーチャーの開口内径
はDaは対物レンズ107(図3)の性能を決めるもの
で、電子光学条件によって決まってしまうものである。
一方、アパーチャー上でのビーム径daはアパーチャー
よりも小さくなることはない。(da+Da)を小さく
した場合、アパーチャー202を通過する電子ビームの
ビーム電流が減少してしまう。特に、電子銃として電界
放出型電子銃を採用すると、光学系の縮小率が低下する
ため、所定ビーム電流を得るためチョッピング・アパー
チャーの開口内径Daを大きくする必要がある。
のパルスビームを発生するためには、(da+Da)を
小さくする必要がある。しかしアパーチャーの開口内径
はDaは対物レンズ107(図3)の性能を決めるもの
で、電子光学条件によって決まってしまうものである。
一方、アパーチャー上でのビーム径daはアパーチャー
よりも小さくなることはない。(da+Da)を小さく
した場合、アパーチャー202を通過する電子ビームの
ビーム電流が減少してしまう。特に、電子銃として電界
放出型電子銃を採用すると、光学系の縮小率が低下する
ため、所定ビーム電流を得るためチョッピング・アパー
チャーの開口内径Daを大きくする必要がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、短いパ
ルス幅のパルスビームを得るためには、アパーチャー2
02の開口内径Daとアパーチャー202上でのビーム
径daの和(da+Da)を小さくする必要がある。し
かしながら、このように(da+Da)を小さくした場
合は、電子ビームのビーム電流が減少して電子ビームの
透過率が減少してしまうという問題がある。
ルス幅のパルスビームを得るためには、アパーチャー2
02の開口内径Daとアパーチャー202上でのビーム
径daの和(da+Da)を小さくする必要がある。し
かしながら、このように(da+Da)を小さくした場
合は、電子ビームのビーム電流が減少して電子ビームの
透過率が減少してしまうという問題がある。
【0008】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、電子ビームの透過率を維持しながら、短い
パルス幅のパルスビームを得ることができるパルスビー
ム発生方法および発生装置を提供することを目的とす
る。
ものであり、電子ビームの透過率を維持しながら、短い
パルス幅のパルスビームを得ることができるパルスビー
ム発生方法および発生装置を提供することを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、荷電ビームを
発生させ、前記荷電ビームの断面形状を細長状とし、そ
の後前記荷電ビームを断面形状の長手方向と直交する方
向に所定周期で偏向させて荷電ビームの断面形状に対応
する形状の開口を有するアパーチャーにより荷電ビーム
を切取り、アパーチャーを通過する荷電ビームの断面形
状を略円形に戻すことを特徴とするパルスビーム発生方
法、および略円形の断面形状を有する荷電ビームを発生
させるビーム発生装置と、前記荷電ビームの断面形状を
細長状とする細長成形手段と、前記荷電ビームを断面形
状の長手方向と直交する方向に所定周期で偏向する偏向
手段と、前記荷電ビームの細長状の断面形状に対応する
形状の開口を有し前記荷電ビームを切取るアパーチャー
と、前記荷電ビームの細長状の断面形状を略円形に戻す
戻し成形手段とを備えたことを特徴とするパルスビーム
発生装置である。
発生させ、前記荷電ビームの断面形状を細長状とし、そ
の後前記荷電ビームを断面形状の長手方向と直交する方
向に所定周期で偏向させて荷電ビームの断面形状に対応
する形状の開口を有するアパーチャーにより荷電ビーム
を切取り、アパーチャーを通過する荷電ビームの断面形
状を略円形に戻すことを特徴とするパルスビーム発生方
法、および略円形の断面形状を有する荷電ビームを発生
させるビーム発生装置と、前記荷電ビームの断面形状を
細長状とする細長成形手段と、前記荷電ビームを断面形
状の長手方向と直交する方向に所定周期で偏向する偏向
手段と、前記荷電ビームの細長状の断面形状に対応する
形状の開口を有し前記荷電ビームを切取るアパーチャー
と、前記荷電ビームの細長状の断面形状を略円形に戻す
戻し成形手段とを備えたことを特徴とするパルスビーム
発生装置である。
【0010】
【作用】本発明によれば、アパーチャー上での荷電ビー
ムの断面形状を細長とするとともに、アパーチャーの開
口形状を荷電ビームの断面形状に対応する形状としたの
で、アパーチャー上の荷電ビームの長手方向成分を通過
させることができる。
ムの断面形状を細長とするとともに、アパーチャーの開
口形状を荷電ビームの断面形状に対応する形状としたの
で、アパーチャー上の荷電ビームの長手方向成分を通過
させることができる。
【0011】
【実施例】以下、図面により本発明の実施例について説
明する。図1は本発明の一実施例を示す図である。
明する。図1は本発明の一実施例を示す図である。
【0012】図1(a)において、パルスビーム発生装
置は、略円形断面の電子ビーム40を発生させるビーム
発生装置1と、電子ビーム40の断面形状を細長状とす
る細長成形手段10と、電子ビーム40を断面形状の長
手方向と直交する方向に偏向する平行平板偏向器13
と、電子ビーム40を切取るアパーチャー15と、電子
ビーム40の細長状断面形状を略円形に戻す戻し成形手
段16とを備えている。
置は、略円形断面の電子ビーム40を発生させるビーム
発生装置1と、電子ビーム40の断面形状を細長状とす
る細長成形手段10と、電子ビーム40を断面形状の長
手方向と直交する方向に偏向する平行平板偏向器13
と、電子ビーム40を切取るアパーチャー15と、電子
ビーム40の細長状断面形状を略円形に戻す戻し成形手
段16とを備えている。
【0013】次に各構成部材について詳述する。ビーム
発生装置1は、Zr0/Wエミッタを用いた電界放出型
陰極1aと、電界放出型陰極1aに対して負電位が印加
されるサプレッサ電極2と、引出電極3と、焦点調整用
レンズ電極4と、接地された陽極5とを順次配設して構
成されている。また電界放出型陰極1a、サプレッサ電
極2、引出電極3、および焦点調整用レンズ電極4に
は、電圧印加用電源6、7、8および9が各々接続され
ている。このうち、電界放出型陰極1aは電源6によっ
て通電加熱され、熱電界放出モードによって動作するよ
うになっている。
発生装置1は、Zr0/Wエミッタを用いた電界放出型
陰極1aと、電界放出型陰極1aに対して負電位が印加
されるサプレッサ電極2と、引出電極3と、焦点調整用
レンズ電極4と、接地された陽極5とを順次配設して構
成されている。また電界放出型陰極1a、サプレッサ電
極2、引出電極3、および焦点調整用レンズ電極4に
は、電圧印加用電源6、7、8および9が各々接続され
ている。このうち、電界放出型陰極1aは電源6によっ
て通電加熱され、熱電界放出モードによって動作するよ
うになっている。
【0014】このような構成からなるビーム発生装置1
によって、略円形の断面形状を有する電子ビーム40が
発生する。
によって、略円形の断面形状を有する電子ビーム40が
発生する。
【0015】また細長成形手段10は、2つの四重極レ
ンズ35、36を2段に配置して構成されており、電子
ビームの断面形状を細長状にするものである。四重極レ
ンズ35のうちの2つの電極35a、35bおよび四重
極レンズ36のうちの2つの電極36a、36bが、各
々電圧印加用電源11に接続されている。また四重極レ
ンズ35のうちの残り2つの電極35c、35dおよび
四重極レンズ36のうちの残り2の電極36c、36d
が、各々電圧印加用電源12に接続されている。電圧印
加用電源11は−V1 ボルトを印加し、電圧印加用電源
12は+V1 ボルトを印加するようになっており、四重
極レンズ35、36の焦点位置は、±V1 ボルトの値を
変化することにより制御されるようになっている。
ンズ35、36を2段に配置して構成されており、電子
ビームの断面形状を細長状にするものである。四重極レ
ンズ35のうちの2つの電極35a、35bおよび四重
極レンズ36のうちの2つの電極36a、36bが、各
々電圧印加用電源11に接続されている。また四重極レ
ンズ35のうちの残り2つの電極35c、35dおよび
四重極レンズ36のうちの残り2の電極36c、36d
が、各々電圧印加用電源12に接続されている。電圧印
加用電源11は−V1 ボルトを印加し、電圧印加用電源
12は+V1 ボルトを印加するようになっており、四重
極レンズ35、36の焦点位置は、±V1 ボルトの値を
変化することにより制御されるようになっている。
【0016】また平行平板型偏向器13は、偏向器制御
器14に接続され、この偏向器制御器14から偏向器1
3に正弦波電圧またはパルス状電圧が印加され電子ビー
ム40を偏向するようになっている。電子ビーム40の
偏向方向は、電子ビーム40の断面形状の長手方向(y
方向)と直交する方向(x方向)となっている。
器14に接続され、この偏向器制御器14から偏向器1
3に正弦波電圧またはパルス状電圧が印加され電子ビー
ム40を偏向するようになっている。電子ビーム40の
偏向方向は、電子ビーム40の断面形状の長手方向(y
方向)と直交する方向(x方向)となっている。
【0017】さらにアパーチャー15は、開口15aを
有している。この開口15aは細長状の電子ビーム40
の断面形状に対応して矩形状となっている。
有している。この開口15aは細長状の電子ビーム40
の断面形状に対応して矩形状となっている。
【0018】また戻し成形手段16は、2つの四重極レ
ンズ37、38を2段に配置して構成されており、細長
状の電子ビーム40の断面形状を略円形状に戻すもので
ある。四重極レンズ37のうちの2つの電極37a、3
7bおよび四重極レンズ38のうちの2つの電極38
a、38bは、各々電圧印加用電源17に接続されてい
る。また四重極レンズ37のうちの残り2つの電極37
c、37dおよび四重極レンズ38のうちの残り2つの
電極38c、38dは、各々電圧印加用電源18に接続
されている。電圧印加用電源17は+V2 ボルトを印加
し、電圧印加用電源18は−V2 ボルトを印加するよう
になっており、これら±V2 ボルトの実際値は電子ビー
ム40がクロースオーバ点22において焦点を結ぶよう
制御される。そしてクロースオーバ点22を通った電子
ビーム40は、対物レンズ30によって試料面19で焦
点を結ぶようになっている。
ンズ37、38を2段に配置して構成されており、細長
状の電子ビーム40の断面形状を略円形状に戻すもので
ある。四重極レンズ37のうちの2つの電極37a、3
7bおよび四重極レンズ38のうちの2つの電極38
a、38bは、各々電圧印加用電源17に接続されてい
る。また四重極レンズ37のうちの残り2つの電極37
c、37dおよび四重極レンズ38のうちの残り2つの
電極38c、38dは、各々電圧印加用電源18に接続
されている。電圧印加用電源17は+V2 ボルトを印加
し、電圧印加用電源18は−V2 ボルトを印加するよう
になっており、これら±V2 ボルトの実際値は電子ビー
ム40がクロースオーバ点22において焦点を結ぶよう
制御される。そしてクロースオーバ点22を通った電子
ビーム40は、対物レンズ30によって試料面19で焦
点を結ぶようになっている。
【0019】次にこのような構成からなる本実施例の作
用について説明する。図1において、(b)はパルスビ
ーム発生装置の光線図を示し、(c)は電子ビームの断
面形状を示している。なお、光学系が光軸に対して対象
となっていないので、光線図(図1(b))は左右にx
y軸軌道を別々に示している。
用について説明する。図1において、(b)はパルスビ
ーム発生装置の光線図を示し、(c)は電子ビームの断
面形状を示している。なお、光学系が光軸に対して対象
となっていないので、光線図(図1(b))は左右にx
y軸軌道を別々に示している。
【0020】ビーム発生装置1の電界放出型陰極1aか
ら出射された電子ビーム40は、サプレッション電極
2、引出電極3、焦点調整用レンズ電極4、および陽極
5によって陽極5の下のクロスオーバ点20でクロース
オーバを結ぶ。ビーム発生装置1は軸対称構造となって
いるため、電界放出型陰極1aおよびクロスオーバ点2
0における電子ビームの断面形状23、24は、各々円
形となっている。
ら出射された電子ビーム40は、サプレッション電極
2、引出電極3、焦点調整用レンズ電極4、および陽極
5によって陽極5の下のクロスオーバ点20でクロース
オーバを結ぶ。ビーム発生装置1は軸対称構造となって
いるため、電界放出型陰極1aおよびクロスオーバ点2
0における電子ビームの断面形状23、24は、各々円
形となっている。
【0021】次に電子ビーム40は、細長成形手段10
の2つの四重極レンズ35、36によって、その断面形
状が細長状となり、偏向器13の偏向中心のクロスオー
バ点21で、クロスオーバを結ぶ。従ってクロスオーバ
点21の電子ビーム40の断面形状は細長状(だ円状)
となる。
の2つの四重極レンズ35、36によって、その断面形
状が細長状となり、偏向器13の偏向中心のクロスオー
バ点21で、クロスオーバを結ぶ。従ってクロスオーバ
点21の電子ビーム40の断面形状は細長状(だ円状)
となる。
【0022】次に電子ビーム40はアパーチャー15に
達し、その断面形状26がだ円状のまま相似状に拡大さ
れる。アパーチャー15の開口15aは、アパーチャー
15上の電子ビームの断面形状26に対応して矩形状と
なっており、開口15aの長手方向は電子ビームの断面
形状26の長手方向と一致している。このため偏向器1
3によって、電子ビーム40を断面形状の長手方向(y
方向)と直交する方向(x方向)に所定周期で偏向させ
ることにより、アパーチャー15によって電子ビーム4
0を切取りパルスビームを発生させることができる。
達し、その断面形状26がだ円状のまま相似状に拡大さ
れる。アパーチャー15の開口15aは、アパーチャー
15上の電子ビームの断面形状26に対応して矩形状と
なっており、開口15aの長手方向は電子ビームの断面
形状26の長手方向と一致している。このため偏向器1
3によって、電子ビーム40を断面形状の長手方向(y
方向)と直交する方向(x方向)に所定周期で偏向させ
ることにより、アパーチャー15によって電子ビーム4
0を切取りパルスビームを発生させることができる。
【0023】アパーチャー15の開口15aを通過した
電子ビーム40は、その後戻し成形手段16の2つの四
重極レンズ37、38によって断面形状が円形に戻され
る。すなわちクロスオーバ点22において、クロスオー
バを結び、その断面形状28が円形となる。
電子ビーム40は、その後戻し成形手段16の2つの四
重極レンズ37、38によって断面形状が円形に戻され
る。すなわちクロスオーバ点22において、クロスオー
バを結び、その断面形状28が円形となる。
【0024】その後、電子ビーム40は対物レンズ30
を経て試料19点に焦点を結ぶ。
を経て試料19点に焦点を結ぶ。
【0025】以上説明したように、本実施例によれば、
アパーチャー15上での電子ビームの長手方向(y方
向)成分について開口15aを通過させることができる
とともに、アパーチャー15上での電子ビームの偏向方
向(x方向)のビーム径およびアパーチャー15の開口
15a内径を小さくすることができる。このため、式
(1)で説明したようにビーム電流の増大とパルス幅の
短縮とを同時に達成することができる。
アパーチャー15上での電子ビームの長手方向(y方
向)成分について開口15aを通過させることができる
とともに、アパーチャー15上での電子ビームの偏向方
向(x方向)のビーム径およびアパーチャー15の開口
15a内径を小さくすることができる。このため、式
(1)で説明したようにビーム電流の増大とパルス幅の
短縮とを同時に達成することができる。
【0026】なお上記実施例では、細長成形手段10お
よび戻し成形手段16を静電型の四重極レンズ35、3
6、37、38により構成した例を示したが、これに限
らず四重極以上の多重極レンズにより構成してもよく、
磁界型の多重極レンズを用いても良い。また細長成形手
段10および戻し成形手段16のいずれも四重極レンズ
を2段組み合わせた構造となっているが、これに限らず
2段以上の複数段の多重極レンズを組み合わせて構成し
ても良い。
よび戻し成形手段16を静電型の四重極レンズ35、3
6、37、38により構成した例を示したが、これに限
らず四重極以上の多重極レンズにより構成してもよく、
磁界型の多重極レンズを用いても良い。また細長成形手
段10および戻し成形手段16のいずれも四重極レンズ
を2段組み合わせた構造となっているが、これに限らず
2段以上の複数段の多重極レンズを組み合わせて構成し
ても良い。
【0027】さらに本実施例では、一段の平行平板型偏
向器13を用いた例を示したが、横方向電界型であれば
いかなる形状の偏向器を用いてもよく、さらに、直行す
る2段の偏向器からなる楕円偏向装置を用いても良い。
向器13を用いた例を示したが、横方向電界型であれば
いかなる形状の偏向器を用いてもよく、さらに、直行す
る2段の偏向器からなる楕円偏向装置を用いても良い。
【0028】また、ビーム発生装置1は熱電界放出型電
子銃の構成となっているが、電界放出型電子銃の構成と
しても良い。特に、熱電界放出型および電界放出型電子
銃を用いた光学系では縮小率が低いのでアパーチャーの
開口内径を小さくする必要があるため、本発明の効果が
大きい。またLaB6 、W等の熱電子放出型電子銃を用
いても良い。
子銃の構成となっているが、電界放出型電子銃の構成と
しても良い。特に、熱電界放出型および電界放出型電子
銃を用いた光学系では縮小率が低いのでアパーチャーの
開口内径を小さくする必要があるため、本発明の効果が
大きい。またLaB6 、W等の熱電子放出型電子銃を用
いても良い。
【0029】また、アパーチャー15として矩形の開口
15aを有するものを用いた例を示したが、図2に示す
ように枠体40内に2枚の板片41を配置し、板片41
間にスリット状開口43を形成しても良い。また開口4
3の幅は枠体40と板片41との間に設けられたビエゾ
素子42を用いて可変とすることができる。このような
構造によれば、スリット状開口43のビーム偏向方向の
幅を任意に可変できるので、電子光学条件を変えること
なく、パルスビームのパルス幅を変化させることができ
る。また開口43の幅を大きくすることで、真空のコン
ダクタンスを大きくすることができる。
15aを有するものを用いた例を示したが、図2に示す
ように枠体40内に2枚の板片41を配置し、板片41
間にスリット状開口43を形成しても良い。また開口4
3の幅は枠体40と板片41との間に設けられたビエゾ
素子42を用いて可変とすることができる。このような
構造によれば、スリット状開口43のビーム偏向方向の
幅を任意に可変できるので、電子光学条件を変えること
なく、パルスビームのパルス幅を変化させることができ
る。また開口43の幅を大きくすることで、真空のコン
ダクタンスを大きくすることができる。
【0030】なお、上記各実施例において、ビーム発生
装置1によって電子ビーム40を発生させ、電子ビーム
40を用いてパルスビームを発生させた例を示したが、
電子ビームの代わりに他の荷電ビーム、例えばイオンビ
ームを発生させ、これを用いてパルスビームを発生させ
ても良い。
装置1によって電子ビーム40を発生させ、電子ビーム
40を用いてパルスビームを発生させた例を示したが、
電子ビームの代わりに他の荷電ビーム、例えばイオンビ
ームを発生させ、これを用いてパルスビームを発生させ
ても良い。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アパーチャー上の荷電ビームの長手方向成分について、
アパーチャーの開口を通過させることができる。このた
め、荷電ビームのアパーチャーでの通過電流を低下させ
ることなくパルス幅の短縮を図ったパルスビームを得る
ことができる。
アパーチャー上の荷電ビームの長手方向成分について、
アパーチャーの開口を通過させることができる。このた
め、荷電ビームのアパーチャーでの通過電流を低下させ
ることなくパルス幅の短縮を図ったパルスビームを得る
ことができる。
【図1】本発明によるパルス発生方法およびその発生装
置の一実施例を示す図
置の一実施例を示す図
【図2】アパーチャーの他の実施例を示す図
【図3】従来のパルス発生装置を示す図
【図4】従来のパルス発生装置の偏向手段とアパーチャ
ーを示す図
ーを示す図
1 ビーム発生装置 10 細長成形手段 13 偏向器 15 アパーチャー 16 戻し成形手段 19 試料面 30 対物レンズ
Claims (2)
- 【請求項1】荷電ビームを発生させ、前記荷電ビームの
断面形状を細長状とし、その後前記荷電ビームを断面形
状の長手方向と直交する方向に所定周期で偏向させて荷
電ビームの断面形状に対応する形状の開口を有するアパ
ーチャーにより荷電ビームを切取り、アパーチャーを通
過する荷電ビームの断面形状を略円形に戻すことを特徴
とするパルスビーム発生方法。 - 【請求項2】略円形の断面形状を有する荷電ビームを発
生させるビーム発生装置と、前記荷電ビームの断面形状
を細長状とする細長成形手段と、前記荷電ビームを断面
形状の長手方向と直交する方向に所定周期で偏向する偏
向手段と、前記荷電ビームの細長状の断面形状に対応す
る形状の開口を有し前記荷電ビームを切取るアパーチャ
ーと、前記荷電ビームの細長状の断面形状を略円形に戻
す戻し成形手段とを備えたことを特徴とするパルスビー
ム発生装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4124866A JP3046452B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | パルスビーム発生方法および発生装置 |
US08/061,003 US5406178A (en) | 1992-05-18 | 1993-05-14 | Pulse beam forming method and apparatus |
KR1019930008386A KR960010432B1 (ko) | 1992-05-18 | 1993-05-17 | 펄스 비임 발생 방법 및 발생 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4124866A JP3046452B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | パルスビーム発生方法および発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05325867A true JPH05325867A (ja) | 1993-12-10 |
JP3046452B2 JP3046452B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=14896039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4124866A Expired - Fee Related JP3046452B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | パルスビーム発生方法および発生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5406178A (ja) |
JP (1) | JP3046452B2 (ja) |
KR (1) | KR960010432B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008508690A (ja) * | 2004-08-03 | 2008-03-21 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 電子ビーム装置 |
JP2020535587A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子ビーム検査のためのサンプルの予備帯電方法及び装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4075488A (en) * | 1974-09-06 | 1978-02-21 | Agency Of Industrial Science & Technology | Pattern forming apparatus using quadrupole lenses |
US4243866A (en) * | 1979-01-11 | 1981-01-06 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for forming a variable size electron beam |
DE3010815C2 (de) * | 1980-03-20 | 1982-08-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Hochstrom-Elektronenquelle |
US5180919A (en) * | 1990-09-18 | 1993-01-19 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure system having the capability of checking the pattern of an electron mask used for shaping an electron beam |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP4124866A patent/JP3046452B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-14 US US08/061,003 patent/US5406178A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-17 KR KR1019930008386A patent/KR960010432B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008508690A (ja) * | 2004-08-03 | 2008-03-21 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 電子ビーム装置 |
US8431894B2 (en) | 2004-08-03 | 2013-04-30 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Electron beam device |
JP2020535587A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子ビーム検査のためのサンプルの予備帯電方法及び装置 |
US11676792B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-06-13 | Asml Netherlands, B.V | Sample pre-charging methods and apparatuses for charged particle beam inspection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR930024280A (ko) | 1993-12-22 |
KR960010432B1 (ko) | 1996-07-31 |
US5406178A (en) | 1995-04-11 |
JP3046452B2 (ja) | 2000-05-29 |
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