JP2012227141A - ビームから中性物質を除去する収差補正のウィーンe×b質量フィルタ - Google Patents
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- 230000004075 alteration Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 title description 14
- 238000012937 correction Methods 0.000 title description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 203
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
- H01J2237/053—Arrangements for energy or mass analysis electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
- H01J2237/055—Arrangements for energy or mass analysis magnetic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
- H01J2237/057—Energy or mass filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
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- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
【解決手段】イオン源114により生成された複数のイオン110は、上部レンズ106により略平行なビーム310となり質量フィルタ304に入射する。質量フィルタ304は、互いの中心軸がオフセットされた上部EXBフィルタ306Uおよび下部EXBフィルタ306Lより構成され、ビーム310を質量毎に分離偏向した後、光軸380に平行な軌道として出射する。この際、上部EXBフィルタ306Uにより生じる色収差は下部EXBフィルタ306Lにより打ち消される。その後、質量分離アパーチャ342により所望のイオン332のみを通過させ下部レンズ108により基板112上に集束する。
【選択図】図3
Description
1/2m・v2=neV=イオンエネルギー
v=√(2neV/m)=イオン速度
ここで、
m=イオン質量
v=イオン速度
n=イオンの価数(1:1価のイオン、2:2価のイオン)
e=電気素量
V=電子銃の加速電圧
E×Bフィルタに二つの場がある場合、
E=電場
B=磁場
速度vでフィルタを通過したイオンに作用する合力は、
Fの合計=Felectric+Fmagnetic=n・e・[E−(v/c)・B]
ここで、
Felectric=n・e・E
Fmagnetic=−n・e・(v/c)・B (Felectricとは方向が反対)
(1)クロスオーバーそれ自体によって各粒子が相互に接近するにつれて、静電反発力が増大する。
(2)クロスオーバーが生じると、(クロスオーバーなしの場合のビーム径と比較すると)一般的にビーム径はカラム全体にかけて小さいものとなり、また、空間電荷の作用が増大する。
(3)それらのビームがアパーチャ板の平面に集束するため、通過できないイオンビームの衝突点(例えば、クロスオーバー236及び238)で、質量分離アパーチャのスパッタリングが増大し、それによって、ビーム電流密度が増大し、質量分離アパーチャの平面に対して垂直な方向のスパッタ速度が増大する(換言すれば、選択されない集束ビームは、選択されないビームの集束しないビームよりも、高速にアパーチャをスパッタする)。
(1)ベルシュ効果(Boersch effect):軸上のビームの散乱に起因してビームのエネルギー幅が増大する。原則的には、一つのイオンは別のイオンのエネルギーの損失をもってエネルギーを得る。
(2)レフラー効果(Loeffler effect):荷電粒子の横方向への散乱であり、最終の焦点スポットが大きくなる、及び/又は、ぼやける。
(1)それらの入射対称軸と出射対称軸とで相対的なオフセットなし。
(2)各E×B構成部の180°の相対なし。
(3)対称軸に沿った二つのE×B構成部の間の可変のビームアパーチャ。このアパーチャはいくつかの軌道をブロックする傾向がある。
(4)E×B構成部の両方の集束の作用を補正するための二つのE×B構成部の間の非点収差補正装置。
(5)質量分離アパーチャのオフセットなし。二つのE×B構成部及び質量分離アパーチャはすべて同軸。
(1)電場と磁場は正確に同じ比率では終端せず、したがって、イオンに対して正しくない合力が作用する。
(2)場が湾曲しており(すなわち、図1〜図7の紙面に対して、電場は平行でないし、磁場は垂直ではない)、その結果、ビーム偏向が紙面の外にはみ出る。
E4=−E1
E3=−E2
E1+E2+E3+E4=E1+E2+(−E2)+(−E1)=0
M4=−M1
M3=−M2
M1+M2+M3+M4=M1+M2+(−M2)+(−M1)=0
(1)ビームのクロスオーバーを伴わない平行又は略平行ビームでの動作。
(2)質量フィルタから出射するビームからの中性粒子の除去。
(3)質量フィルタを通過するすべてのイオンの仮想光源の位置が保たれることによる色収差の打ち消し。
(4)電場及び磁場の終端の誤差から生じる入射口及び出射口での収差の低減。
(5)イオンビーム電流密度の拡散による質量分離アパーチャへのスパッタの低減。
(6)クロスオーバーを伴わないことによる空間電荷のビームエネルギーと拡散の低減。
108 第2(下部)レンズ
112 基板
114 イオン源
302 イオンカラム
304 質量フィルタ
306U 第1(上部)E×Bフィルタ
306L 第2(下部)E×Bフィルタ
342 質量分離アパーチャ
406 回転対称軸
Claims (10)
- 質量フィルタを含むイオンビームカラムであって、
異なる質量電荷比のイオンを生成するイオン源と、
前記イオン源からのイオンを第1軸に沿うビームに一次成形する第1レンズと、
前記第1軸から離れるような第1のビーム偏向を形成する第1の質量フィルタステージであって、前記第1のビーム偏向が前記ビーム中の各イオン毎の質量電荷比に基づくものであり、前記第1軸が前記第1質量フィルタステージの対称軸であり、
前記第1軸と前記第1のビーム偏向の両方に垂直に向き、前記第1のビーム偏向に平行方向にオフセットされる回転対称軸と、
前記回転対称軸の周りに180°回転して配置された第2の質量フィルタステージであって、前記第2の質量フィルタステージの対称軸が第2軸であり、前記第2の質量フィルタステージは前記第1のビーム偏向とは反対の第2のビーム偏向を形成し、異なる質量電荷比のイオンのうち一つが前記第2の質量フィルタステージを出射するように、前記第1及び第2の質量フィルタステージにおける偏向の合計が、前記第1軸と前記第2軸との間の距離に対応し、
前記第2の質量フィルタステージからのすべてのイオンのうちの一部を通過させ、前記第2軸を中心として配置される質量分離アパーチャと、
前記第2の質量フィルタからのイオンを受け取り、それらイオンを基板表面上に集束させる第2レンズと、を備え、
前記第2の質量フィルタステージが前記基板表面での前記第1の質量フィルタステージからの色収差を打ち消すことを特徴とするイオンビームカラム。 - 前記第1の質量フィルタステージ及び前記第2の質量フィルタステージがE×Bフィルタであることを特徴とする請求項1に記載のイオンビームカラム。
- 前記イオン源が液体金属イオン源であることを特徴とする請求項1又は2に記載のイオンビームカラム。
- 前記イオン源がプラズマイオン源であることと請求項1又は2に記載のイオンビームカラム。
- 前記イオンが前記第1の質量フィルタステージに略平行ビームとして入射することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のイオンビームカラム。
- 前記第2レンズステージが、無限遠方に置かれた仮想光源からの異なるエネルギーを有するイオンを集束させることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のイオンビームカラム。
- 前記第2の質量フィルタステージが、前記第1の質量フィルタステージからフリンジ電場による収差をおおむね打ち消すことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のイオンビームカラム。
- 異なる質量を有するイオンを生成するイオン源からのイオンビームを提供する方法であって、
イオン源から異なる質量を有するイオンを生成し、
前記イオンをビームに形成し、
前記イオンを第1の方向に偏向させ、その偏向をイオンの質量毎に異なるものとし、
前記イオンを第2の方向に偏向させ、その偏向をイオンの質量毎に異なるものとし、
前記イオンの質量毎に異なる第1の方向における偏向と、前記イオンの質量毎に異なる第2の方向における偏向とを打ち消し合って、前記異なる質量のイオンが2倍に偏向されて同一の方向に伝搬することを含む方法。 - 前記イオンを第1の方向に偏向させる際は、前記イオンを第1のE×B質量フィルタに通過させることを含み、
前記イオンを第2の方向に偏向させる際は、前記イオンを第2のE×B質量フィルタに通過させることを含む請求項8に記載の方法。 - 前記イオンの一部がアパーチャを通過するが、他のイオンは阻止され、前記アパーチャの中心が前記第1のE×Bフィルタの光軸からオフセットされている請求項8又は9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161476135P | 2011-04-15 | 2011-04-15 | |
US61/476,135 | 2011-04-15 | ||
US13/089,991 US8283629B1 (en) | 2011-04-15 | 2011-04-19 | Aberration-corrected wien ExB mass filter with removal of neutrals from the Beam |
US13/089,991 | 2011-04-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012227141A true JP2012227141A (ja) | 2012-11-15 |
JP6128746B2 JP6128746B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=45954520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012088772A Active JP6128746B2 (ja) | 2011-04-15 | 2012-04-09 | イオンビームカラム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8283629B1 (ja) |
EP (1) | EP2511935B1 (ja) |
JP (1) | JP6128746B2 (ja) |
CN (1) | CN102737932B (ja) |
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- 2012-04-13 CN CN201210107940.1A patent/CN102737932B/zh active Active
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JP6128746B2 (ja) | 2017-05-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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