JP4357530B2 - 荷電粒子ビーム系用の2段式荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 - Google Patents
荷電粒子ビーム系用の2段式荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4357530B2 JP4357530B2 JP2006525710A JP2006525710A JP4357530B2 JP 4357530 B2 JP4357530 B2 JP 4357530B2 JP 2006525710 A JP2006525710 A JP 2006525710A JP 2006525710 A JP2006525710 A JP 2006525710A JP 4357530 B2 JP4357530 B2 JP 4357530B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- wien filter
- particle beam
- width reduction
- filter element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
- H01J2237/057—Energy or mass filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1534—Aberrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1538—Space charge (Boersch) effect compensation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
(1) v=sqrt(2E/m)
(2) v=sqrt(2qU/m)
Claims (27)
- 光軸に沿って延びるz軸を有する荷電粒子ビーム用の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系であって、
第1のウィーンフィルタ要素(110)と、
第2のウィーンフィルタ要素(112)と、
第1の4極子要素(410)であり、動作時に、当該第1の4極子要素の場と前記第1のウィーンフィルタ要素の場が重なるように位置決めされ、前記第1のウィーンフィルタ要素の集束効果を少なくとも部分的に補償するように適合された前記第1の4極子要素(410)と、
第2の4極子要素(412)であって、動作時に、当該第2の4極子要素の場と前記第2のウィーンフィルタ要素の場が重なるように位置決めされ、前記第2のウィーンフィルタ要素の集束効果を少なくとも部分的に補償するように適合された前記第2の4極子要素(412)と、
ビーム方向に、前記第1のウィーンフィルタ要素の前で位置決めされた第1の荷電粒子選択要素(618)と、
ビーム方向に、前記第1のウィーンフィルタの要素の後で位置決めされ、速度依存性選択要素であるように適合された第2の荷電粒子選択要素(616、716)と
を備える、荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。 - 荷電粒子ビーム速度分布幅低減系は、荷電粒子ビームエネルギー幅低減系であるように適合される、請求項1に記載の系。
- 荷電粒子ビーム速度分布幅低減系は、荷電粒子ビーム質量選択系であるように適合される、請求項1に記載の系。
- 前記第1のウィーンフィルタ要素および前記第2のウィーンフィルタ要素は、前記第2のウィーンフィルタ要素によって生成された分散力が、前記第1のウィーンフィルタ要素によって生成された分散力が作用する方向と本質的に反対方向に作用するように構築され、かつ/または制御ユニットに接続される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記第1のウィーンフィルタ要素および前記第2のウィーンフィルタ要素は、x−z面である第1の面内で集束的かつ分散的に作用し、
前記第2の選択要素は、前記第1の面内のクロスオーバが生じない位置で荷電粒子を選択するように位置決めされる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。 - 前記第1のウィーンフィルタ要素および前記第2のウィーンフィルタ要素は、異なる分散レベルが実現されるように構築され、かつ/または制御ユニットに接続される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記第2の荷電粒子選択要素(616)は、前記第1のウィーンフィルタ要素と前記第2のウィーンフィルタ要素の間に位置決めされる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記第2の荷電粒子選択要素(716)は、ビーム方向に、前記第2のウィーンフィルタ要素の入射口の後に位置決めされる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 放出源とみなせる場所として荷電粒子源または仮想粒子源を更に備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 放出源とみなせる場所としてクロスオーバを更に備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 放出源とみなせる場所として荷電粒子源または仮想放出源の像を更に備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記第1の荷電粒子選択要素(618)は、角度依存性荷電粒子選択要素であるように適合され、前記第2の荷電粒子選択要素(616、716)は、速度依存性選択要素であるように適合される、請求項1〜11のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記速度依存性選択要素は、エネルギーに依存して選択するように適合される、請求項12に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記速度依存性選択要素は、質量に依存して選択するように適合される、請求項12に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記第2の荷電粒子選択要素は、速度に依存して、かつ角度に依存して選択するように適合される、請求項1〜14のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記速度依存性かつ角度依存性の選択要素は、エネルギーに依存して、かつ角度に依存して選択するように適合される、請求項15に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 前記速度依存性かつ角度依存性の選択要素は、質量に依存して、かつ角度に依存して選択するように適合される、請求項15に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系。
- 請求項1〜17のいずれか一項に記載の速度分布幅低減系を備える荷電粒子ビーム装置。
- 前記第1のウィーンフィルタ要素(110)は、荷電粒子源(6)を備える荷電粒子銃コンポーネントの直後にある、請求項18に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 光軸に沿ったz軸、第1のウィーンフィルタ要素(110)、第2のウィーンフィルタ要素(112)、第1の4極子要素(410)、および第2の4極子要素(412)を備える荷電粒子ビーム速度分布幅低減系を動作させる方法であって、
第1の荷電粒子選択要素(618)によって前記荷電粒子ビームを整形するステップと、
前記第1の4極子要素の場および前記第2の4極子要素の場により、放出源とみなせる場所(601)が仮想的にy−z面内で結像するように、前記第1および前記第2の4極子要素を励磁するステップと、
前記第1のウィーンフィルタ要素の場、第1の4極子要素の場、前記第2のウィーンフィルタ要素の場、および第2の4極子要素の場を合成することによって、x−z面内で、前記荷電粒子が放出源とみなせる場所から発するように見えるように、前記第1のウィーンフィルタ要素および前記第2のウィーンフィルタ要素を励磁するステップと、
前記第2の荷電粒子選択要素(616、716)によって速度に依存して前記荷電粒子を選択するステップと
を含む方法。 - 前記荷電粒子ビーム速度分布幅低減系は、荷電粒子ビームエネルギー幅低減系として使用され、
前記第2の荷電粒子選択要素による前記選択ステップは、エネルギーに依存して行われる、請求項20に記載の方法。 - 前記荷電粒子ビーム速度分布幅低減系は、荷電粒子ビーム質量選択系として使用され、
前記第2の荷電粒子選択要素による前記選択ステップは、質量に依存して行われる、請求項20に記載の方法。 - 前記第1および第2の4極子要素(410、412)ならびに前記第1および第2のウィーンフィルタ要素は、複数の離散値の1つに対して励磁される、請求項20〜22のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系を動作させる方法。
- 前記第1および第2の4極子要素ならびに前記第1および第2のウィーンフィルタ要素は、前記放出源とみなせる場所のところに仮想分散源を有するように励磁される、請求項20〜23のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系を動作させる方法。
- 前記第1および前記第2の4極子要素は、前記z軸に沿って前記放出源とみなせる場所(601)の仮想像を位置決めするように励磁される、請求項20〜24のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系を動作させる方法。
- 前記第1のウィーンフィルタ要素は、第1の分散が生じるように励磁され、前記第2のウィーンフィルタ要素は、前記第1の分散とレベルが異なる第2の分散が生じるように励磁される、請求項20〜25のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系を動作させる方法。
- 第2の分散を生成する力が第1の分散を生成する力と本質的に反対方向に作用するように、前記第1のウィーンフィルタ要素は、前記第1の分散が生じるように励磁され、前記第2のウィーンフィルタ要素は、前記第2の分散が生じるように励磁される、請求項20〜26のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム速度分布幅低減系を動作させる方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03020710 | 2003-09-11 | ||
EP03020711 | 2003-09-11 | ||
EP03028696A EP1517354B1 (en) | 2003-09-11 | 2003-12-16 | Double stage charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system |
PCT/EP2004/009801 WO2005024888A2 (en) | 2003-09-11 | 2004-09-02 | Double stage charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007519179A JP2007519179A (ja) | 2007-07-12 |
JP4357530B2 true JP4357530B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=34198548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006525710A Expired - Fee Related JP4357530B2 (ja) | 2003-09-11 | 2004-09-02 | 荷電粒子ビーム系用の2段式荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7679054B2 (ja) |
EP (1) | EP1517354B1 (ja) |
JP (1) | JP4357530B2 (ja) |
WO (1) | WO2005024888A2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1521289B1 (en) * | 2003-09-11 | 2008-06-25 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Single stage charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system |
US7928381B1 (en) * | 2006-05-19 | 2011-04-19 | Apparati, Inc. | Coaxial charged particle energy analyzer |
US8642959B2 (en) * | 2007-10-29 | 2014-02-04 | Micron Technology, Inc. | Method and system of performing three-dimensional imaging using an electron microscope |
EP2211366B1 (en) | 2009-01-23 | 2011-10-19 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | High resolution gas field ion column |
DE102009028013B9 (de) * | 2009-07-24 | 2014-04-17 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlgerät mit einer Blendeneinheit und Verfahren zur Einstellung eines Strahlstroms in einem Teilchenstrahlgerät |
US8274046B1 (en) | 2011-05-19 | 2012-09-25 | Hermes Microvision Inc. | Monochromator for charged particle beam apparatus |
US8592761B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-11-26 | Hermes Microvision Inc. | Monochromator for charged particle beam apparatus |
JP5836171B2 (ja) | 2012-03-21 | 2015-12-24 | 日本電子株式会社 | 透過型電子顕微鏡の調整方法 |
JP6340216B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2018-06-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
KR102387776B1 (ko) | 2015-05-08 | 2022-04-15 | 케이엘에이 코포레이션 | 전자빔 시스템의 수차 보정 방법 및 시스템 |
WO2020141030A1 (en) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Asml Netherlands B.V. | In-lens wafer pre-charging and inspection with multiple beams |
US11094501B2 (en) * | 2019-11-19 | 2021-08-17 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Secondary charged particle imaging system |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59215650A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-05 | Jeol Ltd | 質量分析装置 |
DE3813641A1 (de) * | 1988-01-26 | 1989-08-03 | Finnigan Mat Gmbh | Doppelfokussierendes massenspektrometer und ms/ms-anordnung |
DE3841715A1 (de) * | 1988-12-10 | 1990-06-13 | Zeiss Carl Fa | Abbildender korrektor vom wien-typ fuer elektronenmikroskope |
US5198674A (en) * | 1991-11-27 | 1993-03-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Particle beam generator using a radioactive source |
DE19633496B4 (de) * | 1996-08-20 | 2006-06-08 | Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh | Monchromator für die Elektronenoptik, insbesondere Elketronenmikroskopie |
DE69827791T2 (de) * | 1998-09-23 | 2005-04-21 | Advantest Corp | Vorrichtung zur Reduzierung der Energieverteilung eines Teilchenstrahls und Teilchenstrahlgerät mit einer solchen Anordnung |
JP2000113845A (ja) | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Jeol Ltd | 電界放射型走査電子顕微鏡 |
JP4527289B2 (ja) | 1998-12-17 | 2010-08-18 | エフ イー アイ カンパニ | オージェ電子の検出を含む粒子光学装置 |
US6614026B1 (en) * | 1999-04-15 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam column |
US6410924B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-06-25 | Schlumberger Technologies, Inc. | Energy filtered focused ion beam column |
DE10061798A1 (de) * | 2000-12-12 | 2002-06-13 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Monochromator für geladene Teilchen |
DE10122957B4 (de) | 2001-05-11 | 2005-06-02 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Teilchenstrahlapparat mit energiekorrigierter Strahlablenkung sowie Vorrichtungund Verfahren zur energiekorrigierten Ablenkung eines Teilchenstrahls |
JP4074185B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2008-04-09 | 日本電子株式会社 | エネルギーフィルタ及び電子顕微鏡 |
-
2003
- 2003-12-16 EP EP03028696A patent/EP1517354B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-02 JP JP2006525710A patent/JP4357530B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-02 US US10/571,347 patent/US7679054B2/en active Active
- 2004-09-02 WO PCT/EP2004/009801 patent/WO2005024888A2/en active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1517354B1 (en) | 2008-05-21 |
JP2007519179A (ja) | 2007-07-12 |
WO2005024888A3 (en) | 2005-04-28 |
EP1517354A2 (en) | 2005-03-23 |
US20070200069A1 (en) | 2007-08-30 |
WO2005024888A2 (en) | 2005-03-17 |
US7679054B2 (en) | 2010-03-16 |
EP1517354A3 (en) | 2005-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4368381B2 (ja) | 荷電粒子ビーム系用の荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 | |
CN109427524B (zh) | 带电粒子束装置、用于带电粒子束装置的孔布置和用于操作带电粒子束装置的方法 | |
US9035249B1 (en) | Multi-beam system for high throughput EBI | |
JP4759113B2 (ja) | 荷電粒子ビームカラム | |
JP4896877B2 (ja) | 収差補正装置及び収差補正装置を操作するための方法 | |
US7663102B2 (en) | High current density particle beam system | |
EP2453462B1 (en) | Charged particle source with integrated electrostatic energy filter | |
JP5518128B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置用モノクロメータ及びこれを用いた電子装置 | |
JP4357530B2 (ja) | 荷電粒子ビーム系用の2段式荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 | |
US8049180B2 (en) | Achromatic mass separator | |
JP4343951B2 (ja) | 荷電粒子ビーム系用の単段式荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 | |
US8101911B2 (en) | Method and device for improved alignment of a high brightness charged particle gun | |
JP4514720B2 (ja) | 結像装置、帯電粒子装置、帯電粒子結像装置を動作する方法、及び帯電粒子装置を動作する方法 | |
EP3731255B1 (en) | Energy filter and charged particle beam apparatus | |
JP6914993B2 (ja) | モノクロメーターおよび荷電粒子線装置 | |
EP2182543B1 (en) | Method and device for improved alignment of a high brightness charged particle gun |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090610 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090804 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4357530 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |