JPS59215650A - 質量分析装置 - Google Patents
質量分析装置Info
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- JPS59215650A JPS59215650A JP58091315A JP9131583A JPS59215650A JP S59215650 A JPS59215650 A JP S59215650A JP 58091315 A JP58091315 A JP 58091315A JP 9131583 A JP9131583 A JP 9131583A JP S59215650 A JPS59215650 A JP S59215650A
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- Japan
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- ion
- ion beam
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- electric field
- radius
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/06—Electron- or ion-optical arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
- H01J49/28—Static spectrometers
- H01J49/32—Static spectrometers using double focusing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、測定質量に間が広く、(ピー、jσ及び分W
(能の面で優れ、しかも小形化がiiJ能な買a1分析
装置に関゛りる。
(能の面で優れ、しかも小形化がiiJ能な買a1分析
装置に関゛りる。
[従来技術]
最近、生化学等の応用分野から高71i部分了を分析し
たいという要望が強くなつC来−℃おり、イれに応える
ものとし−C1高速の一次イオン・1ゝ)中vl $1
’t! 了にJ、る衝nニアによつC試11’lをイオン化りる
イオン化法が注目を浴ひ−(いる。このイオン化法にJ
、れば、従来の電子衝撃イオン化法([I)あるいは化
学イオン化法(CI ) Q、7 (=は国テ11Cあ
るm//=・2000〜5000 稈1cL (1)
+’、’i+ r:i h 分子LJ) (Δンを比較
的容易にi′[成(さるJ、うにl、−・)だ。このJ
、うな高質量分子イオンは、現白のところ人望の質量分
411装買(・分(11りる他〕;iいが、人’I’
U) ?’i r11分++i装置は極め(凸画−c”
、 :、II c−t)容易に使用でさる状態には<
’Lい。イの7.:め、小型又は中型(高質ra1桟4
して分(/i (・さる質量力4Ji装置が要望されて
a3す、例えば以1・のJ、うイf十人か行われている
。
たいという要望が強くなつC来−℃おり、イれに応える
ものとし−C1高速の一次イオン・1ゝ)中vl $1
’t! 了にJ、る衝nニアによつC試11’lをイオン化りる
イオン化法が注目を浴ひ−(いる。このイオン化法にJ
、れば、従来の電子衝撃イオン化法([I)あるいは化
学イオン化法(CI ) Q、7 (=は国テ11Cあ
るm//=・2000〜5000 稈1cL (1)
+’、’i+ r:i h 分子LJ) (Δンを比較
的容易にi′[成(さるJ、うにl、−・)だ。このJ
、うな高質量分子イオンは、現白のところ人望の質量分
411装買(・分(11りる他〕;iいが、人’I’
U) ?’i r11分++i装置は極め(凸画−c”
、 :、II c−t)容易に使用でさる状態には<
’Lい。イの7.:め、小型又は中型(高質ra1桟4
して分(/i (・さる質量力4Ji装置が要望されて
a3す、例えば以1・のJ、うイf十人か行われている
。
叩ら、u)1図(a)iこ示りような従来の小型乃〒は
中型のgl呈分析装買の電場[ど−(某扇形磁揚1−1
をそのま3L使い、第1図(b)に示すJ、うに磁場に
おりる122回す)l、角φ■1を小さくし、測定質量
範囲を拡入りるツノ法(・′ある。第1図にd3い(S
(,1イAン源、1〕はイオン(り)出品(・ある。し
かしながら、この/J >−)、、は(l用1が小さく
なるためイオン軌j0が艮< %す、イオンビームの縦
方向の1;11がりによつ−(イオンの1〜ノンスミツ
シ三1ン(通過効率)が悪化し感電が低I・しで1ノよ
うし、同じくイオンじ−ムの拡がりにJ、す2次及び3
次の高次数Xが人さ′くなり、分解能b (+(十り、
てしまうという人き4ε欠点がある。
中型のgl呈分析装買の電場[ど−(某扇形磁揚1−1
をそのま3L使い、第1図(b)に示すJ、うに磁場に
おりる122回す)l、角φ■1を小さくし、測定質量
範囲を拡入りるツノ法(・′ある。第1図にd3い(S
(,1イAン源、1〕はイオン(り)出品(・ある。し
かしながら、この/J >−)、、は(l用1が小さく
なるためイオン軌j0が艮< %す、イオンビームの縦
方向の1;11がりによつ−(イオンの1〜ノンスミツ
シ三1ン(通過効率)が悪化し感電が低I・しで1ノよ
うし、同じくイオンじ−ムの拡がりにJ、す2次及び3
次の高次数Xが人さ′くなり、分解能b (+(十り、
てしまうという人き4ε欠点がある。
ところ(、本発明者1ま先1こ感)シ及び分解1jrS
の曲(fQれlこ’CI甲分(ハ装買を提案しlこ。こ
の質早分析+装置11.4)+ Kfl 1lii 5
G −−11ε(645号に訂しく紹介されており、
2′52図に概略の((11成図を・示りJ、うに、イ
オン源Sと一往扇形磁揚11ど1・1」イダル電Jgj
[Eとから成り、イオン源Sど一4! fi+1形電呪
11どの間に、通過りるイオンビームのφ)00平面(
二重白なh向に集束性を与え、イオンビームの動径西向
には発散性を与える2個の静電四極レンズQl 。
の曲(fQれlこ’CI甲分(ハ装買を提案しlこ。こ
の質早分析+装置11.4)+ Kfl 1lii 5
G −−11ε(645号に訂しく紹介されており、
2′52図に概略の((11成図を・示りJ、うに、イ
オン源Sと一往扇形磁揚11ど1・1」イダル電Jgj
[Eとから成り、イオン源Sど一4! fi+1形電呪
11どの間に、通過りるイオンビームのφ)00平面(
二重白なh向に集束性を与え、イオンビームの動径西向
には発散性を与える2個の静電四極レンズQl 。
Q2を配置することを特徴としている1゜[発明の目的
] 本発明は、この提案装置の改良に関りるしのであり、感
庶及び分解能の優れた点は残しイCがら、上j小した要
望に応えで高r11早分子イオンを’i) 4Ji ’
Cきるj、う測定質量範囲を広くとることが(さ、よし
オ かも小形化が司(iロバ′(第911i装冒を1(?供
りることを目的どしている。
] 本発明は、この提案装置の改良に関りるしのであり、感
庶及び分解能の優れた点は残しイCがら、上j小した要
望に応えで高r11早分子イオンを’i) 4Ji ’
Cきるj、う測定質量範囲を広くとることが(さ、よし
オ かも小形化が司(iロバ′(第911i装冒を1(?供
りることを目的どしている。
「5ト明の(14成」
本発明(31、イオンil!Ijど、該イオンij;j
から/lり出されるイΔ−ンを検出りるイオン検出;(
:;ど、〜(AンAjとイオン検出器との間に配置され
る一IJi la場ど、該磁場どイオン検出器との間に
配置される゛市場と、イオンビームの軌道平面に垂ll
′Iな西向に月、中f’lを′ノえピのイオンL−ノ、
の動iYIノ向に4J光1i1(1’lをJjλるため
に前記イオン(13;と1長揚どの間に間隔をあり(配
置される2 +11.lの静電四極レンズど、イオンビ
ー11の!/I ’rA ′″1′間に重重2?方向に
集束性を5えるために前記(!抹揚と電場どの間に配置
される静電四極レンズどを値1え、前記磁場にJ>4プ
るイオンビームの回転角度1回+11ノ、丁径を人々φ
m、rm、前記電場にa3 ’=Jるイオンビーl\の
回転角瓜1回転半径を人々φに:、 r” I:どした
11′j、ε32°′−2φe・・ε38゜ ζ35) ° −φ 4A 二′;、 /l
1 ’0、715もr゛e / rm #0.755
を、61犀りるようにしたことを121徴としている。
から/lり出されるイΔ−ンを検出りるイオン検出;(
:;ど、〜(AンAjとイオン検出器との間に配置され
る一IJi la場ど、該磁場どイオン検出器との間に
配置される゛市場と、イオンビームの軌道平面に垂ll
′Iな西向に月、中f’lを′ノえピのイオンL−ノ、
の動iYIノ向に4J光1i1(1’lをJjλるため
に前記イオン(13;と1長揚どの間に間隔をあり(配
置される2 +11.lの静電四極レンズど、イオンビ
ー11の!/I ’rA ′″1′間に重重2?方向に
集束性を5えるために前記(!抹揚と電場どの間に配置
される静電四極レンズどを値1え、前記磁場にJ>4プ
るイオンビームの回転角度1回+11ノ、丁径を人々φ
m、rm、前記電場にa3 ’=Jるイオンビーl\の
回転角瓜1回転半径を人々φに:、 r” I:どした
11′j、ε32°′−2φe・・ε38゜ ζ35) ° −φ 4A 二′;、 /l
1 ’0、715もr゛e / rm #0.755
を、61犀りるようにしたことを121徴としている。
以1・、本発明を図面を用い(詳、lil!りる。
1実施例1
第3図(,1木発明の 実fA例を・示!1装置格成図
Cある。イオン源11よイオン化室2と複数の電(へ3
を有し、加速されたイオンビームI Bがスリッ1〜4
から外j115へ取出される。このIBは、21+i、
Iの静電四極レンズ5,6の中を通過して、一様hj形
磁揚7に人出4る。この1→J547の中((74ンは
ざの貿但電前比に応じ0分11(され、特定のfi f
7.電6:を比を持つしのが静電四極レンズ8 、 l
’J iii] ゛、h場≦)を介し−Cイオン検出器
10へ入国しく(カ出されK)。[記磁揚7しよ図示し
ない電島;にj、す(の磁場グ11σを繰返し高速掃引
でさるJ、うに(111成され(いる。そのため、その
(早引にとも/、1つ−(磁場7を通過りるイオンの質
屯電る;J比が変化し、検出器10【こ捕捉δれるイオ
ンは質量の異/、「るものと41:す、検出:(310
から質帛スペク1〜ルーへ号が9176れる。尚、(6
揚7の人出用面に(よ、イオンビーノ、か斜めに人出用
づ−るような角磨ε1.ε2かつ(Jられ−C+13’
f)、イ ■]つくの人q」端面にはlりmlなる曲率半径が!J
えられ−Cいる。
Cある。イオン源11よイオン化室2と複数の電(へ3
を有し、加速されたイオンビームI Bがスリッ1〜4
から外j115へ取出される。このIBは、21+i、
Iの静電四極レンズ5,6の中を通過して、一様hj形
磁揚7に人出4る。この1→J547の中((74ンは
ざの貿但電前比に応じ0分11(され、特定のfi f
7.電6:を比を持つしのが静電四極レンズ8 、 l
’J iii] ゛、h場≦)を介し−Cイオン検出器
10へ入国しく(カ出されK)。[記磁揚7しよ図示し
ない電島;にj、す(の磁場グ11σを繰返し高速掃引
でさるJ、うに(111成され(いる。そのため、その
(早引にとも/、1つ−(磁場7を通過りるイオンの質
屯電る;J比が変化し、検出器10【こ捕捉δれるイオ
ンは質量の異/、「るものと41:す、検出:(310
から質帛スペク1〜ルーへ号が9176れる。尚、(6
揚7の人出用面に(よ、イオンビーノ、か斜めに人出用
づ−るような角磨ε1.ε2かつ(Jられ−C+13’
f)、イ ■]つくの人q」端面にはlりmlなる曲率半径が!J
えられ−Cいる。
第4図は、上記静電四極レンズ5.(3,E3のΔ−A
断面474迄及びこれに電位を勺えろための電鯨11の
構成を承り図Cある。静電量411ルンス5)。
断面474迄及びこれに電位を勺えろための電鯨11の
構成を承り図Cある。静電量411ルンス5)。
6.81よ各々4木の円1.1)払電極から成り、これ
かイオンビーl\通路Oを中心に90°I:!I Ff
A−’Qλ・1称配置され、正イオンを分4j1りる場
合IJは、イAンビ−ムの11ノ1通・11面に!トI
I′−1な対向(X方向)の対向づるHH(→r l)
yにIJ tt−7B旬が印加され、イオンピームの
動?rh向(x7)向)のス・I 1r+1りる電極P
×には負七荀か印加される。、そのため、止イΔンはX
方向には集束IJ向の力を受IJ、X方向に【ま発散方
向の力を受りる。尚、+’r’l’電四(セレンズE(
の場合、該レンズε3 LJ X /〕向集未+r、i
に配置されCいるためX方向に!−ノえる影響が小さく
、ylj向の集束性のみがりえられる。
かイオンビーl\通路Oを中心に90°I:!I Ff
A−’Qλ・1称配置され、正イオンを分4j1りる場
合IJは、イAンビ−ムの11ノ1通・11面に!トI
I′−1な対向(X方向)の対向づるHH(→r l)
yにIJ tt−7B旬が印加され、イオンピームの
動?rh向(x7)向)のス・I 1r+1りる電極P
×には負七荀か印加される。、そのため、止イΔンはX
方向には集束IJ向の力を受IJ、X方向に【ま発散方
向の力を受りる。尚、+’r’l’電四(セレンズE(
の場合、該レンズε3 LJ X /〕向集未+r、i
に配置されCいるためX方向に!−ノえる影響が小さく
、ylj向の集束性のみがりえられる。
第5)図は」−述したイオン光学系内のイオンビー7.
11」のrljれA″tJζす、32明図C゛ある。同
図(El ) j、LX /’J向のじ−l\幅の変化
を示し、ノ、−Q2”1:のイオン源1からX方向のh
向分故角αを持っC放出されたイオンビーへは、l’l
’rl電四極レンス5.しン光取イ′1川によっ(αJ
、り人なる方向分散角α′が!)えられる。征−)(イ
オンじ−A+よ、あlこが(Bjoij U ’a I
H光1ii!どしく出IJ(されたJ、うに磁場7へ入
q・1りる。
11」のrljれA″tJζす、32明図C゛ある。同
図(El ) j、LX /’J向のじ−l\幅の変化
を示し、ノ、−Q2”1:のイオン源1からX方向のh
向分故角αを持っC放出されたイオンビーへは、l’l
’rl電四極レンス5.しン光取イ′1川によっ(αJ
、り人なる方向分散角α′が!)えられる。征−)(イ
オンじ−A+よ、あlこが(Bjoij U ’a I
H光1ii!どしく出IJ(されたJ、うに磁場7へ入
q・1りる。
この++、+、貞「におりる像1f1率Xはα/α′
どなり、像4.L J16小されるIこめ、磁場へす質
量分析装置の分解11ヒ1くを′]える上式からI+’
B、分解能が4+7られることがブ)る。
どなり、像4.L J16小されるIこめ、磁場へす質
量分析装置の分解11ヒ1くを′]える上式からI+’
B、分解能が4+7られることがブ)る。
R=7−rm/(X−8」△ト(+ )上式において、
S、dは失々イオン1lri 、 −(Aン検出器にa
3りるスリット幅、γは買吊分11(係数、八は収差に
J、る像の拡がりである。
S、dは失々イオン1lri 、 −(Aン検出器にa
3りるスリット幅、γは買吊分11(係数、八は収差に
J、る像の拡がりである。
磁場7に入射したイオンビーム1.1該磁場7による集
束作用を受りCビーム幅が徐々に減少し、静電四極レン
ズ8の田川Qν1:の近傍の魚へ 11集束された後、
磁場7と組合わされて二車集束条件を1!1シtりるよ
うに記動される電場91\入射し、該電場9による集束
作用を受【〕(検出;iW 10へ再び集中される。
束作用を受りCビーム幅が徐々に減少し、静電四極レン
ズ8の田川Qν1:の近傍の魚へ 11集束された後、
磁場7と組合わされて二車集束条件を1!1シtりるよ
うに記動される電場91\入射し、該電場9による集束
作用を受【〕(検出;iW 10へ再び集中される。
第5図(b ) 4J、、y/j向のイオンφノ1道図
を示し、図から静電四極レンズ5.(3のylj向の°
集束作用にJ、り磁場7内(−イオンじ一ムの11!I
さが(^にめ(小さく押えられていることか分る。従−
> ’CIii&極の間隔を小さくして磁場強磨を一高
めることが11能となるし、同じ磁極間隔Cあれば多ト
Dのイオンをイ」効に通過さUることか′Cさ、1盛川
を向1さけることが(さる。
を示し、図から静電四極レンズ5.(3のylj向の°
集束作用にJ、り磁場7内(−イオンじ一ムの11!I
さが(^にめ(小さく押えられていることか分る。従−
> ’CIii&極の間隔を小さくして磁場強磨を一高
めることが11能となるし、同じ磁極間隔Cあれば多ト
Dのイオンをイ」効に通過さUることか′Cさ、1盛川
を向1さけることが(さる。
本発明((よ、このJ、うに昌分解能且つIJ感1σと
いう優れた11r性をイJりる第33図のイオン光学系
においζ、82°−1ψe・:88°、39″′≦ψm
≦4′ド 、 0. 71.5ちr T: / r m
≦0.755に設定りることに1?j徴かある。
いう優れた11r性をイJりる第33図のイオン光学系
においζ、82°−1ψe・:88°、39″′≦ψm
≦4′ド 、 0. 71.5ちr T: / r m
≦0.755に設定りることに1?j徴かある。
〈以−1・木t′1余白)
1′IL
第1.゛、にJ31ノるa 4.’L ’;j: 1図
(0)の従来装置、bは第2図の提案装置、C(,1本
発明による装置の人々についC適宜41テイメンシ]ン
を4えた設語例を小し、第22、はffi 1表におり
るa、b、cの各個(JついC;l D?l L /こ
二次及び三次の収差係数の一覧表を承り。第′1表にお
りる長ざについては、磁場にJj 4Jるイオンじ一ム
の曲率半径r]11を1としくノー7>イスされ(いる
。
(0)の従来装置、bは第2図の提案装置、C(,1本
発明による装置の人々についC適宜41テイメンシ]ン
を4えた設語例を小し、第22、はffi 1表におり
るa、b、cの各個(JついC;l D?l L /こ
二次及び三次の収差係数の一覧表を承り。第′1表にお
りる長ざについては、磁場にJj 4Jるイオンじ一ム
の曲率半径r]11を1としくノー7>イスされ(いる
。
φ+n : ii揚にJ、るーイΔンピームの回転角(
度)φ(λ:電電場J、るイオンビームの回転角rm:
la場内でのイオンビー1\の回転半径[゛C:電揚電
場のイオンビー11の回転半径Rmi:磁揚人磁場JJ
M2”1:(゛の曲・t< r+’径Ql :静電四
極レンズの長さ Q K 1.Q K 2.Q K 3 :静電量(44
レンズ5,6.8の強1α 11〜し−5:第1図(E) ) 、第2図、第3図に
記入され1こ各シ゛l” #1 △X:(象1)トオi △7 ニアi帛分tik係故 AV、、Aβ:検出器位置におりるビー11の1X”:
Iさノ5向の拡がりを承り係数 △A〜BB:二次収X係故 、 XXX〜D f3 F3 :三次収X係故第1表におい
−C1測定買量範間の拡大及び装置の人込さに奇JjJ
るφmとr゛O/ r mについ(王者を比較りると、
aが35°、0.0/’13、[)が72.5°、0.
9、Cか40°、 0.735′cあり、aどCは装置
を大型化けり゛にτ+i (,3範囲を1;11人′C
−き、b 4;LイのI:ij不刊Cあることが分る。
度)φ(λ:電電場J、るイオンビームの回転角rm:
la場内でのイオンビー1\の回転半径[゛C:電揚電
場のイオンビー11の回転半径Rmi:磁揚人磁場JJ
M2”1:(゛の曲・t< r+’径Ql :静電四
極レンズの長さ Q K 1.Q K 2.Q K 3 :静電量(44
レンズ5,6.8の強1α 11〜し−5:第1図(E) ) 、第2図、第3図に
記入され1こ各シ゛l” #1 △X:(象1)トオi △7 ニアi帛分tik係故 AV、、Aβ:検出器位置におりるビー11の1X”:
Iさノ5向の拡がりを承り係数 △A〜BB:二次収X係故 、 XXX〜D f3 F3 :三次収X係故第1表におい
−C1測定買量範間の拡大及び装置の人込さに奇JjJ
るφmとr゛O/ r mについ(王者を比較りると、
aが35°、0.0/’13、[)が72.5°、0.
9、Cか40°、 0.735′cあり、aどCは装置
を大型化けり゛にτ+i (,3範囲を1;11人′C
−き、b 4;LイのI:ij不刊Cあることが分る。
一方、イオンの1〜ランスミツシ]ン(j重過効率)を
表わりΔy、八βへ小さいツノか1−ランスミツシー1
ンか優れている)及び/\r−/AX(−τ′(早分散
/イオンじ−l\幅)につい−(比較りると、21は人
々2.415.10.678.0.957 C’あるの
(J苅し、bは大々0.5’l、 1.(’、)J
3.7.59、Cは人々0.62.−0.7/l、/1
.91−Cあり、aに比べ1〕、CのツノがΔy、△β
が小さく△γ/AXが大きく、従って同じ分F/1’能
又は同じイオンビーム幅ぐ比べれば、a J、リムし)
、Cのツノが1〜ノンスミツシ」ンか411)ぴいに1
曇れ、11°ら感電が1ilられることか分る。
表わりΔy、八βへ小さいツノか1−ランスミツシー1
ンか優れている)及び/\r−/AX(−τ′(早分散
/イオンじ−l\幅)につい−(比較りると、21は人
々2.415.10.678.0.957 C’あるの
(J苅し、bは大々0.5’l、 1.(’、)J
3.7.59、Cは人々0.62.−0.7/l、/1
.91−Cあり、aに比べ1〕、CのツノがΔy、△β
が小さく△γ/AXが大きく、従って同じ分F/1’能
又は同じイオンビーム幅ぐ比べれば、a J、リムし)
、Cのツノが1〜ノンスミツシ」ンか411)ぴいに1
曇れ、11°ら感電が1ilられることか分る。
(以トホ(′1余白)
才2表
更に、り12表においく分解能を決定りる二次及び−次
の収差係数につい−(比較りる。実用上必要となる分解
能を5000 oとし、イΔン源でのイオンビーノ、の
幅を「゛口+/(200〜300)前後と弓れは、二次
の収差係数は少なくとも0.8〜1よりし小さいことが
望まれ、三次の収X゛係数は少なくとb 500〜80
0J、すし小さいことが望、Lしい。/、:lこし、x
xx、xxΔ、XΔΔについ(はイΔン諒スリッI−の
調ヲ:3等によって改善可能ムのC下前後よc′′はへ
′I容でさ゛る。
の収差係数につい−(比較りる。実用上必要となる分解
能を5000 oとし、イΔン源でのイオンビーノ、の
幅を「゛口+/(200〜300)前後と弓れは、二次
の収差係数は少なくとも0.8〜1よりし小さいことが
望まれ、三次の収X゛係数は少なくとb 500〜80
0J、すし小さいことが望、Lしい。/、:lこし、x
xx、xxΔ、XΔΔについ(はイΔン諒スリッI−の
調ヲ:3等によって改善可能ムのC下前後よc′′はへ
′I容でさ゛る。
この舶をと1jυに入れ(仙′)2表の二次収差係数及
び三次収差係数を見れは、aは三次収X−係数は比較的
良いしののIll賢の二次収差係数が全一℃許容範囲を
人さく外れ−(,13す、結果とし−(分解能は500
00J、りもはるかに悲くなっ(しようことはjln【
]られ41い。
び三次収差係数を見れは、aは三次収X−係数は比較的
良いしののIll賢の二次収差係数が全一℃許容範囲を
人さく外れ−(,13す、結果とし−(分解能は500
00J、りもはるかに悲くなっ(しようことはjln【
]られ41い。
次にb(3(、二次収差係数に門し−(文句のない範囲
に収ま−)−(いるものの、三次収差係数が大ぎく4に
って83す、その結宋分h′〆能5ooooを余裕を6
つ(実現りることはむづ゛かしい。
に収ま−)−(いるものの、三次収差係数が大ぎく4に
って83す、その結宋分h′〆能5ooooを余裕を6
つ(実現りることはむづ゛かしい。
一方、bの改良型Cある本発明にかがるCは、二次収差
は勿論のことミー次収差に関しく (J几’l容範囲に
収まっており、分解能50000を余裕をしつて実現覆
ることが(゛きる、。
は勿論のことミー次収差に関しく (J几’l容範囲に
収まっており、分解能50000を余裕をしつて実現覆
ることが(゛きる、。
以上のことを要約りれば、本発明にかかるCに*I3い
−Cは、ψmどre/rn+を小さクシ(測定r(、I
量HG囲拡大を図って0.aの例のように収Xが悲化り
ることはなく、二次の収ジク−はbの例ど同等で゛しか
も三次の収差はbの例J、りも遥かに改i口されている
。しかも1〜ランスミツシジンの饅ヅ病11は[)のぞ
れをイのまま受【ノついでおり、従つC装置を大型化−
りることなく測定買昂範囲を拡大−りることができ、な
おかつ高感1α高分解能がj7られるという理想的な質
♀分析装置が実現され4)、。
−Cは、ψmどre/rn+を小さクシ(測定r(、I
量HG囲拡大を図って0.aの例のように収Xが悲化り
ることはなく、二次の収ジク−はbの例ど同等で゛しか
も三次の収差はbの例J、りも遥かに改i口されている
。しかも1〜ランスミツシジンの饅ヅ病11は[)のぞ
れをイのまま受【ノついでおり、従つC装置を大型化−
りることなく測定買昂範囲を拡大−りることができ、な
おかつ高感1α高分解能がj7られるという理想的な質
♀分析装置が実現され4)、。
(以1・不貞余白)
7j: 3表、ui4表、第5表は、このように饅れだ
1h 1’1. ’J 1.’1つ本発明のイAノ光学
系に関し、ψe。
1h 1’1. ’J 1.’1つ本発明のイAノ光学
系に関し、ψe。
φIll 、 r゛e /r’nl /!:、1jす
記第′1表、第2表のCの1シ11にJ月ノる11自、
叩らφo−85°、φm−40°。
記第′1表、第2表のCの1シ11にJ月ノる11自、
叩らφo−85°、φm−40°。
r(!、−’ +゛+u =−0、/ 3
b(1)ffl[lJ P 変 化 さ U ノコ
t+;7 、二次及O・−次の収ヅ7係教がどのよう
に変化4るかを小しくいる。
b(1)ffl[lJ P 変 化 さ U ノコ
t+;7 、二次及O・−次の収ヅ7係教がどのよう
に変化4るかを小しくいる。
第3表に示された二次収差係数を見ると、ADの蛸を」
−述した9′1容範囲に収めるには、φe(!82°か
ら88°の範囲に設定−りる必要があることが分る。て
の範囲であれば、−二次収差係数b l1ii Li’
+h′範1川1.l ある。
−述した9′1容範囲に収めるには、φe(!82°か
ら88°の範囲に設定−りる必要があることが分る。て
の範囲であれば、−二次収差係数b l1ii Li’
+h′範1川1.l ある。
2ii4表に示されIC−次数A係数を見ると、Δ1〕
及び1313の舶を上述し1(jj’l容範囲に収める
【こは、φIllを39°から41°の範囲に設定りる
必要のあることが分る。−Cの範囲であれば、三次収差
係。
及び1313の舶を上述し1(jj’l容範囲に収める
【こは、φIllを39°から41°の範囲に設定りる
必要のあることが分る。−Cの範囲であれば、三次収差
係。
^′lb;11容範囲にある。
次に第55表を見ると、二次収差係数0) [31Jの
110を1述し/、: 晶’l容範囲に収めるには、r
’o/r+uを0.7G5から0.705程度までの範
囲に設定する必要があるが、三次収差係数はr゛O、/
r Illが0.755では」二連し/、: R’l
容範囲を越えCしまうのC1二次及び三次収差係数を勘
気りると、れ’、i IA「・(! / r’ Ill
の餡は0.755から0.715の範囲に収める必要が
ある。
110を1述し/、: 晶’l容範囲に収めるには、r
’o/r+uを0.7G5から0.705程度までの範
囲に設定する必要があるが、三次収差係数はr゛O、/
r Illが0.755では」二連し/、: R’l
容範囲を越えCしまうのC1二次及び三次収差係数を勘
気りると、れ’、i IA「・(! / r’ Ill
の餡は0.755から0.715の範囲に収める必要が
ある。
以上述べたj、うに、本発明にj、れぼ、測定′i′i
量範囲が広く、感葭及び分解能の面で(・つれ、しかも
小形化が可「1ヒな買吊分(i1装置が実現される。
量範囲が広く、感葭及び分解能の面で(・つれ、しかも
小形化が可「1ヒな買吊分(i1装置が実現される。
第1図は従来装置L′1の(1゛4成を示づ図、り(2
図t、L提案装置の構成を示−4図、第3図は本発明の
一実施例を示り一装訂)1う成因、第4図は静電四(^
(レンズの断面構造及びこれ(こ電位をhえるIこめの
電淵の)1^成を承りmm、第5図は本発明にがかるイ
オン光学系内のイオンビームの流れを示・J説明図P
t’y)る、。 1:イオン源、4:スリブ1〜. 5.6,8:静電四((レンズ、7:−i、]ン扇形罎
揚、9二゛円筒電場、10:イオン(の出1:::。 第5図
図t、L提案装置の構成を示−4図、第3図は本発明の
一実施例を示り一装訂)1う成因、第4図は静電四(^
(レンズの断面構造及びこれ(こ電位をhえるIこめの
電淵の)1^成を承りmm、第5図は本発明にがかるイ
オン光学系内のイオンビームの流れを示・J説明図P
t’y)る、。 1:イオン源、4:スリブ1〜. 5.6,8:静電四((レンズ、7:−i、]ン扇形罎
揚、9二゛円筒電場、10:イオン(の出1:::。 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イオンjll+!ど、該イオン源から放出されるイオン
を検出りるイオン検出)(:)と、イオン源とイオン検
出器どの間に配置される一様磁揚と、該磁場とイオン検
出器との間に配置される電場と、イオンビームの軌′)
0平而に重i+’i ’cLツノ向に集束性を与えその
イオンじ−11のCノ径り向には発散性を与えるために
前記イ/Iン源ど)6揚どの間に間隔をありで配置され
る2個の静電四極レンズと、イオンビームの軌道甲面に
重白なlノ向に集束性を与えるノこめに前記磁場と電場
どの間に配置される静電四極レンズどを1(iえ、前記
磁場におりるイオンビームの回転角庶2回転半i″Iを
夫々φm、rm、前記電場にお(〕るイΔンヒピー\の
回1トl、角!σ1回転半仔全人々φe。 r cどしに115、 J(2°二)φCユ〉88゜ 33S、lo −φm441゜ 0.7”i5≦r c /’ r m ≦0.755
を満足J−るにうにしたことを特jスにとりる7′i甲
分析装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58091315A JPS59215650A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 質量分析装置 |
US06/611,427 US4553029A (en) | 1983-05-24 | 1984-05-17 | Mass spectrometer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58091315A JPS59215650A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 質量分析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59215650A true JPS59215650A (ja) | 1984-12-05 |
JPH0354831B2 JPH0354831B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=14023029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58091315A Granted JPS59215650A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 質量分析装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4553029A (ja) |
JP (1) | JPS59215650A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5291016A (en) * | 1992-01-28 | 1994-03-01 | Hitachi, Ltd. | Electrostatic lens arrangement of multi-stages of multi-pole electrodes and mass spectrometer using the same |
CN111146070A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-12 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种小型高性能空间探测质谱计 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07111882B2 (ja) * | 1987-04-15 | 1995-11-29 | 日本電子株式会社 | ウイ−ンフイルタを用いた二重収束質量分析装置 |
US4764673A (en) * | 1987-04-30 | 1988-08-16 | Kevex Corporation | Electric electron energy analyzer |
US4859848A (en) * | 1987-10-09 | 1989-08-22 | Masstron, Inc. | Mass spectrometer apparatus |
JPH01213950A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Jeol Ltd | 質量分析装置及びそれを用いたms/ms装置 |
JPH0224950A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-26 | Jeol Ltd | 同時検出型質量分析装置 |
FR2666171B1 (fr) * | 1990-08-24 | 1992-10-16 | Cameca | Spectrometre de masse stigmatique a haute transmission. |
DE4310559A1 (de) * | 1993-03-26 | 1994-09-29 | Zeiss Carl Fa | Abbildendes Elektronenenergiefilter |
EP1517354B1 (en) * | 2003-09-11 | 2008-05-21 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Double stage charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system |
JP6682278B2 (ja) * | 2016-01-19 | 2020-04-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置 |
GB2546967B (en) * | 2016-01-27 | 2020-04-15 | Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh | Quadrupole mass spectrometer |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59160949A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-11 | Denshi Kagaku Kk | 質量分析装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5829577B2 (ja) * | 1980-06-13 | 1983-06-23 | 日本電子株式会社 | 二重収束質量分析装置 |
JPS5819848A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-05 | Denshi Kagaku Kk | 質量分析装置 |
-
1983
- 1983-05-24 JP JP58091315A patent/JPS59215650A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-17 US US06/611,427 patent/US4553029A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59160949A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-11 | Denshi Kagaku Kk | 質量分析装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5291016A (en) * | 1992-01-28 | 1994-03-01 | Hitachi, Ltd. | Electrostatic lens arrangement of multi-stages of multi-pole electrodes and mass spectrometer using the same |
CN111146070A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-12 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种小型高性能空间探测质谱计 |
CN111146070B (zh) * | 2019-12-25 | 2023-06-16 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种小型高性能空间探测质谱计 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4553029A (en) | 1985-11-12 |
JPH0354831B2 (ja) | 1991-08-21 |
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