JPS5954164A - 荷電粒子線エネルギ−分析装置 - Google Patents
荷電粒子線エネルギ−分析装置Info
- Publication number
- JPS5954164A JPS5954164A JP57165367A JP16536782A JPS5954164A JP S5954164 A JPS5954164 A JP S5954164A JP 57165367 A JP57165367 A JP 57165367A JP 16536782 A JP16536782 A JP 16536782A JP S5954164 A JPS5954164 A JP S5954164A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- energy
- magnetic
- magnetic pieces
- electron
- detector
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は分析電了顕ｆＲＩｌ鏡等に用いられる荷電粒子
線エネルギー分析装置に関覆る。 分析電子顕微鏡等においては、例えば試別を透過した電
子のエネルギー損失スペク１〜ルを得るため、９０°偏
向型の二重（立体）集中荷雷粒子線下ネルギー分析装置
が用いられている。第１図はこのようなエネルギー分析
装置の従来例を示すもので、エネルギー分析装置の入り
口から距ｌｕだり離れた入射点Ｐに絞られた電子線は、
紙面に垂直イＴ方向に平行に配置（Ｘれた一対の＠極片
１ａ。 ｉｂ＜但し、１ｂは重イー釘っているため図示されてい
ない）の間に形成される紙面に重直な磁場によって偏向
角φ−９０６だ
線エネルギー分析装置に関覆る。 分析電子顕微鏡等においては、例えば試別を透過した電
子のエネルギー損失スペク１〜ルを得るため、９０°偏
向型の二重（立体）集中荷雷粒子線下ネルギー分析装置
が用いられている。第１図はこのようなエネルギー分析
装置の従来例を示すもので、エネルギー分析装置の入り
口から距ｌｕだり離れた入射点Ｐに絞られた電子線は、
紙面に垂直イＴ方向に平行に配置（Ｘれた一対の＠極片
１ａ。 ｉｂ＜但し、１ｂは重イー釘っているため図示されてい
ない）の間に形成される紙面に重直な磁場によって偏向
角φ−９０６だ
【プ偏向され、そのエネルギーに応じた
エネルギー分散面上の一点Ｑにフォーカスする。即ち、
電子線は点Ｑにおいては、紙面に平行にとられたｘＩＩ
ＩＩｌｌ及びこの軸に垂直なｙ軸の双方の方向において
、前記磁極片の出射側端面からＶだけ離れた共通な一点
Ｑでクロスオーバーする。このようなエネルギー分析装
置においては、前記ＵあるいはＶは荷電粒子線の軌跡の
曲率半径Ｒで正規化して無次元数で表わすのが普通であ
る。 又、Ｒが一定であるという条件でＴネルギー分解能を向
上させるにはＶをできるだ【プ大きくすれば良い。 ところで、第１図に示すように磁極間磁場の入射面（即
ち、前記一対の磁極片の入射面Ｉ）が電子線の入電方向
に対して垂直な平面に対してなす傾斜角をＦ、１、電子
線の出０＝ＩブＪｌｒｉＪ ｌ、’−ス・１して垂直イ
ｆ平面に対し’ｃ ｌ′１ｉ６４１ＴｉｊＩ−が’、’
＋： −ｎ’ ｆｌ’ｆｌ斜角をε２、又、［０を加速
？［ｉ ｌ−１−、、［Ｖを電子のｂ？１１１−［ネル
ギーと（るどき、一般にｊス下の式が成ｔｉづることが
知られている。 （Ｒ，Ｕ ｉ−ｇｒｔｏｎ ０
ｐｌｉｃ ！’；７（１９８（１） Ｐ、：？２０
〜２４２ ）ｔａｎ ε２ ＝ （１／２＞ （１／
（ｔａｎ ６２＋Ｒ／ｕ ）−（ｔａｎ Ｅｌ−Ｒ／
Ｌｌ ）／ （１−（ｘ／２） （ｔａｎ Ｅ＋ −
Ｒ／Ｉｆ ） ） ） −（１）ｖ ／Ｒ−（１／ ＜
ｔａｎ ／Ｅ、 ＋Ｒ／ｕ ）−ｔａｎε・戸・・・（
２） １） −（（「 ｏ ／Ｒ） （「 ｏ ＋
ｌゴ ｒ ） 、、、／ （１０−ト ２［ｒ
） ） （１＋ｖ ／Ｒ十（ｖ ／Ｒ）ｔａｎ ε？）
−・・・・・（３） この式からＶ、、／Ｒは入射面の傾斜ε１と出射面の傾
斜角ε２及びｕ／Ｒに依存し、ε？もｕ ／ Ｒどε１
に依存することが分かる。ところで、（１７／Ｒは分析
装置を取り伺りる電子顕微鏡の寸法によって決定され−
（’ ｌ、まうため、自由に選べる定数はε１だ（Ｊで
ある。 従来においては、く３）式にのみ注目してＤが最大とな
るε２＝’１５°が採用されていた。その結果、ε１及
びＶ／Ｒがｕ／Ｒに大きく依存し、分析装置を取りイ【
１りる電子顕微鏡のｕ／Ｒの値に応じて二重集束させる
ために必要なε＋、Ｖ／Ｒの値の組みを算出し、この算
出された値に基づいて分析装置の設Ｈ１をしなおす必要
があった。 本発明者は前記（’１）、（２）、（３）式に基づいて
、電子計算機を用いて、１１／Ｒをパラメータとしてε
１と８２の関係を多くのＶ／Ｒの値に対して計算し、各
ｖ／Ｒのパラメータ値に対して図示したところ、第２図
のような結果を１ｑた。この図Ｊ、すε１：２３°の場
合には、＋１／Ｒ＝２〜６の曲線が一点に集中している
ことが分かる。又、ε＋＝２０°の場合、ｕ／Ｒ＝２〜
６の曲線にわたってε２を１０°以内の幅の変化に収め
ることができる。又、 ε＋＝３０’においてもｕ／Ｒ
−１〜４の曲線におけるε２の幅を１０°以内に収める
ことができる。従って、ε１を２０°〜３０°の範囲に
設定づ−ると、ｕ／Ｒの値を変えても、乞う一方の（ｉ
！極片形状を決めるための）ｊ・フタ−であるε２を殆
ｌυど変えなくて良いことが分かる。 次にε１が２０°乃至３０°の範囲が実用に／Ｔるかど
うかを検討してみた。第３図（ｊε１とｖ７・′Ｒどの
関係を示］電Ｉ計算機にＪ、る泪算結宋を示Ａもので、
Ｖ ／ Ｒ４；Ｉε２に依存り−るが、Ｃ？はまたε１
に依存でるため結局ｖ／Ｒはε１に依／？シている。こ
の図から８１が２０″〜３０６の範囲ではｖ／Ｒは比較
的太ぎいことが分かり、同一１１、／Ｒに対しくは従来
より高い値のＶ／Ｒが得られることがわかる。 又、この図り口”＋ Ｉｆ 、／ Ｒが２以りで・あろ
場合にはＶ／Ｒの１１／Ｒによる変化が少く、Ｅ＋ ＝
２０゜の場合にはＩｆ ／ Ｒが２から６まで変化して
ら、Ｖ／Ｒの変化幅を１以内に収めることかで・き、又
、ε＋＝３０°の場合（、：おいてもＩｔ ／ Ｒが２
．２から６まで変化してもｖ／Ｒの変化幅は１以内にＩ
Ｉ￥めることができることが分る。従つＴ１ε１が２０
°〜３０°の範囲ではｌＪ＃、が変化してもＶ／Ｒが殆
んど変化し１．ｒいといえる。 次に加速電圧「０及び前記曲率￥径Ｒで正規化したエネ
ルギー分解能をＤｆｌとすると、Ｄｄは前記（３）式よ
り ｒ）ｄ −Ｒ（１＋Ｖ ／Ｒ＋Ｖ ／Ｒｔａｎ ε２
）−（４）どなる。ところで前記（２）、（３）式を用
いるとε？はε１により表し１！７るので、このε１に
より表したε２を（４）式に代入することによりＤｄを
８１によって表し得るが、そこでｕ／Ｒをパラメータと
して電子計算機によって計算し、ｌ）ｄを８１の関数ど
して図示すると第４図のようになる。この結果からｕ／
Ｒ＝１〜２においては、ε＋・＝、２０°〜３０’の区
間で［）ｄは最高値をとることがわかる。又、ｕ／Ｒが
３以上の場合、ε１が２０°〜３０’の区間においては
［）ｄは最高値をとらないが、比較的高い値をとってお
り、充分実用的であることが明らかである。 以−Ｆを要約すると、ε１が２０°乃至３０°に設定し
た二重集束条件でのＪネルギー分析装置は磁極片の形状
を決めるもう一方の定数であるε２及びｖ／Ｒがｕ／Ｒ
に殆んど依存せず、且つエネルギー分散能１＞充分高い
ことが明らかｉ３な−）だ３、尚、この第３図及び第４
図におい（−１△、ｒ３゜Ｃで示したもの（よ各々、ド
クター、■ジャー１〜ン＜Ｄｒ 、 ［ｇｅｒｔｏｎ）
、 Ｉ：１本電子株式会ン１、ガタン（Ｇ ａｔａｎ
）ネ１にＪｌ、）−（’ｊ：ｊ作されたイＦＬ １＝Ａ
Ｌ装圃の対応する数値の組みを示しでいる。 本発明は−１−述した基本的な考えに沿ってなされたも
ので、一対の磁極片の間に一様磁場を形成し、この一様
磁場中（こ入用した荷電粒子線を９０°偏向してイのエ
ネルギーに応じた出射貞に二手集束するようにしだエネ
ルギー分析装置において、前記磁極片の入射側端面が荷
電粒子の入用方向と垂直な平面に対して２０’７’Ｊ至
３０°を成４ように構成したことを特徴としている。 第５図は本発明の一実施例を詳述Ｊ−るためのＩ）ので
、図中２は内部が真空に排気された鏡ｎである。この鏡
筒内の投影１ノンズ（図示せず）の後段には電子線分散
場を形成】るための磁極片が配回されているが、第１図
に示した従来と５＋？なり一一一対の磁極片３ａ、３ｂ
（但し、３ａだ目が図示されている）の入射側の端面Ｉ
（ぞの接線）が光軸Ｃに重両な平面に対して＜ｒ−ｄ傾
斜角ε１が２５°にされており、この磁極片３８，３ｈ
の出１：ｉ’ｌ Ｉｌｌ （７）端面「（その接線）が
電子線の出射方向と垂直な平面どなず傾斜角ε２は２７
°になっている。４は拡大レンズであり、この拡大１ノ
ンズは磁極片３ａの間に形成された一様な磁場によって
分散された電子線を更にそのエネルギーに応じて空間的
に公邸させるだめのものである。５はアパーチャ６を通
過した電子を検出するための検出器である。 このような構成において、例えば試料を通過し、光軸Ｃ
に沿って入射点Ｐより入０・１シて来た電子線は磁極片
３ａ、３１１Ｆ？！Ｉの一様磁場においてそのエネルギ
ーに応じて分散され、あるエネルギーの電子線が分散面
上の点Ｑ十に結像され、更にスリブ１〜６を通過して検
出器５に入射する。従って磁極Ｊ’＋３１，３ｂに磁場
を発生させるための励磁コイル（図示せず）の励磁強度
を掃引すれば検出される電子線のエネルギーが掃引され
、検出器５の出力信号に基づいてエネルギースペクトル
を得ることができる。 このようイ「荷電粒子線のエネルギー分析装置は、前述
したＪうに磁極片の形状を決める定数８２及び磁極片か
ら検出器までの距離を決めるＶ／Ｒが１」／Ｒに依存し
イｆいので、１１／Ｒを異にするあらゆる機梗の電子顕
微鏡に共通１ノで使用ηることができ、機秤に応じて分
析に置の設計をしなおす必要がない。 更に又、ε２が３０°前後と小さく４Ｉ：るため、二次
収差補正用曲率を形成する場合にも第５図に示したカド
Ｋを小ざくすることができ、ゴー作が容易となる。 尚、」−）ボしＩｃ実施例においては、電子線をＴネル
ギー分析ηる場合についての実施例を説明したが本発明
はイオン等の他の荷電粒子線のエネルギーを分析覆る場
合にも同様に実施できる。
エネルギー分散面上の一点Ｑにフォーカスする。即ち、
電子線は点Ｑにおいては、紙面に平行にとられたｘＩＩ
ＩＩｌｌ及びこの軸に垂直なｙ軸の双方の方向において
、前記磁極片の出射側端面からＶだけ離れた共通な一点
Ｑでクロスオーバーする。このようなエネルギー分析装
置においては、前記ＵあるいはＶは荷電粒子線の軌跡の
曲率半径Ｒで正規化して無次元数で表わすのが普通であ
る。 又、Ｒが一定であるという条件でＴネルギー分解能を向
上させるにはＶをできるだ【プ大きくすれば良い。 ところで、第１図に示すように磁極間磁場の入射面（即
ち、前記一対の磁極片の入射面Ｉ）が電子線の入電方向
に対して垂直な平面に対してなす傾斜角をＦ、１、電子
線の出０＝ＩブＪｌｒｉＪ ｌ、’−ス・１して垂直イ
ｆ平面に対し’ｃ ｌ′１ｉ６４１ＴｉｊＩ−が’、’
＋： −ｎ’ ｆｌ’ｆｌ斜角をε２、又、［０を加速
？［ｉ ｌ−１−、、［Ｖを電子のｂ？１１１−［ネル
ギーと（るどき、一般にｊス下の式が成ｔｉづることが
知られている。 （Ｒ，Ｕ ｉ−ｇｒｔｏｎ ０
ｐｌｉｃ ！’；７（１９８（１） Ｐ、：？２０
〜２４２ ）ｔａｎ ε２ ＝ （１／２＞ （１／
（ｔａｎ ６２＋Ｒ／ｕ ）−（ｔａｎ Ｅｌ−Ｒ／
Ｌｌ ）／ （１−（ｘ／２） （ｔａｎ Ｅ＋ −
Ｒ／Ｉｆ ） ） ） −（１）ｖ ／Ｒ−（１／ ＜
ｔａｎ ／Ｅ、 ＋Ｒ／ｕ ）−ｔａｎε・戸・・・（
２） １） −（（「 ｏ ／Ｒ） （「 ｏ ＋
ｌゴ ｒ ） 、、、／ （１０−ト ２［ｒ
） ） （１＋ｖ ／Ｒ十（ｖ ／Ｒ）ｔａｎ ε？）
−・・・・・（３） この式からＶ、、／Ｒは入射面の傾斜ε１と出射面の傾
斜角ε２及びｕ／Ｒに依存し、ε？もｕ ／ Ｒどε１
に依存することが分かる。ところで、（１７／Ｒは分析
装置を取り伺りる電子顕微鏡の寸法によって決定され−
（’ ｌ、まうため、自由に選べる定数はε１だ（Ｊで
ある。 従来においては、く３）式にのみ注目してＤが最大とな
るε２＝’１５°が採用されていた。その結果、ε１及
びＶ／Ｒがｕ／Ｒに大きく依存し、分析装置を取りイ【
１りる電子顕微鏡のｕ／Ｒの値に応じて二重集束させる
ために必要なε＋、Ｖ／Ｒの値の組みを算出し、この算
出された値に基づいて分析装置の設Ｈ１をしなおす必要
があった。 本発明者は前記（’１）、（２）、（３）式に基づいて
、電子計算機を用いて、１１／Ｒをパラメータとしてε
１と８２の関係を多くのＶ／Ｒの値に対して計算し、各
ｖ／Ｒのパラメータ値に対して図示したところ、第２図
のような結果を１ｑた。この図Ｊ、すε１：２３°の場
合には、＋１／Ｒ＝２〜６の曲線が一点に集中している
ことが分かる。又、ε＋＝２０°の場合、ｕ／Ｒ＝２〜
６の曲線にわたってε２を１０°以内の幅の変化に収め
ることができる。又、 ε＋＝３０’においてもｕ／Ｒ
−１〜４の曲線におけるε２の幅を１０°以内に収める
ことができる。従って、ε１を２０°〜３０°の範囲に
設定づ−ると、ｕ／Ｒの値を変えても、乞う一方の（ｉ
！極片形状を決めるための）ｊ・フタ−であるε２を殆
ｌυど変えなくて良いことが分かる。 次にε１が２０°乃至３０°の範囲が実用に／Ｔるかど
うかを検討してみた。第３図（ｊε１とｖ７・′Ｒどの
関係を示］電Ｉ計算機にＪ、る泪算結宋を示Ａもので、
Ｖ ／ Ｒ４；Ｉε２に依存り−るが、Ｃ？はまたε１
に依存でるため結局ｖ／Ｒはε１に依／？シている。こ
の図から８１が２０″〜３０６の範囲ではｖ／Ｒは比較
的太ぎいことが分かり、同一１１、／Ｒに対しくは従来
より高い値のＶ／Ｒが得られることがわかる。 又、この図り口”＋ Ｉｆ 、／ Ｒが２以りで・あろ
場合にはＶ／Ｒの１１／Ｒによる変化が少く、Ｅ＋ ＝
２０゜の場合にはＩｆ ／ Ｒが２から６まで変化して
ら、Ｖ／Ｒの変化幅を１以内に収めることかで・き、又
、ε＋＝３０°の場合（、：おいてもＩｔ ／ Ｒが２
．２から６まで変化してもｖ／Ｒの変化幅は１以内にＩ
Ｉ￥めることができることが分る。従つＴ１ε１が２０
°〜３０°の範囲ではｌＪ＃、が変化してもＶ／Ｒが殆
んど変化し１．ｒいといえる。 次に加速電圧「０及び前記曲率￥径Ｒで正規化したエネ
ルギー分解能をＤｆｌとすると、Ｄｄは前記（３）式よ
り ｒ）ｄ −Ｒ（１＋Ｖ ／Ｒ＋Ｖ ／Ｒｔａｎ ε２
）−（４）どなる。ところで前記（２）、（３）式を用
いるとε？はε１により表し１！７るので、このε１に
より表したε２を（４）式に代入することによりＤｄを
８１によって表し得るが、そこでｕ／Ｒをパラメータと
して電子計算機によって計算し、ｌ）ｄを８１の関数ど
して図示すると第４図のようになる。この結果からｕ／
Ｒ＝１〜２においては、ε＋・＝、２０°〜３０’の区
間で［）ｄは最高値をとることがわかる。又、ｕ／Ｒが
３以上の場合、ε１が２０°〜３０’の区間においては
［）ｄは最高値をとらないが、比較的高い値をとってお
り、充分実用的であることが明らかである。 以−Ｆを要約すると、ε１が２０°乃至３０°に設定し
た二重集束条件でのＪネルギー分析装置は磁極片の形状
を決めるもう一方の定数であるε２及びｖ／Ｒがｕ／Ｒ
に殆んど依存せず、且つエネルギー分散能１＞充分高い
ことが明らかｉ３な−）だ３、尚、この第３図及び第４
図におい（−１△、ｒ３゜Ｃで示したもの（よ各々、ド
クター、■ジャー１〜ン＜Ｄｒ 、 ［ｇｅｒｔｏｎ）
、 Ｉ：１本電子株式会ン１、ガタン（Ｇ ａｔａｎ
）ネ１にＪｌ、）−（’ｊ：ｊ作されたイＦＬ １＝Ａ
Ｌ装圃の対応する数値の組みを示しでいる。 本発明は−１−述した基本的な考えに沿ってなされたも
ので、一対の磁極片の間に一様磁場を形成し、この一様
磁場中（こ入用した荷電粒子線を９０°偏向してイのエ
ネルギーに応じた出射貞に二手集束するようにしだエネ
ルギー分析装置において、前記磁極片の入射側端面が荷
電粒子の入用方向と垂直な平面に対して２０’７’Ｊ至
３０°を成４ように構成したことを特徴としている。 第５図は本発明の一実施例を詳述Ｊ−るためのＩ）ので
、図中２は内部が真空に排気された鏡ｎである。この鏡
筒内の投影１ノンズ（図示せず）の後段には電子線分散
場を形成】るための磁極片が配回されているが、第１図
に示した従来と５＋？なり一一一対の磁極片３ａ、３ｂ
（但し、３ａだ目が図示されている）の入射側の端面Ｉ
（ぞの接線）が光軸Ｃに重両な平面に対して＜ｒ−ｄ傾
斜角ε１が２５°にされており、この磁極片３８，３ｈ
の出１：ｉ’ｌ Ｉｌｌ （７）端面「（その接線）が
電子線の出射方向と垂直な平面どなず傾斜角ε２は２７
°になっている。４は拡大レンズであり、この拡大１ノ
ンズは磁極片３ａの間に形成された一様な磁場によって
分散された電子線を更にそのエネルギーに応じて空間的
に公邸させるだめのものである。５はアパーチャ６を通
過した電子を検出するための検出器である。 このような構成において、例えば試料を通過し、光軸Ｃ
に沿って入射点Ｐより入０・１シて来た電子線は磁極片
３ａ、３１１Ｆ？！Ｉの一様磁場においてそのエネルギ
ーに応じて分散され、あるエネルギーの電子線が分散面
上の点Ｑ十に結像され、更にスリブ１〜６を通過して検
出器５に入射する。従って磁極Ｊ’＋３１，３ｂに磁場
を発生させるための励磁コイル（図示せず）の励磁強度
を掃引すれば検出される電子線のエネルギーが掃引され
、検出器５の出力信号に基づいてエネルギースペクトル
を得ることができる。 このようイ「荷電粒子線のエネルギー分析装置は、前述
したＪうに磁極片の形状を決める定数８２及び磁極片か
ら検出器までの距離を決めるＶ／Ｒが１」／Ｒに依存し
イｆいので、１１／Ｒを異にするあらゆる機梗の電子顕
微鏡に共通１ノで使用ηることができ、機秤に応じて分
析に置の設計をしなおす必要がない。 更に又、ε２が３０°前後と小さく４Ｉ：るため、二次
収差補正用曲率を形成する場合にも第５図に示したカド
Ｋを小ざくすることができ、ゴー作が容易となる。 尚、」−）ボしＩｃ実施例においては、電子線をＴネル
ギー分析ηる場合についての実施例を説明したが本発明
はイオン等の他の荷電粒子線のエネルギーを分析覆る場
合にも同様に実施できる。
第１図は従来のエネルギー分析装置を示すための図、第
２図は二重集束条件を成立さぜるためのε１とε２の関
係をＩＩ／ＲをパラメータとしＣ３１算しＩｃ結宋を示
すための図、第３図はε１とＶ／Ｒとの関係を示すため
の図、第４図はｕ／Ｒをパラメータとしてε１に対する
分散能Ｄｄの値を示すだめの図、第５図は本発明の一実
施例を説明するための図である。 １ａ、ｌｂ、３ａ、３ｂ ：磁極片、２：鏡筒、４：拡
大レンズ、５：検出器、６：アパーチャ。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 ９藤 −夫
２図は二重集束条件を成立さぜるためのε１とε２の関
係をＩＩ／ＲをパラメータとしＣ３１算しＩｃ結宋を示
すための図、第３図はε１とＶ／Ｒとの関係を示すため
の図、第４図はｕ／Ｒをパラメータとしてε１に対する
分散能Ｄｄの値を示すだめの図、第５図は本発明の一実
施例を説明するための図である。 １ａ、ｌｂ、３ａ、３ｂ ：磁極片、２：鏡筒、４：拡
大レンズ、５：検出器、６：アパーチャ。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 ９藤 −夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一対の磁極片の間に一様磁場を形成し、この一様磁場中
に入射した荷電粒子線を９０°偏向してその−［ネルギ
ーに応じた出射点に二重集束号るようにしたエネルギー
分析装置において、前配置片の入削側喘面が荷電粒子の
入射方向と垂直な平面に対して２０°乃至３０°を成Ｊ
よう【、：構成したごとを特徴と覆る荷電Ｎｅｔ子線”
「ネルギー分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165367A JPS5954164A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 荷電粒子線エネルギ−分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165367A JPS5954164A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 荷電粒子線エネルギ−分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954164A true JPS5954164A (ja) | 1984-03-28 |
Family
ID=15811018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165367A Pending JPS5954164A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 荷電粒子線エネルギ−分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954164A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256843A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Jeol Ltd | 荷電粒子線分析用扇型磁石 |
| JPH05249382A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-09-28 | Litton Syst Inc | 暗視望遠鏡及びその取付装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5540981A (en) * | 1978-09-19 | 1980-03-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Relative position set method between magnetic flaw detector and inspected object and its unit |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP57165367A patent/JPS5954164A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5540981A (en) * | 1978-09-19 | 1980-03-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Relative position set method between magnetic flaw detector and inspected object and its unit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256843A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Jeol Ltd | 荷電粒子線分析用扇型磁石 |
| JPH05249382A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-09-28 | Litton Syst Inc | 暗視望遠鏡及びその取付装置 |
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