JP2000113845A - 電界放射型走査電子顕微鏡 - Google Patents

電界放射型走査電子顕微鏡

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JP2000113845A
JP2000113845A JP10286186A JP28618698A JP2000113845A JP 2000113845 A JP2000113845 A JP 2000113845A JP 10286186 A JP10286186 A JP 10286186A JP 28618698 A JP28618698 A JP 28618698A JP 2000113845 A JP2000113845 A JP 2000113845A
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condenser lens
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electron gun
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Atsushi Yamada
篤 山田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンデンサレンズを小さくしても試料に照射
される電子ビームの電流量を広範囲に変えることができ
る電界放射型走査電子顕微鏡を実現する。 【解決手段】 エミッタと引出電極と加速電極とを備え
た電界放射型電子銃と、電界放射型電子銃からの電子ビ
ームを集束するためのコンデンサレンズと、対物レンズ
と、コンデンサレンズと対物レンズとの間に設けられた
対物レンズ絞りとを備え、コンデンサレンズの励磁強度
を変化させて対物レンズ絞りの開口を通過して試料に照
射される照射電流を変化させるようにした電界放射型走
査電子顕微鏡において、照射電流を指定する手段と、該
指定手段による指定照射電流に基づいて電界放射型電子
銃の引出電圧と前記コンデンサレンズの励磁強度を設定
する設定手段を備えて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料上で電子ビー
ムを2次元的に走査し、その走査に基づいて発生した2
次電子等を検出して試料像を得るようにした走査電子顕
微鏡に関し、特に、電子銃として電界放射型電子銃を用
いた電界放射型走査電子顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、電子銃から発生し
加速された電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズ
によって集束し、試料上に照射すると共に、試料上で電
子ビームを2次元的に走査し、試料から発生した2次電
子や反射電子を検出し、検出信号を陰極線管に供給して
試料の走査像を得るようにしている。
【0003】このような走査電子顕微鏡において、観察
する試料の種類により、電子銃からの電子ビームの加速
電圧を変化させたり、試料に照射する電子ビームの照射
電流量を変化させるようにしている。この試料に照射す
る電子ビームの照射電流量を変化させる場合には、コン
デンサレンズによって対物レンズ絞りの上部にクロスオ
ーバを結び、コンデンサレンズの励磁を変化させ、対物
レンズ絞りの開口を通過する電子ビームの量を変化させ
るようにしている。
【0004】図1はこのような走査電子顕微鏡を示して
いる。1は電界放射型電子銃であり、エミッタ2、引出
電極3、接地電位の加速電極4より構成されている。エ
ミッタ2と引出電極3との間には、図示していない電源
より引出電圧が印加され、エミッタ2と加速電極4との
間には、図示していない電源より加速電圧が印加され
る。この電子銃では、引出電圧によりエミッタ2から電
子が引き出され、その電子は加速電圧によって加速され
る。
【0005】電子銃1から発生し加速された電子ビーム
EBは、コンデンサレンズ5、対物レンズ6によって試
料7上に細く集束される。なお、対物レンズ6の上部に
は、対物レンズ絞り8が配置されており、対物レンズ絞
り8の開口を通過した電子ビームが試料7に照射され
る。なお、対物レンズ6と対物レンズ絞り8との間には
開き角制御レンズ9が設けられているが、この開き角制
御レンズ9は試料7に照射される電子ビームの開き角を
制御する。
【0006】図示していないが、電子ビームEBの光軸
に沿って試料7上で電子ビームを2次元的に走査するた
めの走査コイルが配置されている。この走査コイルによ
る試料上の電子ビームの2次元走査にともなって、例え
ば2次電子が発生するが、この2次電子は図示していな
い2次電子検出器によって検出される。検出器の出力信
号は、電子ビームEBの2次元走査に同期した陰極線管
に供給されることから、陰極線管上には試料の走査2次
電子像が表示される。
【0007】ここで、試料7に照射される電子ビームE
Bの電流量を変化させる場合、コンデンサレンズ5の励
磁電流が変えられる。図2はこの様子を示しており、試
料7への電子ビームの電流量を大きくする場合には、コ
ンデンサレンズの励磁電流を少なくしてレンズ強度を小
さくし、破線Pで示すように電子ビームを集束する。こ
のようなコンデンサレンズの励磁とすると、クロスオー
バの位置が下がり、対物レンズ絞り8の開口を通過する
電子ビームの量が多くなる。
【0008】逆に、試料7への電子ビームの電流量を小
さくする場合には、コンデンサレンズの励磁電流を多く
してレンズ強度を大きくし、実線Qで示すように電子ビ
ームを集束する。このようなコンデンサレンズの励磁と
すると、クロスオーバの位置が上がり、対物レンズ絞り
8の開口を通過する電子ビームの量が少なくなる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、走査電子顕
微鏡の鏡筒をなるべくコンパクトに小さくするために
は、コンデンサレンズ5も小さくすることが必要であ
る。このコンデンサレンズを小さくすると、クロスオー
バーをより上方に結ばせるためには、より大きな励磁電
流が必要となる。
【0010】コンデンサレンズ5は通常、コイルと磁極
片を使用しているが、広範囲にクロスオーバの位置を変
化させ、試料に照射される電子ビームの電流量を変えよ
うとすると、励磁電流の可変範囲を大きくせざるを得な
い。すなわち、試料に照射される電子ビームの電流量を
少なくするためには、大きな励磁電流をコンデンサレン
ズに供給する必要がある。
【0011】大きな励磁電流をコンデンサレンズ5のコ
イルに流した場合、コイルの発熱によりコイルや磁極片
を含むコンデンサレンズ全体が加熱される。このコンデ
ンサレンズの加熱により鏡筒全体も加熱され、鏡筒内部
の真空が悪化するという問題が生じる。この問題は特に
高真空が要求される電界放射型電子銃にとっては無視で
きない。
【0012】このため、従来、コンデンサレンズを小形
化するには限界があり、コンデンサレンズはある程度大
きく設計せざるを得ない。本発明は、このような点に鑑
みてなされたもので、その目的は、コンデンサレンズを
小さくしても試料に照射される電子ビームの電流量を広
範囲に変えることができる電界放射型走査電子顕微鏡を
実現するにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】(1)前記した課題を解
決する第1の発明は、エミッタと引出電極と加速電極と
を備えた電界放射型電子銃と、電界放射型電子銃からの
電子ビームを集束するためのコンデンサレンズと、対物
レンズと、コンデンサレンズと対物レンズとの間に設け
られた対物レンズ絞りとを備え、コンデンサレンズの励
磁強度を変化させて対物レンズ絞りの開口を通過して試
料に照射される照射電流を変化させるようにした電界放
射型走査電子顕微鏡において、照射電流を指定する手段
と、該指定手段による指定照射電流に基づいて電界放射
型電子銃の引出電圧と前記コンデンサレンズの励磁強度
を設定する設定手段を備えたことを特徴としている。
【0014】この発明の構成によれば、試料に照射され
る照射電流を指定した場合に、その指定に応じて電界放
射型電子銃の引出電圧とコンデンサレンズの励磁強度を
設定することにより、コンデンサレンズを小さくしても
試料に照射される電子ビームの電流量を広範囲に変える
ことができる。
【0015】(2)前記した課題を解決する第2の発明
は、エミッタと引出電極と加速電極とを備えた電界放射
型電子銃と、電界放射型電子銃からの電子ビームを集束
するためのコンデンサレンズと、対物レンズと、コンデ
ンサレンズと対物レンズとの間に設けられた対物レンズ
絞りとを備え、コンデンサレンズの励磁強度を変化させ
て対物レンズ絞りの開口を通過して試料に照射される照
射電流を変化させるようにした電界放射型走査電子顕微
鏡において、照射電流を指定する手段と、該指定手段に
よる指定照射電流に基づいて電界放射型電子銃の引出電
圧を少なくとも2段階に切り換える切換手段を備えたこ
とを特徴としている。
【0016】この発明の構成によれば、試料に照射され
る照射電流を指定した場合に、その指定に応じて電界放
射型電子銃の引出電圧を少なくとも2段階に切り換える
ようにして、コンデンサレンズを小さくしても試料に照
射される電子ビームの電流量を広範囲に変えることがで
きる。
【0017】(3)この場合において、電子銃の下部に
設けたアライメントコイルに供給する補正電流の情報を
引出電圧に応じて記憶する手段を設け、引出電圧が変え
られた場合には、その引出電圧に応じた補正電流情報に
基づいた補正電流を前記アライメントコイルに供給する
ようにしたことを特徴としている。
【0018】この発明の構成によれば、電子銃の下部に
設けたアライメントコイルに補正電流を供給し、電子ビ
ームのずれを補正することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図3は本発明に基づく電界
放射型走査電子顕微鏡を示しており、図1と同一ないし
は類似の構成要素には同一番号が付されている。
【0020】図中1は電界放射型電子銃であり、エミッ
タ2、引出電極3、接地電位の加速電極4より構成され
ている。エミッタ2と引出電極3との間には、高電圧駆
動回路10より引出電圧が印加され、エミッタ2と加速
電極4との間には、高電圧駆動回路10より加速電圧が
印加される。
【0021】この電子銃では、引出電圧によりエミッタ
2から電子が引き出され、その電子は加速電圧によって
加速される。なお、高電圧駆動回路10からの引出電圧
は、引出電圧制御回路11によって制御される。また、
引出電圧制御回路11は操作卓18を備えたCPU12
によって制御される。
【0022】電子銃1から発生し加速された電子ビーム
は、コンデンサレンズ5、対物レンズ6によって試料7
上に細く集束される。コンデンサレンズ5への励磁電流
はコンデンサレンズ駆動回路13から供給されるが、コ
ンデンサレンズ駆動回路13はコンデンサレンズ制御回
路14により制御される。なお、コンデンサレンズ制御
回路14はCPU12により制御される。
【0023】対物レンズ6の上部には、対物レンズ絞り
8が配置されており、対物レンズ絞り8の開口を通過し
た電子ビームが試料7に照射される。なお、対物レンズ
6と対物レンズ絞り8との間には開き角制御レンズ9が
設けられているが、この開き角制御レンズ9は試料7に
照射される電子ビームの開き角を制御する。対物レンズ
6と開き角制御レンズ9は、それぞれCPU12により
制御される。
【0024】図示していないが、電子ビームEBの光軸
に沿って試料7上で電子ビームを2次元的に走査するた
めの走査コイルが配置されている。この走査コイルによ
る試料上の電子ビームの2次元走査にともなって、例え
ば2次電子が発生するが、この2次電子は図示していな
い2次電子検出器によって検出される。検出器の出力信
号は、電子ビームEBの2次元走査に同期した陰極線管
に供給されることから、陰極線管上には試料の走査2次
電子像が表示される。
【0025】電子銃1とコンデンサレンズ5との間に
は、アライメントコイル15が配置されている。アライ
メントコイル15には、アライメント回路16から電子
ビームの光軸からのずれを補正するためのメモリー17
に記憶された値に基づくアライメント電流が供給され
る。このような構成の動作を次に説明する。
【0026】図4は、ある引出電圧VsHにおけるコン
デンサレンズの励磁電流Icと試料上に照射される電子
ビームの照射電流Ipとの関係及び照射電流Ipとプロ
ーブ径Dpとの関係を示す図である。この図から、励磁
電流Icが大きくなる程照射電流Ipが小さくなるこ
と、及びプローブ径Dpは照射電流Ipが小さい領域で
は一定で、ある限度を超えると急激に増大することが分
かる。
【0027】通常、走査電子顕微鏡においては、このプ
ローブ径Dpが変化しない照射電流量の領域が使用され
る。従って、コンデンサレンズの励磁電流Icは、下限
値Ic1と上限値Ic2の間で調節され、それにより、
照射電流IpをIp2からIp1まで変化させることが
できる。照射電流がIp1に近い小電流領域では、コン
デンサレンズの励磁電流は上限値Ic2に近い大電流領
域となり、前記したように、コンデンサレンズの発熱に
伴う悪影響が顕著となる。
【0028】ところで、図4は、ある引出電圧VsHに
おけるIcとIp、及びIpとDpの関係を示している
が、ここで引出電圧をVsHよりも低いVsLに下げる
と、エミッタ2からの元々の電子の発生量が減少するこ
とから、Ip−Dp曲線が図5に示すようにaからbへ
と左方へ平行移動すると共に、Ic−Ip直線もcから
dへと左方へ平行移動する。図5から低い引出電圧VSL
を用いれば、照射電流IpがIp1に近い小電流領域を
使用する場合であっても、必要となるコンデンサレンズ
の励磁電流は高い引出電圧の場合の上限値Ic2よりも
小さなIc3ですむことが分かる。
【0029】そこで、本発明では、照射電流が大きな図
5中Aの領域では高い引出電圧VsHを用い、照射電流
が小さな図5中Bの領域では低い引出電圧VsLを用い
ることにより、コンデンサレンズ励磁電流を大きくしな
くても小さな照射電流を実現することを基本にしてい
る。
【0030】即ち、CPU12には、図5におけるIc
−Ip直線c、d及び直線cに従う制御と直線dに従う
制御との切り換えを行なうための境界照射電流値Ip3
が制御用データとして格納されている。いま、オペレー
タにより操作卓18を介して照射電流値Ip4が入力さ
れると、CPU12は入力された照射電流値Ip4を境
界照射電流値Ip3と比較し、Ip4が前記領域Aにあ
る場合、引出電圧制御回路11に領域A用の高い引出電
圧VsHを発生するように指令すると共に、直線cに基
づいて照射電流値Ip4を実現するためのコンデンサレ
ンズ励磁電流値Ic4を決定し、コンデンサレンズ励磁
電流がこの値になるように制御回路14に指令する。
【0031】一方、オペレータにより操作卓18を介し
て照射電流値Ip5が入力されると、CPU12は入力
された照射電流値Ip5を境界照射電流値Ip3と比較
し、Ip5が前記領域Bにあるので、引出電圧制御回路
11に領域B用の低い引出電圧VsLを発生するように
指令すると共に、直線dに基づいて照射電流値Ip5を
実現するためのコンデンサレンズ励磁電流値Ic5を決
定し、コンデンサレンズ励磁電流がこの値になるように
制御回路14に指令する。
【0032】なお、上記実施の形態例では操作卓18よ
り照射電流値を直接入力したが、照射電流の指定方法は
直接数値入力以外に各種の方法が採用できる。例えば、
エンコーダ等により指定値を発生させてもよいし、アッ
プダウンカウンタを用い、クロックパルスをアップカウ
ント或いはダウンカウントさせて指定値を順次発生させ
てもよい。
【0033】エンコーダ等を用いた場合、照射電流値を
徐々に変化させることが可能である。即ち、照射電流の
現在の値がIp5で、ここから上昇させる場合、エンコ
ーダからの指定値はIp5から徐々に上昇し、CPU1
2はエンコーダからの指定値を境界照射電流値Ip3と
比較し、指定値が前記領域Bにある間は、引出電圧制御
回路11に領域B用の低い引出電圧VsLを発生するよ
うに指令すると共に、直線dに基づいて指定値を実現す
るためのコンデンサレンズ励磁電流値を決定し、コンデ
ンサレンズ励磁電流がこの値になるように制御回路14
に指令する。
【0034】そして、指定値がIp3を超えると、CP
U12は入力された指定値が前記領域Aにあると判断
し、引出電圧制御回路11に領域A用の高い引出電圧V
sHを発生するように指令すると共に、直線cに基づい
て照射電流値Ip4を実現するためのコンデンサレンズ
励磁電流Ic4を決定し、コンデンサレンズ励磁電流が
この値になるように制御回路14に指令する。
【0035】逆向きの変化の場合には、逆に、指定値が
Ip3を下回ると、CPU12により引出電圧が領域A
用の高い引出電圧VsHから領域B用の低い引出電圧V
sLに切り換えられる。このようにして、境界照射電流
値Ip3に基づいて引出電圧が高い値と低い値に切り換
えられる。
【0036】このような制御を行なうことにより、小さ
な照射電流の領域を比較的小さなコンデンサレンズ励磁
電流で実現できる。このため、コンデンサレンズの発熱
を最小に抑えることが可能となる。従って、鏡筒内の真
空度を悪化させることが防止できると共に、小型のコン
デンサレンズを採用することが可能となる。
【0037】上記した図5の領域Bにおいては、電子銃
1における引出電圧をVsHよりVsLに変化することに
ともなって、電界放射型電子銃の静電レンズ作用にも変
化が生じ、発生する電子ビームが光軸からずれることに
なる。このずれが無視できない場合には、引出電圧の切
り換えに関連させて例えば以下のような制御を行えばよ
い。即ち、メモリー17に引出電圧に対応したアライメ
ント補正値を記憶させておき、引出電圧を変えた場合に
は、その引出電圧に応じたアライメント補正値をメモリ
ー17から読みだし、アライメント回路16に供給す
る。アライメント回路16は補正値に応じてアライメン
トコイル15に補正電流を供給し、電子銃1からの電子
ビームの光軸からのずれを補正する。
【0038】なお、試料上に照射されるプローブの径
は、2つのパラメータ、すなわち、コンデンサレンズ5
で結ぶクロスオーバーの位置、および、引出電圧の値に
よる電子源位置(仮想光源位置)の移動によって異なっ
てくる。このため、それぞれのパラメータの変化の際に
は、光学系の計算式により常に最適なプローブ径が得ら
れるように、CPU12で計算を行い、その計算に基づ
いて各レンズを制御することは好ましい。
【0039】以上、本発明の一実施の形態例を説明した
が、本発明はこの形態に限定されるものではない。例え
ば、上記実施の形態例では照射電流の可変範囲をAとB
の2つの領域に分けたが、3つ以上の領域に分け、それ
ぞれの領域に対応した引出電圧を選択するようにしても
よい。領域同士の境界領域は、オーバラップさせるよう
にしてもよい。
【0040】また、指定照射電流値Ipを実現するため
のコンデンサレンズ励磁電流値Icの決定は、Ip−I
c変換テーブルを用意し、指定された照射電流値に対応
するコンデンサレンズ励磁電流値を読み出すようにして
もよいし、図5の直線c、dを関数として記憶し、指定
された照射電流値をその関数に代入して演算により求め
るようにしてもよい。
【0041】更に、上記実施の形態例では指定された照
射電流値に応じて引出電圧及びコンデンサレンズ励磁電
流が設定されるようにしたが、先に引出電圧を指定し、
その後コンデンサレンズ励磁電流をIc1とIc3の間
で適宜調節することにより照射電流を調節するようにし
てもよい。例えば、照射電流の可変範囲を大電流領域と
小電流の2つの間で選択できるレンズ選択スイッチを設
け、このスイッチにより大電流領域が選択された場合に
は引出電圧が高い引出電圧VsHに設定され、小電流領
域が選択された場合には引出電圧が低い引出電圧VsL
に設定されるようにする。その後、コンデンサレンズ励
磁電流を適宜選択調整すれば、スイッチにより大電流領
域が選択された場合には照射電流をIp3とIp2との
間で可変でき、小電流領域が選択された場合には照射電
流をIp1とIP3の間で可変できる。この場合にも、
2つの領域の境界領域はオーバラップさせるようにして
もよい。
【0042】
【発明の効果】以上、詳細説明したように、 (1)第1の発明では、エミッタと引出電極と加速電極
とを備えた電界放射型電子銃と、電界放射型電子銃から
の電子ビームを集束するためのコンデンサレンズと、対
物レンズと、コンデンサレンズと対物レンズとの間に設
けられた対物レンズ絞りとを備え、コンデンサレンズの
励磁強度を変化させて対物レンズ絞りの開口を通過して
試料に照射される照射電流を変化させるようにした電界
放射型走査電子顕微鏡において、照射電流を指定する手
段と、該指定手段による指定照射電流に基づいて電界放
射型電子銃の引出電圧と前記コンデンサレンズの励磁強
度を設定する設定手段を備えたことにより、試料に照射
される照射電流を指定した場合に、その指定に応じて電
界放射型電子銃の引出電圧とコンデンサレンズの励磁強
度を設定することで、コンデンサレンズを小さくしても
試料に照射される電子ビームの電流量を広範囲に変える
ことができる。
【0043】(2)第2の発明では、エミッタと引出電
極と加速電極とを備えた電界放射型電子銃と、電界放射
型電子銃からの電子ビームを集束するためのコンデンサ
レンズと、対物レンズと、コンデンサレンズと対物レン
ズとの間に設けられた対物レンズ絞りとを備え、コンデ
ンサレンズの励磁強度を変化させて対物レンズ絞りの開
口を通過して試料に照射される照射電流を変化させるよ
うにした電界放射型走査電子顕微鏡において、照射電流
を指定する手段と、該指定手段による指定照射電流に基
づいて電界放射型電子銃の引出電圧を少なくとも2段階
に切り換える切換手段を備えたことにより、試料に照射
される照射電流を指定した場合に、その指定に応じて電
界放射型電子銃の引出電圧を少なくとも2段階に切り換
えるようにして、コンデンサレンズを小さくしても試料
に照射される電子ビームの電流量を広範囲に変えること
ができる。
【0044】(3)この場合において、電子銃の下部に
設けたアライメントコイルに供給する補正電流の情報を
引出電圧に応じて記憶する手段を設け、引出電圧が変え
られた場合には、その引出電圧に応じた補正電流情報に
基づいた補正電流を前記アライメントコイルに供給する
ようにしたことにより、電子銃の下部に設けたアライメ
ントコイルに補正電流を供給し、電子ビームのずれを補
正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の電界放射型走査電子顕微鏡を示す図であ
る。
【図2】従来の電界放射型走査電子顕微鏡における試料
への照射電流量の制御の様子を示す図である。
【図3】本発明に基づく電界放射型走査電子顕微鏡の一
例を示す図である。
【図4】コンデンサレンズを制御した場合の試料への照
射電流量とプローブ径との関係を示す図である。
【図5】コンデンサレンズの制御と引出電圧の制御を組
み合わせた場合の試料への照射電流量とプローブ径との
関係を示す図である。
【符号の説明】
1 電界放射型電子銃 2 エミッタ 3 引出電極 4 加速電極 5 コンデンサレンズ 6 対物レンズ 7 試料 8 対物レンズ絞り 9 開き角制御レンズ 10 高電圧駆動回路 11 引出電圧制御回路 12 CPU 13 コンデンサレンズ駆動回路 14 コンデンサレンズ制御回路 15 アライメントコイル 16 アライメント回路 17 メモリー 18 操作卓

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エミッタと引出電極と加速電極とを備え
    た電界放射型電子銃と、電界放射型電子銃からの電子ビ
    ームを集束するためのコンデンサレンズと、対物レンズ
    と、コンデンサレンズと対物レンズとの間に設けられた
    対物レンズ絞りとを備え、コンデンサレンズの励磁強度
    を変化させて対物レンズ絞りの開口を通過して試料に照
    射される照射電流を変化させるようにした電界放射型走
    査電子顕微鏡において、 照射電流を指定する手段と、該指定手段による指定照射
    電流に基づいて電界放射型電子銃の引出電圧と前記コン
    デンサレンズの励磁強度を設定する設定手段を備えたこ
    とを特徴とする電界放射型走査電子顕微鏡。
  2. 【請求項2】 エミッタと引出電極と加速電極とを備え
    た電界放射型電子銃と、電界放射型電子銃からの電子ビ
    ームを集束するためのコンデンサレンズと、対物レンズ
    と、コンデンサレンズと対物レンズとの間に設けられた
    対物レンズ絞りとを備え、コンデンサレンズの励磁強度
    を変化させて対物レンズ絞りの開口を通過して試料に照
    射される照射電流を変化させるようにした電界放射型走
    査電子顕微鏡において、 照射電流を指定する手段と、該指定手段による指定照射
    電流に基づいて電界放射型電子銃の引出電圧を少なくと
    も2段階に切り換える切換手段を備えたことを特徴とす
    る電界放射型走査電子顕微鏡。
  3. 【請求項3】 電子銃の下部に設けたアライメントコイ
    ルに供給する補正電流の情報を引出電圧に応じて記憶す
    る手段を設け、引出電圧が変えられた場合には、その引
    出電圧に応じた補正電流情報に基づいた補正電流を前記
    アライメントコイルに供給するようにした請求項1又は
    2の何れかに記載の電界放射型走査電子顕微鏡。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100862164B1 (ko) 2003-09-23 2008-10-10 동부일렉트로닉스 주식회사 주사 전자 현미경
US7679054B2 (en) 2003-09-11 2010-03-16 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Double stage charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system
JP2010062088A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子ビーム装置
US7783213B2 (en) * 2003-12-04 2010-08-24 Ricoh Company, Ltd. Method and device for measuring surface potential distribution, method and device for measuring insulation resistance, electrostatic latent image measurement device, and charging device
JP2019087337A (ja) * 2017-11-02 2019-06-06 日本電子株式会社 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7679054B2 (en) 2003-09-11 2010-03-16 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Double stage charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system
KR100862164B1 (ko) 2003-09-23 2008-10-10 동부일렉트로닉스 주식회사 주사 전자 현미경
US7783213B2 (en) * 2003-12-04 2010-08-24 Ricoh Company, Ltd. Method and device for measuring surface potential distribution, method and device for measuring insulation resistance, electrostatic latent image measurement device, and charging device
US7869725B2 (en) 2003-12-04 2011-01-11 Ricoh Company, Ltd. Method and device for measuring surface potential distribution, method and device for measuring insulation resistance, electrostatic latent image measurement device, and charging device
JP2010062088A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子ビーム装置
JP2019087337A (ja) * 2017-11-02 2019-06-06 日本電子株式会社 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法
JP7029933B2 (ja) 2017-11-02 2022-03-04 日本電子株式会社 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法

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