JPH05320896A - スパッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法Info
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- JPH05320896A JPH05320896A JP4269906A JP26990692A JPH05320896A JP H05320896 A JPH05320896 A JP H05320896A JP 4269906 A JP4269906 A JP 4269906A JP 26990692 A JP26990692 A JP 26990692A JP H05320896 A JPH05320896 A JP H05320896A
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- Japan
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 希土類−遷移金属系光磁気記録媒体の製造に
用いられる低い酸素含有量であって、しかも高密度のス
パッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法を提
供する。 【構成】 本発明のターゲットは、希土類金属側共晶組
織を有する希土類金属と遷移金属との急冷凝固した粉末
と、目標組成に対し残りの遷移金属の急冷凝固した粉末
とが加圧焼結されてなり、好ましくは酸素量が1500ppm
以下であり、相対密度が95%以上であることを特徴とす
るスパッタリング用合金ターゲットである。本発明の製
造方法は、予め希土類金属側共晶組成からなる希土類金
属と遷移金属との合金の溶湯を急冷凝固した粉末と、目
標組成に対し残りの遷移金属の急冷凝固した粉末とを混
合し、加圧焼結することを特徴とするスパッタリング用
合金ターゲットの製造方法である。
用いられる低い酸素含有量であって、しかも高密度のス
パッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法を提
供する。 【構成】 本発明のターゲットは、希土類金属側共晶組
織を有する希土類金属と遷移金属との急冷凝固した粉末
と、目標組成に対し残りの遷移金属の急冷凝固した粉末
とが加圧焼結されてなり、好ましくは酸素量が1500ppm
以下であり、相対密度が95%以上であることを特徴とす
るスパッタリング用合金ターゲットである。本発明の製
造方法は、予め希土類金属側共晶組成からなる希土類金
属と遷移金属との合金の溶湯を急冷凝固した粉末と、目
標組成に対し残りの遷移金属の急冷凝固した粉末とを混
合し、加圧焼結することを特徴とするスパッタリング用
合金ターゲットの製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、希土類−遷移金属系光
磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタリング用合金
ターゲットおよびその製造方法に関するものである。
磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタリング用合金
ターゲットおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、ガラスあるいは樹脂の基板にスパ
ッタリング法により所望組成の薄膜を形成し、これを記
録媒体として用いた書き換え可能で高密度記録が可能な
光磁気ディスクの開発が行なわれている。このスパッタ
リングに用いられるターゲットは、従来所望組成の合金
を真空または不活性ガス雰囲気中で溶解・鋳造して得ら
れたインゴットを粉砕し、得られた粉末を圧粉成形後焼
結することにより製造されてきた。
ッタリング法により所望組成の薄膜を形成し、これを記
録媒体として用いた書き換え可能で高密度記録が可能な
光磁気ディスクの開発が行なわれている。このスパッタ
リングに用いられるターゲットは、従来所望組成の合金
を真空または不活性ガス雰囲気中で溶解・鋳造して得ら
れたインゴットを粉砕し、得られた粉末を圧粉成形後焼
結することにより製造されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、希土類
−遷移金属合金は酸化され易く、本質的に脆い性質を有
するため、製造工程中に酸素ガス等を吸着すると、焼結
時の欠け、割れ、ボンディング時の冷却割れ、およびス
パッタリング時にスパッタ成膜が酸素富化となるなどの
問題があった。
−遷移金属合金は酸化され易く、本質的に脆い性質を有
するため、製造工程中に酸素ガス等を吸着すると、焼結
時の欠け、割れ、ボンディング時の冷却割れ、およびス
パッタリング時にスパッタ成膜が酸素富化となるなどの
問題があった。
【０００４】また、希土類−遷移金属系の合金ターゲッ
トを製造するに際し、希土類金属単独では酸化され易
く、焼結密度を高めることができないので、予め目標組
成よりも遷移金属を1〜10重量%少なくした遷移金属−希
土類金属の合金粉末を雰囲気で製造するとともに、残り
の遷移金属粉末を焼結時のバインダーとして混合して成
形し、焼結する方法が提案されている（特開昭60-23090
3号公報)。しかし、この方法では、遷移金属粉末を希土
類−遷移金属合金の密度を高めるためのバインダとして
作用させる目的で添加しているため、焼結温度は遷移金
属が液相を発現するかまたは高温拡散を用いる高温焼結
となり、その結果得られる合金ターゲットの酸素量は20
00〜4000ppmと高くなり、十分に低い酸素量を得ること
ができないことが問題であった。
トを製造するに際し、希土類金属単独では酸化され易
く、焼結密度を高めることができないので、予め目標組
成よりも遷移金属を1〜10重量%少なくした遷移金属−希
土類金属の合金粉末を雰囲気で製造するとともに、残り
の遷移金属粉末を焼結時のバインダーとして混合して成
形し、焼結する方法が提案されている（特開昭60-23090
3号公報)。しかし、この方法では、遷移金属粉末を希土
類−遷移金属合金の密度を高めるためのバインダとして
作用させる目的で添加しているため、焼結温度は遷移金
属が液相を発現するかまたは高温拡散を用いる高温焼結
となり、その結果得られる合金ターゲットの酸素量は20
00〜4000ppmと高くなり、十分に低い酸素量を得ること
ができないことが問題であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、希土類を単
に遷移金属−希土類金属の合金粉末として用いるのでは
なく、共晶組織を発現する組成範囲に規定した急冷凝固
粉末として用いることによって、遷移金属−希土類金属
合金の脆い性質を改善でき、酸素の吸着が防止できると
共に高密度のターゲットが得られることを見出し本発明
に到達した。
に遷移金属−希土類金属の合金粉末として用いるのでは
なく、共晶組織を発現する組成範囲に規定した急冷凝固
粉末として用いることによって、遷移金属−希土類金属
合金の脆い性質を改善でき、酸素の吸着が防止できると
共に高密度のターゲットが得られることを見出し本発明
に到達した。
【０００６】すなわち、本発明は、希土類金属側共晶組
織を有する希土類金属と遷移金属との急冷凝固した粉末
と、目標組成に対し残りの遷移金属の急冷凝固した粉末
とが加圧焼結されてなることを特徴とするスパッタリン
グ用合金ターゲットである。急冷凝固処理の手法として
は、合金溶湯から製造する不活性ガスアトマイズ法、真
空アトマイズ法および回転ロール法等、あるいは電極を
用いる回転電極法が適用できる。回転電極法や回転ロー
ル法においても、合金の酸化防止のために雰囲気は真空
または不活性ガス雰囲気とする必要がある。また本発明
においては、加圧焼結した合金ターゲットの酸素量が15
00ppm以下であり、かつ相対密度が95%以上であることが
好ましい。本発明のターゲットは、予め希土類金属側共
晶組成からなる希土類金属と遷移金属との合金の溶湯を
急冷凝固した粉末と、目標組成に対し残りの遷移金属の
急冷凝固した粉末とを混合し、加圧焼結することを特徴
とするスパッタリング用合金ターゲットの製造方法によ
り得ることが好ましい。
織を有する希土類金属と遷移金属との急冷凝固した粉末
と、目標組成に対し残りの遷移金属の急冷凝固した粉末
とが加圧焼結されてなることを特徴とするスパッタリン
グ用合金ターゲットである。急冷凝固処理の手法として
は、合金溶湯から製造する不活性ガスアトマイズ法、真
空アトマイズ法および回転ロール法等、あるいは電極を
用いる回転電極法が適用できる。回転電極法や回転ロー
ル法においても、合金の酸化防止のために雰囲気は真空
または不活性ガス雰囲気とする必要がある。また本発明
においては、加圧焼結した合金ターゲットの酸素量が15
00ppm以下であり、かつ相対密度が95%以上であることが
好ましい。本発明のターゲットは、予め希土類金属側共
晶組成からなる希土類金属と遷移金属との合金の溶湯を
急冷凝固した粉末と、目標組成に対し残りの遷移金属の
急冷凝固した粉末とを混合し、加圧焼結することを特徴
とするスパッタリング用合金ターゲットの製造方法によ
り得ることが好ましい。
【０００７】本発明により得られるターゲット形状は通
常、円板状であるが、角板状あるいは中空リング状など
の任意の形状であってもよい。本発明において、希土類
金属側共晶組成とは、例えばＦe-Ｔb二元系状態図にお
いては、Ｔb量が33.33at%から100%未満の範囲におい
て、α−ＴbとＦe2Ｔbの相を意味し、希土類金属側共晶
線は847℃にある。また、Ｆe-Ｇd二元系状態図において
は、Ｇd量が33.33at%から100%未満の範囲において、α
−ＧdとＦe2Ｇdの相を意味し、希土類金属側共晶線は84
5℃にある。Ｃo-Ｔb,Ｃo-Ｇd、あるいはＦe-Ｃo-Ｆe，
Ｆe-Ｔb-Ｇd三元合金等においても同様である。
常、円板状であるが、角板状あるいは中空リング状など
の任意の形状であってもよい。本発明において、希土類
金属側共晶組成とは、例えばＦe-Ｔb二元系状態図にお
いては、Ｔb量が33.33at%から100%未満の範囲におい
て、α−ＴbとＦe2Ｔbの相を意味し、希土類金属側共晶
線は847℃にある。また、Ｆe-Ｇd二元系状態図において
は、Ｇd量が33.33at%から100%未満の範囲において、α
−ＧdとＦe2Ｇdの相を意味し、希土類金属側共晶線は84
5℃にある。Ｃo-Ｔb,Ｃo-Ｇd、あるいはＦe-Ｃo-Ｆe，
Ｆe-Ｔb-Ｇd三元合金等においても同様である。
【０００８】なお、本発明者等は、先に特願昭59-26092
0号として希土類金属と遷移金属からなる合金を溶解
し、この合金溶湯を急冷して粉末とし、その粉末を圧粉
成形し焼結する方法を提案している。この本発明の方法
によれば得られた合金ターゲットの酸素量は900〜1500p
pm程度まで低くなるが、本発明によれば酸素量を低減で
きるとともに、高密度のターゲットを得ることができ
る。
0号として希土類金属と遷移金属からなる合金を溶解
し、この合金溶湯を急冷して粉末とし、その粉末を圧粉
成形し焼結する方法を提案している。この本発明の方法
によれば得られた合金ターゲットの酸素量は900〜1500p
pm程度まで低くなるが、本発明によれば酸素量を低減で
きるとともに、高密度のターゲットを得ることができ
る。
【０００９】
【作用】本発明の最も特徴とする構成の一つは、希土類
金属が遷移金属と共晶組織を形成している急冷凝固した
粉末を焼結したことである。共晶組織は、上述したよう
に特定の組成でなければ発現しない。この共晶組成にす
ることによって、脆さは著しく低下する。そして、共晶
合金が低融点であることにも起因して、酸化反応が進行
しにくい低い温度における焼結でも高い密度を得ること
ができる。本発明において、共晶組織を有する粉末を急
冷法により得るのは、上記のように低酸素の粉末が得ら
れるためである。本発明において、共晶組織を形成する
範囲は、希土類側に偏っているため、光磁気特性を得る
組成には遷移金属の添加が必要である。この遷移金属
は、特に急冷凝固したものでなくてもよいが、酸素量が
低く、球形となる急冷凝固粉を使用することが、低酸素
かつ高密度のターゲットを得る上で好ましい。
金属が遷移金属と共晶組織を形成している急冷凝固した
粉末を焼結したことである。共晶組織は、上述したよう
に特定の組成でなければ発現しない。この共晶組成にす
ることによって、脆さは著しく低下する。そして、共晶
合金が低融点であることにも起因して、酸化反応が進行
しにくい低い温度における焼結でも高い密度を得ること
ができる。本発明において、共晶組織を有する粉末を急
冷法により得るのは、上記のように低酸素の粉末が得ら
れるためである。本発明において、共晶組織を形成する
範囲は、希土類側に偏っているため、光磁気特性を得る
組成には遷移金属の添加が必要である。この遷移金属
は、特に急冷凝固したものでなくてもよいが、酸素量が
低く、球形となる急冷凝固粉を使用することが、低酸素
かつ高密度のターゲットを得る上で好ましい。
【００１０】
【実施例】表１は実施例に用いた試料の組成および製造
方法を示すものである。Ｎo.1〜Ｎo.10の試料は次のよ
うに作製した。まず、表１の粉末組成に示す希土類金属
−遷移金属の状態図の希土類金属側共晶組成を有する粉
末を、予め真空アーク溶解炉を用いて100gの棒状母合金
を溶製後、その母合金を単ロールに溶湯を噴出して約80
gの厚さ 10μmを有するりんぺん状急冷薄片を得、急冷
薄片をプレスにより軟粉砕後分級して−#48の粉末とす
ることにより得た。一方、Ｆe粉またはＣo粉はプラズマ
アーク溶解により約80w×120L×10t(mm)の板状インゴッ
トから一般にUSGAと呼ばれる超音波を用いたガスアトマ
イズ装置を用いて約10kgの球状粉末を得たのち分級して
−#100の粉末をそれぞれ得た。比較例であるＮo.11およ
びＮo.12の希土類金属−遷移金属組成の粉末は、真空ア
ーク溶解で溶製したのち、母合金を急冷凝固粉を用いず
にＡr中でクラッシャーで粉砕した。焼結方法がホット
プレスの場合は、作製した各々の粉末を約110gになるよ
うに配合、混合し、300tプレスを用いて350kg/cm2で加
圧し、80mmφ×2.5mmtの圧粉体を得た。圧粉体は、Ｃ型
ホットプレスにて表１に示す焼結条件で80mmφ×2.5mmt
の焼結体を得た。
方法を示すものである。Ｎo.1〜Ｎo.10の試料は次のよ
うに作製した。まず、表１の粉末組成に示す希土類金属
−遷移金属の状態図の希土類金属側共晶組成を有する粉
末を、予め真空アーク溶解炉を用いて100gの棒状母合金
を溶製後、その母合金を単ロールに溶湯を噴出して約80
gの厚さ 10μmを有するりんぺん状急冷薄片を得、急冷
薄片をプレスにより軟粉砕後分級して−#48の粉末とす
ることにより得た。一方、Ｆe粉またはＣo粉はプラズマ
アーク溶解により約80w×120L×10t(mm)の板状インゴッ
トから一般にUSGAと呼ばれる超音波を用いたガスアトマ
イズ装置を用いて約10kgの球状粉末を得たのち分級して
−#100の粉末をそれぞれ得た。比較例であるＮo.11およ
びＮo.12の希土類金属−遷移金属組成の粉末は、真空ア
ーク溶解で溶製したのち、母合金を急冷凝固粉を用いず
にＡr中でクラッシャーで粉砕した。焼結方法がホット
プレスの場合は、作製した各々の粉末を約110gになるよ
うに配合、混合し、300tプレスを用いて350kg/cm2で加
圧し、80mmφ×2.5mmtの圧粉体を得た。圧粉体は、Ｃ型
ホットプレスにて表１に示す焼結条件で80mmφ×2.5mmt
の焼結体を得た。
【００１１】
【表１】
【００１２】焼結方法がＨＩＰの場合は、内径 50mmφ
の鉄製容器に予めＢＮ塗布後、Ｎb箔で容器内周を覆
い、下面は厚さ 5mmtの押え板にＢＮ塗布後、Ｎb箔で覆
った後、粉末を約60gになるよう配合した粉末を充填
し、上面も下面と同様に処置した後、真空脱気後封止し
た。ＨＩＰは1050℃×2hr、1000atmの焼結条件、あるい
は800℃×2hr、800atmの焼結条件で42mmφ×5mmtの焼結
体を得た。表２に得られたターゲットの酸素量および密
度を示した。密度は焼結前の混合粉末の密度に対する相
対密度として示した。また、特開昭60-230903号に記載
されたＦe-Ｇd合金粉末とＦe粉を混合して焼結して得た
ターゲットについても表２の従来例として示した。
の鉄製容器に予めＢＮ塗布後、Ｎb箔で容器内周を覆
い、下面は厚さ 5mmtの押え板にＢＮ塗布後、Ｎb箔で覆
った後、粉末を約60gになるよう配合した粉末を充填
し、上面も下面と同様に処置した後、真空脱気後封止し
た。ＨＩＰは1050℃×2hr、1000atmの焼結条件、あるい
は800℃×2hr、800atmの焼結条件で42mmφ×5mmtの焼結
体を得た。表２に得られたターゲットの酸素量および密
度を示した。密度は焼結前の混合粉末の密度に対する相
対密度として示した。また、特開昭60-230903号に記載
されたＦe-Ｇd合金粉末とＦe粉を混合して焼結して得た
ターゲットについても表２の従来例として示した。
【００１３】
【表２】
【００１４】表２から明らかなように、急冷凝固粉末を
用いずＡr中でクラッシャーで粉砕したＮo.11およびＮ
o.12の粉末を用いて焼結した合金ターゲットの酸素量
は、3200〜3500ppmと非常に高いことがわかる。本発明
による試料Ｎo.1〜10はいずれも1070〜1340ppmと酸素量
が低く、かつ相対密度も91%以上と高密度の合金ターゲ
ットが得られた。一方、従来例として製造した試料Ｎo.
13はＦe-Ｇd粉末が共晶組成でないため、1050℃の温度
では焼結密度が上がらず、また酸素含有量も3300ppmと
高いものとなり、好ましくないものであった。
用いずＡr中でクラッシャーで粉砕したＮo.11およびＮ
o.12の粉末を用いて焼結した合金ターゲットの酸素量
は、3200〜3500ppmと非常に高いことがわかる。本発明
による試料Ｎo.1〜10はいずれも1070〜1340ppmと酸素量
が低く、かつ相対密度も91%以上と高密度の合金ターゲ
ットが得られた。一方、従来例として製造した試料Ｎo.
13はＦe-Ｇd粉末が共晶組成でないため、1050℃の温度
では焼結密度が上がらず、また酸素含有量も3300ppmと
高いものとなり、好ましくないものであった。
【００１５】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明では希土
類金属側共晶組成からなる急冷凝固粉末と目標組成に対
し残りの遷移金属の急冷凝固粉末を用いることによっ
て、従来方法では得られなかった酸素量は1500ppm以
下、相対密度 91%以上の高密度を同時に満足する合金タ
ーゲットを製造することができた。さらに得られたター
ゲットはターゲットに含まれる酸素量が少ないので、表
面酸化物を除去するためのプレスパッタ時間の短縮が可
能なこと、またスパッタ成膜中の酸素富化による希土類
金属の減少も少なくなることが期待される。
類金属側共晶組成からなる急冷凝固粉末と目標組成に対
し残りの遷移金属の急冷凝固粉末を用いることによっ
て、従来方法では得られなかった酸素量は1500ppm以
下、相対密度 91%以上の高密度を同時に満足する合金タ
ーゲットを製造することができた。さらに得られたター
ゲットはターゲットに含まれる酸素量が少ないので、表
面酸化物を除去するためのプレスパッタ時間の短縮が可
能なこと、またスパッタ成膜中の酸素富化による希土類
金属の減少も少なくなることが期待される。
Claims (3)
- 【請求項１】 希土類金属側共晶組織を有する希土類金
属と遷移金属との急冷凝固した粉末と、目標組成に対し
残りの遷移金属の急冷凝固した粉末とが加圧焼結されて
なることを特徴とするスパッタリング用合金ターゲッ
ト。 - 【請求項２】 上記加圧焼結した合金ターゲットの酸素
量が1500ppm以下であり、相対密度が95%以上であること
を特徴とする請求項１に記載のスパッタリング用合金タ
ーゲット。 - 【請求項３】 予め希土類金属側共晶組成からなる希土
類金属と遷移金属との合金の溶湯を急冷凝固した粉末
と、目標組成に対し残りの遷移金属の急冷凝固した粉末
とを混合し、加圧焼結することを特徴とするスパッタリ
ング用合金ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269906A JPH0791637B2 (ja) | 1986-08-20 | 1992-10-08 | スパッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194984A JPH0768611B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法 |
| JP4269906A JPH0791637B2 (ja) | 1986-08-20 | 1992-10-08 | スパッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194984A Division JPH0768611B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05320896A true JPH05320896A (ja) | 1993-12-07 |
| JPH0791637B2 JPH0791637B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=16333603
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194984A Expired - Lifetime JPH0768611B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法 |
| JP4269906A Expired - Fee Related JPH0791637B2 (ja) | 1986-08-20 | 1992-10-08 | スパッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194984A Expired - Lifetime JPH0768611B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH0768611B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143255A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 合金タ−ゲツト材 |
| JPH0768612B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 |
| JPH0790567A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-04-04 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
| CN102423802B (zh) * | 2011-12-20 | 2013-07-31 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 高纯钴靶材的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230903A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Daido Steel Co Ltd | 合金タ−ゲツトの製造方法 |
| JPS61139637A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Hitachi Metals Ltd | スパツタ用タ−ゲツトとその製造方法 |
| JPS62130235U (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-17 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130235A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Mitsubishi Metal Corp | タ−ゲツト材の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP61194984A patent/JPH0768611B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1992
- 1992-10-08 JP JP4269906A patent/JPH0791637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230903A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Daido Steel Co Ltd | 合金タ−ゲツトの製造方法 |
| JPS61139637A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Hitachi Metals Ltd | スパツタ用タ−ゲツトとその製造方法 |
| JPS62130235U (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0768611B2 (ja) | 1995-07-26 |
| JPS6350469A (ja) | 1988-03-03 |
| JPH0791637B2 (ja) | 1995-10-04 |
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