JPH05320100A - 芳香族ジニトロ化合物、芳香族ジアミノ化合物及びそれらの製造方法 - Google Patents
芳香族ジニトロ化合物、芳香族ジアミノ化合物及びそれらの製造方法Info
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- JPH05320100A JPH05320100A JP12705792A JP12705792A JPH05320100A JP H05320100 A JPH05320100 A JP H05320100A JP 12705792 A JP12705792 A JP 12705792A JP 12705792 A JP12705792 A JP 12705792A JP H05320100 A JPH05320100 A JP H05320100A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規な芳香族ジアミノ化合物、その原料であ
る芳香族ジニトロ化合物およびそれらの製造方法を提供
する。 【構成】 下記式で表される芳香族ジアミノ化合物。 【効果】 本発明の芳香族ジアミノ化合物は、成形加工
性や溶剤溶解性に優れた液晶ポリイミドの原料として有
用である。
る芳香族ジニトロ化合物およびそれらの製造方法を提供
する。 【構成】 下記式で表される芳香族ジアミノ化合物。 【効果】 本発明の芳香族ジアミノ化合物は、成形加工
性や溶剤溶解性に優れた液晶ポリイミドの原料として有
用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トリフルオロメチル基
を有する芳香族ジニトロ化合物、芳香族ジアミノ化合物
及びそれらの製造方法に関する。これらの化合物は、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ビスマレイ
ミドおよびエポキシ樹脂の出発原料として有用である。
を有する芳香族ジニトロ化合物、芳香族ジアミノ化合物
及びそれらの製造方法に関する。これらの化合物は、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ビスマレイ
ミドおよびエポキシ樹脂の出発原料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクスの発展にともな
い、多層回路基盤の絶縁材料の開発研究が幅広く進めら
れている。有機材料の中で、特に、ポリイミドは、耐熱
性、寸法安定性に優れ、また無機材料に比較して誘電率
が低いため、絶縁材料としての用途が有望である。例え
ば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリ
ット酸二無水物より得られるポリイミドの誘電率は３．
６／１ｋＨｚ、ｐ−フェニレンジアミンとビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物より得られるポリイミドの誘電
率は３．５／１ｋＨｚである。しかしながら、電子回路
の高集積化に伴い、さらに誘電率の低い絶縁材料、具体
的には、誘電率が３．０／１ｋＨｚ以下、好ましくは
２．８／１ｋＨｚ程度まで低減させた材料が望まれてい
る。ポリイミドの誘電率を低下させる手法として、ポリ
イミドの分子ユニットに、フッ素原子を導入することが
知られている。このような目的で、低誘電率材料用ポリ
イミドモノマーとして、ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン基を含む芳香族ジアミンが開示されている（特開平１
−１９０６５２）。しかしながら、これらの芳香族ジア
ミンは、合成法が多段階であったり、又、それから得ら
れるポリイミド樹脂を成形加工する際の熱流動性が不足
している等工業的な問題点がある。
い、多層回路基盤の絶縁材料の開発研究が幅広く進めら
れている。有機材料の中で、特に、ポリイミドは、耐熱
性、寸法安定性に優れ、また無機材料に比較して誘電率
が低いため、絶縁材料としての用途が有望である。例え
ば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリ
ット酸二無水物より得られるポリイミドの誘電率は３．
６／１ｋＨｚ、ｐ−フェニレンジアミンとビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物より得られるポリイミドの誘電
率は３．５／１ｋＨｚである。しかしながら、電子回路
の高集積化に伴い、さらに誘電率の低い絶縁材料、具体
的には、誘電率が３．０／１ｋＨｚ以下、好ましくは
２．８／１ｋＨｚ程度まで低減させた材料が望まれてい
る。ポリイミドの誘電率を低下させる手法として、ポリ
イミドの分子ユニットに、フッ素原子を導入することが
知られている。このような目的で、低誘電率材料用ポリ
イミドモノマーとして、ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン基を含む芳香族ジアミンが開示されている（特開平１
−１９０６５２）。しかしながら、これらの芳香族ジア
ミンは、合成法が多段階であったり、又、それから得ら
れるポリイミド樹脂を成形加工する際の熱流動性が不足
している等工業的な問題点がある。
【０００３】また、分子中にトリフルオロメチル基を有
するジアミンとして、例えば、下記式（４）（化５）で
表される４，４’−ビス（４−アミノ−５−トリフルオ
ロメチルフェニルオキシ）ビフェニルが開示されている
（ＷＯ８４０４１２）。
するジアミンとして、例えば、下記式（４）（化５）で
表される４，４’−ビス（４−アミノ−５−トリフルオ
ロメチルフェニルオキシ）ビフェニルが開示されている
（ＷＯ８４０４１２）。
【０００４】
【化５】 しかしながら、この化合物は、剛直なビフェニル構造に
対して、アミノ基がパラ位にあるため、得られるポリイ
ミドは剛直な構造となり、成形加工が困難となる欠点が
あった。
対して、アミノ基がパラ位にあるため、得られるポリイ
ミドは剛直な構造となり、成形加工が困難となる欠点が
あった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、低誘
電性で、なおかつ、高成形加工性をはじめとする液晶性
に由来する種々の特性を合わせ持ったポリイミドの原料
を提供することにある。
電性で、なおかつ、高成形加工性をはじめとする液晶性
に由来する種々の特性を合わせ持ったポリイミドの原料
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するため、鋭意検討した結果、本発明を完成する
に到った。すなわち、本発明は、式（１）で表される芳
香族ジニトロ化合物及び式（２）（化６）で表される芳
香族ジアミノ化合物に関するものである。
を解決するため、鋭意検討した結果、本発明を完成する
に到った。すなわち、本発明は、式（１）で表される芳
香族ジニトロ化合物及び式（２）（化６）で表される芳
香族ジアミノ化合物に関するものである。
【０００７】
【化６】 また、本発明は、式（３）（化７）で表されるビス（４
−ヒドロキシクミル）ベンゼンと２−クロロ−５−ニト
ロベンゾトリフルオライドとを塩基の存在下、非プロト
ン性極性溶剤中で縮合させる芳香族ジニトロ化合物の製
造方法およびその芳香族ジニトロ化合物を還元する芳香
族ジアミノ化合物の製造方法に関するものである。
−ヒドロキシクミル）ベンゼンと２−クロロ−５−ニト
ロベンゾトリフルオライドとを塩基の存在下、非プロト
ン性極性溶剤中で縮合させる芳香族ジニトロ化合物の製
造方法およびその芳香族ジニトロ化合物を還元する芳香
族ジアミノ化合物の製造方法に関するものである。
【０００８】
【化７】 本発明に係る芳香族ジニトロ化合物および芳香族ジアミ
ノ化合物はいずれも新規化合物である。本発明のジアミ
ノ化合物を、モノマーユニットにして得られるポリマー
は溶液粘度の低さ、低成形収縮率、自己強化効果、低吸
水性等の液晶性に由来する種々の特性、トリフルオロメ
チル基に由来する低誘電性を示す。
ノ化合物はいずれも新規化合物である。本発明のジアミ
ノ化合物を、モノマーユニットにして得られるポリマー
は溶液粘度の低さ、低成形収縮率、自己強化効果、低吸
水性等の液晶性に由来する種々の特性、トリフルオロメ
チル基に由来する低誘電性を示す。
【０００９】本発明のジニトロ化合物は、２−クロロ−
５−ニトロベンゾトリフルオライドとビス（４−ヒドロ
キシクミル）ベンゼンとを塩基の存在下、非プロトン性
極性溶剤中で反応させることにより高収率で製造でき
る。原料である２−クロロ−５−ニトロベンゾトリフル
オライド、ビス（４−ヒドロキシクミル）ベンゼンの製
法はいづれも公知であり、前者はο−クロロベンゾトリ
フルオライドのニトロ化によって、後者はビス（２−ヒ
ドロキシプロパン−２−イル）ベンゼンとフェノールを
酸触媒の存在下に反応させることにより容易に得られ
る。本発明の方法では、ビス（４−ヒドロキシクミル）
ベンゼンに対し２−クロロ−５−ニトロベンゾトリフル
オライドは２倍当量以上あればよく、後処理の煩雑さ、
コスト等を考慮して、２〜２．５倍当量用いて行うのが
好ましい。
５−ニトロベンゾトリフルオライドとビス（４−ヒドロ
キシクミル）ベンゼンとを塩基の存在下、非プロトン性
極性溶剤中で反応させることにより高収率で製造でき
る。原料である２−クロロ−５−ニトロベンゾトリフル
オライド、ビス（４−ヒドロキシクミル）ベンゼンの製
法はいづれも公知であり、前者はο−クロロベンゾトリ
フルオライドのニトロ化によって、後者はビス（２−ヒ
ドロキシプロパン−２−イル）ベンゼンとフェノールを
酸触媒の存在下に反応させることにより容易に得られ
る。本発明の方法では、ビス（４−ヒドロキシクミル）
ベンゼンに対し２−クロロ−５−ニトロベンゾトリフル
オライドは２倍当量以上あればよく、後処理の煩雑さ、
コスト等を考慮して、２〜２．５倍当量用いて行うのが
好ましい。
【００１０】本発明の方法で使用する塩基としては、ア
ルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物またはアル
コキシドであり、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水
酸化カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭
酸水素ナトリウム、炭酸リチウム、水酸化リチウム、ナ
トリウムメトキシド、カリウムイソプロポキシド等が挙
げられる。これらの塩基の使用量は、原料のビス（４−
ヒドロキシクミル）ベンゼンの水酸基に対して当量以上
あればよく、具体的には１〜２倍当量あれば良い。本発
明の方法で使用する非プロトン性極性溶剤としては、ホ
ルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルス
ルホキシド、スルホラン等が挙げられる。これらの溶剤
の使用量は、特に限定されないが、通常、原料に対して
１〜１０重量倍である。
ルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物またはアル
コキシドであり、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水
酸化カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭
酸水素ナトリウム、炭酸リチウム、水酸化リチウム、ナ
トリウムメトキシド、カリウムイソプロポキシド等が挙
げられる。これらの塩基の使用量は、原料のビス（４−
ヒドロキシクミル）ベンゼンの水酸基に対して当量以上
あればよく、具体的には１〜２倍当量あれば良い。本発
明の方法で使用する非プロトン性極性溶剤としては、ホ
ルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルス
ルホキシド、スルホラン等が挙げられる。これらの溶剤
の使用量は、特に限定されないが、通常、原料に対して
１〜１０重量倍である。
【００１１】本発明の方法では、反応を促進するための
触媒として、銅粉および銅系化合物またはクラウンエー
テル、ポリエチレングリコール、四級アンモニウム塩、
四級ホスホニウム塩のような相間移動触媒を使用しても
なんら差しつかえない。反応温度は通常、４０〜２５０
℃の範囲であるが、好ましくは８０〜１８０℃の範囲で
ある。反応時間は０．５〜３０時間、好ましくは１〜１
０時間である。本発明の一般的な反応方法としては、所
定量のビス（４−ヒドロキシクミル）ベンゼン、塩基お
よび溶剤を装入し、ビス（４−ヒドロキシクミル）ベン
ゼンをアルカリ金属塩とした後、２−クロロ−５−ニト
ロベンゾトリフルオライドを添加して反応させるか、あ
るいは、あらかじめ２−クロロ−５−ニトロベンゾトリ
フルオライドを含む全原料を同時に加え、そのまま昇温
して反応させるかのいずれであってもよい。また、これ
らに限定されるものではなく、その他の方法により適宜
実施できる。
触媒として、銅粉および銅系化合物またはクラウンエー
テル、ポリエチレングリコール、四級アンモニウム塩、
四級ホスホニウム塩のような相間移動触媒を使用しても
なんら差しつかえない。反応温度は通常、４０〜２５０
℃の範囲であるが、好ましくは８０〜１８０℃の範囲で
ある。反応時間は０．５〜３０時間、好ましくは１〜１
０時間である。本発明の一般的な反応方法としては、所
定量のビス（４−ヒドロキシクミル）ベンゼン、塩基お
よび溶剤を装入し、ビス（４−ヒドロキシクミル）ベン
ゼンをアルカリ金属塩とした後、２−クロロ−５−ニト
ロベンゾトリフルオライドを添加して反応させるか、あ
るいは、あらかじめ２−クロロ−５−ニトロベンゾトリ
フルオライドを含む全原料を同時に加え、そのまま昇温
して反応させるかのいずれであってもよい。また、これ
らに限定されるものではなく、その他の方法により適宜
実施できる。
【００１２】反応系内に水が存在する場合の除去方法と
して、窒素ガス等を通気させることによって、反応中、
系外に排気させる方法があるが、一般的にはベンゼン、
トルエン、キシレン、クロルベンゼン等を少量使用して
共沸により系外へと取り除く方法が多用される。反応の
終点は、薄層クロマトグラフィーまたは高速液体クロマ
トグラフィー等により、原料の減少をみながら決定する
ことができる。反応終了後、濃縮したのち、あるいはそ
のまま、水中等に排出して粗ジニトロ化合物を得る。こ
のものは溶剤で再結晶またはスラッジングすることによ
り精製することができる。
して、窒素ガス等を通気させることによって、反応中、
系外に排気させる方法があるが、一般的にはベンゼン、
トルエン、キシレン、クロルベンゼン等を少量使用して
共沸により系外へと取り除く方法が多用される。反応の
終点は、薄層クロマトグラフィーまたは高速液体クロマ
トグラフィー等により、原料の減少をみながら決定する
ことができる。反応終了後、濃縮したのち、あるいはそ
のまま、水中等に排出して粗ジニトロ化合物を得る。こ
のものは溶剤で再結晶またはスラッジングすることによ
り精製することができる。
【００１３】本発明のジアミノ化合物を上記製造法によ
って得られたジニトロ化合物を還元することにより製造
することができる。このジニトロ化合物を還元する方法
は、特に制限はなく、ニトロ基をアミノ基に還元する通
常の方法、例えば、新実験化学講座、１５巻、酸化と還
元II、丸善（１９７７）に記載の方法を適用できるが、
工業的には接触還元が好ましい。接触還元の場合、使用
される還元触媒としては、一般に接触還元に用いられて
いる金属触媒、例えば、ニッケル、パラジウム、白金、
ロジウム、ルテニウム、コバルト、銅などを使用するこ
とができる。工業的には、パラジウム触媒を使用するの
が好ましい。これらの触媒は、金属の状態でも使用する
ことができるが、通常はカーボン、硫酸バリウム、シリ
カゲル、アルミナ、セライトなどの担体表面に担持させ
て用いたり、また、ニッケル、コバルト、銅などのラネ
ー触媒としても用いられる。触媒の使用量は、特に制限
はないが、原料のジニトロ化合物に対して、金属として
０．０１〜１０重量％の範囲であり、通常、金属の状態
で使用する場合は２〜８重量％、担体に担持させた場合
では、０．１〜５重量％の範囲である。
って得られたジニトロ化合物を還元することにより製造
することができる。このジニトロ化合物を還元する方法
は、特に制限はなく、ニトロ基をアミノ基に還元する通
常の方法、例えば、新実験化学講座、１５巻、酸化と還
元II、丸善（１９７７）に記載の方法を適用できるが、
工業的には接触還元が好ましい。接触還元の場合、使用
される還元触媒としては、一般に接触還元に用いられて
いる金属触媒、例えば、ニッケル、パラジウム、白金、
ロジウム、ルテニウム、コバルト、銅などを使用するこ
とができる。工業的には、パラジウム触媒を使用するの
が好ましい。これらの触媒は、金属の状態でも使用する
ことができるが、通常はカーボン、硫酸バリウム、シリ
カゲル、アルミナ、セライトなどの担体表面に担持させ
て用いたり、また、ニッケル、コバルト、銅などのラネ
ー触媒としても用いられる。触媒の使用量は、特に制限
はないが、原料のジニトロ化合物に対して、金属として
０．０１〜１０重量％の範囲であり、通常、金属の状態
で使用する場合は２〜８重量％、担体に担持させた場合
では、０．１〜５重量％の範囲である。
【００１４】本発明の還元反応で使用する反応溶媒とし
ては、反応に不活性なものであれば特に制限されるもの
ではなく、例えば、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール等のアルコール類、エチレングリコー
ル、プロピレングリコール等のグリコール類、エーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチルセロソル
ブ等のエーテル類が好ましく、場合によっては、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、１，
１，２−トリクロロエタン、テトラクロロエタン等のハ
ロゲン化炭化水素類およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド等も使用できる。なお、水と混和しない反応溶媒を使
用した際に、反応の進行が遅い場合は、四級アンモニウ
ム塩、四級ホスホニウム塩のような一般に使用されてい
る相関移動触媒を加えることによって、反応を速めるこ
とができる。溶媒の使用量は、原料を懸濁させるか、あ
るいは、完全に溶解させるに足る量で十分であり、特に
制限されないが、通常、原料に対して０．５〜１０重量
倍である。
ては、反応に不活性なものであれば特に制限されるもの
ではなく、例えば、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール等のアルコール類、エチレングリコー
ル、プロピレングリコール等のグリコール類、エーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチルセロソル
ブ等のエーテル類が好ましく、場合によっては、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、１，
１，２−トリクロロエタン、テトラクロロエタン等のハ
ロゲン化炭化水素類およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド等も使用できる。なお、水と混和しない反応溶媒を使
用した際に、反応の進行が遅い場合は、四級アンモニウ
ム塩、四級ホスホニウム塩のような一般に使用されてい
る相関移動触媒を加えることによって、反応を速めるこ
とができる。溶媒の使用量は、原料を懸濁させるか、あ
るいは、完全に溶解させるに足る量で十分であり、特に
制限されないが、通常、原料に対して０．５〜１０重量
倍である。
【００１５】反応温度は、特に制限はなく、２０〜２０
０℃の範囲であるが、好ましくは、２０〜１００℃の範
囲である。反応圧力は、常圧〜５０ａｔｍ程度である。
反応時間は０．５〜３０時間、好ましくは１〜１０時間
である。反応は、通常、原料を溶媒に溶解もしくは懸濁
させた状態で触媒を加え、ついで、撹拌下に、所定の温
度で水素を導入して還元反応を行う。反応の終点は、水
素吸収量あるいは薄層クロマトグラフィーや高速液体ク
ロマトグラフィーなどによって決定できる。反応終了
後、還元に使用した触媒を除いた後、反応溶剤を留去す
ることにより、目的物が得られる。
０℃の範囲であるが、好ましくは、２０〜１００℃の範
囲である。反応圧力は、常圧〜５０ａｔｍ程度である。
反応時間は０．５〜３０時間、好ましくは１〜１０時間
である。反応は、通常、原料を溶媒に溶解もしくは懸濁
させた状態で触媒を加え、ついで、撹拌下に、所定の温
度で水素を導入して還元反応を行う。反応の終点は、水
素吸収量あるいは薄層クロマトグラフィーや高速液体ク
ロマトグラフィーなどによって決定できる。反応終了
後、還元に使用した触媒を除いた後、反応溶剤を留去す
ることにより、目的物が得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の方法を実施例により、更に詳
細に説明する。本発明はこれによって何ら制限されるも
のではない。 実施例１ 温度計、還流冷却器、撹拌器を取り付けた四つ口フラス
コに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）７００
ｍｌ、トルエン３０ｍｌ、２−クロロ−５−ニトロベン
ゾトリフルオライド８７ｇ（０．３８６ｍｏｌ）、１，
３−ビス（４−ヒドロキシクミル）ベンゼン６３．６ｇ
（０．１８４ｍｏｌ）、炭酸カリウム５３．３ｇ（０．
３８６ｍｏｌ）をそれぞれ装入し、撹拌下に１１０℃ま
で昇温した後、１１０℃で４時間熟成した。反応終了
後、８０℃に冷却し、濾過することによって無機塩を取
り除いた。濾液に水３０ｍｌを加え、室温まで冷却して
目的物を晶析させた。析出した結晶を濾別し、さらにイ
ソプロピルアルコールでスラッジングすることにより目
的物である１，３−ビス〔４−（４−ニトロ−２−トリ
フルオロメチルフェノキシ）クミル〕ベンゼンをを得
た。融点１２７．４〜１２８．４℃ 収量１２０ｇ、収率９０％1 Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤＣｌ3 、ｐｐｍ） １．６９（ｓ、１２Ｈ(1) ）、６．９０（ｄ、４Ｈ(2)
）、６．９４〜７．３４（ｍ、４Ｈ(3) ）、７．２６
（ｄ、４Ｈ(4) ）、７．１８（ｄ、２Ｈ(5) ）、８．２
８（ｄｄ、２Ｈ(6) ）、８．５８（ｄ、２Ｈ(7) ） (1) 〜(7) は下記式（８）の位置を示す。
細に説明する。本発明はこれによって何ら制限されるも
のではない。 実施例１ 温度計、還流冷却器、撹拌器を取り付けた四つ口フラス
コに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）７００
ｍｌ、トルエン３０ｍｌ、２−クロロ−５−ニトロベン
ゾトリフルオライド８７ｇ（０．３８６ｍｏｌ）、１，
３−ビス（４−ヒドロキシクミル）ベンゼン６３．６ｇ
（０．１８４ｍｏｌ）、炭酸カリウム５３．３ｇ（０．
３８６ｍｏｌ）をそれぞれ装入し、撹拌下に１１０℃ま
で昇温した後、１１０℃で４時間熟成した。反応終了
後、８０℃に冷却し、濾過することによって無機塩を取
り除いた。濾液に水３０ｍｌを加え、室温まで冷却して
目的物を晶析させた。析出した結晶を濾別し、さらにイ
ソプロピルアルコールでスラッジングすることにより目
的物である１，３−ビス〔４−（４−ニトロ−２−トリ
フルオロメチルフェノキシ）クミル〕ベンゼンをを得
た。融点１２７．４〜１２８．４℃ 収量１２０ｇ、収率９０％1 Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤＣｌ3 、ｐｐｍ） １．６９（ｓ、１２Ｈ(1) ）、６．９０（ｄ、４Ｈ(2)
）、６．９４〜７．３４（ｍ、４Ｈ(3) ）、７．２６
（ｄ、４Ｈ(4) ）、７．１８（ｄ、２Ｈ(5) ）、８．２
８（ｄｄ、２Ｈ(6) ）、８．５８（ｄ、２Ｈ(7) ） (1) 〜(7) は下記式（８）の位置を示す。
【００１７】
【化８】 元素分析（Ｃ38Ｈ30Ｎ2 Ｏ6 Ｆ6 ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｆ 計算値（％） ６２．９８ ４．１７ ３．８７ １５．７３ 実測値（％） ６２．８９ ４．２９ ３．７０ １５．６６
【００１８】実施例２ 温度計、還流冷却器、撹拌器を取り付けた還元装置に、
１，３−ビス〔４−（４−ニトロ−１−トリフルオロメ
チルフェノキシ）クミル〕ベンゼン９０ｇ（０．１２４
ｍｏｌ）、メチルセロソルブ５００ｍｌおよび５％−Ｐ
ｄ／Ｃ５ｇ（５０％含水品）を装入し、水素雰囲気下７
０〜８０℃で４時間反応した。反応終了後、触媒を濾別
し濾液を減圧濃縮して、淡黄色結晶の１，３−ビス〔４
−（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）
クミル〕ベンゼンを得た。融点１１８．５〜１１９．２
℃、収量７３．４ｇ、収率８９％1 Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤＣｌ3 、ｐｐｍ） １．８６（ｓ、１２Ｈ(1) ）、３．７１（ｓ、４Ｈ(2)
）、６．７６〜７．４５（ｍ、１０Ｈ(3) ）、６．９
５（ｄ、４Ｈ(4) ）、７．２９（ｄ、４Ｈ(5) ） (1) 〜(5) は下記式（９）の位置を示す。
１，３−ビス〔４−（４−ニトロ−１−トリフルオロメ
チルフェノキシ）クミル〕ベンゼン９０ｇ（０．１２４
ｍｏｌ）、メチルセロソルブ５００ｍｌおよび５％−Ｐ
ｄ／Ｃ５ｇ（５０％含水品）を装入し、水素雰囲気下７
０〜８０℃で４時間反応した。反応終了後、触媒を濾別
し濾液を減圧濃縮して、淡黄色結晶の１，３−ビス〔４
−（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）
クミル〕ベンゼンを得た。融点１１８．５〜１１９．２
℃、収量７３．４ｇ、収率８９％1 Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤＣｌ3 、ｐｐｍ） １．８６（ｓ、１２Ｈ(1) ）、３．７１（ｓ、４Ｈ(2)
）、６．７６〜７．４５（ｍ、１０Ｈ(3) ）、６．９
５（ｄ、４Ｈ(4) ）、７．２９（ｄ、４Ｈ(5) ） (1) 〜(5) は下記式（９）の位置を示す。
【００１９】
【化９】 元素分析（Ｃ38Ｈ34Ｎ2 Ｏ2 Ｆ6 ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｆ 計算値（％） ６８．６７ ５．１６ ４．２１ １７．１５ 実測値（％） ６８．７８ ５．２２ ４．１５ １７．０１
【００２０】使用例 実施例２で得られたジアミノ化合物とピロメリット酸二
無水物（ＰＭＤＡ）、ジフェニルエーテルテトラカルボ
ン酸二無水物（ＯＤＰＡ）および２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパン二無水物（６Ｆ−ＢＡ）とをそ
れぞれ縮合させてポリイミドを得た、得られたポリイミ
ドの物性を以下（表１）に示す。
無水物（ＰＭＤＡ）、ジフェニルエーテルテトラカルボ
ン酸二無水物（ＯＤＰＡ）および２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパン二無水物（６Ｆ−ＢＡ）とをそ
れぞれ縮合させてポリイミドを得た、得られたポリイミ
ドの物性を以下（表１）に示す。
【００２１】
【表１】 また、本発明のジアミノ化合物とピロメリット酸二無水
物よりなるポリイミドと市販のポリエーテルスルホン
（ＰＥＳ、ＩＣＩ社製、商品名：ＶＩＣＴＲＥＸＰＥＳ
４１００Ｐ）とを、重量比７／３で混合した場合の溶
融粘度を以下（表２）に示した。
物よりなるポリイミドと市販のポリエーテルスルホン
（ＰＥＳ、ＩＣＩ社製、商品名：ＶＩＣＴＲＥＸＰＥＳ
４１００Ｐ）とを、重量比７／３で混合した場合の溶
融粘度を以下（表２）に示した。
【００２２】
【表２】 本発明のジアミノ化合物を用いたポリイミドをＰＥＳに
混合することにより、溶融粘度が大幅に低減した。又、
得られたストランドは押し出し方向に配向して繊維状の
フィブリルが観察されるなど液晶性高分子特有の性質が
認められた。
混合することにより、溶融粘度が大幅に低減した。又、
得られたストランドは押し出し方向に配向して繊維状の
フィブリルが観察されるなど液晶性高分子特有の性質が
認められた。
【００２３】
【発明の効果】本発明により得られる芳香族ジアミノ化
合物は、成形加工性に優れ、しかも、低誘電性であるポ
リイミド用の原料として有用である。
合物は、成形加工性に優れ、しかも、低誘電性であるポ
リイミド用の原料として有用である。
Claims (4)
- 【請求項１】 式（１）（化１）で表される芳香族ジニ
トロ化合物。 【化１】 - 【請求項２】 式（２）（化２）で表される芳香族ジア
ミノ化合物。 【化２】 - 【請求項３】 式（３）（化３）で表されるビス（４−
ヒドロキシクミル）ベンゼンと、 【化３】 ２−クロロ−５−ニトロベンゾトリフルオライドとを塩
基の存在下、非プロトン性極性溶剤中で縮合させること
を特徴とする請求項１記載の芳香族ジニトロ化合物の製
造方法。 - 【請求項４】式（１）（化４）で表される芳香族ジニト
ロ化合物を 【化４】 還元することを特徴とする請求項２記載の芳香族ジアミ
ノ化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04127057A JP3132783B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 芳香族ジニトロ化合物、芳香族ジアミノ化合物及びそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04127057A JP3132783B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 芳香族ジニトロ化合物、芳香族ジアミノ化合物及びそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05320100A true JPH05320100A (ja) | 1993-12-03 |
| JP3132783B2 JP3132783B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=14950531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04127057A Expired - Fee Related JP3132783B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 芳香族ジニトロ化合物、芳香族ジアミノ化合物及びそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3132783B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100350477B1 (ja) * | 2000-03-07 | 2002-08-28 | ||
| JP2009062530A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 芳香族ジアミン化合物および芳香族ジニトロ化合物 |
| TWI498312B (zh) * | 2013-09-30 | 2015-09-01 | Taiwan Textile Res Inst | 二硝化合物、二胺化合物與芳香族聚醯亞胺 |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP04127057A patent/JP3132783B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100350477B1 (ja) * | 2000-03-07 | 2002-08-28 | ||
| JP2009062530A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 芳香族ジアミン化合物および芳香族ジニトロ化合物 |
| KR101421423B1 (ko) * | 2007-08-13 | 2014-07-22 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 방향족 디아민 화합물 및 방향족 디니트로 화합물 |
| TWI498312B (zh) * | 2013-09-30 | 2015-09-01 | Taiwan Textile Res Inst | 二硝化合物、二胺化合物與芳香族聚醯亞胺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3132783B2 (ja) | 2001-02-05 |
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