JPH05315381A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH05315381A JPH05315381A JP14215892A JP14215892A JPH05315381A JP H05315381 A JPH05315381 A JP H05315381A JP 14215892 A JP14215892 A JP 14215892A JP 14215892 A JP14215892 A JP 14215892A JP H05315381 A JPH05315381 A JP H05315381A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- cutting
- lead frame
- unit
- leads
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製品封止済リードフレームのリード間
の樹脂を切断する場合に、レーザ光線を用いて樹脂切断
を行い、金型交換を不要とする。 【構成】 制御部２は、半導体製品封止済リードフレー
ムのリード間に付着した樹脂部を切断するのに必要な切
断データを予め登録してある。照明部１２で照射された
リードフレーム６の半導体製品１１の投影像を一次元Ｃ
ＣＤ７で撮像し、制御部２は、予め入力されたデータを
参照しつつ一次元ＣＣＤ７からの位置データに基いてレ
ーザ発振器１からのレーザ光線４を光学系駆動部３によ
りリードフレーム６の切断箇所に照射し、樹脂部を切断
する。
の樹脂を切断する場合に、レーザ光線を用いて樹脂切断
を行い、金型交換を不要とする。 【構成】 制御部２は、半導体製品封止済リードフレー
ムのリード間に付着した樹脂部を切断するのに必要な切
断データを予め登録してある。照明部１２で照射された
リードフレーム６の半導体製品１１の投影像を一次元Ｃ
ＣＤ７で撮像し、制御部２は、予め入力されたデータを
参照しつつ一次元ＣＣＤ７からの位置データに基いてレ
ーザ発振器１からのレーザ光線４を光学系駆動部３によ
りリードフレーム６の切断箇所に照射し、樹脂部を切断
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子（ＩＣ）の
製造装置、特に樹脂封止済リードフレームのリード間に
挾まれた樹脂部をレーザ光線で切断する半導体製造装置
に関する。
製造装置、特に樹脂封止済リードフレームのリード間に
挾まれた樹脂部をレーザ光線で切断する半導体製造装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体製品封止済リード
フレームのリード間に挾まれた樹脂部を切断する装置
は、樹脂切断金型と、該金型を上下に開閉駆動するプレ
ス部と、半導体製品封止済リードフレームの搬送部（以
下、搬送部という）と、それらを制御する制御部とから
構成されている。
フレームのリード間に挾まれた樹脂部を切断する装置
は、樹脂切断金型と、該金型を上下に開閉駆動するプレ
ス部と、半導体製品封止済リードフレームの搬送部（以
下、搬送部という）と、それらを制御する制御部とから
構成されている。
【０００３】半導体製品封止済リードフレームを搬送部
により金型部へ送り込み、その後プレスにより樹脂切断
金型を開閉させ、図７，図８に示す半導体製品１１のリ
ード間にはさまれた樹脂部１５の切断をパンチ２０とダ
イ２１において行っていた。１９はパンチクリアランス
である。
により金型部へ送り込み、その後プレスにより樹脂切断
金型を開閉させ、図７，図８に示す半導体製品１１のリ
ード間にはさまれた樹脂部１５の切断をパンチ２０とダ
イ２１において行っていた。１９はパンチクリアランス
である。
【０００４】このときリード１７や樹脂部１５と共に切
断されたタイバー１４の間に切断後の樹脂残り１８が５
０μｍから１００μｍ程度あった。
断されたタイバー１４の間に切断後の樹脂残り１８が５
０μｍから１００μｍ程度あった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置は、図３に
示すようにタイバー１４がリード１７間に存在するタイ
プのものと、図５に示すようにタイバーがリード間に存
在しないものとにより、切断パンチ２０と切断ダイ２１
との構造が相違するため、製品毎に専用の切断金型を交
換しなければならないという欠点があった。
示すようにタイバー１４がリード１７間に存在するタイ
プのものと、図５に示すようにタイバーがリード間に存
在しないものとにより、切断パンチ２０と切断ダイ２１
との構造が相違するため、製品毎に専用の切断金型を交
換しなければならないという欠点があった。
【０００６】また、樹脂切断とタイバー切断を同時に切
断する場合でも、リード間のピッチが狭い場合、例え
ば、リード間ピッチ０．６ｍｍでリード幅０．４ｍｍの
場合タイバーは０．２ｍｍであり、このタイバー及び樹
脂を切断するパンチ幅は０．１ｍｍ程度必要であるが、
幅０．１ｍｍのパンチは強度的に弱く実現性が乏しく、
金型の製作が難しいという欠点がある。
断する場合でも、リード間のピッチが狭い場合、例え
ば、リード間ピッチ０．６ｍｍでリード幅０．４ｍｍの
場合タイバーは０．２ｍｍであり、このタイバー及び樹
脂を切断するパンチ幅は０．１ｍｍ程度必要であるが、
幅０．１ｍｍのパンチは強度的に弱く実現性が乏しく、
金型の製作が難しいという欠点がある。
【０００７】本発明の目的は、金型交換を製品毎に行わ
ずに半導体製品封止済リードフレームのリード間の樹脂
を切断する半導体製造装置を提供することにある。
ずに半導体製品封止済リードフレームのリード間の樹脂
を切断する半導体製造装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体製造装置は、レーザ発振器と、
光学駆動部と、照明部と、撮像部と、制御部とを有し、
半導体製品封止済リードフレームのリード間に付着した
樹脂部を切断する半導体製造装置であって、レーザ発振
器は、レーザ光線を出光するものであり、光学系駆動部
は、レーザ光線を所望の位置に照射するものであり、照
明部は、リードフレーム上の半導体製品を照明するもの
であり、撮像部は、照明による半導体製品の投影像を撮
像するものであり、制御部は、リードフレームのリード
間での樹脂切断に必要なデータを記憶し、そのデータを
参照して撮像部からの位置データに基づきレーザ光線を
光学系駆動部によりリード間の樹脂部に照射し、樹脂部
を切断するものである。
め、本発明に係る半導体製造装置は、レーザ発振器と、
光学駆動部と、照明部と、撮像部と、制御部とを有し、
半導体製品封止済リードフレームのリード間に付着した
樹脂部を切断する半導体製造装置であって、レーザ発振
器は、レーザ光線を出光するものであり、光学系駆動部
は、レーザ光線を所望の位置に照射するものであり、照
明部は、リードフレーム上の半導体製品を照明するもの
であり、撮像部は、照明による半導体製品の投影像を撮
像するものであり、制御部は、リードフレームのリード
間での樹脂切断に必要なデータを記憶し、そのデータを
参照して撮像部からの位置データに基づきレーザ光線を
光学系駆動部によりリード間の樹脂部に照射し、樹脂部
を切断するものである。
【０００９】
【作用】製品毎のリードフレームの樹脂切断データを予
め登録しておき、レーザ光線を樹脂切断データに基いて
照射位置を変更させつつ樹脂切断を行う。
め登録しておき、レーザ光線を樹脂切断データに基いて
照射位置を変更させつつ樹脂切断を行う。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示す斜視図、図２は、
図１の部分拡大図である。
る。図１は、本発明の一実施例を示す斜視図、図２は、
図１の部分拡大図である。
【００１１】図において、供給部８と収納部９との間に
搬送部１０が設けられている。供給部８は、半導体製品
１１が搭載された封止済リードフレーム６を搬送部１０
に供給するものである。搬送部１０は、供給部８からの
封止済リードフレーム６を収納部９まで搬送するもので
ある。また、搬送部１０は、封止済リードフレーム６の
両側縁をローラ１０ａ，１０ａで挾持し、ローラ１０ａ
の回転によりリードフレーム６に直線送りを与える構造
のものであり、かつリードフレーム６上の半導体製品１
１に光照射を行った際に半導体製品１１の撮像が得られ
る透過構造となっている。
搬送部１０が設けられている。供給部８は、半導体製品
１１が搭載された封止済リードフレーム６を搬送部１０
に供給するものである。搬送部１０は、供給部８からの
封止済リードフレーム６を収納部９まで搬送するもので
ある。また、搬送部１０は、封止済リードフレーム６の
両側縁をローラ１０ａ，１０ａで挾持し、ローラ１０ａ
の回転によりリードフレーム６に直線送りを与える構造
のものであり、かつリードフレーム６上の半導体製品１
１に光照射を行った際に半導体製品１１の撮像が得られ
る透過構造となっている。
【００１２】一次元ＣＣＤ７は、撮像部として機能する
ものであり、搬送部１０の途中に設置されている。一次
元ＣＣＤ７は、照明部１２と組をなし、照明部１２がリ
ードフレーム６上の半導体製品１１を照明した際にでき
る半導体製品の影１３を撮像するものである。
ものであり、搬送部１０の途中に設置されている。一次
元ＣＣＤ７は、照明部１２と組をなし、照明部１２がリ
ードフレーム６上の半導体製品１１を照明した際にでき
る半導体製品の影１３を撮像するものである。
【００１３】樹脂切断部は、高出力ＹＡＧレーザ発振器
１と、光学系駆動部３と、結像レンズ５とを含んでい
る。高出力ＹＡＧレーザ発振器１は、レーザ光線４を出
力するものであり、光学系駆動部３は、レーザ光線４を
所望の照射位置に移動させるものであり、結像レンズ５
は、レーザ光４を照射位置に結像させるものである。
１と、光学系駆動部３と、結像レンズ５とを含んでい
る。高出力ＹＡＧレーザ発振器１は、レーザ光線４を出
力するものであり、光学系駆動部３は、レーザ光線４を
所望の照射位置に移動させるものであり、結像レンズ５
は、レーザ光４を照射位置に結像させるものである。
【００１４】制御部２は、半導体製品封止済リードフレ
ーム６の切断箇所のデータを予め記憶し、一次元ＣＣＤ
７の出力から半導体製品１１の位置データを得て、記憶
された切断箇所のデータを参照して、その位置データに
基づきレーザ光４を光学系駆動部３により切断箇所のデ
ータ通り切断箇所へ照射する機能を有している。
ーム６の切断箇所のデータを予め記憶し、一次元ＣＣＤ
７の出力から半導体製品１１の位置データを得て、記憶
された切断箇所のデータを参照して、その位置データに
基づきレーザ光４を光学系駆動部３により切断箇所のデ
ータ通り切断箇所へ照射する機能を有している。
【００１５】半導体製品封止済リードフレーム６の樹脂
部を切断するための切断箇所データを予め制御部２に登
録しておく。その後、供給部８から供給された半導体封
止済リードフレーム６は捺印部において、照明部１２か
ら照明されることにより半導体製品の影１３がリードフ
レームの下方に位置する一次元ＣＣＤ７に投影されて、
送り方向の位置が制御部２に転送される。
部を切断するための切断箇所データを予め制御部２に登
録しておく。その後、供給部８から供給された半導体封
止済リードフレーム６は捺印部において、照明部１２か
ら照明されることにより半導体製品の影１３がリードフ
レームの下方に位置する一次元ＣＣＤ７に投影されて、
送り方向の位置が制御部２に転送される。
【００１６】制御部２は、一次元ＣＣＤ７からの位置デ
ータに基づき、レーザ発振器１からのレーザ光線４を光
学系駆動部３により、切断箇所のデータ通り切断箇所へ
照射する。
ータに基づき、レーザ発振器１からのレーザ光線４を光
学系駆動部３により、切断箇所のデータ通り切断箇所へ
照射する。
【００１７】照射位置は図３のようにビーム１６を集光
させて一度で照射するものと、図４のようにビーム１６
を数回に分けて照射するものがある。
させて一度で照射するものと、図４のようにビーム１６
を数回に分けて照射するものがある。
【００１８】以上の動作により半導体製品の樹脂部１５
にレーザ光線４が当り、切断が行われる。
にレーザ光線４が当り、切断が行われる。
【００１９】図５及び図６の場合、図３，図４の場合と
異なり、タイバー１４が無いため樹脂部１５はリード先
端部まで流れリード間が樹脂で覆われる。この場合、制
御部２のデータを図５及び図６のものに適合したデータ
に変更し、図６のようにレーザ光線のビーム１６は数回
に渡り照射され、樹脂部１５を切断する。
異なり、タイバー１４が無いため樹脂部１５はリード先
端部まで流れリード間が樹脂で覆われる。この場合、制
御部２のデータを図５及び図６のものに適合したデータ
に変更し、図６のようにレーザ光線のビーム１６は数回
に渡り照射され、樹脂部１５を切断する。
【００２０】本実施例によれば、リード間隔が０．５ｍ
ｍ以下の狭ピッチの半導体製品にも適用できるという利
点がある。
ｍ以下の狭ピッチの半導体製品にも適用できるという利
点がある。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザ発
振器から照射されたレーザ光線を予め登録しておいたデ
ータに基づき移動させることができ、各種類の半導体製
品封止済リードフレームの樹脂切断がデータの変更のみ
で可能となり、多種類の樹脂切断金型を製作する必要が
なくなり、金型の製作費用が削減できる。また、リード
ピッチ間隔が狭くなる場合でも、レーザ光線にて樹脂切
断できるという効果を有する。
振器から照射されたレーザ光線を予め登録しておいたデ
ータに基づき移動させることができ、各種類の半導体製
品封止済リードフレームの樹脂切断がデータの変更のみ
で可能となり、多種類の樹脂切断金型を製作する必要が
なくなり、金型の製作費用が削減できる。また、リード
ピッチ間隔が狭くなる場合でも、レーザ光線にて樹脂切
断できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】タイバーを有するリードフレームの樹脂部を切
断する状態を示す図である。
断する状態を示す図である。
【図４】タイバーを有するリードフレームの樹脂部を切
断する状態を示す図である。
断する状態を示す図である。
【図５】タイバーがないリードフレームの樹脂部を切断
する状態を示す図である。
する状態を示す図である。
【図６】タイバーがないリードフレームの樹脂部を切断
する状態を示す図である。
する状態を示す図である。
【図７】従来の金型切断を示す断面図である。
【図８】従来の切断後を示す図である。
１ レーザ発振器 ２ 制御部 ３ 光学系駆動部 ４ レーザ光線 ５ 結像レンズ ６ 封止済リードフレーム ７ 一次元ＣＣＤ ８ 供給部 ９ 収納部 １０ 搬送部 １１ 半導体製品 １２ 照明部 １３ 半導体製品の影 １４ タイバー １５ 樹脂部 １６ レーザ光線のビーム １７ リード
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ発振器と、光学駆動部と、照明部
と、撮像部と、制御部とを有し、半導体製品封止済リー
ドフレームのリード間に付着した樹脂部を切断する半導
体製造装置であって、 レーザ発振器は、レーザ光線を出光するものであり、 光学系駆動部は、レーザ光線を所望の位置に照射するも
のであり、 照明部は、リードフレーム上の半導体製品を照明するも
のであり、 撮像部は、照明による半導体製品の投影像を撮像するも
のであり、 制御部は、リードフレームのリード間での樹脂切断に必
要なデータを記憶し、そのデータを参照して撮像部から
の位置データに基づきレーザ光線を光学系駆動部により
リード間の樹脂部に照射し、樹脂部を切断するものであ
ることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14215892A JPH05315381A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14215892A JPH05315381A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315381A true JPH05315381A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15308715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14215892A Pending JPH05315381A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315381A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763853A (en) * | 1994-04-20 | 1998-06-09 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Laser processing apparatus, laser processing method and dam bar processing method |
| WO2009081494A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2011004746A1 (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011166000A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8026130B2 (en) | 2008-06-24 | 2011-09-27 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03268456A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP14215892A patent/JPH05315381A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03268456A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763853A (en) * | 1994-04-20 | 1998-06-09 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Laser processing apparatus, laser processing method and dam bar processing method |
| WO2009081494A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8026130B2 (en) | 2008-06-24 | 2011-09-27 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US8338927B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-12-25 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with the leads projected from sealing body |
| WO2011004746A1 (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5419235B2 (ja) * | 2009-07-06 | 2014-02-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9087850B2 (en) | 2009-07-06 | 2015-07-21 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9263274B2 (en) | 2009-07-06 | 2016-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2011166000A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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