JPH05315297A - 気相成長装置のクリーニング方法と気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置のクリーニング方法と気相成長装置Info
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- JPH05315297A JPH05315297A JP11706092A JP11706092A JPH05315297A JP H05315297 A JPH05315297 A JP H05315297A JP 11706092 A JP11706092 A JP 11706092A JP 11706092 A JP11706092 A JP 11706092A JP H05315297 A JPH05315297 A JP H05315297A
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- phase growth
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相成長装置のクリーニング方法に関し、効
率よく且つ効果的に気相成長装置をクリーニングするこ
とで生産性の向上を図ることを目的とする。 【構成】 チャンバ内の所定位置にセッティングされて
いる回路基板を加熱しながら導入した原料ガスをプラズ
マ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気相成長装
置のクリーニング方法であって、チャンバ31に導入され
たハロゲン系エッチングガスをプラズマ化してその内部
をクリーニングした後、活性化された水素ガスを該チャ
ンバ31に導入してチャンバ内壁31c に吸着した上記ハロ
ゲン系エッチングガスを除去して構成する。
率よく且つ効果的に気相成長装置をクリーニングするこ
とで生産性の向上を図ることを目的とする。 【構成】 チャンバ内の所定位置にセッティングされて
いる回路基板を加熱しながら導入した原料ガスをプラズ
マ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気相成長装
置のクリーニング方法であって、チャンバ31に導入され
たハロゲン系エッチングガスをプラズマ化してその内部
をクリーニングした後、活性化された水素ガスを該チャ
ンバ31に導入してチャンバ内壁31c に吸着した上記ハロ
ゲン系エッチングガスを除去して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハ等回路基
板の表面に回路形成用皮膜を成膜する気相成長装置のク
リーニング方法と気相成長装置の構成に係り、特に効率
よく且つ効果的に気相成長装置をクリーニングすること
で生産性の向上を図った気相成長装置のクリーニング方
法と気相成長装置に関する。
板の表面に回路形成用皮膜を成膜する気相成長装置のク
リーニング方法と気相成長装置の構成に係り、特に効率
よく且つ効果的に気相成長装置をクリーニングすること
で生産性の向上を図った気相成長装置のクリーニング方
法と気相成長装置に関する。
【０００２】チャンバ内の所定位置にセッティングされ
ている回路基板を加熱しながら導入された原料ガスをプ
ラズマ化して該基板表面に薄膜を形成する気相成長装置
では、成膜作業後の該チャンバ内部を如何に効率よく且
つ効果的にクリーニングするかが大きな課題となってい
る。
ている回路基板を加熱しながら導入された原料ガスをプ
ラズマ化して該基板表面に薄膜を形成する気相成長装置
では、成膜作業後の該チャンバ内部を如何に効率よく且
つ効果的にクリーニングするかが大きな課題となってい
る。
【０００３】
【従来の技術】図３は一般的な気相成長装置を成膜およ
びクリーニング方法と共に説明する概念図であり、図４
は液晶基板用気相成長装置を成膜およびクリーニング方
法と共に説明する概念図である。
びクリーニング方法と共に説明する概念図であり、図４
は液晶基板用気相成長装置を成膜およびクリーニング方
法と共に説明する概念図である。
【０００４】回路基板がシリコンを基材とした半導体ウ
ェーハの如き回路基板である場合を例とした側断面図示
の図３で、回路基板１は２個の吸排気パイプ 11a-1,11a
-2からの吸排気で大気圧から１×10-3 Torr 程度の真空
状態まで減圧し得るチャンバ11の底面に配設されたヒー
タ12の上面に載置されている。
ェーハの如き回路基板である場合を例とした側断面図示
の図３で、回路基板１は２個の吸排気パイプ 11a-1,11a
-2からの吸排気で大気圧から１×10-3 Torr 程度の真空
状態まで減圧し得るチャンバ11の底面に配設されたヒー
タ12の上面に載置されている。
【０００５】そして、該チャンバ11の天井壁には高周波
電源13に繋がった状態で気密を保って貫通する原料ガス
パイプ14が装着されているが、該パイプ14のチャンバ内
側の最下端部には複数のガス噴出孔15a を持つノズル15
がその噴出孔15a が上記回路基板１と対向するように配
設されていると共に、該パイプ14のチャンバ外側の端部
は切り換えバルブ14a を介して原料ガス導入パイプ 14b
-1とクリーニングガス導入パイプ 14b-2とに接続されて
いる。
電源13に繋がった状態で気密を保って貫通する原料ガス
パイプ14が装着されているが、該パイプ14のチャンバ内
側の最下端部には複数のガス噴出孔15a を持つノズル15
がその噴出孔15a が上記回路基板１と対向するように配
設されていると共に、該パイプ14のチャンバ外側の端部
は切り換えバルブ14a を介して原料ガス導入パイプ 14b
-1とクリーニングガス導入パイプ 14b-2とに接続されて
いる。
【０００６】また、該チャンバ11の周壁の一箇所には上
記回路基板１を例えばロボット等で該チャンバ11に出し
入れするための開閉扉11b が設けられている。そこで回
路基板１を上記ヒータ12に載置して開閉扉11b を閉じた
後、排気パイプ 11a-1からの排気で該チャンバ11内部を
１×10-3 Torr 程度まで減圧すると共に回路基板１を 3
00℃程度に加熱し、更に上記切り換えバルブ14a で連通
させた原料ガス導入パイプ 14b-1から例えばシラン(SiH
4)と水素(H2)の混合ガスの如き原料ガスを注入し、圧力
を凡そ 1.0 Torr に保った状態で高周波電力を印加する
と、ノズル15と回路基板１との間でプラズマ化された原
料ガス分子によって該回路基板１の表面に非晶質シリコ
ンの層を気相成長させることができる。
記回路基板１を例えばロボット等で該チャンバ11に出し
入れするための開閉扉11b が設けられている。そこで回
路基板１を上記ヒータ12に載置して開閉扉11b を閉じた
後、排気パイプ 11a-1からの排気で該チャンバ11内部を
１×10-3 Torr 程度まで減圧すると共に回路基板１を 3
00℃程度に加熱し、更に上記切り換えバルブ14a で連通
させた原料ガス導入パイプ 14b-1から例えばシラン(SiH
4)と水素(H2)の混合ガスの如き原料ガスを注入し、圧力
を凡そ 1.0 Torr に保った状態で高周波電力を印加する
と、ノズル15と回路基板１との間でプラズマ化された原
料ガス分子によって該回路基板１の表面に非晶質シリコ
ンの層を気相成長させることができる。
【０００７】その後排気パイプ 11a-1を閉じると共に吸
気パイプ 11a-2を開放して該チャンバ11内を大気圧に戻
した後、開閉扉11b の開閉でヒータ12上の回路基板１を
未処理基板と交換し更に吸気パイプ 11a-2を閉じた後の
排気パイプ 11a-1からの排気で該チャンバ11内部を上記
真空度まで減圧し、以後上記同様のプロセスを踏むこと
で複数の回路基板11上に気相成長膜を成膜することがで
きる。
気パイプ 11a-2を開放して該チャンバ11内を大気圧に戻
した後、開閉扉11b の開閉でヒータ12上の回路基板１を
未処理基板と交換し更に吸気パイプ 11a-2を閉じた後の
排気パイプ 11a-1からの排気で該チャンバ11内部を上記
真空度まで減圧し、以後上記同様のプロセスを踏むこと
で複数の回路基板11上に気相成長膜を成膜することがで
きる。
【０００８】この場合、ノズル15から噴出してプラズマ
化された原料ガス分子は所要の回路基板１ばかりでなく
例えばその周囲のチャンバ内壁面11c 等の不要域にも到
達するので該域にも薄膜が形成されるが、その余分領域
における薄膜の厚さが所定厚さを越えると剥離や脱落が
生じ易くなって回路基板上にゴミとなって付着すること
がある。
化された原料ガス分子は所要の回路基板１ばかりでなく
例えばその周囲のチャンバ内壁面11c 等の不要域にも到
達するので該域にも薄膜が形成されるが、その余分領域
における薄膜の厚さが所定厚さを越えると剥離や脱落が
生じ易くなって回路基板上にゴミとなって付着すること
がある。
【０００９】このことは、例えば上記所定厚さが５μm
程度である場合では回路基板に形成する膜の厚さを 0.5
μm とすると上述した気相成長作業をほぼ10回連続して
繰り返した後に該チャンバ11をクリーニングしなければ
ならないことを意味する。
程度である場合では回路基板に形成する膜の厚さを 0.5
μm とすると上述した気相成長作業をほぼ10回連続して
繰り返した後に該チャンバ11をクリーニングしなければ
ならないことを意味する。
【００１０】そこで、例えば10回目の回路基板１への気
相成長作業が終了して該基板１をチャンバ11から取り出
した時点で開閉扉11b を閉じると共に排気パイプ 11a-1
で該チャンバ11内を上記真空度すなわち１×10-3 Torr
程度まで減圧し切り換えバルブ14a で原料ガスパイプ14
に連通する原料ガス導入パイプ 14b-1をクリーニングガ
ス導入パイプ 14b-2に切り換えた後、上記気相成長膜が
エッチングし得る例えば NF3（三弗化窒素）や CF4（フ
ロン14）の如きハロゲン系エッチングガスを注入してプ
ラズマ化させて該チャンバ内部をクリーニングするよう
にしている。
相成長作業が終了して該基板１をチャンバ11から取り出
した時点で開閉扉11b を閉じると共に排気パイプ 11a-1
で該チャンバ11内を上記真空度すなわち１×10-3 Torr
程度まで減圧し切り換えバルブ14a で原料ガスパイプ14
に連通する原料ガス導入パイプ 14b-1をクリーニングガ
ス導入パイプ 14b-2に切り換えた後、上記気相成長膜が
エッチングし得る例えば NF3（三弗化窒素）や CF4（フ
ロン14）の如きハロゲン系エッチングガスを注入してプ
ラズマ化させて該チャンバ内部をクリーニングするよう
にしている。
【００１１】かかるクリーニング方法では、チャンバ11
に設ける開閉扉11b を必要最小限まで小さくすると共に
ヒータ12をダウンさせる必要がないため効率のよい気相
成長作業が行なえるメリットがあるが、チャンバ内壁面
に吸着されるハロゲン系エッチングガス分子を除去でき
ないデメリットがある。
に設ける開閉扉11b を必要最小限まで小さくすると共に
ヒータ12をダウンさせる必要がないため効率のよい気相
成長作業が行なえるメリットがあるが、チャンバ内壁面
に吸着されるハロゲン系エッチングガス分子を除去でき
ないデメリットがある。
【００１２】一方例えばガラス基板上に薄膜トランジス
タ（以下ＴＦＴ"Thin-Film-Transistor"とする) を形成
して構成する液晶基板では、チャンバ内壁面に吸着され
るハロゲン系エッチングガス分子がＴＦＴとしての特性
に大きく影響するためクリーニング用としてハロゲン系
エッチングガスを使用することができない。
タ（以下ＴＦＴ"Thin-Film-Transistor"とする) を形成
して構成する液晶基板では、チャンバ内壁面に吸着され
るハロゲン系エッチングガス分子がＴＦＴとしての特性
に大きく影響するためクリーニング用としてハロゲン系
エッチングガスを使用することができない。
【００１３】この場合の気相成長装置を図３同様の側断
面で示す図４では図３と同じ対象部材には同一の記号を
付して表わしている。すなわちガラスを基材とする回路
基板２は、２個の吸排気パイプ 11a-1,11a-2が設けられ
ているチャンバ本体21-1と図３で説明した原料ガスパイ
プ14が貫通して装着されているチャンバ蓋部21-2とで構
成され且つ該吸排気パイプ 11a-1,11a -2からの吸排気で
大気圧から１×10-3 Torr 程度の真空度まで減圧し得る
チャンバ21の底面に配設されたヒータ12の上面に載置さ
れている。
面で示す図４では図３と同じ対象部材には同一の記号を
付して表わしている。すなわちガラスを基材とする回路
基板２は、２個の吸排気パイプ 11a-1,11a-2が設けられ
ているチャンバ本体21-1と図３で説明した原料ガスパイ
プ14が貫通して装着されているチャンバ蓋部21-2とで構
成され且つ該吸排気パイプ 11a-1,11a -2からの吸排気で
大気圧から１×10-3 Torr 程度の真空度まで減圧し得る
チャンバ21の底面に配設されたヒータ12の上面に載置さ
れている。
【００１４】そして、該チャンバ蓋部21-2に装着されて
いる上記原料ガスパイプ14のチャンバ内側の最下端部に
は前述したノズル15が配設されていると共に、チャンバ
外側の端部は原料ガス導入パイプ 14b-1に接続されてい
る。
いる上記原料ガスパイプ14のチャンバ内側の最下端部に
は前述したノズル15が配設されていると共に、チャンバ
外側の端部は原料ガス導入パイプ 14b-1に接続されてい
る。
【００１５】また、該チャンバ本体21-1底面の内壁面に
沿う位置には該本体21-1に上記チャンバ蓋部21-2を装着
したときのノズル15をその周囲で少なくともカバーし得
る高さを持つ筒形の防着板21a が該本体21-1に対して着
脱自在に装着されていると共に、周壁の一箇所には図３
同様の開閉扉21b が設けられている。
沿う位置には該本体21-1に上記チャンバ蓋部21-2を装着
したときのノズル15をその周囲で少なくともカバーし得
る高さを持つ筒形の防着板21a が該本体21-1に対して着
脱自在に装着されていると共に、周壁の一箇所には図３
同様の開閉扉21b が設けられている。
【００１６】そこで上記防着板21a が装着されているチ
ャンバ本体21-1に蓋部21-2を組み合わせてチャンバ21を
構成した後、図３で説明した方法で該チャンバ21内部を
１×10-3 Torr 程度まで減圧すると共に回路基板２を 3
00℃程度に加熱し更に原料ガスパイプ14から原料ガスを
注入しながら上述した所定の圧力下で高周波電力を印加
することで、該基板２の表面に所要の薄膜層を成長させ
ることができる。
ャンバ本体21-1に蓋部21-2を組み合わせてチャンバ21を
構成した後、図３で説明した方法で該チャンバ21内部を
１×10-3 Torr 程度まで減圧すると共に回路基板２を 3
00℃程度に加熱し更に原料ガスパイプ14から原料ガスを
注入しながら上述した所定の圧力下で高周波電力を印加
することで、該基板２の表面に所要の薄膜層を成長させ
ることができる。
【００１７】そして気相成長作業が終了した回路基板２
は図３同様に未処理基板と交換し得るので、複数の回路
基板２への気相成長作業を継続して行なうことができ
る。なおノズル15から噴出してプラズマ化された原料ガ
ス分子は、所要の回路基板２ばかりでなくその周囲を覆
うように該チャンバ21に装着されている防着板21aの内
壁面にも到達して該面に薄膜が形成される。
は図３同様に未処理基板と交換し得るので、複数の回路
基板２への気相成長作業を継続して行なうことができ
る。なおノズル15から噴出してプラズマ化された原料ガ
ス分子は、所要の回路基板２ばかりでなくその周囲を覆
うように該チャンバ21に装着されている防着板21aの内
壁面にも到達して該面に薄膜が形成される。
【００１８】そこで図３の場合と同様に、例えば10回目
の回路基板２への気相成長作業が終了した時点で、排気
パイプ 11a-1を閉じると共に吸気パイプ 11a-2を開いて
該チャンバ21内を大気圧に開放し蓋部21-2を取り外すこ
とで防着板21a が該本体21-1から取り出せるので、該防
着板21a を交換することでチャンバ21内を容易にクリー
ニングすることができる。
の回路基板２への気相成長作業が終了した時点で、排気
パイプ 11a-1を閉じると共に吸気パイプ 11a-2を開いて
該チャンバ21内を大気圧に開放し蓋部21-2を取り外すこ
とで防着板21a が該本体21-1から取り出せるので、該防
着板21a を交換することでチャンバ21内を容易にクリー
ニングすることができる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３で説明し
た気相成長装置のクリーニング方法やそれを行なう気相
成長装置の構成では、クリーニング時にチャンバ内壁面
に吸着するハロゲン系エッチングガス分子を除去するこ
とができないため形成する回路によっては適用させるこ
とができず適用範囲に制約が生ずると言う問題があり、
また図４で説明した気相成長装置のクリーニング方法や
それを行なう気相成長装置の構成ではクリーニングの都
度チャンバーを完全に開放してヒータをダウンさせると
共に防着板を交換しなければならずヒータの降温，防着
板の交換，昇温等のシリーズ作業が必要になるため大幅
なダウンタイムが必要になって生産性の向上を期待する
ことができないと言う問題があった。
た気相成長装置のクリーニング方法やそれを行なう気相
成長装置の構成では、クリーニング時にチャンバ内壁面
に吸着するハロゲン系エッチングガス分子を除去するこ
とができないため形成する回路によっては適用させるこ
とができず適用範囲に制約が生ずると言う問題があり、
また図４で説明した気相成長装置のクリーニング方法や
それを行なう気相成長装置の構成ではクリーニングの都
度チャンバーを完全に開放してヒータをダウンさせると
共に防着板を交換しなければならずヒータの降温，防着
板の交換，昇温等のシリーズ作業が必要になるため大幅
なダウンタイムが必要になって生産性の向上を期待する
ことができないと言う問題があった。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、チャンバ内
の所定位置にセッティングされている回路基板を加熱し
ながら導入した原料ガスをプラズマ化して該基板面に気
相成長膜を成膜させる気相成長装置のクリーニング方法
であって、チャンバに導入されたハロゲン系エッチング
ガスをプラズマ化してその内部をクリーニングした後、
活性化された水素ガスを該チャンバに導入してチャンバ
内壁に吸着した上記ハロゲン系エッチングガスを除去す
る気相成長装置のクリーニング方法によって解決され
る。
の所定位置にセッティングされている回路基板を加熱し
ながら導入した原料ガスをプラズマ化して該基板面に気
相成長膜を成膜させる気相成長装置のクリーニング方法
であって、チャンバに導入されたハロゲン系エッチング
ガスをプラズマ化してその内部をクリーニングした後、
活性化された水素ガスを該チャンバに導入してチャンバ
内壁に吸着した上記ハロゲン系エッチングガスを除去す
る気相成長装置のクリーニング方法によって解決され
る。
【００２１】また、チャンバ内の所定位置にセッティン
グされている回路基板を加熱しながら導入した原料ガス
をプラズマ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気
相成長装置であって、チャンバが、その内部をクリーニ
ングするためのハロゲン系エッチングガスを導入し得る
手段と活性化された水素ガスを導入し得る手段とを併設
して構成されている気相成長装置によって解決される。
グされている回路基板を加熱しながら導入した原料ガス
をプラズマ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気
相成長装置であって、チャンバが、その内部をクリーニ
ングするためのハロゲン系エッチングガスを導入し得る
手段と活性化された水素ガスを導入し得る手段とを併設
して構成されている気相成長装置によって解決される。
【００２２】
【作用】弗素，塩素の如く周期律表7A族に属するハロゲ
ンガスは活性化された水素によって還元され易い性質を
持っている。
ンガスは活性化された水素によって還元され易い性質を
持っている。
【００２３】一方、チャンバ内壁に吸着する原料ガス分
子を除去するには上述した如く NF3や CF4の如きハロゲ
ン系エッチングガスを注入する方法がある。そこで本発
明ではチャンバをクリーニングするのに、ハロゲン系エ
ッチングガスを注入して余分領域に堆積した薄膜を除去
した後続けて該チャンバ内に活性化された水素ガスを注
入することで該チャンバ内壁に吸着されているエッチン
グガス分子を気化せしめて確実且つ完全に除去するよう
にしている。
子を除去するには上述した如く NF3や CF4の如きハロゲ
ン系エッチングガスを注入する方法がある。そこで本発
明ではチャンバをクリーニングするのに、ハロゲン系エ
ッチングガスを注入して余分領域に堆積した薄膜を除去
した後続けて該チャンバ内に活性化された水素ガスを注
入することで該チャンバ内壁に吸着されているエッチン
グガス分子を気化せしめて確実且つ完全に除去するよう
にしている。
【００２４】従って、チャンバ自体を完全に開放して防
着板を着脱することなくまた回路等による制約を受ける
ことなくチャンバとしてのクリーニングを確実且つ完全
に行なうことができて、生産性の向上を期待することが
できる。
着板を着脱することなくまた回路等による制約を受ける
ことなくチャンバとしてのクリーニングを確実且つ完全
に行なうことができて、生産性の向上を期待することが
できる。
【００２５】
【実施例】図１は本発明になる気相成長装置を成膜およ
びクリーニング方法と共に説明する図であり、図２は他
の構成になる気相成長装置を成膜およびクリーニング方
法と共に説明する図である。
びクリーニング方法と共に説明する図であり、図２は他
の構成になる気相成長装置を成膜およびクリーニング方
法と共に説明する図である。
【００２６】なお図では、いずれも図３と同様の構成に
なる装置の場合を例としているので図３と同じ対象部材
には同一の記号を付して表わしている。図３同様の側断
面で示す図１で、半導体ウェーハの如くシリコンを基材
とする回路基板または液晶板の如くガラスを基材とする
回路基板３は２個の吸排気パイプ 11a-1,11a-2で図３同
様に大気圧から１×10-3 Torr 程度の真空度まで減圧し
得るチャンバ31の底面に配設されたヒータ12上に載置さ
れている。
なる装置の場合を例としているので図３と同じ対象部材
には同一の記号を付して表わしている。図３同様の側断
面で示す図１で、半導体ウェーハの如くシリコンを基材
とする回路基板または液晶板の如くガラスを基材とする
回路基板３は２個の吸排気パイプ 11a-1,11a-2で図３同
様に大気圧から１×10-3 Torr 程度の真空度まで減圧し
得るチャンバ31の底面に配設されたヒータ12上に載置さ
れている。
【００２７】そして、該チャンバ31の天井壁には図３で
説明した高周波電源13に繋がった状態で気密を保って貫
通する原料ガスパイプ14が装着されている。なお該パイ
プ14のチャンバ内側の最下端部にはノズル15が配設され
また他端部には切り換えバルブ14a を介して原料ガス導
入パイプ 14b-1とクリーニングガス導入パイプ 14b-2が
接続されていることは図３と同様である。
説明した高周波電源13に繋がった状態で気密を保って貫
通する原料ガスパイプ14が装着されている。なお該パイ
プ14のチャンバ内側の最下端部にはノズル15が配設され
また他端部には切り換えバルブ14a を介して原料ガス導
入パイプ 14b-1とクリーニングガス導入パイプ 14b-2が
接続されていることは図３と同様である。
【００２８】また、該チャンバ31の周壁の一箇所にはバ
ルブ31a を介してヒータ32で覆われた水素導入パイプ31
b が接続されていると共に、該水素導入パイプ31b 形成
面と異なる側壁面には図３で説明した開閉扉11b が設け
られている。
ルブ31a を介してヒータ32で覆われた水素導入パイプ31
b が接続されていると共に、該水素導入パイプ31b 形成
面と異なる側壁面には図３で説明した開閉扉11b が設け
られている。
【００２９】そしてバルブ31a を開放したときに該パイ
プ31b からチャンバ31に注入される水素は、上記ヒータ
32によって所定温度に加熱されるようになっている。そ
こで回路基板３を上記ヒータ12に載置して開閉扉11b と
バルブ31a を閉じた後、排気パイプ 11a-1からの排気で
該チャンバ31内部を１×10-3 Torr 程度まで減圧すると
共に回路基板１を上述した 300℃程度に加熱し、更に上
記切り換えバルブ14a で連通させた原料ガス導入パイプ
14b-1から所要の原料ガスを注入すると、図３同様に高
周波電源13に繋がる原料ガスパイプ14すなわちノズル15
と回路基板３との間でプラズマ化された原料ガス分子に
よって回路基板３上に所要の薄膜を成長させることがで
きる。
プ31b からチャンバ31に注入される水素は、上記ヒータ
32によって所定温度に加熱されるようになっている。そ
こで回路基板３を上記ヒータ12に載置して開閉扉11b と
バルブ31a を閉じた後、排気パイプ 11a-1からの排気で
該チャンバ31内部を１×10-3 Torr 程度まで減圧すると
共に回路基板１を上述した 300℃程度に加熱し、更に上
記切り換えバルブ14a で連通させた原料ガス導入パイプ
14b-1から所要の原料ガスを注入すると、図３同様に高
周波電源13に繋がる原料ガスパイプ14すなわちノズル15
と回路基板３との間でプラズマ化された原料ガス分子に
よって回路基板３上に所要の薄膜を成長させることがで
きる。
【００３０】以後図３で説明した方法を繰り返すことで
複数の回路基板３への気相成長作業を行なうことができ
る。次いで、回路基板３周囲のチャンバ内壁面31c 等に
堆積されている余分の薄膜層の厚さが前述した所定厚さ
に到達した時点で図３で説明したように NF3や CF4等の
ハロゲン系エッチングガスをクリーニングガス導入パイ
プ 14b-2から注入して該余分領域に堆積した薄膜を除去
した後、該チャンバ31内の真空度を維持したまま加熱さ
れた活性化水素を水素導入パイプ31b から注入するとチ
ャンバ内壁面に到達した該水素が吸着したエッチングガ
ス分子と反応して気化し易いハロゲン化水素になるので
容易に除去することができる。
複数の回路基板３への気相成長作業を行なうことができ
る。次いで、回路基板３周囲のチャンバ内壁面31c 等に
堆積されている余分の薄膜層の厚さが前述した所定厚さ
に到達した時点で図３で説明したように NF3や CF4等の
ハロゲン系エッチングガスをクリーニングガス導入パイ
プ 14b-2から注入して該余分領域に堆積した薄膜を除去
した後、該チャンバ31内の真空度を維持したまま加熱さ
れた活性化水素を水素導入パイプ31b から注入するとチ
ャンバ内壁面に到達した該水素が吸着したエッチングガ
ス分子と反応して気化し易いハロゲン化水素になるので
容易に除去することができる。
【００３１】なお、例えば該チャンバ31内の真空度を20
Torr 程度に維持した状態で約 900℃に加熱された活性
化水素を 1000cc/min 程度の割合で注入したときに、該
チャンバ内壁面に吸着しているエッチングガス分子がほ
ぼ完全且つ確実に除去されることを実験的に確認してい
る。
Torr 程度に維持した状態で約 900℃に加熱された活性
化水素を 1000cc/min 程度の割合で注入したときに、該
チャンバ内壁面に吸着しているエッチングガス分子がほ
ぼ完全且つ確実に除去されることを実験的に確認してい
る。
【００３２】図２は他の水素活性化手段をチャンバに装
着して気相成長装置を構成した場合を例示したものであ
る。すなわち図３同様の側断面で示す図２で、回路基板
３は２個の吸排気パイプ 11a-1,11a-2を具えたチャンバ
41内のヒータ12上に載置されている。
着して気相成長装置を構成した場合を例示したものであ
る。すなわち図３同様の側断面で示す図２で、回路基板
３は２個の吸排気パイプ 11a-1,11a-2を具えたチャンバ
41内のヒータ12上に載置されている。
【００３３】そして該チャンバ41の天井壁には、図１で
説明した原料ガスパイプ14が装着されていると共に、周
壁で図１の水素導入パイプ31b 形成位置と同じ位置には
バルブ41a を介して水素流路としての石英管42が接続さ
れており、該石英管42中を流れる水素がそれを取り巻く
マイクロ波導波管43によって放電させられるように構成
されている。なお図の44は該導波管43に繋がるマイクロ
波電源である。
説明した原料ガスパイプ14が装着されていると共に、周
壁で図１の水素導入パイプ31b 形成位置と同じ位置には
バルブ41a を介して水素流路としての石英管42が接続さ
れており、該石英管42中を流れる水素がそれを取り巻く
マイクロ波導波管43によって放電させられるように構成
されている。なお図の44は該導波管43に繋がるマイクロ
波電源である。
【００３４】従って、上記石英管42内を流れる水素は該
電源44から電磁波として送られるマイクロ波電力によっ
て活性化されることになる。そこで、図１で説明したよ
うに連続して複数の回路基板３に所要のエピタキシャル
層を成長させた後 NF3や CF4等のハロゲン系エッチング
ガスでチャンバ41内の余分な領域に堆積した薄膜を除去
し、更に上記のバルブ41a を開放して活性化水素をチャ
ンバ41に送り込むことでチャンバ内壁面に吸着したエッ
チングガスを除去することができる。
電源44から電磁波として送られるマイクロ波電力によっ
て活性化されることになる。そこで、図１で説明したよ
うに連続して複数の回路基板３に所要のエピタキシャル
層を成長させた後 NF3や CF4等のハロゲン系エッチング
ガスでチャンバ41内の余分な領域に堆積した薄膜を除去
し、更に上記のバルブ41a を開放して活性化水素をチャ
ンバ41に送り込むことでチャンバ内壁面に吸着したエッ
チングガスを除去することができる。
【００３５】なお、例えば該チャンバ41内の圧力を３mT
orr 程度に維持した状態で 2.0KWのマイクロ波電力でマ
イクロ波を発振させながら 100cc/min 程度で水素ガス
を導入すると、該チャンバ41内に残留するエッチングガ
ス分子をほぼ完全且つ確実に除去し得ることを実験的に
確認している。
orr 程度に維持した状態で 2.0KWのマイクロ波電力でマ
イクロ波を発振させながら 100cc/min 程度で水素ガス
を導入すると、該チャンバ41内に残留するエッチングガ
ス分子をほぼ完全且つ確実に除去し得ることを実験的に
確認している。
【００３６】従って図１および図２で説明した気相成長
装置のクリーニング方法や気相成長装置では、図４で説
明した原料ガス吸着板21a を使用することなくまた形成
する回路に制約されることなくチャンバ内部をクリーニ
ングすることができるので、適用範囲の拡大と装置とし
てのダウンタイムの大幅削減が実現できて生産性の向上
を期待することができる。
装置のクリーニング方法や気相成長装置では、図４で説
明した原料ガス吸着板21a を使用することなくまた形成
する回路に制約されることなくチャンバ内部をクリーニ
ングすることができるので、適用範囲の拡大と装置とし
てのダウンタイムの大幅削減が実現できて生産性の向上
を期待することができる。
【００３７】
【発明の効果】上述の如く本発明により、効率よく且つ
効果的に気相成長装置をクリーニングすることで生産性
の向上を図った気相成長装置のクリーニング方法と気相
成長装置を提供することができる。
効果的に気相成長装置をクリーニングすることで生産性
の向上を図った気相成長装置のクリーニング方法と気相
成長装置を提供することができる。
【図１】 本発明になる気相成長装置を成膜およびクリ
ーニング方法と共に説明する図。
ーニング方法と共に説明する図。
【図２】 他の構成になる気相成長装置を成膜およびク
リーニング方法と共に説明する図。
リーニング方法と共に説明する図。
【図３】 一般的な気相成長装置を成膜およびクリーニ
ング方法と共に説明する概念図。
ング方法と共に説明する概念図。
【図４】 液晶基板用気相成長装置を成膜およびクリー
ニング方法と共に説明する概念図。
ニング方法と共に説明する概念図。
３ 回路基板 11a-1,11a-2 吸排気パイプ 11b 開閉扉 12 ヒータ 13 高周波電源 14 原料ガスパイプ 14a 切り換えバル
ブ 14b-1 原料ガス導入パイプ 14b-2 クリーニン
グガス導入パイプ 15 ノズル 15a ガス噴出孔 31,41 チャンバ 31a,41a バルブ 31b 水素導入パイプ 32 ヒータ 42 石英管 43 マイクロ波導
波管 44 マイクロ波電源
ブ 14b-1 原料ガス導入パイプ 14b-2 クリーニン
グガス導入パイプ 15 ノズル 15a ガス噴出孔 31,41 チャンバ 31a,41a バルブ 31b 水素導入パイプ 32 ヒータ 42 石英管 43 マイクロ波導
波管 44 マイクロ波電源
Claims (6)
- 【請求項１】 チャンバ内の所定位置にセッティングさ
れている回路基板を加熱しながら導入した原料ガスをプ
ラズマ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気相成
長装置のクリーニング方法であって、 チャンバ(31)に導入されたハロゲン系エッチングガスを
プラズマ化してその内部をクリーニングした後、活性化
された水素ガスを該チャンバ(31)に導入してチャンバ内
壁(31c) に吸着した上記ハロゲン系エッチングガスを除
去することを特徴とした気相成長装置のクリーニング方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の水素ガス活性化手段を該
水素ガスの加熱による励起で行なうことを特徴とした気
相成長装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の水素ガス活性化手段を該
水素ガスのマイクロ波電力による励起で行なうことを特
徴とした気相成長装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】 チャンバ内の所定位置にセッティングさ
れている回路基板を加熱しながら導入した原料ガスをプ
ラズマ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気相成
長装置であって、 チャンバ(31)が、その内部をクリーニングするためのハ
ロゲン系エッチングガスを導入し得る手段(14a) と活性
化された水素ガスを導入し得る手段とを併設して構成さ
れていることを特徴とした気相成長装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の水素ガス活性化手段が、
該水素ガスを加熱するヒータ(32)で構成されていること
を特徴とした気相成長装置。 - 【請求項６】 請求項４記載の水素ガス活性化手段が、
該水素ガスのマイクロ波電力(43)による励起で構成され
ていることを特徴とした気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11706092A JPH05315297A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 気相成長装置のクリーニング方法と気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11706092A JPH05315297A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 気相成長装置のクリーニング方法と気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315297A true JPH05315297A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14702438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11706092A Withdrawn JPH05315297A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 気相成長装置のクリーニング方法と気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315297A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831750A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Toshiba Corp | Ｃｖｄ装置の反応室のコーティング方法 |
| JPH10209079A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| SG89396A1 (en) * | 2000-05-12 | 2002-06-18 | Applied Materials Inc | Gas reactions to eliminate contaminates in a cvd chamber |
| JP2002313727A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-10-25 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| US6903025B2 (en) | 2001-08-30 | 2005-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of purging semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| CN114369812A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-04-19 | 北京博纳晶科科技有限公司 | 一种化学气相沉积设备的清洁方法 |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP11706092A patent/JPH05315297A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831750A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Toshiba Corp | Ｃｖｄ装置の反応室のコーティング方法 |
| JPH10209079A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6407003B2 (en) * | 1997-01-23 | 2002-06-18 | Nec Corporation | Fabrication process of semiconductor device with titanium film |
| SG89396A1 (en) * | 2000-05-12 | 2002-06-18 | Applied Materials Inc | Gas reactions to eliminate contaminates in a cvd chamber |
| JP2002313727A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-10-25 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| US6903025B2 (en) | 2001-08-30 | 2005-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of purging semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| CN114369812A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-04-19 | 北京博纳晶科科技有限公司 | 一种化学气相沉积设备的清洁方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |