JPH053112A - 酸化物磁性材料 - Google Patents
酸化物磁性材料Info
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- JPH053112A JPH053112A JP3180095A JP18009591A JPH053112A JP H053112 A JPH053112 A JP H053112A JP 3180095 A JP3180095 A JP 3180095A JP 18009591 A JP18009591 A JP 18009591A JP H053112 A JPH053112 A JP H053112A
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- permeability
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い初透磁率と小さい温度係数とを同時に満
足させる酸化物磁性材料を得、もって、LCおよびLR
複合回路用インダクタンス素子の小型、高性能化を図る
こと。 【構成】 Ni−Zn−Cu系フェライトを主成分とし、これ
に副成分としてNb2O5 を0.2 wt%以上、0.8 wt%以下含
有させるか、Ta2O5 を0.3 wt%以上、1.2 wt%以下含有
させるか、もしくは、MoO3を0.15wt%以上、1.35wt%以
下含有させるかのいずれか一成分を含有させる。
足させる酸化物磁性材料を得、もって、LCおよびLR
複合回路用インダクタンス素子の小型、高性能化を図る
こと。 【構成】 Ni−Zn−Cu系フェライトを主成分とし、これ
に副成分としてNb2O5 を0.2 wt%以上、0.8 wt%以下含
有させるか、Ta2O5 を0.3 wt%以上、1.2 wt%以下含有
させるか、もしくは、MoO3を0.15wt%以上、1.35wt%以
下含有させるかのいずれか一成分を含有させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は大きな初透磁率(μi)
を持ち、かつ、初透磁率の温度係数(αμir) の小さな
酸化物磁性材料に関するものである。
を持ち、かつ、初透磁率の温度係数(αμir) の小さな
酸化物磁性材料に関するものである。
【0002】
【従来の技術】Ni−ZnーCu系フェライトはNi−Zn系フェ
ライトと比較して、より低い温度で焼結ができ、かつ、
高い初透磁率を有し、損失係数の極めて少ない材料であ
り、高周波磁芯用の材料として広く利用されている。特
に、低温で焼結する必要がある積層チップインダクター
用に使われている。
ライトと比較して、より低い温度で焼結ができ、かつ、
高い初透磁率を有し、損失係数の極めて少ない材料であ
り、高周波磁芯用の材料として広く利用されている。特
に、低温で焼結する必要がある積層チップインダクター
用に使われている。
【0003】このNi−Zn−Cu系フェライトとしては、例
えば特公昭51−48275号公報に記載のものが代表
的なものとして挙げられる。このNi−Zn−Cu系フェライ
トは、Fe2O3 46.0 〜 49.0mol%、ZnO 20.0〜27.0 mol
%、CuO 5.0 〜7.0mol%、NiO 5.0 〜8.0mol%、MgO 10
〜15 mol%からなる組成に、Cr2O3 0.3 〜2.5 wt%、V2
O5 0.1〜0.6 wt%を複合添加したものであり、1050℃焼
成で初透磁率(μi)=395 、20〜60℃での初透磁率の温
度係数(αμir) =1.3ppm/ ℃の低温度係数を実現して
いる。
えば特公昭51−48275号公報に記載のものが代表
的なものとして挙げられる。このNi−Zn−Cu系フェライ
トは、Fe2O3 46.0 〜 49.0mol%、ZnO 20.0〜27.0 mol
%、CuO 5.0 〜7.0mol%、NiO 5.0 〜8.0mol%、MgO 10
〜15 mol%からなる組成に、Cr2O3 0.3 〜2.5 wt%、V2
O5 0.1〜0.6 wt%を複合添加したものであり、1050℃焼
成で初透磁率(μi)=395 、20〜60℃での初透磁率の温
度係数(αμir) =1.3ppm/ ℃の低温度係数を実現して
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これまでのLCおよび
LR回路用インダクタンス素子の特性としては、高周波
数帯での低損失と小さな温度係数が要求され、その材料
の初透磁率自体はそれほど高い値は望まれていなかっ
た。ところが近年、インダクタンス素子の小型化に伴
い、高い初透磁率を持つ材料が要求されるようになって
きた。
LR回路用インダクタンス素子の特性としては、高周波
数帯での低損失と小さな温度係数が要求され、その材料
の初透磁率自体はそれほど高い値は望まれていなかっ
た。ところが近年、インダクタンス素子の小型化に伴
い、高い初透磁率を持つ材料が要求されるようになって
きた。
【0005】しかしながら、前記公報記載のフェライト
に代表される従来のNi−Zn−Cu系フェライトは、添加物
の効果により、初透磁率の温度係数を小さくすると、初
透磁率が減少するという傾向があり、その結果、高透磁
率と小さな温度係数を合わせ持つことは困難であった。
に代表される従来のNi−Zn−Cu系フェライトは、添加物
の効果により、初透磁率の温度係数を小さくすると、初
透磁率が減少するという傾向があり、その結果、高透磁
率と小さな温度係数を合わせ持つことは困難であった。
【0006】従って、本発明は、高透磁率と小さな温度
係数を同時に実現できる磁性材料を得、もって、LCお
よびLR回路用インダクタンス素子の小型、高性能化を
図ることを目的とするものである。
係数を同時に実現できる磁性材料を得、もって、LCお
よびLR回路用インダクタンス素子の小型、高性能化を
図ることを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記課題を
解決するための手段として、Ni−Zn−Cu系フェライトを
主成分とし、これに副成分としてNb2O5 を0.2 wt%以
上、0.8 wt%以下含有させるか、Ta2O5 を 0.3wt%以
上、 1.2wt%以下含有させるか、もしくは、MoO3を0.15
wt%以上、1.35wt%以下含有させるかのいずれか一成分
を含有させることにより、初透磁率を低下させることな
く、温度係数を改善できるようにしたものである。
解決するための手段として、Ni−Zn−Cu系フェライトを
主成分とし、これに副成分としてNb2O5 を0.2 wt%以
上、0.8 wt%以下含有させるか、Ta2O5 を 0.3wt%以
上、 1.2wt%以下含有させるか、もしくは、MoO3を0.15
wt%以上、1.35wt%以下含有させるかのいずれか一成分
を含有させることにより、初透磁率を低下させることな
く、温度係数を改善できるようにしたものである。
【0008】Ni−Zn−Cu系フェライトに副成分として含
有させるNb2O5 の量を 0.2wt%以上、0.8 wt%以下とし
たのは、Nb2O5 が 0.2wt%未満では、初透磁率の温度係
数(αμir) を小さくする効果が少なく、αμirが 1.5
ppm/℃を上回ってしまうからである。また、Nb2O5 の含
有量が 0.8wt%を越えると、同時にαμirが 1.5ppm/℃
を越えてしまうからである。
有させるNb2O5 の量を 0.2wt%以上、0.8 wt%以下とし
たのは、Nb2O5 が 0.2wt%未満では、初透磁率の温度係
数(αμir) を小さくする効果が少なく、αμirが 1.5
ppm/℃を上回ってしまうからである。また、Nb2O5 の含
有量が 0.8wt%を越えると、同時にαμirが 1.5ppm/℃
を越えてしまうからである。
【0009】また、同様にTa2O5 の量を 0.3wt%以上、
1.2wt%以下としたのは、Ta2O5 が0.3wt%未満では、
初透磁率の温度係数(αμir) を小さくする効果が少な
く、αμirが 1.5ppm/℃を上回ってしまうからである。
また、Ta2O5 の含有量が 1.2wt%を越えると、同時にα
μirが 1.5ppm/℃を越えてしまうからである。
1.2wt%以下としたのは、Ta2O5 が0.3wt%未満では、
初透磁率の温度係数(αμir) を小さくする効果が少な
く、αμirが 1.5ppm/℃を上回ってしまうからである。
また、Ta2O5 の含有量が 1.2wt%を越えると、同時にα
μirが 1.5ppm/℃を越えてしまうからである。
【0010】また、同様にMoO3の量を0.15wt%以上、1.
35wt%以下としたのは、MoO3が0.15wt%未満では、初透
磁率の温度係数(αμir) を小さくする効果が少なく、
αμirが 1.5ppm/℃を上回ってしまうからである。ま
た、MoO3の含有量が1.35wt%を越えると、同時にαμir
が 1.5ppm/℃を越えてしまうからである。
35wt%以下としたのは、MoO3が0.15wt%未満では、初透
磁率の温度係数(αμir) を小さくする効果が少なく、
αμirが 1.5ppm/℃を上回ってしまうからである。ま
た、MoO3の含有量が1.35wt%を越えると、同時にαμir
が 1.5ppm/℃を越えてしまうからである。
【0011】主成分であるNi−Zn−Cu系フェライトとし
ては、鉄(Fe2O3)が46.0〜49.0 mol%、ニッケル(NiO)
が10.0〜17.5 mol%、亜鉛(ZnO)が25.5〜33.0 mol%、
銅(CuO)が残部からなるものが用いられる。この他に主
成分にマグネシウム(MgO)を5.0mol%以下存在させても
よい。
ては、鉄(Fe2O3)が46.0〜49.0 mol%、ニッケル(NiO)
が10.0〜17.5 mol%、亜鉛(ZnO)が25.5〜33.0 mol%、
銅(CuO)が残部からなるものが用いられる。この他に主
成分にマグネシウム(MgO)を5.0mol%以下存在させても
よい。
【0012】ここで、主成分であるNi−Zn−Cu系フェラ
イトを上記した範囲に限定した理由は、いずれもこの範
囲を外れると、初透磁率の温度係数(αμir) を小さく
する効果が少ないからである。また、主成分にマグネシ
ウム(MgO)を含有させる場合においても、上記した範囲
を外れると初透磁率の温度係数(αμir) を小さくする
効果が少なくなる。
イトを上記した範囲に限定した理由は、いずれもこの範
囲を外れると、初透磁率の温度係数(αμir) を小さく
する効果が少ないからである。また、主成分にマグネシ
ウム(MgO)を含有させる場合においても、上記した範囲
を外れると初透磁率の温度係数(αμir) を小さくする
効果が少なくなる。
【0013】
【作用】本発明によれば、Ni−Zn−Cu系フェライトに副
成分として、Nb2O5 を 0.2wt%以上、 0.8wt%以下含有
させるか、Ta2O5 を 0.3wt%以上、 1.2wt%以下含有さ
せるか、もしくはMoO3を0.15wt%、1.35wt%以下含有さ
せるかのいずれか一成分を含有させることにより、 500
以上の高い初透磁率(μi)と、 1.5ppm/℃以下の初透磁
率の温度係数(αμir) が得られることになる。
成分として、Nb2O5 を 0.2wt%以上、 0.8wt%以下含有
させるか、Ta2O5 を 0.3wt%以上、 1.2wt%以下含有さ
せるか、もしくはMoO3を0.15wt%、1.35wt%以下含有さ
せるかのいずれか一成分を含有させることにより、 500
以上の高い初透磁率(μi)と、 1.5ppm/℃以下の初透磁
率の温度係数(αμir) が得られることになる。
【0014】
【実施例】(実施例1) 最終組成比がFe2O3 48.0 mol
%、NiO 14.0 mol%、ZnO 30.0 mol%、CuO 8.0mol%に
なるように合成した共沈フェライト乾燥粉末を600℃で
1時間仮焼した。この仮焼原料にNb2O5 を表1に示す割
合で加え、ポリエチレン製ポットに玉石および蒸留水と
共に投入し24時間混合粉砕した。さらに粉砕原料に有
機バインダーを加えて2時間混合し、その後この混合物
を乾燥した。これを80メッシュの網を通して造粒し、成
形圧力1.7ton/cm2で、外径36mm、内径24mm、厚さ 6mmの
リング状に成形した。この成形体を 900℃で2時間焼成
した。得られたリング状フェライトに銅線を50回巻き、
20℃における初透磁率および−25℃〜85℃の温度範囲に
おける透磁率を測定し、初透磁率の温度係数(αμir)
を求めた。その結果を表1および図1に示す。表1中、
*印はこの発明範囲外のものである。また、初透磁率の
温度係数は、式:αμir=Δμi /μi 2・1/ΔTで与
えられる。式中、Δμi は温度範囲−25℃〜85℃におけ
るμi の変化量、μi は20℃における初透磁率の値、Δ
Tは−25℃〜85℃の温度幅の 110℃である。
%、NiO 14.0 mol%、ZnO 30.0 mol%、CuO 8.0mol%に
なるように合成した共沈フェライト乾燥粉末を600℃で
1時間仮焼した。この仮焼原料にNb2O5 を表1に示す割
合で加え、ポリエチレン製ポットに玉石および蒸留水と
共に投入し24時間混合粉砕した。さらに粉砕原料に有
機バインダーを加えて2時間混合し、その後この混合物
を乾燥した。これを80メッシュの網を通して造粒し、成
形圧力1.7ton/cm2で、外径36mm、内径24mm、厚さ 6mmの
リング状に成形した。この成形体を 900℃で2時間焼成
した。得られたリング状フェライトに銅線を50回巻き、
20℃における初透磁率および−25℃〜85℃の温度範囲に
おける透磁率を測定し、初透磁率の温度係数(αμir)
を求めた。その結果を表1および図1に示す。表1中、
*印はこの発明範囲外のものである。また、初透磁率の
温度係数は、式:αμir=Δμi /μi 2・1/ΔTで与
えられる。式中、Δμi は温度範囲−25℃〜85℃におけ
るμi の変化量、μi は20℃における初透磁率の値、Δ
Tは−25℃〜85℃の温度幅の 110℃である。
【0015】
【表1】
【0016】図1から明らかなように、Nb2O5 の含有量
が0.2wt%未満ではαμirを小さくする効果が十分に得
られず、αμirが 1.5ppm/℃を上回り、また、Nb2O5 の
含有量が 0.8wt%を超えると、同様にαμirが 1.5ppm/
℃を上回ってしまう。
が0.2wt%未満ではαμirを小さくする効果が十分に得
られず、αμirが 1.5ppm/℃を上回り、また、Nb2O5 の
含有量が 0.8wt%を超えると、同様にαμirが 1.5ppm/
℃を上回ってしまう。
【0017】また、+20℃における初透磁率を示す表1
から明らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトにNb2O5
を添加することにより初透磁率は低下しておらず、初透
磁率の値は 500を上回っている。従って、LCおよびL
R回路用インダクタンス素子を構成する場合、初透磁率
の温度係数は 1.5ppm/℃以下であることが望ましく、ま
た、初透磁率は 500以上であることが望ましいことか
ら、これらの要件を満たすためには、Nb2O5 の含有量を
0.2wt%以上、 0.8wt%以下にするのが好適である。
から明らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトにNb2O5
を添加することにより初透磁率は低下しておらず、初透
磁率の値は 500を上回っている。従って、LCおよびL
R回路用インダクタンス素子を構成する場合、初透磁率
の温度係数は 1.5ppm/℃以下であることが望ましく、ま
た、初透磁率は 500以上であることが望ましいことか
ら、これらの要件を満たすためには、Nb2O5 の含有量を
0.2wt%以上、 0.8wt%以下にするのが好適である。
【0018】(実施例2) 主成分の最終組成比が表2
に示す割合になるように合成した共沈フェライト乾燥粉
末を 600℃で1時間仮焼した。この仮焼原料に副成分で
あるNb2O5 を 0.5wt%加え、後は実施例1と同様に処理
して試料を作成した。得られた試料について+20℃にお
ける初透磁率(μi)とその温度係数(αμir) を求め
た。その結果を表2に示す。
に示す割合になるように合成した共沈フェライト乾燥粉
末を 600℃で1時間仮焼した。この仮焼原料に副成分で
あるNb2O5 を 0.5wt%加え、後は実施例1と同様に処理
して試料を作成した。得られた試料について+20℃にお
ける初透磁率(μi)とその温度係数(αμir) を求め
た。その結果を表2に示す。
【0019】
【表2】
【0020】表2中、試料番号に*印を附したものは、
フェライトの主成分がFe2O3 46.0〜49.0 mol%、NiO 1
0.0〜17.5 mol%、ZnO 25.5〜33.0 mol%、残部がCuO
となる組成範囲外のものであり、この場合初透磁率(μ
i)が 500より下、あるいは初透磁率の温度係数が 1.5pp
m/℃を上回ることとなる。従って、Nb2O5 を含有させる
Ni−Zn−Cu系フェライトの基本組成は、前記範囲内であ
ることが好ましい。この組成範囲内であれば表2から明
らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトの各組成につい
てNb2O5 を添加することにより、初透磁率を下げること
なく初透磁率の温度特性を小さくすることが可能であ
る。
フェライトの主成分がFe2O3 46.0〜49.0 mol%、NiO 1
0.0〜17.5 mol%、ZnO 25.5〜33.0 mol%、残部がCuO
となる組成範囲外のものであり、この場合初透磁率(μ
i)が 500より下、あるいは初透磁率の温度係数が 1.5pp
m/℃を上回ることとなる。従って、Nb2O5 を含有させる
Ni−Zn−Cu系フェライトの基本組成は、前記範囲内であ
ることが好ましい。この組成範囲内であれば表2から明
らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトの各組成につい
てNb2O5 を添加することにより、初透磁率を下げること
なく初透磁率の温度特性を小さくすることが可能であ
る。
【0021】(実施例3) 最終組成比がFe2O3 48.0 m
ol%、NiO 14.0 mol%、ZnO 30.0 mol%、CuO 8.0mol%
になるように合成した共沈フェライト乾燥粉末を 600℃
で1時間仮焼した。この仮焼原料にTa2O5 を表1に示す
割合で加え、ポリエチレン製ポットに玉石および蒸留水
と共に投入し24時間混合粉砕した。さらに粉砕原料に
有機バインダーを加えて2時間混合し、その後この混合
物を乾燥した。これを80メッシュの網を通して造粒し、
成形圧力1.7ton/cm2で、外径36mm、内径24mm、厚さ6mm
のリング状に成形した。この成形体を 900℃で2時間焼
成した。得られたリング状フェライトに銅線を50回巻
き、+20℃における初透磁率および−25℃〜85℃の温度
範囲における初透磁率を測定し、初透磁率の温度係数
(αμir) を求めた。その結果を表3及び図2に示す。
表3中、*印はこの発明の範囲外のものである。また、
初透磁率の温度係数は、式:αμir=Δμi /μi 2・1
/ΔTで与えられる。式中、Δμi は温度範囲−25℃〜
85℃におけるμi の変化量、μiは20℃における初透磁
率の値、ΔTは−25℃〜85℃の温度幅の 110℃である。
ol%、NiO 14.0 mol%、ZnO 30.0 mol%、CuO 8.0mol%
になるように合成した共沈フェライト乾燥粉末を 600℃
で1時間仮焼した。この仮焼原料にTa2O5 を表1に示す
割合で加え、ポリエチレン製ポットに玉石および蒸留水
と共に投入し24時間混合粉砕した。さらに粉砕原料に
有機バインダーを加えて2時間混合し、その後この混合
物を乾燥した。これを80メッシュの網を通して造粒し、
成形圧力1.7ton/cm2で、外径36mm、内径24mm、厚さ6mm
のリング状に成形した。この成形体を 900℃で2時間焼
成した。得られたリング状フェライトに銅線を50回巻
き、+20℃における初透磁率および−25℃〜85℃の温度
範囲における初透磁率を測定し、初透磁率の温度係数
(αμir) を求めた。その結果を表3及び図2に示す。
表3中、*印はこの発明の範囲外のものである。また、
初透磁率の温度係数は、式:αμir=Δμi /μi 2・1
/ΔTで与えられる。式中、Δμi は温度範囲−25℃〜
85℃におけるμi の変化量、μiは20℃における初透磁
率の値、ΔTは−25℃〜85℃の温度幅の 110℃である。
【0022】
【表3】
【0023】図2から明らかなように、Ta2O5 の含有量
が0.3wt%未満ではαμirを小さくする効果が十分に得
られず、αμirが 1.5ppm/℃を上回り、また、Ta2O5 の
含有量が 1.2wt%を超えると、同様にαμirが 1.5ppm/
℃を上回ってしまう。
が0.3wt%未満ではαμirを小さくする効果が十分に得
られず、αμirが 1.5ppm/℃を上回り、また、Ta2O5 の
含有量が 1.2wt%を超えると、同様にαμirが 1.5ppm/
℃を上回ってしまう。
【0024】また、各フェライトについての20℃におけ
る初透磁率を示す表3から明らかなように、Ni−Zn−Cu
系フェライトにTa2O5 を添加することにより初透磁率は
ほとんど低下せず、初透磁率の値は 500を上回ってい
る。従って、LCおよびLR回路用インダクタンス素子
を構成する場合、初透磁率の温度係数は 1.5ppm/℃以下
であることが望ましく、また、初透磁率は 500以上であ
ることが望ましいことから、これらの要件を満たすため
には、Ta2O5 含有量を 0.3wt%以上、 1.2wt%以下にす
るのが好適であることが判る。
る初透磁率を示す表3から明らかなように、Ni−Zn−Cu
系フェライトにTa2O5 を添加することにより初透磁率は
ほとんど低下せず、初透磁率の値は 500を上回ってい
る。従って、LCおよびLR回路用インダクタンス素子
を構成する場合、初透磁率の温度係数は 1.5ppm/℃以下
であることが望ましく、また、初透磁率は 500以上であ
ることが望ましいことから、これらの要件を満たすため
には、Ta2O5 含有量を 0.3wt%以上、 1.2wt%以下にす
るのが好適であることが判る。
【0025】(実施例4) 主成分の最終組成比が表4
に示す割合になるように合成した共沈フェライト乾燥粉
末を 600℃で1時間仮焼した。この仮焼原料に副成分で
あるTa2O5 を 0.5wt%加え、後は実施例3と同様に処理
して試料を作成した。得られた試料について+20℃にお
ける初透磁率と−25℃〜85℃の温度範囲における初透磁
率を測定し、初透磁率(μi)とその温度係数(αμir)
を求めた。その結果を表4に示す。
に示す割合になるように合成した共沈フェライト乾燥粉
末を 600℃で1時間仮焼した。この仮焼原料に副成分で
あるTa2O5 を 0.5wt%加え、後は実施例3と同様に処理
して試料を作成した。得られた試料について+20℃にお
ける初透磁率と−25℃〜85℃の温度範囲における初透磁
率を測定し、初透磁率(μi)とその温度係数(αμir)
を求めた。その結果を表4に示す。
【0026】
【表4】
【0027】表4中、試料番号に*印を附したものは、
フェライトの主成分がFe2O3 46.0〜49.0 mol%、NiO 1
0.0〜17.5 mol%、ZnO 25.5〜33.0 mol%、残部がCuO
となる組成範囲外のものであり、この場合初透磁率(μ
i )が 500より下、あるいは初透磁率の温度係数が 1.5
ppm/℃を上回ることとなる。従って、Ta2O5 を含有させ
るNi−Zn−Cu系フェライトの基本組成は、前記範囲内で
あることが好ましい。この組成範囲内であれば表4から
明らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトの各組成につ
いてTa2O5 を添加することにより、初透磁率を下げるこ
となく初透磁率の温度特性を小さくすることが可能であ
る。
フェライトの主成分がFe2O3 46.0〜49.0 mol%、NiO 1
0.0〜17.5 mol%、ZnO 25.5〜33.0 mol%、残部がCuO
となる組成範囲外のものであり、この場合初透磁率(μ
i )が 500より下、あるいは初透磁率の温度係数が 1.5
ppm/℃を上回ることとなる。従って、Ta2O5 を含有させ
るNi−Zn−Cu系フェライトの基本組成は、前記範囲内で
あることが好ましい。この組成範囲内であれば表4から
明らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトの各組成につ
いてTa2O5 を添加することにより、初透磁率を下げるこ
となく初透磁率の温度特性を小さくすることが可能であ
る。
【0028】(実施例5) 最終組成比がFe2O3 48.0 m
ol%、NiO 14.0 mol%、ZnO 30.0 mol%、CuO 8.0mol%
になるように合成した共沈フェライト乾燥粉末を 600℃
で1時間仮焼した。この仮焼原料にMoO3を表5に示す割
合で加え、ポリエチレン製ポットに玉石および蒸留水と
共に投入し24時間混合粉砕した。さらに粉砕原料に有
機バインダーを加えて2時間混合し、その後この混合物
を乾燥した。これを80メッシュの網を通して造粒し、成
形圧力1.7ton/cm2で、外径36mm、内径24mm、厚さ6mmの
リング状に成形した。この成形体を 900℃で2時間焼成
した。得られた各リング状フェライトに銅線を50回巻
き、+20℃における初透磁率と−25℃〜85℃の温度範囲
における初透磁率を測定し、その温度範囲における初透
磁率の温度係数(αμir) を求めた。その結果を表5お
よび図3に示す。表5中、*印はこの発明の範囲外のも
のである。なお、初透磁率の温度係数は式:αμir=Δ
μi /μi 2・1/ΔTで与えられる。式中、Δμi は温
度範囲−25℃〜85℃におけるμi の変化量、μi は20℃
における初透磁率の値、ΔTは−25℃〜85℃の温度幅の
110℃である。
ol%、NiO 14.0 mol%、ZnO 30.0 mol%、CuO 8.0mol%
になるように合成した共沈フェライト乾燥粉末を 600℃
で1時間仮焼した。この仮焼原料にMoO3を表5に示す割
合で加え、ポリエチレン製ポットに玉石および蒸留水と
共に投入し24時間混合粉砕した。さらに粉砕原料に有
機バインダーを加えて2時間混合し、その後この混合物
を乾燥した。これを80メッシュの網を通して造粒し、成
形圧力1.7ton/cm2で、外径36mm、内径24mm、厚さ6mmの
リング状に成形した。この成形体を 900℃で2時間焼成
した。得られた各リング状フェライトに銅線を50回巻
き、+20℃における初透磁率と−25℃〜85℃の温度範囲
における初透磁率を測定し、その温度範囲における初透
磁率の温度係数(αμir) を求めた。その結果を表5お
よび図3に示す。表5中、*印はこの発明の範囲外のも
のである。なお、初透磁率の温度係数は式:αμir=Δ
μi /μi 2・1/ΔTで与えられる。式中、Δμi は温
度範囲−25℃〜85℃におけるμi の変化量、μi は20℃
における初透磁率の値、ΔTは−25℃〜85℃の温度幅の
110℃である。
【0029】
【表5】
【0030】図3から明らかなように、MoO3を含有させ
ることにより初透磁率の温度係数(αμir) が小さくな
るが、その含有量が0.15wt%未満ではαμirを小さくす
る効果が十分に得られず、αμirが 1.5ppm/℃を上回
り、また、MoO3の含有量が1.35wt%を超えると、αμir
が 1.5ppm/℃を上回ってしまう。
ることにより初透磁率の温度係数(αμir) が小さくな
るが、その含有量が0.15wt%未満ではαμirを小さくす
る効果が十分に得られず、αμirが 1.5ppm/℃を上回
り、また、MoO3の含有量が1.35wt%を超えると、αμir
が 1.5ppm/℃を上回ってしまう。
【0031】また、+20℃における初透磁率を示す表5
から明らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトにMoO3を
添加しても初透磁率はほとんど低下しておらず、初透磁
率の値は 500を上回っている。従って、LCおよびLR
回路用インダクタンス素子を構成する場合、初透磁率の
温度係数は 1.5ppm/℃以下、初透磁率は 500以上である
ことが望ましいが、これらの要件を満たすためには、Mo
O3の含有量は0.15wt%以上、1.35wt%以下が好適であ
る。
から明らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトにMoO3を
添加しても初透磁率はほとんど低下しておらず、初透磁
率の値は 500を上回っている。従って、LCおよびLR
回路用インダクタンス素子を構成する場合、初透磁率の
温度係数は 1.5ppm/℃以下、初透磁率は 500以上である
ことが望ましいが、これらの要件を満たすためには、Mo
O3の含有量は0.15wt%以上、1.35wt%以下が好適であ
る。
【0032】(実施例6) 主成分の最終組成比が表6
に示す割合になるように合成した共沈フェライト乾燥粉
末を 600℃で1時間仮焼した。この仮焼原料に副成分で
あるMoO3を 0.5wt%加え、後は実施例5と同様に処理し
て試料を作成した。得られた試料について+20℃におけ
る初透磁率と−25℃〜85℃の温度範囲における初透磁率
を測定し、その温度範囲における初透磁率(μi)とその
温度係数(αμir) を求めた。その結果を表6に示す。
に示す割合になるように合成した共沈フェライト乾燥粉
末を 600℃で1時間仮焼した。この仮焼原料に副成分で
あるMoO3を 0.5wt%加え、後は実施例5と同様に処理し
て試料を作成した。得られた試料について+20℃におけ
る初透磁率と−25℃〜85℃の温度範囲における初透磁率
を測定し、その温度範囲における初透磁率(μi)とその
温度係数(αμir) を求めた。その結果を表6に示す。
【0033】
【表6】
【0034】表6中、試料番号に*印を附したものは、
フェライトの主成分がFe2O3 46.0〜49.0 mol%、NiO 1
0.0〜17.5 mol%、ZnO 25.5〜33.0 mol%、残部がCuO
となる組成範囲外のものであり、この場合初透磁率(μ
i )が 500より下、あるいは初透磁率の温度係数が 1.5
ppm/℃を上回ることとなる。従って、MoO3を含有させる
Ni−Zn−Cu系フェライトの基本組成は、前記範囲内であ
ることが好ましい。この組成範囲内であれば表6から明
らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトの各組成につい
てMoO3を添加することにより、初透磁率を下げることな
く初透磁率の温度特性を小さくすることが可能である。
フェライトの主成分がFe2O3 46.0〜49.0 mol%、NiO 1
0.0〜17.5 mol%、ZnO 25.5〜33.0 mol%、残部がCuO
となる組成範囲外のものであり、この場合初透磁率(μ
i )が 500より下、あるいは初透磁率の温度係数が 1.5
ppm/℃を上回ることとなる。従って、MoO3を含有させる
Ni−Zn−Cu系フェライトの基本組成は、前記範囲内であ
ることが好ましい。この組成範囲内であれば表6から明
らかなように、Ni−Zn−Cu系フェライトの各組成につい
てMoO3を添加することにより、初透磁率を下げることな
く初透磁率の温度特性を小さくすることが可能である。
【0035】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、この
発明によれば、Ni−Zn−Cu系フェライトに副成分として
Nb2O5 、Ta2O5 もしくはMoO3のいずれか一成分を含有さ
せることにより、高い初透磁率と小さい温度係数を有す
る材料が得られ、性能低下を示すことなく、LCおよび
LR回路用インダクタンス素子の小型化を図ることがで
きる。
発明によれば、Ni−Zn−Cu系フェライトに副成分として
Nb2O5 、Ta2O5 もしくはMoO3のいずれか一成分を含有さ
せることにより、高い初透磁率と小さい温度係数を有す
る材料が得られ、性能低下を示すことなく、LCおよび
LR回路用インダクタンス素子の小型化を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るNi−Zn−Cu系フェライトにおける
Nb2O5 の含有量と初透磁率の温度係数との関係を示す図
である。
Nb2O5 の含有量と初透磁率の温度係数との関係を示す図
である。
【図2】本発明に係るNi−Zn−Cu系フェライトにおける
Ta2O5 の含有量と初透磁率の温度係数との関係を示す図
である。
Ta2O5 の含有量と初透磁率の温度係数との関係を示す図
である。
【図3】本発明に係るNi−Zn−Cu系フェライトにおける
MoO3の含有量と初透磁率の温度係数との関係を示す図で
ある。
MoO3の含有量と初透磁率の温度係数との関係を示す図で
ある。
Claims (3)
- 【請求項1】 Ni−Zn−Cu系フェライトを主成分とし、
これに副成分としてNb2O5 を 0.2wt%以上、 0.8wt%以
下含有していることを特徴とする酸化物磁性材料。 - 【請求項2】 Ni−Zn−Cu系フェライトを主成分とし、
これに副成分としてTa2O5 を 0.3wt%以上、 1.2wt%以
下含有していることを特徴とする酸化物磁性材料。 - 【請求項3】 Ni−Zn−Cu系フェライトを主成分とし、
これに副成分としてMoO3を0.15wt%以上、1.35wt%以下
含有していることを特徴とする酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3180095A JPH053112A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3180095A JPH053112A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 酸化物磁性材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH053112A true JPH053112A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16077351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3180095A Pending JPH053112A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH053112A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7034649B2 (en) | 2003-09-03 | 2006-04-25 | Tdk Corporation | Ferrite material, ferrite sintered body, and inductor |
JP2006202880A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Mitsubishi Materials Corp | 積層型コモンモードチョークコイル及び製造方法 |
JP2011097087A (ja) * | 1995-07-18 | 2011-05-12 | Vishay Dale Electronics Inc | 高電流薄型インダクタの製造方法 |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP3180095A patent/JPH053112A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011097087A (ja) * | 1995-07-18 | 2011-05-12 | Vishay Dale Electronics Inc | 高電流薄型インダクタの製造方法 |
US7034649B2 (en) | 2003-09-03 | 2006-04-25 | Tdk Corporation | Ferrite material, ferrite sintered body, and inductor |
JP2006202880A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Mitsubishi Materials Corp | 積層型コモンモードチョークコイル及び製造方法 |
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