JPH1050512A - 高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法 - Google Patents
高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法Info
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- JPH1050512A JPH1050512A JP8204690A JP20469096A JPH1050512A JP H1050512 A JPH1050512 A JP H1050512A JP 8204690 A JP8204690 A JP 8204690A JP 20469096 A JP20469096 A JP 20469096A JP H1050512 A JPH1050512 A JP H1050512A
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- firing
- magnetic material
- oxide
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １kHz 程度の低周波領域から 500kHz 〜１MH
z 程度の高周波領域にわたって、高インピーダンスが得
られる高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 MnO ：20〜30 mol％、ZnO ：18〜25 mol
％および残部実質的にFe2O3 からなる基本成分組成を有
し、１kHz および 500kHz におけるそれぞれの複素初透
磁率の絶対値が8000以上である高透磁率酸化物磁性材
料。
z 程度の高周波領域にわたって、高インピーダンスが得
られる高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 MnO ：20〜30 mol％、ZnO ：18〜25 mol
％および残部実質的にFe2O3 からなる基本成分組成を有
し、１kHz および 500kHz におけるそれぞれの複素初透
磁率の絶対値が8000以上である高透磁率酸化物磁性材
料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源
やノイズフィルタ、チョークコイルなどに搭載するのに
好適なスピネル型Mn−Zn系ソフトフェライトおよびその
製造方法に関するものである。
やノイズフィルタ、チョークコイルなどに搭載するのに
好適なスピネル型Mn−Zn系ソフトフェライトおよびその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Mn−Zn系ソフトフェライトは、スイッチ
ング電源やノイズフィルタ、チョークコイルなどに使用
されている。その中でも、ノイズフィルタに使用される
フェライトコアは、ノイズを除去したい周波数帯域でノ
イズ電流に対する大きなインピーダンスが要求されるた
め、より高周波帯域まで高い初透磁率（インピーダンス
は初透磁率に比例する）が維持できることが望まれる。
ング電源やノイズフィルタ、チョークコイルなどに使用
されている。その中でも、ノイズフィルタに使用される
フェライトコアは、ノイズを除去したい周波数帯域でノ
イズ電流に対する大きなインピーダンスが要求されるた
め、より高周波帯域まで高い初透磁率（インピーダンス
は初透磁率に比例する）が維持できることが望まれる。
【０００３】しかし、従来のMn−Zn系フェライトは、Ni
−Zn系フェライトに比べ、透磁率は高くできるものの、
高初透磁率になるに従い、低周波域で磁気緩和や共鳴現
象を起こして初透磁率が急激に低下するという問題があ
る。このような初透磁率の周波数特性は、結晶マトリッ
クスであるスピネルを構成するFe2O3 ，ZnO ，MnO の組
成比と、結晶粒界近傍に存在することの多い微量成分と
によるところが大きいことが明らかにされており、この
見地から初透磁率の周波数特性を改善した例が報告され
ている。
−Zn系フェライトに比べ、透磁率は高くできるものの、
高初透磁率になるに従い、低周波域で磁気緩和や共鳴現
象を起こして初透磁率が急激に低下するという問題があ
る。このような初透磁率の周波数特性は、結晶マトリッ
クスであるスピネルを構成するFe2O3 ，ZnO ，MnO の組
成比と、結晶粒界近傍に存在することの多い微量成分と
によるところが大きいことが明らかにされており、この
見地から初透磁率の周波数特性を改善した例が報告され
ている。
【０００４】例えば、特公昭51−49079 号公報には、Mn
−Zn系フェライトに、 Bi2O3， CaOを適量添加すること
により、 100 kHzでの初透磁率を8000〜9000程度にした
ものが開示されている。また、特開平７−211535号公報
および特開平７−211536号公報には、Mn−Zn系フェライ
トに、 CaO， Bi2O3，SiO2を適量添加することにより、
初透磁率を、周波数 100 kHzにおいて5000以上、 500kH
z において4000以上としたものが開示されている。
−Zn系フェライトに、 Bi2O3， CaOを適量添加すること
により、 100 kHzでの初透磁率を8000〜9000程度にした
ものが開示されている。また、特開平７−211535号公報
および特開平７−211536号公報には、Mn−Zn系フェライ
トに、 CaO， Bi2O3，SiO2を適量添加することにより、
初透磁率を、周波数 100 kHzにおいて5000以上、 500kH
z において4000以上としたものが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特公昭51−49079 号公報に開示されているMn−Zn系フェ
ライトにおいては、 100kHz 付近までの比較的低周波領
域では、初透磁率の周波数特性を改善することができる
が、実用上ますます重視されつつある 500kHz 付近で
は、充分な改善効果が得られないという問題がある。
特公昭51−49079 号公報に開示されているMn−Zn系フェ
ライトにおいては、 100kHz 付近までの比較的低周波領
域では、初透磁率の周波数特性を改善することができる
が、実用上ますます重視されつつある 500kHz 付近で
は、充分な改善効果が得られないという問題がある。
【０００６】これに対し、上記の特開平７−211535号公
報および特開平７−211536号公報に開示されているMn−
Zn系フェライトにおいては、高周波領域まで初透磁率の
周波数特性が改善されているが、 500kHz の初透磁率
は、最高でも5500程度にとどまっており、必ずしも充分
な初透磁率が得られないという問題がある。
報および特開平７−211536号公報に開示されているMn−
Zn系フェライトにおいては、高周波領域まで初透磁率の
周波数特性が改善されているが、 500kHz の初透磁率
は、最高でも5500程度にとどまっており、必ずしも充分
な初透磁率が得られないという問題がある。
【０００７】また、上記の従来例においては、１〜 100
kHz程度の低周波領域で初透磁率を増大させようとする
と、500kHz〜１MHz の高周波領域での初透磁率の低下が
避けられないという問題がある。このようなことから、
高周波領域でも高初透磁率を有するフェライトコアの開
発が望まれていた。
kHz程度の低周波領域で初透磁率を増大させようとする
と、500kHz〜１MHz の高周波領域での初透磁率の低下が
避けられないという問題がある。このようなことから、
高周波領域でも高初透磁率を有するフェライトコアの開
発が望まれていた。
【０００８】本発明は、上述した点に鑑みてなされたも
ので、１kHz 程度の低周波領域から500kHz 〜１MHz 程
度の高周波領域にわたって、高インピーダンスが得られ
る高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
ので、１kHz 程度の低周波領域から500kHz 〜１MHz 程
度の高周波領域にわたって、高インピーダンスが得られ
る高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る高透磁率酸化物磁性材料は、MnO ：
20〜30 mol％、ZnO ：18〜25 mol％および残部実質的に
Fe2O3 からなる基本成分組成を有し、１kHz および 500
kHz におけるそれぞれの複素初透磁率の絶対値が8000以
上であることを特徴とするものである。
め、請求項１に係る高透磁率酸化物磁性材料は、MnO ：
20〜30 mol％、ZnO ：18〜25 mol％および残部実質的に
Fe2O3 からなる基本成分組成を有し、１kHz および 500
kHz におけるそれぞれの複素初透磁率の絶対値が8000以
上であることを特徴とするものである。
【００１０】請求項２に係る高透磁率酸化物磁性材料
は、MnO ：20〜30 mol％、ZnO ：18〜25 mol％および残
部実質的にFe2O3 からなる基本成分組成を有し、直流比
抵抗が 100Ωcm以上で、かつ、１kHz および500kHzにお
けるそれぞれの複素初透磁率の絶対値が8000以上である
ことを特徴とするものである。
は、MnO ：20〜30 mol％、ZnO ：18〜25 mol％および残
部実質的にFe2O3 からなる基本成分組成を有し、直流比
抵抗が 100Ωcm以上で、かつ、１kHz および500kHzにお
けるそれぞれの複素初透磁率の絶対値が8000以上である
ことを特徴とするものである。
【００１１】請求項３に係る高透磁率酸化物磁性材料
は、請求項１または２記載の高透磁率酸化物磁性材料に
おいて、さらに、0.005 〜0.02wt％のSiO2、0.005 〜0.
20wt％の CaOおよび0.005 〜0.05wt％のNb2O5 を含有す
ることを特徴とするものである。
は、請求項１または２記載の高透磁率酸化物磁性材料に
おいて、さらに、0.005 〜0.02wt％のSiO2、0.005 〜0.
20wt％の CaOおよび0.005 〜0.05wt％のNb2O5 を含有す
ることを特徴とするものである。
【００１２】請求項４に係る高透磁率酸化物磁性材料
は、請求項３記載の高透磁率酸化物磁性材料において、
さらに、0.005 〜0.05wt％の Bi2O3を含有することを特
徴とするものである。
は、請求項３記載の高透磁率酸化物磁性材料において、
さらに、0.005 〜0.05wt％の Bi2O3を含有することを特
徴とするものである。
【００１３】さらに、請求項５に係る製造方法は、主要
成分である酸化物原料を秤量して混合し、仮焼して得ら
れるフェライト仮焼粉に選択的に添加物成分を混合して
粉砕し、次いで、造粒して成形したのち焼成して、請求
項１〜４のいずれか記載の高透磁率酸化物材料を製造す
るにあたり、焼成の昇温途中の1100℃から焼成保持温度
に達するまでは、少なくとも 400℃／ｈ以上の昇温速度
とし、かつ、焼成雰囲気を非酸化性雰囲気とし、その
後、焼成保持温度で焼成雰囲気中の酸素濃度を10体積％
以下にして焼成することを特徴とするものである。
成分である酸化物原料を秤量して混合し、仮焼して得ら
れるフェライト仮焼粉に選択的に添加物成分を混合して
粉砕し、次いで、造粒して成形したのち焼成して、請求
項１〜４のいずれか記載の高透磁率酸化物材料を製造す
るにあたり、焼成の昇温途中の1100℃から焼成保持温度
に達するまでは、少なくとも 400℃／ｈ以上の昇温速度
とし、かつ、焼成雰囲気を非酸化性雰囲気とし、その
後、焼成保持温度で焼成雰囲気中の酸素濃度を10体積％
以下にして焼成することを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】例えば、高周波領域におけるノイ
ズ電流を除去するノイズフィルタは、通常、大きなイン
ピーダンスを持つインダクタと、ノイズ電流のバイパス
回路を形成するコンデンサとを組み合わせて構成されて
いる。このようなノイズフィルタにおいて、フェライト
コアは、巻線を施したコイルにして、インダクタとして
使用されている。ここで、コイルのインピーダンスＺ
は、巻線の抵抗を無視すると、複素数表示で、 Ｚ＝ｊωＬ （１） となる。ただし、Ｌはコイルのインダクタンス、ωは角
周波数、ｊは虚数単位である。また、インダクタンスＬ
は、フェライトコアの初透磁率μi を用いて、 Ｌ＝μi ・Ｎ2 Ａ／ｌ （２） で表される。ただし、Ｎは巻数、Ａはフェライトコアの
断面積、ｌはフェライトコアの磁路長である。
ズ電流を除去するノイズフィルタは、通常、大きなイン
ピーダンスを持つインダクタと、ノイズ電流のバイパス
回路を形成するコンデンサとを組み合わせて構成されて
いる。このようなノイズフィルタにおいて、フェライト
コアは、巻線を施したコイルにして、インダクタとして
使用されている。ここで、コイルのインピーダンスＺ
は、巻線の抵抗を無視すると、複素数表示で、 Ｚ＝ｊωＬ （１） となる。ただし、Ｌはコイルのインダクタンス、ωは角
周波数、ｊは虚数単位である。また、インダクタンスＬ
は、フェライトコアの初透磁率μi を用いて、 Ｌ＝μi ・Ｎ2 Ａ／ｌ （２） で表される。ただし、Ｎは巻数、Ａはフェライトコアの
断面積、ｌはフェライトコアの磁路長である。
【００１５】ここで、初透磁率μi は、複素数表示で
は、 μi ＝μi ′−ｊμi ″ （３） となるので、上記（１）〜（３）式から、インピーダン
スＺは、
は、 μi ＝μi ′−ｊμi ″ （３） となるので、上記（１）〜（３）式から、インピーダン
スＺは、
【数１】 となる。したがって、インピーダンスＺの大きさ（絶対
値）｜Ｚ｜は、
値）｜Ｚ｜は、
【数２】 となる。
【００１６】上記（５）式から明らかなように、ノイズ
電流に対するインピーダンスを大きくするには、複素初
透磁率の絶対値を大きくする、すなわち、実部μi ′お
よび虚部μi ″のいずれかを大きくすれば良いことがわ
かる。しかしながら、通常、フェライトコアは、複素初
透磁率の絶対値ではなく、実数部μi ′（低周波領域で
は、μi ′＝｜μi ｜）だけで評価することが多く、μ
i ＝μi ′として扱っている。このため、μi ″の項が
無視できなくなると、μi ′だけでは、Ｚを正確に評価
できなくなる。
電流に対するインピーダンスを大きくするには、複素初
透磁率の絶対値を大きくする、すなわち、実部μi ′お
よび虚部μi ″のいずれかを大きくすれば良いことがわ
かる。しかしながら、通常、フェライトコアは、複素初
透磁率の絶対値ではなく、実数部μi ′（低周波領域で
は、μi ′＝｜μi ｜）だけで評価することが多く、μ
i ＝μi ′として扱っている。このため、μi ″の項が
無視できなくなると、μi ′だけでは、Ｚを正確に評価
できなくなる。
【００１７】ここで、μi ′は、高周波になると、渦電
流損失による磁気緩和や種々の共鳴現象で急激に低下す
るが、μi ″は、逆に高周波で増加する。このため、μ
i ′を高周波まで維持するには、まず、比抵抗を高め
て、渦電流損失を低下させることが必要となるが、比抵
抗を高くすると、低周波でのμi ′が逆に低下するとい
う問題が生じることになる。
流損失による磁気緩和や種々の共鳴現象で急激に低下す
るが、μi ″は、逆に高周波で増加する。このため、μ
i ′を高周波まで維持するには、まず、比抵抗を高め
て、渦電流損失を低下させることが必要となるが、比抵
抗を高くすると、低周波でのμi ′が逆に低下するとい
う問題が生じることになる。
【００１８】したがって、例えば、ノイズフィルタ用の
フェライトコアの特性評価は、複素初透磁率の実部
μi ′ではなく、その絶対値（μi ′2 ＋μi ″2 ）
1/2 の大きさと、必要な比抵抗をどの程度にするかで判
断すべきであるが、このような観点で、高周波領域まで
複素初透磁率の絶対値の大きな材料は、これまで提供さ
れていなかった。
フェライトコアの特性評価は、複素初透磁率の実部
μi ′ではなく、その絶対値（μi ′2 ＋μi ″2 ）
1/2 の大きさと、必要な比抵抗をどの程度にするかで判
断すべきであるが、このような観点で、高周波領域まで
複素初透磁率の絶対値の大きな材料は、これまで提供さ
れていなかった。
【００１９】本発明は、このような知見をもとに、種々
の実験と検討を行った結果、MnO ，ZnO ，Fe2O3 を主成
分とするMn−Zn系ソフトフェライトにおいて、１kHz の
低周波数領域から 500kHz 〜１MHz 程度の高周波数領域
にわたって、例えば、ノイズフィルタとして好適な複素
初透磁率の絶対値の高いフェライトを提供し得たもので
ある。
の実験と検討を行った結果、MnO ，ZnO ，Fe2O3 を主成
分とするMn−Zn系ソフトフェライトにおいて、１kHz の
低周波数領域から 500kHz 〜１MHz 程度の高周波数領域
にわたって、例えば、ノイズフィルタとして好適な複素
初透磁率の絶対値の高いフェライトを提供し得たもので
ある。
【００２０】まず、本発明における基本成分の限定は、
以下の理由による。すなわち、初透磁率に重大な影響を
及ぼす磁気異方性定数、磁歪定数は、主成分である、Fe
2O3，MnO ，ZnO の組成比に依存することが知られてお
り、微量成分を添加する前の基本成分の初透磁率をどの
程度にとるか、セカンダリーピーク、キュリー点をどの
程度に設定するか、という観点から、Fe2O3 ，MnO ，Zn
O の組成範囲が限定される。さらに、例えば、ノイズフ
ィルタの動作温度は、通常、室温から 120℃程度とされ
ており、この温度範囲で初透磁率が高く、かつ、正の温
度係数を持つことが要求される。このようなことから、
Fe2O3 ，MnO ，ZnO の組成範囲は、次のように限定され
る。 MnO ： 20〜30 mol％ ZnO ： 18〜25 mol％ Fe2O3 ： 残部
以下の理由による。すなわち、初透磁率に重大な影響を
及ぼす磁気異方性定数、磁歪定数は、主成分である、Fe
2O3，MnO ，ZnO の組成比に依存することが知られてお
り、微量成分を添加する前の基本成分の初透磁率をどの
程度にとるか、セカンダリーピーク、キュリー点をどの
程度に設定するか、という観点から、Fe2O3 ，MnO ，Zn
O の組成範囲が限定される。さらに、例えば、ノイズフ
ィルタの動作温度は、通常、室温から 120℃程度とされ
ており、この温度範囲で初透磁率が高く、かつ、正の温
度係数を持つことが要求される。このようなことから、
Fe2O3 ，MnO ，ZnO の組成範囲は、次のように限定され
る。 MnO ： 20〜30 mol％ ZnO ： 18〜25 mol％ Fe2O3 ： 残部
【００２１】ここで、MnO が20mol ％未満または30mol
％を超え、ZnO が18mol ％未満または25mol ％を超える
と、スピネルの化学組成の変化により、初透磁率が大幅
に低下することになる。なお、Fe2O3 ，MnO ，ZnO の原
料としては、酸化物だけでなく、焼成により、この形態
に変わることのできる炭酸塩などの化合物を使用するこ
ともできる。
％を超え、ZnO が18mol ％未満または25mol ％を超える
と、スピネルの化学組成の変化により、初透磁率が大幅
に低下することになる。なお、Fe2O3 ，MnO ，ZnO の原
料としては、酸化物だけでなく、焼成により、この形態
に変わることのできる炭酸塩などの化合物を使用するこ
ともできる。
【００２２】また、初透磁率をより向上させるために、
上記の基本組成に加えて、SiO2，CaO およびNb2O5 を所
定量添加するのが好ましい。これらの添加物は、0.005
wt％未満であると焼成条件を調節しても、 100Ωcm以上
の比抵抗を得るのが困難になり、また、SiO2は0.02wt
％，CaO は0.20wt％，Nb2O5 は0.05wt％を超えると、異
常粒成長の原因となったり、低周波領域で所望の初透磁
率が得られなくなる。したがって、SiO2は0.005 〜0.02
wt％、CaO は0.005 〜0.20wt％、Nb2O5 は0.005〜0.05w
t％の範囲とする。
上記の基本組成に加えて、SiO2，CaO およびNb2O5 を所
定量添加するのが好ましい。これらの添加物は、0.005
wt％未満であると焼成条件を調節しても、 100Ωcm以上
の比抵抗を得るのが困難になり、また、SiO2は0.02wt
％，CaO は0.20wt％，Nb2O5 は0.05wt％を超えると、異
常粒成長の原因となったり、低周波領域で所望の初透磁
率が得られなくなる。したがって、SiO2は0.005 〜0.02
wt％、CaO は0.005 〜0.20wt％、Nb2O5 は0.005〜0.05w
t％の範囲とする。
【００２３】さらに、初透磁率全体を向上させるため
に、上記のSiO2，CaO およびNb2O5 に加えて、Bi2O3 を
添加することもできる。このBi2O3 は、0.005 wt％未満
であると添加効果に乏しく、また0.05wt％を超えると効
果が見られなくなったり、かえって比抵抗が低下したり
するので、0.005 〜0.05wt％の範囲とする。
に、上記のSiO2，CaO およびNb2O5 に加えて、Bi2O3 を
添加することもできる。このBi2O3 は、0.005 wt％未満
であると添加効果に乏しく、また0.05wt％を超えると効
果が見られなくなったり、かえって比抵抗が低下したり
するので、0.005 〜0.05wt％の範囲とする。
【００２４】また、比抵抗は、 100Ωcm以上あれば、高
周波においてμi ′とμi ″とをバランスよく大きくす
ることができ、１kHz と 500kHz において複素初透磁率
の絶対値（μi ′2 ＋μi ″2 ）1/2 を、8000以上とす
ることができる。
周波においてμi ′とμi ″とをバランスよく大きくす
ることができ、１kHz と 500kHz において複素初透磁率
の絶対値（μi ′2 ＋μi ″2 ）1/2 を、8000以上とす
ることができる。
【００２５】本発明のMn−Zn系フェライトは、通常、各
粉末原料を所定の最終組成になるように混合して仮焼
し、次いで得られたフェライト仮焼粉に添加成分を混合
して粉砕した後、造粒して圧縮成形し、次いで焼成する
ことにより製造される。この過程において、特に本発明
では、焼成の昇温途中の1100℃から焼成保持温度に達す
るまでは、少なくとも 400℃／ｈ以上の昇温速度とし、
かつ、焼成雰囲気を非酸化性雰囲気として、その後、焼
成保持温度で焼成雰囲気中の酸素濃度を10体積％以下に
して焼成する点に特徴がある。
粉末原料を所定の最終組成になるように混合して仮焼
し、次いで得られたフェライト仮焼粉に添加成分を混合
して粉砕した後、造粒して圧縮成形し、次いで焼成する
ことにより製造される。この過程において、特に本発明
では、焼成の昇温途中の1100℃から焼成保持温度に達す
るまでは、少なくとも 400℃／ｈ以上の昇温速度とし、
かつ、焼成雰囲気を非酸化性雰囲気として、その後、焼
成保持温度で焼成雰囲気中の酸素濃度を10体積％以下に
して焼成する点に特徴がある。
【００２６】ここで、焼成の昇温途中の1100℃から焼成
保持温度に達するまでは、少なくとも 400℃/h以上の昇
温速度とし、かつ焼成雰囲気を非酸化性雰囲気とするの
は、単一のスピネル結晶相からなる、結晶粒度が大きく
て均一な焼結体を形成し、その後の酸素雰囲気を制御し
た温度保持の焼成で、比抵抗を 100Ωcm以上で、かつ、
複素初透磁率の絶対値を大きくさせるためである。な
お、非酸化性雰囲気としては、工業的に用いられる窒素
や二酸化炭素、あるいは通常のロータリーポンプなどで
作ることのできる真空でもよいし、Ar，He等の希ガスで
も可能である。
保持温度に達するまでは、少なくとも 400℃/h以上の昇
温速度とし、かつ焼成雰囲気を非酸化性雰囲気とするの
は、単一のスピネル結晶相からなる、結晶粒度が大きく
て均一な焼結体を形成し、その後の酸素雰囲気を制御し
た温度保持の焼成で、比抵抗を 100Ωcm以上で、かつ、
複素初透磁率の絶対値を大きくさせるためである。な
お、非酸化性雰囲気としては、工業的に用いられる窒素
や二酸化炭素、あるいは通常のロータリーポンプなどで
作ることのできる真空でもよいし、Ar，He等の希ガスで
も可能である。
【００２７】
（実施例１）MnO ：25 mol％，ZnO ：23 mol％，残部 F
e2O3を混合後、 925℃で３時間仮焼した。これに表１に
示す量の微量添加物を添加し、ボールミルで８時間粉砕
した後、リング状に成形し、次いで、大気中で昇温速度
250℃/hで昇温し、1150℃からは、二酸化炭素雰囲気と
して昇温速度を 600℃/hに上げた。その後、保持温度13
70℃に達してからは、酸素濃度を10体積％以下に制御し
て３時間焼成した。得られた焼結体の比抵抗および１kH
z ， 500kHz での複素初透磁率の絶対値を、それぞれ表
１に示す。表１において、本発明の範囲内のものは発明
例とし、範囲外のものを比較例としている。
e2O3を混合後、 925℃で３時間仮焼した。これに表１に
示す量の微量添加物を添加し、ボールミルで８時間粉砕
した後、リング状に成形し、次いで、大気中で昇温速度
250℃/hで昇温し、1150℃からは、二酸化炭素雰囲気と
して昇温速度を 600℃/hに上げた。その後、保持温度13
70℃に達してからは、酸素濃度を10体積％以下に制御し
て３時間焼成した。得られた焼結体の比抵抗および１kH
z ， 500kHz での複素初透磁率の絶対値を、それぞれ表
１に示す。表１において、本発明の範囲内のものは発明
例とし、範囲外のものを比較例としている。
【００２８】
【表１】
【００２９】実施例１によれば、１kHz ， 500kHz にお
けるそれぞれの複素初透磁率の絶対値が、8000以上のフ
ェライトコアを得ることができる。したがって、かかる
フェライトコアを、例えば、ノイズフィルタに搭載すれ
ば、優れたフィルタ特性を発揮することができる。
けるそれぞれの複素初透磁率の絶対値が、8000以上のフ
ェライトコアを得ることができる。したがって、かかる
フェライトコアを、例えば、ノイズフィルタに搭載すれ
ば、優れたフィルタ特性を発揮することができる。
【００３０】（実施例２）MnO ：28 mol％，ZnO ：20 m
ol％，残部 Fe2O3を混合後、 950℃で３時間仮焼した。
これに表２に示す量のを微量添加物を添加し、ボールミ
ルで８時間粉砕した後、リング状に成形し、次いで、大
気中で昇温速度 250℃/hで昇温し、1100℃からは、窒素
雰囲気として昇温速度を 500℃/hに上げた。その後、保
持温度1360℃に達してからは、酸素濃度を10体積％以下
に制御して５時間焼成した。得られた焼結体の比抵抗お
よび１kHz ， 500kHz での複素初透磁率の絶対値を、そ
れぞれ表２に示す。表２において、本発明の範囲内のも
のは発明例とし、範囲外のものを比較例としている。
ol％，残部 Fe2O3を混合後、 950℃で３時間仮焼した。
これに表２に示す量のを微量添加物を添加し、ボールミ
ルで８時間粉砕した後、リング状に成形し、次いで、大
気中で昇温速度 250℃/hで昇温し、1100℃からは、窒素
雰囲気として昇温速度を 500℃/hに上げた。その後、保
持温度1360℃に達してからは、酸素濃度を10体積％以下
に制御して５時間焼成した。得られた焼結体の比抵抗お
よび１kHz ， 500kHz での複素初透磁率の絶対値を、そ
れぞれ表２に示す。表２において、本発明の範囲内のも
のは発明例とし、範囲外のものを比較例としている。
【００３１】
【表２】
【００３２】実施例２によれば、実施例１と同様に、１
kHz ， 500kHz におけるそれぞれの複素初透磁率の絶対
値が、8000以上のフェライトコアを得ることができる。
したがって、かかるフェライトコアを、例えば、ノイズ
フィルタに搭載すれば、優れたフィルタ特性を発揮する
ことができる。
kHz ， 500kHz におけるそれぞれの複素初透磁率の絶対
値が、8000以上のフェライトコアを得ることができる。
したがって、かかるフェライトコアを、例えば、ノイズ
フィルタに搭載すれば、優れたフィルタ特性を発揮する
ことができる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、１kHz
の低周波数領域から 500kHz 〜１MHz程度の高周波数領
域にわたって、ノイズフィルタなどに使用するのに適し
た高透磁率Mn−Zn系フェライトを得ることができる。
の低周波数領域から 500kHz 〜１MHz程度の高周波数領
域にわたって、ノイズフィルタなどに使用するのに適し
た高透磁率Mn−Zn系フェライトを得ることができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 MnO ：20〜30 mol％、ZnO ：18〜25 mol
％および残部実質的にFe2O3 からなる基本成分組成を有
し、１kHz および 500kHz におけるそれぞれの複素初透
磁率の絶対値が8000以上であることを特徴とする高透磁
率酸化物磁性材料。 - 【請求項２】 MnO ：20〜30 mol％、ZnO ：18〜25 mol
％および残部実質的にFe2O3 からなる基本成分組成を有
し、直流比抵抗が 100Ωcm以上で、かつ、１kHz および
500kHz におけるそれぞれの複素初透磁率の絶対値が80
00以上であることを特徴とする高透磁率酸化物磁性材
料。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の高透磁率酸化物
磁性材料において、 さらに、0.005 〜0.02wt％のSiO2、0.005 〜0.20wt％の
CaOおよび0.005 〜0.05wt％のNb2O5 を含有することを
特徴とする高透磁率酸化物磁性材料。 - 【請求項４】 請求項３記載の高透磁率酸化物磁性材料
において、 さらに、0.005 〜0.05wt％の Bi2O3を含有することを特
徴とする高透磁率酸化物磁性材料。 - 【請求項５】 主要成分である酸化物原料を秤量して混
合し、仮焼して得られるフェライト仮焼粉に選択的に添
加物成分を混合して粉砕し、次いで、造粒して成形した
のち焼成して、請求項１〜４のいずれか記載の高透磁率
酸化物材料を製造するにあたり、 焼成の昇温途中の1100℃から焼成保持温度に達するまで
は、少なくとも 400℃／ｈ以上の昇温速度とし、かつ、
焼成雰囲気を非酸化性雰囲気とし、その後、焼成保持温
度で焼成雰囲気中の酸素濃度を10体積％以下にして焼成
することを特徴とする高透磁率酸化物磁性材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8204690A JPH1050512A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8204690A JPH1050512A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050512A true JPH1050512A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16494704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8204690A Pending JPH1050512A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 高透磁率酸化物磁性材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050512A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1279651A2 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | TDK Corporation | Magnetic core for transformer, Mn-Zn based ferrite composition and methods of producing the same |
| JP2014123708A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-07-03 | Jfe Chemical Corp | ＭｎＺｎフェライトおよびその製造方法 |
| JP2014123709A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-07-03 | Jfe Chemical Corp | ＭｎＺｎフェライトコアおよびその製造方法 |
| JP2016540710A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-12-28 | ビーワイディー カンパニー リミテッドＢｙｄ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 波吸収材料及びその調製方法 |
-
1996
- 1996-08-02 JP JP8204690A patent/JPH1050512A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1279651A2 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | TDK Corporation | Magnetic core for transformer, Mn-Zn based ferrite composition and methods of producing the same |
| EP1279651A3 (en) * | 2001-07-17 | 2004-05-26 | TDK Corporation | Magnetic core for transformer, Mn-Zn based ferrite composition and methods of producing the same |
| US6773619B2 (en) | 2001-07-17 | 2004-08-10 | Tdk Corporation | Magnetic core for transformer, Mn-Zn based ferrite composition and methods of producing the same |
| JP2014123708A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-07-03 | Jfe Chemical Corp | ＭｎＺｎフェライトおよびその製造方法 |
| JP2014123709A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-07-03 | Jfe Chemical Corp | ＭｎＺｎフェライトコアおよびその製造方法 |
| JP2016540710A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-12-28 | ビーワイディー カンパニー リミテッドＢｙｄ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 波吸収材料及びその調製方法 |
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