JPH08236336A - 低損失酸化物磁性材料 - Google Patents
低損失酸化物磁性材料Info
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- JPH08236336A JPH08236336A JP7064819A JP6481995A JPH08236336A JP H08236336 A JPH08236336 A JP H08236336A JP 7064819 A JP7064819 A JP 7064819A JP 6481995 A JP6481995 A JP 6481995A JP H08236336 A JPH08236336 A JP H08236336A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １００ｋＨｚから１ＭＨｚにおいて、電力損
失が小さい酸化物磁性材料を提供すること。 【構成】 主成分として、Ｆｅ2Ｏ3，ＭｎＯ及びＺｎＯ
からなり、副成分として、ＳｉＯ2，ＣａＯと、更に、
０.１ｗｔ％以下（０を含まず）のＴａ2Ｏ5、０.１ｗｔ
％以下（０を含まず）のＮｂ2Ｏ5、０.４ｗｔ％以下
（０を含まず）のＴｉＯ2のうち、少なくとも一種以上
を含有させた低損失酸化物磁性材料において、更に、副
成分として、０.１ｗｔ％以下（０を含まず）のＡｌ2Ｏ
3を含有させ、かつ、Ａｌ2Ｏ3総含有量の６５〜９５ｗ
ｔ％の範囲で、スピネル相結晶粒子中に固溶させる。
失が小さい酸化物磁性材料を提供すること。 【構成】 主成分として、Ｆｅ2Ｏ3，ＭｎＯ及びＺｎＯ
からなり、副成分として、ＳｉＯ2，ＣａＯと、更に、
０.１ｗｔ％以下（０を含まず）のＴａ2Ｏ5、０.１ｗｔ
％以下（０を含まず）のＮｂ2Ｏ5、０.４ｗｔ％以下
（０を含まず）のＴｉＯ2のうち、少なくとも一種以上
を含有させた低損失酸化物磁性材料において、更に、副
成分として、０.１ｗｔ％以下（０を含まず）のＡｌ2Ｏ
3を含有させ、かつ、Ａｌ2Ｏ3総含有量の６５〜９５ｗ
ｔ％の範囲で、スピネル相結晶粒子中に固溶させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低損失酸化物磁性材料
に関し、更に詳しくは、電源用トランス材等に用いられ
るスピネル型Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに関するものであ
る。
に関し、更に詳しくは、電源用トランス材等に用いられ
るスピネル型Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電源用トランス材は、その駆動周
波数が２００ｋＨｚ程度以下で使用されてきた。しかし
ながら近年の各種電子機器の高性能化及び小型化の進展
は著しく、それに伴い電源用トランス材の、より一層の
高性能化、小型化が望まれている。それ故、メイントラ
ンス、あるいは平滑チョークなどや、電源用トランス材
に用いられるＭｎ−Ｚｎ系フェライトの、より一層の低
損失化が望まれているところである。また、電子機器の
小型、軽量化のため、駆動周波数の高周波化に対する検
討も各方面で著しく、１ＭＨｚ程度の電源も製品化され
つつあるのが現状である。
波数が２００ｋＨｚ程度以下で使用されてきた。しかし
ながら近年の各種電子機器の高性能化及び小型化の進展
は著しく、それに伴い電源用トランス材の、より一層の
高性能化、小型化が望まれている。それ故、メイントラ
ンス、あるいは平滑チョークなどや、電源用トランス材
に用いられるＭｎ−Ｚｎ系フェライトの、より一層の低
損失化が望まれているところである。また、電子機器の
小型、軽量化のため、駆動周波数の高周波化に対する検
討も各方面で著しく、１ＭＨｚ程度の電源も製品化され
つつあるのが現状である。
【０００３】ところが、従来のＭｎ−Ｚｎ系フェライト
を１ＭＨｚのような高周波で使用した場合、フェライト
の電力損失による発熱が著しく、その機能を有効に果た
すことができないという欠点を有していた。
を１ＭＨｚのような高周波で使用した場合、フェライト
の電力損失による発熱が著しく、その機能を有効に果た
すことができないという欠点を有していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、低周波から
高周波までの全域の使用に対して、Ｍｎ−Ｚｎ系フェラ
イトの低損失化の要望に応えるためになされたもので、
前記従来技術の欠点を除去し、１００ｋＨｚ程度から１
ＭＨｚ付近の高周波帯域においても、電力損失が小さ
く、発熱を有効に抑えた低損失酸化物磁性材料を提供す
ることにある。
高周波までの全域の使用に対して、Ｍｎ−Ｚｎ系フェラ
イトの低損失化の要望に応えるためになされたもので、
前記従来技術の欠点を除去し、１００ｋＨｚ程度から１
ＭＨｚ付近の高周波帯域においても、電力損失が小さ
く、発熱を有効に抑えた低損失酸化物磁性材料を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】一般的に、Ａｌ2Ｏ3は、
主成分と置換して、スピネル相結晶粒子内に固溶すると
されているが、従来の技術において、その固溶量の明確
な限定は、未だなされていない。そこで、本発明者は種
々の検討を行った結果、副成分であるＡｌ2Ｏ3を、結晶
粒子内と共に、結晶粒界へも特定比率濃縮せしめること
により、前述した問題を解決し、より一層低損失なＭｎ
−Ｚｎ系フェライトが得られることを見い出したもので
ある。
主成分と置換して、スピネル相結晶粒子内に固溶すると
されているが、従来の技術において、その固溶量の明確
な限定は、未だなされていない。そこで、本発明者は種
々の検討を行った結果、副成分であるＡｌ2Ｏ3を、結晶
粒子内と共に、結晶粒界へも特定比率濃縮せしめること
により、前述した問題を解決し、より一層低損失なＭｎ
−Ｚｎ系フェライトが得られることを見い出したもので
ある。
【０００６】即ち、Ａｌ2Ｏ3をＡｌ2Ｏ3総含有量の６５
〜９５％の範囲でスピネル相結晶粒子中に固溶せしめる
ことにより、電力損失が改善でき、電源用トランス材の
高性能化を実現できるものである。
〜９５％の範囲でスピネル相結晶粒子中に固溶せしめる
ことにより、電力損失が改善でき、電源用トランス材の
高性能化を実現できるものである。
【０００７】即ち、本発明は、主成分として、３０〜４
２ｍｏｌ％の酸化マンガン（ＭｎＯ）、４〜１９ｍｏｌ
％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び残部として酸化第二鉄（Ｆ
ｅ2Ｏ3）からなり、第１の副成分として、０.１ｗｔ％
以下（０を含まず）の酸化珪素（ＳｉＯ2）及び０.１５
ｗｔ％以下（０を含まず）の酸化カルシウム（ＣａＯ）
と、更に第２の副成分として、０.１ｗｔ％以下（０を
含まず）の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、０.１ｗｔ％以
下（０を含まず）の酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、０.４ｗ
ｔ％以下（０を含まず）の酸化チタン（ＴｉＯ2）のう
ち、少なくとも一種以上を含有する低損失酸化物磁性材
料において、更に、第３の副成分として、０.１ｗｔ％
以下（０を含まず）の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を
含有させ、かつ、Ａｌ2Ｏ3総含有量の６５〜９５％の範
囲で、スピネル相結晶粒子中に固溶させたことを特徴と
する低損失酸化物磁性材料である。
２ｍｏｌ％の酸化マンガン（ＭｎＯ）、４〜１９ｍｏｌ
％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び残部として酸化第二鉄（Ｆ
ｅ2Ｏ3）からなり、第１の副成分として、０.１ｗｔ％
以下（０を含まず）の酸化珪素（ＳｉＯ2）及び０.１５
ｗｔ％以下（０を含まず）の酸化カルシウム（ＣａＯ）
と、更に第２の副成分として、０.１ｗｔ％以下（０を
含まず）の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、０.１ｗｔ％以
下（０を含まず）の酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、０.４ｗ
ｔ％以下（０を含まず）の酸化チタン（ＴｉＯ2）のう
ち、少なくとも一種以上を含有する低損失酸化物磁性材
料において、更に、第３の副成分として、０.１ｗｔ％
以下（０を含まず）の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を
含有させ、かつ、Ａｌ2Ｏ3総含有量の６５〜９５％の範
囲で、スピネル相結晶粒子中に固溶させたことを特徴と
する低損失酸化物磁性材料である。
【０００８】
【作用】本発明において、副成分であるＡｌ2Ｏ3を、ス
ピネル相結晶粒子内へ特定比率固溶させることにより、
電力損失特性の向上が図れたのは、焼結の昇温部におい
て、７００℃以上の温度で、１ｖｏｌ％から大気（Ａｉ
ｒ）までの範囲で酸素分圧を調整し、かつ、冷却部にお
いて、５０〜１０００℃／Ｈｒの各冷却速度に応じた酸
素分圧の制御を行うことにより、結晶粒子内と共に、結
晶粒界へもＡｌ2Ｏ3を濃縮させることができ、結果とし
て、粒界相及びスピネル相結晶の比抵抗が共に向上し、
主に渦電流損失が低下したためと思われる。
ピネル相結晶粒子内へ特定比率固溶させることにより、
電力損失特性の向上が図れたのは、焼結の昇温部におい
て、７００℃以上の温度で、１ｖｏｌ％から大気（Ａｉ
ｒ）までの範囲で酸素分圧を調整し、かつ、冷却部にお
いて、５０〜１０００℃／Ｈｒの各冷却速度に応じた酸
素分圧の制御を行うことにより、結晶粒子内と共に、結
晶粒界へもＡｌ2Ｏ3を濃縮させることができ、結果とし
て、粒界相及びスピネル相結晶の比抵抗が共に向上し、
主に渦電流損失が低下したためと思われる。
【０００９】本発明において、スピネル相結晶粒子中の
Ａｌ2Ｏ3固溶量をＡｌ2Ｏ3総含有量の６５〜９５ｗｔ％
としたのは、９５ｗｔ％より多いＡｌ2Ｏ3を結晶粒子中
に固溶せしめた場合には、粒界相の形成が不十分とな
り、粒界相の比抵抗が著しく低下し、ヒステリシス損失
と渦電流損失が共に増大し、電力損失が劣化するためで
ある。又、６５ｗｔ％未満でＡｌ2Ｏ3を結晶粒子中に固
溶せしめた場合においては、粒界相とスピネル相結晶粒
子との組成及び酸化度の差によって生じる磁気的な歪の
影響や、結晶粒子内の比抵抗の低下等により、電力損失
特性のみならず、透磁率の低下を招くためである。
Ａｌ2Ｏ3固溶量をＡｌ2Ｏ3総含有量の６５〜９５ｗｔ％
としたのは、９５ｗｔ％より多いＡｌ2Ｏ3を結晶粒子中
に固溶せしめた場合には、粒界相の形成が不十分とな
り、粒界相の比抵抗が著しく低下し、ヒステリシス損失
と渦電流損失が共に増大し、電力損失が劣化するためで
ある。又、６５ｗｔ％未満でＡｌ2Ｏ3を結晶粒子中に固
溶せしめた場合においては、粒界相とスピネル相結晶粒
子との組成及び酸化度の差によって生じる磁気的な歪の
影響や、結晶粒子内の比抵抗の低下等により、電力損失
特性のみならず、透磁率の低下を招くためである。
【００１０】更に、本発明においては、副成分として、
０.１ｗｔ％以下のＴａ2Ｏ5、０.１ｗｔ％以下のＮｂ2
Ｏ5、０.４ｗｔ％以下のＴｉＯ2のうち、少なくとも一
種以上を添加しているため、電力損失を更に向上させる
ことができる。しかし、上記の添加量を越えた場合に
は、異常粒成長が生じるなどして結晶粒径が不均一とな
り、比抵抗が著しく低下し、ヒステリシス損失と渦電流
損失が共に増大し、電力損失が劣化する。
０.１ｗｔ％以下のＴａ2Ｏ5、０.１ｗｔ％以下のＮｂ2
Ｏ5、０.４ｗｔ％以下のＴｉＯ2のうち、少なくとも一
種以上を添加しているため、電力損失を更に向上させる
ことができる。しかし、上記の添加量を越えた場合に
は、異常粒成長が生じるなどして結晶粒径が不均一とな
り、比抵抗が著しく低下し、ヒステリシス損失と渦電流
損失が共に増大し、電力損失が劣化する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係わる低損失酸化物磁性材料
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
【００１２】（実施例１）高純度のＦｅ2Ｏ3，Ｍｎ
3Ｏ4，ＺｎＯの原料粉末を、５３.２ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ
3、３６.３ｍｏｌ％のＭｎＯ、１０.５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏとなるように秤量し、これらの粉末をボールミルにて
混合した後、９００℃で仮焼した。
3Ｏ4，ＺｎＯの原料粉末を、５３.２ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ
3、３６.３ｍｏｌ％のＭｎＯ、１０.５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏとなるように秤量し、これらの粉末をボールミルにて
混合した後、９００℃で仮焼した。
【００１３】次に、この仮焼粉末に０.０２ｗｔ％のＳ
ｉＯ2、０.０４ｗｔ％のＣａＯ、及び０.２ｗｔ％以下
のＡｌ2Ｏ3を添加し、更に、３種類の副成分、即ち、
０.２ｗｔ％以下のＴａ2Ｏ5、０.２ｗｔ％以下のＮｂ2
Ｏ5、０.５ｗｔ％以下のＴｉＯ2を所定の組み合わせに
て添加して、更にボールミルで混合、解砕を行った。
ｉＯ2、０.０４ｗｔ％のＣａＯ、及び０.２ｗｔ％以下
のＡｌ2Ｏ3を添加し、更に、３種類の副成分、即ち、
０.２ｗｔ％以下のＴａ2Ｏ5、０.２ｗｔ％以下のＮｂ2
Ｏ5、０.５ｗｔ％以下のＴｉＯ2を所定の組み合わせに
て添加して、更にボールミルで混合、解砕を行った。
【００１４】また比較試料として、Ｆｅ2Ｏ3，ＭｎＯ，
ＺｎＯ，ＳｉＯ2，ＣａＯの組成は上記と同様で、上記
３種類の副成分のみを所定の組み合わせで添加して混
合、解砕した粉末も作製した。
ＺｎＯ，ＳｉＯ2，ＣａＯの組成は上記と同様で、上記
３種類の副成分のみを所定の組み合わせで添加して混
合、解砕した粉末も作製した。
【００１５】これらの得られた粉末にバインダーを混合
し、造粒した後、２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これらの
成形体を焼成温度：１２００〜１４００℃、酸素分圧：
１〜１０ｖｏｌ％、冷却速度：５０〜１０００℃／Ｈｒ
の条件下で焼成した。
し、造粒した後、２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これらの
成形体を焼成温度：１２００〜１４００℃、酸素分圧：
１〜１０ｖｏｌ％、冷却速度：５０〜１０００℃／Ｈｒ
の条件下で焼成した。
【００１６】表１は、焼成条件を変化させた中で、周波
数：１００ｋＨｚ、磁束密度：２０００Ｇ、温度：１０
０℃において、最も優れた電力損失（以下、Ｐｃｖと称
す）を各試料ごとに示したものである。
数：１００ｋＨｚ、磁束密度：２０００Ｇ、温度：１０
０℃において、最も優れた電力損失（以下、Ｐｃｖと称
す）を各試料ごとに示したものである。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１の「Ａｌ2Ｏ3量」の欄は、スピネル相
結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量を示し、化学的なエッチングに
より粒界相を除去したスピネル相結晶粒子内の含有量
を、総含有量に対する比率（ｗｔ％）で示した値であ
る。なお、表１中には、本発明の範囲内の試料のみを示
した。
結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量を示し、化学的なエッチングに
より粒界相を除去したスピネル相結晶粒子内の含有量
を、総含有量に対する比率（ｗｔ％）で示した値であ
る。なお、表１中には、本発明の範囲内の試料のみを示
した。
【００１９】表１より、本発明の試料は、比較試料より
も著しく低いＰｃｖ値が得られていることがわかる。
も著しく低いＰｃｖ値が得られていることがわかる。
【００２０】（実施例２）高純度のＦｅ2Ｏ3，Ｍｎ
3Ｏ4，ＺｎＯの原料粉末を、５３.２ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ
3、３６.３ｍｏｌ％のＭｎＯ、１０.５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏとなるように秤量し、これらの粉末をボールミルにて
混合した後、９５０℃で仮焼した。
3Ｏ4，ＺｎＯの原料粉末を、５３.２ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ
3、３６.３ｍｏｌ％のＭｎＯ、１０.５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏとなるように秤量し、これらの粉末をボールミルにて
混合した後、９５０℃で仮焼した。
【００２１】次に、この仮焼粉末に０.０２ｗｔ％のＳ
ｉＯ2、０.０４ｗｔ％のＣａＯ、０.０１ｗｔ％のＴｉ
Ｏ2及び０〜０.１５ｗｔ％のＡｌ2Ｏ3を添加して、更
に、ボールミルで混合、解砕を行った。
ｉＯ2、０.０４ｗｔ％のＣａＯ、０.０１ｗｔ％のＴｉ
Ｏ2及び０〜０.１５ｗｔ％のＡｌ2Ｏ3を添加して、更
に、ボールミルで混合、解砕を行った。
【００２２】次に、得られた粉末にバインダーを混合
し、造粒した後、２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これらの
成形体を焼成温度：１２００〜１４００℃、酸素分圧：
１〜１０ｖｏｌ％、冷却速度：１０〜１０００℃／Ｈｒ
の条件下で焼成した。
し、造粒した後、２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これらの
成形体を焼成温度：１２００〜１４００℃、酸素分圧：
１〜１０ｖｏｌ％、冷却速度：１０〜１０００℃／Ｈｒ
の条件下で焼成した。
【００２３】図１は、Ａｌ2Ｏ3含有量を変化させた時に
得られた各試料の１００ｋＨｚ、２０００Ｇ、１００℃
の条件でのＰｃｖ、及び１００ｋＨｚ、常温の条件での
初透磁率（以下、μｉと称す）の値を示す図であり、各
試料毎に最も低いＰｃｖ値が得られたスピネル相結晶粒
子内のＡｌ2Ｏ3量を示している。なお、グラフ中のプロ
ット付近の数値は、Ａｌ2Ｏ3総含有量中のスピネル相結
晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量を示している。
得られた各試料の１００ｋＨｚ、２０００Ｇ、１００℃
の条件でのＰｃｖ、及び１００ｋＨｚ、常温の条件での
初透磁率（以下、μｉと称す）の値を示す図であり、各
試料毎に最も低いＰｃｖ値が得られたスピネル相結晶粒
子内のＡｌ2Ｏ3量を示している。なお、グラフ中のプロ
ット付近の数値は、Ａｌ2Ｏ3総含有量中のスピネル相結
晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量を示している。
【００２４】図１より、Ａｌ2Ｏ3の含有量が０〜０.１
０ｗｔ％（０ｗｔ％を除く）の時に優れた磁気特性が得
られていることがわかる。
０ｗｔ％（０ｗｔ％を除く）の時に優れた磁気特性が得
られていることがわかる。
【００２５】（実施例３）高純度のＦｅ2Ｏ3，Ｍｎ
3Ｏ4，ＺｎＯの原料粉末を、５３.２ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ
3、３６.３ｍｏｌ％のＭｎＯ、１０.５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏとなるように秤量し、これらの粉末をボールミルにて
混合した後、９００℃で仮焼した。
3Ｏ4，ＺｎＯの原料粉末を、５３.２ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ
3、３６.３ｍｏｌ％のＭｎＯ、１０.５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏとなるように秤量し、これらの粉末をボールミルにて
混合した後、９００℃で仮焼した。
【００２６】次に、この仮焼粉末に０.０２ｗｔ％のＳ
ｉＯ2、０.０４ｗｔ％のＣａＯ、０.０３ｗｔ％のＮｂ2
Ｏ5及び０.０４ｗｔ％のＡｌ2Ｏ3を添加して、更に、ボ
ールミルで混合、解砕を行った。
ｉＯ2、０.０４ｗｔ％のＣａＯ、０.０３ｗｔ％のＮｂ2
Ｏ5及び０.０４ｗｔ％のＡｌ2Ｏ3を添加して、更に、ボ
ールミルで混合、解砕を行った。
【００２７】次に、得られた粉末にバインダーを混合
し、造粒した後、２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これらの
成形体を焼成温度：１２００〜１４００℃、酸素分圧：
１〜１０ｖｏｌ％、冷却速度：５０〜１０００℃／Ｈｒ
の条件下で焼成した。
し、造粒した後、２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これらの
成形体を焼成温度：１２００〜１４００℃、酸素分圧：
１〜１０ｖｏｌ％、冷却速度：５０〜１０００℃／Ｈｒ
の条件下で焼成した。
【００２８】図２は、スピネル相結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3
含有量を変化させた時に得られた各試料の１００ｋＨ
ｚ、２０００Ｇ、１００℃の条件でのＰｃｖ及び１００
ｋＨｚ、常温の条件でのμｉ値を示している。
含有量を変化させた時に得られた各試料の１００ｋＨ
ｚ、２０００Ｇ、１００℃の条件でのＰｃｖ及び１００
ｋＨｚ、常温の条件でのμｉ値を示している。
【００２９】図２のスピネル相結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量
は、化学的なエッチングにより粒界相を除去したスピネ
ル相結晶粒子内の含有量を、総含有量に対する比率
（％）で示した値である。
は、化学的なエッチングにより粒界相を除去したスピネ
ル相結晶粒子内の含有量を、総含有量に対する比率
（％）で示した値である。
【００３０】図２より、Ａｌ2Ｏ3の含有量の６５〜９５
％の範囲で、Ａｌ2Ｏ3をスピネル相結晶粒子中に固溶せ
しめた試料は、低いＰｃｖ値が得られていることがわか
る。
％の範囲で、Ａｌ2Ｏ3をスピネル相結晶粒子中に固溶せ
しめた試料は、低いＰｃｖ値が得られていることがわか
る。
【００３１】（実施例４）高純度のＦｅ2Ｏ3，Ｍｎ
3Ｏ4，ＺｎＯの原料粉末を、５３ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、
３９.２ｍｏｌ％のＭｎＯ、７.８ｍｏｌ％のＺｎＯとな
るように秤量し、これらの粉末をボールミルにて混合し
た後、８００℃で仮焼した。
3Ｏ4，ＺｎＯの原料粉末を、５３ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、
３９.２ｍｏｌ％のＭｎＯ、７.８ｍｏｌ％のＺｎＯとな
るように秤量し、これらの粉末をボールミルにて混合し
た後、８００℃で仮焼した。
【００３２】次に、この仮焼粉末に０.０３ｗｔ％のＳ
ｉＯ2、０.１０ｗｔ％のＣａＯ、０.０４ｗｔ％のＴａ2
Ｏ5及び０.０３ｗｔ％のＡｌ2Ｏ3を添加して、更に、ボ
ールミルで混合、解砕を行った。
ｉＯ2、０.１０ｗｔ％のＣａＯ、０.０４ｗｔ％のＴａ2
Ｏ5及び０.０３ｗｔ％のＡｌ2Ｏ3を添加して、更に、ボ
ールミルで混合、解砕を行った。
【００３３】次に、得られた粉末にバインダーを混合
し、造粒した後、２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これらの
成形体を焼成温度：１２００〜１４００℃、酸素分圧：
３ｖｏｌ％以下、冷却速度：５０〜１０００℃／Ｈｒの
条件下で焼成した。
し、造粒した後、２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これらの
成形体を焼成温度：１２００〜１４００℃、酸素分圧：
３ｖｏｌ％以下、冷却速度：５０〜１０００℃／Ｈｒの
条件下で焼成した。
【００３４】図３は、スピネル相結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3
含有量を変化させた時に得られた各試料の１ＭＨｚ、５
００Ｇ、６０℃の条件でのＰｃｖ値を示している。
含有量を変化させた時に得られた各試料の１ＭＨｚ、５
００Ｇ、６０℃の条件でのＰｃｖ値を示している。
【００３５】図３のスピネル相結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量
は、化学的なエッチングにより粒界相を除去したスピネ
ル相結晶粒子内の含有量を、総含有量に対する比率
（％）で示した値である。
は、化学的なエッチングにより粒界相を除去したスピネ
ル相結晶粒子内の含有量を、総含有量に対する比率
（％）で示した値である。
【００３６】図３より、Ａｌ2Ｏ3総含有量の６５〜９５
％の範囲で、Ａｌ2Ｏ3をスピネル相結晶粒子中に固溶せ
しめた試料は、低いＰｃｖ値が得られていることがわか
る。
％の範囲で、Ａｌ2Ｏ3をスピネル相結晶粒子中に固溶せ
しめた試料は、低いＰｃｖ値が得られていることがわか
る。
【００３７】
【発明の効果】以上、述べた如く、本発明により、１０
０ｋＨｚ〜１ＭＨｚにおいて、従来よりも低損失で、電
源用トランス材として優れた性能を示す酸化物磁性材料
を得ることができた。
０ｋＨｚ〜１ＭＨｚにおいて、従来よりも低損失で、電
源用トランス材として優れた性能を示す酸化物磁性材料
を得ることができた。
【図１】Ａｌ2Ｏ3含有量とＰｃｖ及びμｉとの関係を示
す図。図１（ａ）はＡｌ2Ｏ3含有量とμｉとの関係を示
す図。図１（ｂ）はＡｌ2Ｏ3含有量とＰｃｖとの関係を
示す図。
す図。図１（ａ）はＡｌ2Ｏ3含有量とμｉとの関係を示
す図。図１（ｂ）はＡｌ2Ｏ3含有量とＰｃｖとの関係を
示す図。
【図２】スピネル相結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量とＰｃｖ及
びμｉとの関係を示す図。図２（ａ）はスピネル相結晶
粒子内のＡｌ2Ｏ3量とμｉとの関係を示す図。図２
（ｂ）はスピネル相結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量とＰｃｖと
の関係を示す図。
びμｉとの関係を示す図。図２（ａ）はスピネル相結晶
粒子内のＡｌ2Ｏ3量とμｉとの関係を示す図。図２
（ｂ）はスピネル相結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量とＰｃｖと
の関係を示す図。
【図３】スピネル相結晶粒子内のＡｌ2Ｏ3量とＰｃｖと
の関係を示す図。
の関係を示す図。
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分として、３０〜４２ｍｏｌ％の酸
化マンガン（ＭｎＯ）、４〜１９ｍｏｌ％の酸化亜鉛
（ＺｎＯ）及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）から
なり、第１の副成分として、０.１ｗｔ％以下（０を含
まず）の酸化珪素（ＳｉＯ2）及び０.１５ｗｔ％以下
（０を含まず）の酸化カルシウム（ＣａＯ）と、更に第
２の副成分として、０.１ｗｔ％以下（０を含まず）の
酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、０.１ｗｔ％以下（０を含
まず）の酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、０.４ｗｔ％以下
（０を含まず）の酸化チタン（ＴｉＯ2）のうち、少な
くとも一種以上を含有する低損失酸化物磁性材料におい
て、更に、第３の副成分として、０.１ｗｔ％以下（０
を含まず）の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を含有さ
せ、かつ、Ａｌ2Ｏ3総含有量の６５〜９５％の範囲で、
スピネル相結晶粒子中に固溶させたことを特徴とする低
損失酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7064819A JPH08236336A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 低損失酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7064819A JPH08236336A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 低損失酸化物磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236336A true JPH08236336A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=13269250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7064819A Pending JPH08236336A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 低損失酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236336A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013241284A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Jfe Chemical Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトおよびその製造方法 |
| CN104402057A (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-11 | 兰州大学 | 制备尖晶石铁氧体纳米颗粒的方法 |
| CN105023691A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-11-04 | 南通保来利轴承有限公司 | 一种基于氧化铁的抗电磁干扰磁体材料及制备方法 |
| JP2016074592A (ja) * | 2015-10-27 | 2016-05-12 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト |
| CN117843358A (zh) * | 2024-01-10 | 2024-04-09 | 安徽大学 | 一种具有尖晶石结构的软磁铁氧体及其应用 |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP7064819A patent/JPH08236336A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013241284A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Jfe Chemical Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトおよびその製造方法 |
| CN104402057A (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-11 | 兰州大学 | 制备尖晶石铁氧体纳米颗粒的方法 |
| CN105023691A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-11-04 | 南通保来利轴承有限公司 | 一种基于氧化铁的抗电磁干扰磁体材料及制备方法 |
| JP2016074592A (ja) * | 2015-10-27 | 2016-05-12 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト |
| CN117843358A (zh) * | 2024-01-10 | 2024-04-09 | 安徽大学 | 一种具有尖晶石结构的软磁铁氧体及其应用 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031224 |