JPH05311273A - 真空バルブ用接点合金の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 再点弧発生頻度を低減し、さらに遮断性能も
改善した真空バルブを得ることができる真空バルブ用接
点合金の製造方法を提供する。 【構成】 原料Ｃｒ粉、Ｃｒ成形体、ＣｒとＣｕの混合
粉、ＣｒとＣｕの成形体の表面の一部又は全部に、略８
００℃で２×１０^-7Ｔｏｒｒよりも高い蒸気圧を有し、
厚さが０．０５〜５μｍの高蒸気圧材料を保護層として
形成し、この後、この高蒸気圧材料の量が０．２５重量
％以下になるように蒸発量制御した方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空バルブ用接点合金
の製造方法に係り、特に再点弧発生頻度の軽減化および
遮断性能を改善できる真空バルブ用接点合金の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】真空バルブ用接点に要求される特性は、
耐溶着、耐電圧、高遮断性である。しかし、これら３要
件に対しては相反する物理的性質が要求されるので理想
的に両立させることは困難であり、適用する回路の優先
要件を第１にして、他の要件は若干犠牲にして対応する
のが現状である。

【０００３】例えば従来、高耐圧、大容量真空遮断器に
おいては、溶着防止成分（Ｂｉ、Ｔｅ、Ｐｂなど）を５
重量％（以下、ｗｔ％と記す）以下含有するＣｕ合金を
電極接点として具備したものが知られている（特公昭４
１−１２１３１号公報）。

【０００４】ところが、近年高電圧要求に対しては、耐
電圧の面で十分ではない。即ち、真空遮断器は小型軽
量、メンテナンスフリー環境調和など、他の遮断器に比
べ優れた特徴を有するために、年々、その適用範囲も拡
大され、従来一般的に使用されていた３６ＫＶ以下の回
路から更に高電圧の回路への適用が行われると共に、特
殊回路例えばコンデンサ回路を開閉する需要も急増して
いるので、一層の耐高電圧化が必要となっている。その
達成を阻害している重要な要因の１つとして再点弧現
象、再発弧現象が挙げられる。

【０００５】再点弧現象は、製品の信頼性向上の観点か
ら重要視されているにもかかわらず、未だ防止技術は勿
論のこと直接的な発生原因についても明らかになってい
ない。

【０００６】上記高耐圧化に伴って、接点材料に対して
も、更に高耐圧でかつ再点弧現象の発生頻度の低い特性
を持つことが要求されている。接点材料の高耐圧化、無
再点弧化を図るには、耐圧的に欠陥となる脆弱な溶着防
止成分の量そのものを極力少なくしたり、過度に集中す
るのを避けることが、ガス不純物やピンホール等を極力
少なくすること、接点合金自体の強度を大きくすること
等々が望ましい。これらの観点からいえば、前述のＣｕ
−Ｂｉ合金は満足できるものではない。

【０００７】また従来使用されている他の接点材料であ
るＣｕ−Ｗ接点またはＣｕ−ＷＣ接点は耐電圧的にはか
なり優れているもののこの焼結系接点合金は、製造方法
的にいって気泡が残存し易く、また熱電子放出も盛んな
ため再点弧現象が発生し易いという欠点がある。

【０００８】一方、高耐圧かつ大電流遮断を要求する分
野では、Ｃｕ−Ｃｒ合金の適用が行われている。Ｃｕ−
Ｃｒ合金は、他の接点材料ほどには、構成元素間の蒸気
圧差が少ないため均一な性能発揮を期待し得る利点があ
り、使い方によっては、その特徴は十分利用することの
出来る接点合金である。

【０００９】このＣｕ−Ｃｒ系接点合金は、概ね、次の
ように製造されている。例えば、特公昭５９−３０７６
１号公報によれば、Ｃｒ粉末と少量のＣｕ粉末を混合
し、この混合粉をダイ型に充填して小圧力をかけてプレ
ス成形し、この成形体をダイ型から取出したのち、これ
を真空焼結して、Ｃｒスケルトンを形成し最後にＣｕを
溶浸するという方法である。

【００１０】また、最近では、型の中にＣｒ粉末を注加
し、その上にＣｕペレットを載置し、全体を脱ガスした
のち減圧下で溶浸処理を行うという方法も開示されてい
る（特開昭５９−２５９０３号公報参照）。

【００１１】更に、初めから最終目標値のＣｕとＣｒと
を混合し、これにより得た成形体をＣｕの溶融点又はそ
れ以下で固相焼結することによってＣｕ−Ｃｒ合金を得
る方法も行われている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の合金は、上記のように一般に粉末治金手法によって製
作され、再点弧発生に関与するその原料粉末管理、焼結
技術、及び溶浸技術が十分に確立されていないために、
再点弧発生頻度の点及び遮断性能の点で未だ充分満足の
いくものではない。

【００１３】そこで、この発明は、再点弧発生頻度を著
しく低減させかつ遮断性能を改善させることのできる真
空バルブ用接点合金の製造方法を提供することを目的と
する。

【００１４】

【課題を解決するための手段および作用】本発明者は、
真空バルブ用接点合金の再点弧発生頻度の軽減化及び遮
断特性の安定化のために、この製造方法の原料Ｃｒの選
択、焼結条件、溶浸条件等を検討し研究した結果、この
発明を完成するに至った。

【００１５】本発明の真空バルブ用接点合金の製造方法
は、耐弧材料となる原料Ｃｒ粉、Ｃｒ成形体、Ｃｒと導
電材料となるＣｕとの混合粉、ＣｒとＣｕとの成形体の
表面の一部又は全面に、略８００℃で２×１０^-7Ｔｏｒ
ｒよりも高い蒸気圧を有する高蒸気圧材料を保護層とし
て厚さ０．０５〜５μｍだけ付着又は皮覆又は合金化さ
せた第１の工程と、前記高蒸気圧材料により加熱中の汚
染雰囲気から保護しながら、前記第１の工程により得ら
れる保護層付材料からＣｒ焼結体、Ｃｒ−Ｃｕ焼結体を
得る第２の工程と、前記第２の工程の期間の一部又は総
てにおいてＣｒ又は、Ｃｒ−Ｃｕの焼結の進行と共に、
残存する高蒸気圧材料が０．２５ｗｔ％以下になるよう
に、焼結の温度、時間、昇温降温の速度、雰囲気を蒸発
量制御しながらＣｒスケルトン、Ｃｒ−Ｃｕスケルト
ン、Ｃｒ−Ｃｕ合金を得る第３の工程を備えたことによ
り、再点弧発生頻度の軽減化および遮断性能が改善され
る。次に、本発明の真空バルブ用接点合金の製造方法で
使用する原料Ｃｒの一例につき述べる。

【００１６】現在、工業的に供給されている金属Ｃｒの
精練法は、ＦｅＣｒ₂ Ｏ₄ 、ＭｇＣｒ₂ Ｏ₄ などのＣｒ
鉱石をＡｌ或いはＳｉなどの他の金属で還元し金属Ｃｒ
を得る方法（還元法）、及び前記Ｃｒ鉱石を溶解し未溶
解の非金属不純物の分離を行い、これを電解液として電
気分散し金属Ｃｒを得る方法（電解法）の両方法が主体
である。

【００１７】しかし前者の還元法によって得られたＣｒ
は、ガス量（酸素、窒素）が１０００ｐｐｍ程度、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｆｅなど不純物を数１０００ｐｐｍ〜１００
００ｐｐｍ程度含有している。一方、後者の電解法によ
るＣｒは、逆にガス量（酸素、窒素）が１０００ｐｐｍ
〜１００００ｐｐｍと著しく多く、Ａｌなどの不純物が
比較的少なく、例えば１００ｐｐｍ程度以下含有するの
が一般である。

【００１８】本発明においては、前記還元法若しくは電
解法で得たＣｒを粉砕して得たＣｒ粉に必要によりカー
ボン粉を添加したＣｒ−Ｃ混合粉体を、例えば真空、水
素など非酸化性雰囲気で、特に８００℃以上かつ１４０
０℃以下の温度で少なくとも１回、加熱処理を行なう。
これによって脱ガスＣｒ粉を得ることができる。

【００１９】８００℃未満の温度では、Ｃｒ−Ｃ混合
体、成形体の脱ガス効率が劣り再点弧の軽減化に対して
効果が小さい。１４００℃又はそれ以上では、その効果
が大であり、特に脱ガス効率に対しては有効であるが、
蒸発も激しくなるため材料の損失が大きくなると共に炉
の汚染も大となり得策でない。このように加熱処理を粉
末化工程の前に行うことで、Ｃｒ粉末になってから行う
より有利に再点弧の軽減化が得られる。真空バルブの一
層の高性能化のためには、前記金属Ｃｒ集合体に加工す
る前段階で行うのみでなく、必要により更にその後の段
階でも加熱処理を重畳させることは有効である。

【００２０】脱ガスＣｒ粉の調整に関しては、加熱処理
して得た脱ガスＣｒ塊を粉砕して得た脱ガスＣｒ粉を汚
さず、かつ所定の粒径を持つ脱ガスＣｒ粉とする。脱ガ
スＣｒ粉の粒径は、真空バルブとしての接点特性及び焼
結など接点製造技術上から制限を受ける。脱ガスＣｒ粉
の平均粒径は、５〜２５０μｍが好ましい。脱ガスＣｒ
粉の平均粒径が５μｍ未満では、焼結又は／及ば溶浸後
のスケルトン又は／及び接点素材中に好ましくない気孔
が生じ易くなり、また、それに応じたガスも多く残存す
る傾向にあり、真空バルブとしての接点特性（例えば、
再点弧特性）に対して好ましくない状態となる。

【００２１】また、２５０μｍを超える脱ガスＣｒ粉の
粒径では、耐溶着性、耐電圧特性、遮断特性の何れに対
しても著しいばらつきが見られる。接点素材にも偏析が
見られるようになり、真空バルブの信頼性の観点から好
ましくない。

【００２２】一方、脱ガスＣｒ粉中の酸素、窒素ガス
は、それぞれ２００ｐｐｍ以下に抑制した状態が望まし
い。これらのガスは、Ｃｒ中に含有されるガスと吸着し
ているガスとの総量で構成される。前者の含有している
ガスは、原料Ｃｒの加熱処理工程で極少化された状態と
なっているので、特に後者の工程での吸着ガスを少なく
することが肝要である。即ち、汚さずに粉砕することが
重要なポイントであり、での粉砕中の条件は、粉砕エネ
ルギーによってＣｒ粉が過度に、発熱し酸化が進むこと
のないことが重要である。従って、大きな摩擦熱の発生
するような激しい粉砕は避けるべきである。また非酸化
性雰囲気中の粉砕も有効である。特にＣｒ粒径が１００
μｍ又はそれ以下になる場合は、このような点に十分配
慮する必要がある。

【００２３】前記ガス量が２００ｐｐｍ以上の場合、こ
れにＣｒ粉を使用してＣｕ−Ｃｒ合金としても、同合金
中のガス量を好ましい低い水準（例えば２００ｐｐｍ以
下、望ましくは１００ｐｐｍ以下）に維持することは難
しい。即ち真空バルブ用接点を焼結又は／及び溶浸する
ときに選定する熱処理温度では、Ｃｒの精製を進行させ
るには、やや不足である。Ｃｕ−Ｃｒ合金中のガス量
（この場合、酸素）が２００ｐｐｍ以上のときには、再
点弧現象の発生が多発する場合がある。

【００２４】成形に関しては、Ｃｒ−Ｃ混合粉体Ｃｕ−
Ｃｒ混合体などを８トン／ｃｍ² 以下の外部圧力もしく
は該Ｃｒ粉の自重の圧力で成形体を形成する。成形体を
得るときの成形圧力は、特に溶浸法による製造（第２の
発明の場合）においては、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ量を
決定する要因であり重要である。そこで、ここでは溶浸
法による場合のプロセスを示す。

【００２５】Ｃｕ（又は／及びＡｇ）−Ｃｒ合金中の脱
ガスＣｒ粉の量は、２０〜８０ｗｔ％の範囲内で選択さ
れ得る。このための成形圧力は、８トン／ｃｍ² 以下、
好ましくは７．５トン／ｃｍ² 以下、より好ましくは７
トン／ｃｍ² 以下である。これは８トン／ｃｍ² を超え
る圧力では溶浸後のＣｒ量が８０ｗｔ％を超えるため、
本発明における主旨を離脱するため除外する。８０ｗｔ
％近傍の高Ｃｒ量を確保するには、スケルトンとして純
Ｃｒを使うことによって対処可能であるが２０％近傍の
低Ｃｒ量の合金を確保するには、スケルトンとして純Ｃ
ｒの選択は不可能であり、 においてＣｒ−Ｃ混合粉
体を得るときに、このＣｒ、Ｃと共にＣｒに対してＣｕ
を適量配合したＣｒ＋Ｃ＋Ｃｕ混合粉を採用することで
達成される。この際の成形圧力は、混合するＣｒ粉の量
によって８トン／ｃｍ² 以下の圧力が自由に選択され得
る。また、成形圧力が８トン／ｃｍ² を超えると、加熱
時に成形体中に亀裂が生ずる場合があるため好ましくな
い。

【００２６】焼結に関しては、固相焼結法による製造に
おいては、脱ガスＣｒ粉と導電成分であるＣｕ及び／又
はＡｇと最終成分に混合してあるので単純なプロセスで
ある。そこで、ここでも溶浸法の場合のプロセスを示
す。

【００２７】前述のようにして得られた成形体を、焼結
用容器と共に加熱炉内に設置して焼結する。焼結雰囲気
は、非酸化性雰囲気であることが必要で、例えば真空又
は水素中である。これらの雰囲気のうち、充填したＣｒ
粉末、プレスした成形体や容器などに吸蔵されている酸
素、窒素を除去するという点では、真空（１×１０^-5Ｔ
ｏｒｒ以上）雰囲気が好適である。

【００２８】適用する焼結温度、焼成時間は、焼結体で
あるスケルトンの密度、逆に言えばスケルトンの空隙率
に影響を与える。例えばＣｒスケルトンとその空隙内に
溶浸されるＣｕ量との関係を、重量比で５０：５０に近
接させるためには、空隙率を４０〜５０％とするのがよ
く、そのためには、焼結温度８００〜１０５０℃、好ま
しくは９００〜９５０℃、焼結時間０．２５〜２時間、
好ましくは０．１〜１時間の範囲が好ましい。上記条件
は、ＣｒとＣｕとの比に応じて適宜選択される。

【００２９】得られたスケルトンの上面又は／及び下面
に、溶浸材であるＣｕ及び／又はＡｇを載置し全体を例
えば真空中（１×１０^-4〜１×１０^-6Ｔｏｒｒ）で加熱
してＣｕ及び／又はＡｇをスケルトン空隙中に溶浸させ
る。

【００３０】溶浸時の温度は、Ｃｕ及び／又はＡｇの溶
融点以上の温度である。Ｃｕの場合１１００〜１３００
℃、Ａｇの場合１０００〜１１００℃の範囲であること
が好適である。また溶浸時間は、スケルトン中の空隙
に、これら融液が完全に含浸されるに充分な時間を設定
する。

【００３１】なお、上記溶浸工程においてはスケルトン
の表面の少なくとも一部に溶浸金属の層を温時に形成す
ることによって、得られる接点合金の銀ロウ接合性（導
電棒のロウ付けする際の）を優れたものとすることがで
きる。合金の組成比について述べると、最終的に得られ
る接点合金の各成分は、下記の範囲が好ましい（但し、
微量の溶着防止成分は略している）。 Ｃｕ及び／又はＡｇ：８０〜２０重量％ Ｃｒ ：２０〜８０重量％

【００３２】合金中のＣｒ量が８０％より大のときには
ジュール溶着の多発があり、再点弧に関係の深い表面荒
れに対しては好ましくないのみならず、電圧７．２ＫＶ
において４０ＫＡの遮断が困難になる。逆にＣｒ量が２
０％未満のときには、例えば４０ＫＶを遮断したとき耐
アーク性が維持できず大きいアーク消耗を示し好ましく
ない。

【００３３】また、上記組成範囲において、高導電性成
分であるＣｕ及び／又はＡｇ相中に固溶するＣｒの量は
０．０１〜０．３５ｗｔ％であることが、導電率特性を
安定化させる上で好ましい。

【００３４】次いで、処理雰囲気について述べると、上
記各工程における処理は、非酸化性雰囲気中で行うこと
が好ましく、具体的には、アルゴンガス等の不活性ガ
ス、Ｈ₂ ガス、Ｎ₂ ガス中、もしくは真空中で行われ
る。

【００３５】

【実施例】以下、本発明の実施例を具体的実施態様に基
づいて説明する。まず、図１及び図２を用いて、この発
明の方法によって得られた合金に適用できる真空バルブ
（真空遮断器）の構成を説明する。

【００３６】図１において、１は遮断室であり、この遮
断室１は絶縁材料によりほぼ円筒状に形成された絶縁容
器２と、この両端に封止金具３ａ、３ｂを介して設けた
金属性の蓋体４ａ、４ｂとで真空気密に構成されてい
る。遮断室１内には、導電棒５、６の対向する端部に取
付けられた１対の電極７、８が配設され、上部の電極７
を固定電極、下部の電極８を可動電極としている。ま
た、この可動電極８の電極棒６には、ベローズ９が取付
けられ遮断室１内を真空気密に保持しながら可動電極８
の軸方向の移動を可能にしている。このベローズ９上部
には金属性のアークシールド１０が設けられ、ベローズ
９がアーク蒸気で覆われることを防止している。また、
１１は、前記電極７、８を覆うようにして遮断室１内に
設けられた金属性のアークシールドであり、絶縁容器２
がアーク蒸気で覆われることを防止している。さらに、
電極８は、図２に拡大して示すように、導電棒６にロウ
付部１２によって固定されるか、又は、かしめによって
圧着接続されている。接点１３ａは、電極８にロウ付け
１４で固着されている。なお、図１における１３ｂは固
定側接点である。本実施例で製造された接点合金は、上
記したような接点１３ａ、１３ｂの双方又は何れか一方
を構成するのに適したものである。次に、本発明の作用
を上記各工程に則して説明する。

【００３７】Ｃｒ粉の不純物管理に関し、本発明者ら
は、接点材料を加熱する過程で放出されるガスの総量な
らびに放出の形態について詳細な観察を行ったところ、
これら要因と再点弧現象の発生には重要な相関があり、
特に接点材料を構成する原材料の個々について、これら
ガスの放出、なかでも融点近傍で突発的に発生するガス
の放出を制御することにより、再点弧現象を効果的に抑
制できることを見出した。即ち、接点材料を加熱してい
くと、吸着ガスの殆んどは溶融点以下で脱ガスされ、溶
融点近傍で固溶したガスが放出されるが、さらに溶融点
以上で加熱放置すると、極めて短時間（例えば数ミリ秒
程度）ではあるがパルス的な突発性ガスの放出（数回な
いし数百回突発する）が観察される。

【００３８】これら突発性ガスにはＣ₂ Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 等
が若干含まれるが、主体はＣＯ、ＣＯ₂ 、Ｏ₂ 等の酸素
系であることから、これら突発性ガスは接点材料に含ま
れる酸化物の分解により放出されるものと考えられる。

【００３９】本発明者らの研究によれば、再点弧現象の
多く発生する接点材料には、突発性ガスの放出も多い。
従って上述の知見よりすれば、接点材料をその融点以上
の温度で保持して、この突発性ガスを予め放出させてお
くことにより、再点弧現象の発生を軽減し得ることが考
えられる。

【００４０】しかしながら、真空遮断器用接点材料はＣ
ｕを相当量含有し、これらの酸化物を分解して除くため
には、たとえば１０^-3〜１０^-4Ｔｏｒｒの真空度におい
て約１２００℃以上の温度が必要となるので、蒸気圧の
高いＣｕ及びＡｇなどの高導電性材料やＢｉ、Ｔｅなど
の溶着防止材料を含む接点材料について上記の様な熱処
理を与えることは成分の変動を招き接点特性の管理の面
で不都合を生ずることがある。

【００４１】例えば、Ｃｕを加熱して行くと、４００〜
５５０℃近傍で極めて激しく複数種のガスを放出する。
このような放出ガスの一部は、昇温過程にあるＣｒ等と
結合し、比較的安定な化合物を作り溶解作業中に一部は
分解するが、他の一部はなお残存し突発性ガスの一因と
なる。

【００４２】このような突発性ガスの放出は、例えば純
度９９．９９９９％のＣｕを原料として使用しても、酸
化あるいはガス吸着が進行する状態で放置しておく場合
にはなお認められる。

【００４３】上述のような観察は、溶着防止材を含む接
点材料において、Ｃｕ等の高導電性材料とＢｉ等の溶着
防止成分材とについて個別の熱処理により突発性ガスの
原因とする不純物を予め除いておくことの必要性を示唆
すると共に、接点合金の製造または熱処理過程において
一部または全体が液体状態にある接点合金の液相が直接
接するるつぼ、ボート、板などからの放出ガスにより接
点合金が受ける汚染も管理する必要性を示唆している。

【００４４】前者の知見に対して本発明者らは、突発性
ガスの軽減に対し構成元素を個別に熱処理することは、
或る程度有効で、それに伴い再点弧発生確率も減少する
傾向にあることを認めている。

【００４５】後者の知見に対して本発明者らは液相に接
するるつぼ等の材質及びその表面の物理的化学的状態が
突発性ガス放出形態に影響を与え、かつ再点弧確率にも
関連することを認めると共に特に前者の接点の構成元素
レベルでの管理による突発性ガス放出の軽減効果を後者
によって、確実かつ効率的に向上させるのに必須である
ことを認めた。

【００４６】上記した再点弧に対する二三の知見は、そ
の軽減化に対して有効であるが、より一層の再点弧の軽
減化と大遮断容量化の要求に対しては、尚改善の必要性
を認めると共に上記知見技術効果を効率的に発揮させる
ための他の施策の開発が、望まれる。

【００４７】例えば前記二、三の知見を重畳させてＣｕ
−Ｃｒ合金を製作すると、単独のときより効果が大きく
相乗され、従って一連の工程を総合的に管理する必要性
を示唆している。特に原料技術及び冷却技術は、充分把
握する必要がある。即ち、先に示した突発性ガスの原因
の１つとして原料Ｃｒ、Ｃｕなどの内容（不純物）、状
態（表面酸化、混在物の有無）が重要と考えられる。

【００４８】初めから酸化物の形態を持ち、原料粉中に
単に混入している酸化物などの異物については、原料粉
との比重差を利用した沈降法による除去、或いは粒径の
違いを利用し、主として篩いわけで予め除去するか、ス
ケルトン中に高導電性材料を溶浸する際の溶浸工程を一
方向から行うことで前記酸化物などの異物を一カ所に集
めることが出来る。これらの作業を与えることによって
同じく再点弧現象の発生の軽減化に対して好結果を示し
た。

【００４９】しかし問題は、原料中に固溶或いは析出し
て存在する不純物である。これらは篩いわけ、比重差或
いは溶浸工程では、除去することが出来ず潜在的な再点
弧の一要因を占めていることが考えられた。しかしそれ
でもその解決の一つの手段として原料粉（Ｃｒ粉）を十
分吟味し不純物のより少ない原料粉を選択することで再
点弧現象の発生は、より一層軽減化される傾向にあるこ
とを認めた。

【００５０】このように、不純物（ここでは主として酸
化物）の少ない原料粉の選択は、再点弧現象の軽減に対
して効果は認めたものの厳密な実験を進めると未だ改善
の余地のあることを本発明者らは認めた。

【００５１】即ち、Ｃｒ粉中の不純物が実質的に認めら
れないロットを選択し、これをＣｒ原料とし、Ｃｕにつ
いても同様に十分吟味したロットを原料として夫々を使
用してＣｕ−Ｃｒ合金を製造したにもかかわらず、合金
中に析出物の存在を認めるものと析出物の存在のないも
のとが得られ、これらの再点弧発生頻度を比較したとこ
ろ前者析出物の存在する合金を使った真空バルブに、よ
り多く発生していることが判った。

【００５２】このような析出物は、（イ）Ｃｒ粉中に初
めから固溶していた或る種の元素と、（ロ）焼結又は／
及び溶浸中の雰囲気との反応によってあとから生成した
不純物であるとされる。従って再点弧特性の一層の改善
には、（イ）原料に単に混入している酸化物などの不純
物以外に、（ロ）原料中に特に固溶している或種の元素
（固溶状態にあるため顕微鏡的には、一般に検出確認出
来ない）と、原料の内部又は雰囲気から供給される酸素
との反応により生成した酸化物の存在についても注目す
る必要性があることを示唆していると考察された。

【００５３】このような知見のもとに本発明者らは、先
に、原料Ｃｒを粉末化する前に、その原料Ｃｒに特定の
処理、即ち予め原料Ｃｒを１３００℃〜溶融点直下の温
度範囲で加熱処理した後、これを粉末化する技術を実用
化した。このようにして得たＣｒ粉を用いたＣｒ−Ｃｕ
接点は再点弧発生の抑制に貢献した。しかしこの技術は
再点弧発生の抑制には効果が大きいものの１３００℃〜
溶融点直下という高温度の処理をＣｒに与えるため、Ｃ
ｒの著しい蒸発による材料損失が大きく、更には製造装
置系の汚染も大きいなど改良を必要としていた。

【００５４】しかし上述した１３００℃〜溶融点直下の
温度範囲の加熱処理によって大きな効果が得られている
事実は、前述した考察は材料面からの再点弧の抑制に対
し重要な指針であることには変りない。

【００５５】また、他の技術として、所定の粒度に粉砕
したＣｒ粉に対し同程度の粒径のカーボンを添加して得
たＣｒ−Ｃ混合粉体を前記より低い温度、即ち８００〜
１４００℃の温度範囲での加熱範囲での加熱処理を与
え、これを所定の粒径に粉砕して得たＣｒ粉を使ってＣ
ｒ−Ｃｕ合金を製造すること、すなわち、カーボン粉を
添加するプロセスを追加することによって再点弧発生を
抑制するのに好ましいＣｒ粉とする技術も開発された。
しかしこの技術も、再点弧の抑制には効果が大きいもの
の、必要とするＣ（カーボン）の量が粉砕したＣｒの汚
染の程度に依存するため、実際の工程では多目のＣを添
加せざるを得なくなる。従って、抑制効果にばらつきが
見られると共に、必要以上のＣの残存は、耐電圧特性の
著しい低下を呈するので好ましくない。

【００５６】以上のように原料の検討によって、所定条
件を備えた原料を選択したとしても未だ充分な再点弧抑
制技術を得るには至っていないことは、一連の総ての工
程を通してＣｒ中の不純物を管理する必要性を示唆して
いる。すなわち、所定条件を備えた選択されたＣｒを使
ったとしても次の工程である焼結又は／及び溶浸工程
で、Ｃｒの表面又は／及び内部が再点弧抑制に対して好
ましくない状態に変化していくことが示唆される。

【００５７】そこで本発明では、上記のようにＣｒが好
ましくない状態に変化していくことを阻止又は遅延させ
る手段として、Ｃｒの表面に前記した条件を有する保護
層を第１の工程で作り、この保護層の作用によってＣｒ
表面を焼結中の汚染雰囲気から保護している間にＣｒ焼
結体、Ｃｒ−Ｃｕ焼結体を得る（第２の工程）ことと
し、焼結の進行と共に蒸発量制御しながら最終目標組成
を持つＣｒ、Ｃｒ−Ｃｕ、スケルトン、Ｃｒ−Ｃｕ合金
を得る（第３の工程）ものである。

【００５８】特に、本発明のポイントは、保護層がＣｒ
表面、Ｃｒ−Ｃｕ表面に存在している間は、内部は保護
されるが、昇温によってこの保護層が蒸発飛散するよう
なことがあれば、表面は汚染雰囲気にさらされ保護層の
効果は半減する。しかし保護層が蒸発飛散の進行によっ
て、一方ではＣｒ、Ｃｒ−Ｃｕは或る程度焼結が始ま
り、汚染雰囲気との直接接触面積は減少し、焼結の一層
の進行によってこの面積は更に減少し、最後、保護層が
蒸発飛散が終了する頃には、直接接触する面積はなくな
り第１の工程でＣｒ表面に付与した保護層の存在による
他の機能への影響は無視できる程度に低くなる。

【００５９】第１の工程において、上記保護層として選
択する高蒸気圧材料は８００℃において２×１０^-7Ｔｏ
ｒｒよりも高い蒸気圧を持つ必要がある。その理由は、
この値より低い材料で保護層を形成すると所定の焼結又
は／溶浸加熱後でも、Ｃｒの表面に多量の保護層が残存
し、接触抵抗特性及び耐溶着特性に悪影響をもたらすこ
とになる。

【００６０】但しその蒸気圧が８００℃において１×１
０² Ｔｏｒｒより更に高い蒸気圧を持つ材料であって
は、逆に焼結過程の極く初期の段階で保護層は蒸発飛散
し、実質的に保護層を必要とする時に、保護層がない状
態となり好ましくない。この場合には、Ｃｒは加熱中の
雰囲気からの汚染を受け再点弧現象の発生を招く。

【００６１】更に、第１の工程において、Ｃｒの表面に
付与するべき保護層の厚さは０．０５〜５μｍの範囲に
あることが必要である。その理由は、０．０５μｍより
薄い場合には、加熱中の汚染雰囲気から、Ｃｒを充分保
護出来ず、結果的に再点弧抑制効果が少ない。これに対
しその厚さが５μｍより厚いときには充分な保護は得ら
れるものの、高蒸気圧材料が処理中の炉内、炉壁その他
の部分へ付着する量が多く炉の故障が多くなるのみなら
ず所定の焼結又は／及び溶解工程期間中にＣｒ表面から
完全には取除かれず、わずかに残存したこれら保護層が
耐電圧特性の低下となったり接触抵抗特性の低下の原因
となり好ましくない。

【００６２】以上示したように本発明では、主としてＣ
ｒの上に保護層を所定条件付着又は皮覆又は合金化させ
るものであってＣｒは、Ｃｒ粉の状態であってもまた、
Ｃｒ成形体、ＣｒとＣｕとの混合粉、ＣｒとＣｕとの成
形体であっても、問題なく適用が出来るものである。ま
たＣｒ上の保護層は保護作用を必要とする加熱処理初期
及び中期には充分存在し、焼結の進行と共に保護を必要
としなくなる加熱処理終期には蒸発飛散し０．２５ｗｔ
％以下、更に好ましくは０．０１ｗｔ％以下残存するよ
う加熱処理の温度、時間、雰囲気に応じて保護層材質
（高蒸気圧材料Ａ）とその厚さを選定することを主旨と
する。

【００６３】第３の工程において、残存する高蒸気圧材
料Ａを０．２５ｗｔ％以下とする必要がある。その理由
は、この値より多いと残存する高蒸気圧材料Ａの影響で
接触抵抗値にばらつきが出ると共に耐電圧特性も劣化す
る。再点弧特性を厳しく管理するには０．０１ｗｔ％以
下に制限することが好ましい。次に、本実施例に係る接
点合金の製造方法を説明する。

【００６４】高炭素フェロクロムを硫酸に溶解し、これ
を電解又は還元して得た金属Ｃｒ板をクラッシャーにて
大きさ約０．５〜２ｍｍの粒に粉砕し粗大の粒状Ｃｒと
した。上記粗大な粒状Ｃｒを、更に粉砕機にて微粉化し
振動ふるいにて平均粒径１〜２５０μｍのＣｒ粉を採取
し原料Ｃｒ粉とした。この原料Ｃｒ粉とほぼ同粒径を持
つカーボン粉を、原料Ｃｒ粉量に対し５０〜３００００
ｐｐｍの量だけミキサーにて充分混合しＣｒ−Ｃ混合粉
体を得た。次いで上記Ｃｒ−Ｃ混合粉体をブリケットマ
シンにて８トン／ｃｍ² 以下の成形圧力で固めＣｒ−Ｃ
成形体を得た。更に、Ｃｒ−Ｃ成形体を真空中（必要に
より水素など非酸化性ガス中）で８００℃以上（１４０
０℃以下）の温度で加熱し脱ガス処理を行い脱ガスＣｒ
塊（脱ガスＣｒブリケット）を得た。そして、脱ガスＣ
ｒ塊を再び粉砕機にて好ましくはＮ₂ ガスなど必要によ
り非酸化性雰囲気中で微細化し平均粒径５〜２５０μｍ
の脱ガスＣｒ粉とした。

【００６５】このようにして得たＣｒ粉の一部を一端を
閉にした石英管に所定量のＣｒを移し、同時に高蒸気圧
材料ＡとしてＢｉを選び、Ｃｒ量に対し０．５％のＢｉ
を挿入した後、石英管の他端開口部より石英管の内部を
真空で排気しながら、該他端部を溶融し閉とした。

【００６６】このようにしてＣｒとＢｉの所定量を真空
封入した石英容器全体を例えば少なくとも３００〜１０
００℃程度に加熱し、Ｃｒ表面に高蒸気圧材料Ａを均一
に蒸発皮覆した（第１の工程）。

【００６７】石英管を破壊し、取出したＣｒ粉（Ｂｉ皮
覆）をそのままＣｒ粉、Ｃｒ成形体の原料として使うか
（Ｃｒ試料１）、或いはこのＣｒ粉（及び皮覆）に所定
量のＣｕ又は／及びＡｇよりなる高導電材料を混合しＣ
ｒとＣｕ（Ｃｒ試料２）、ＣｒとＡｇ（Ｃｒ試料３）混
合粉や成形体に原料として使う。

【００６８】Ｃｒ表面への高蒸気圧材料Ａの皮覆厚さの
制御は、例えば前記石英管中へ封入するＣｒ量とＢｉの
量の比率を変えることによって容易に変えられる。また
選択した高蒸気圧材料ＡがＢｉより蒸気圧の高いＧａに
おいては、先のＢｉの場合の３００℃より低い２００℃
でも充分皮覆が可能であり、２００℃〜８００℃が適し
た範囲であるように選択する材料と皮覆する厚さで処理
温度を変え得る。

【００６９】一方、上述のように石英管中に封入してＢ
ｉを皮覆Ｃｒ粉を得る方法以外にも、Ｃｒ粉表面への保
護層の付着の方法には、例えば電気メッキ、無電解メッ
キ、イオンプレーティング、スパッタリング（Ｃｒ試料
４〜７）などによっても容易に得られる。 評価方法 （１）電流特性

【００７０】大電流遮断性の優劣は、遮断成功したとき
の電流の大きさ、すなわちその電流の最大値により評価
することができ、この値が大きいほど大電流遮断性に優
れることとなる。接点表面をベーキング、電圧エージン
グ等によりクリーニングして条件を一定にした後、７．
２ＫＶ、５０Ｈｚで１ＫＡずつ電流を増加しながら遮断
限界時における電流の最大値を測定し、所定の標準値に
対する倍率を遮断倍率として算出した。 （２）再点弧特性

【００７１】径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状接点片
を、ディマウンタブル形真空バルブに装着し、６ＫＶ×
５００Ａの回路を２０，０００回遮断した時の再点弧発
生頻度を測定し、２台の遮断器（バルブとして６本）の
ばらつき幅（最大および最小）で示した。接点の装着に
際しては、ベーキング加熱（４５０℃、３０分）のみ行
い、ロウ材の使用ならびにこれに伴う加熱は行わなかっ
た。 （３）接触抵抗特性

【００７２】接触抵抗特性は、表面荒さを５μｍに仕上
げた直径５０ｍｍのフラット電極と同じ表面荒さを持つ
曲率半径１００Ｒの凸状電極とを対向させ、両電極を開
閉機構を持つ真空度１０^-5Ｔｏｒｒ以下に排気した着脱
可能な真空容器内に取付け１．０ｋｇの荷重及び通電電
流１００Ａを開閉する。そして両電極間に１０Ａの交流
を与えたときの電位降下から接触抵抗を求める。なお、
接触抵抗値は測定回路を構成する配線材、開閉器などの
抵抗又は接触抵抗を回路定数として含んだ値である。

【００７３】また、接触抵抗の値は、着脱式真空開閉装
置自体の軸部の抵抗１．８〜２．５μΩ、磁界発生用コ
イル部の抵抗５．２〜６．０μΩを含むもので残部が接
点部（接点合金の抵抗、同接触抵抗）値である。

【００７４】

【表１】

【００７５】

【表２】 実施例１〜３、比較例１〜２

【００７６】先に述べたような条件のＣｒ粉（Ｃｒ試料
２）を用意した。（Ｃｒ試料２）は、Ｃｒ粉にあらかじ
めＣｒ量に対し約１０％程度のＣｕをＣｒと混ぜたもの
を石英管中に該（Ｃｒ＋Ｃｕ）粉の量に対し約０．３％
のＢｉを一諸に封入（後のＣｕ溶浸の工程でＢｉの量は
半分が蒸発する）し（Ｃｒ＋Ｃｕ）表面にＢｉを付着さ
せ（Ｃｒ試料２）とした。

【００７７】上記（Ｃｒ試料２）を真空中約１０００℃
で１時間焼結し空隙率が約４５〜５０容積％のＣｒスケ
ルトンを作成し、このスケルトンの空隙中に１１５０℃
でＣｕを溶浸しＣｕ−５０％Ｃｒ合金（重量％）を作製
した。得られたＣｕ−５０％Ｃｒ合金中にはＢｉが約
０．１〜０．１５％含有される。このＢｉの値を更に少
なくする必要性のあるときには、石英管中に（Ｃｒ＋Ｃ
ｕ）粉と同時に封入するＢｉの量を調節すれば容易に変
化させることが出来る。

【００７８】Ｂｉを全然封入しなかった合金が比較例−
１であり、多量に封入したのが後述する比較例−４であ
る。尚、このように多量のＢｉ含有合金は、石英管中に
Ｂｉを封入する方法でＢｉを供給する以外に、溶浸する
ときの溶浸材を純ＣｕでなくＣｕ−Ｂｉ合金とするなど
両方からＢｉを供給することも行なわれる。すなわち本
実施例１〜３及び比較例−２では、石英中に（Ｃｒ＋Ｃ
ｕ）と一諸に封入するＢｉの量を少しずつ変化させかつ
処理温度を約３００℃より適宜選択し、Ｃｒ表面上のＢ
ｉの厚さを１６μｍ〜０．０５μｍの間の値に調節し
（比較例−２、実施例１〜３）保護層とし、これを用い
て前述したように１０００℃でスケルトンを作製後、１
１５０℃でＣｕを溶浸し接点としたものである。該Ｃｒ
−Ｃｕ合金中に含有残存するＢｉは、いずれも０．０６
〜０．２ｗｔ％の間にあり、保護層の厚さと対応してい
た。

【００７９】保護層の全く存在しない比較例−１では、
スケルトン作製時の昇温過程での雰囲気中の微量ガス成
分（多くは酸素）の影響を著しく受け、接触抵抗値の増
大とばらつきが大きく、表面分析によっても主としてＣ
ｒ₂ Ｏ₃ の存在が見られた。これに応じて再点弧発生頻
度が高くかつサンプル間のバラツキ幅も大であった。こ
の抑止は、保護層の厚さが４〜５μｍ（実施例−１）か
ら０．０５〜０．１μｍ（実施例−３）の試料まで見ら
れた。しかし保護層の厚さが１３〜μｍの場合（比較例
−２）では、むしろ保護層成分（この場合Ｂｉ）の選択
的、集中的な蒸発による再点弧発生の促進の様子が見ら
れ逆に再点弧は多発の傾向にあり好ましくない。その結
果、保護層の厚さは再点弧頻度及び接触抵抗特性の両観
点から５μｍ〜０．０５μｍの範囲が好ましく、０．０
５μｍより薄いときには制御が難かしくばらつきの原因
となるので下限の制御量は０．０５μｍとした。 実施例４〜７

【００８０】前記実施例１〜３、比較例２では接点製造
に使う原料Ｃｒとしては、Ｃｒに対し少量のＣｕをあら
かじめ混合しておいた（Ｃｒ＋Ｃｕ）粉をＣｒ試料−２
として用いたが、原料Ｃｒとしては、これに限ることな
く用いることが出来る。

【００８１】すなわち、（Ｃｒ試料−１）のようにＣｒ
のみ用いたもの（実施例−６）、Ｃｒのみを成形したも
の（実施例−５）でも更には（Ｃｒ試料−３）のように
Ｃｒに対し少量のＣｕをあらかじめ混合するのでなくＡ
ｇを混合したもの（実施例−７）でも、再点弧発生頻度
及び接触抵抗特性の両者が好ましい値を示した。従って
原料Ｃｒは、ＣｒとＣｕとが混合されたもののみではな
く、成形されたものでもよく、また、Ｃｒのみであって
も差しつかえない。 実施例８〜１５、比較例３〜４

【００８２】前記実施例１〜７、及び比較例−２では、
総て保護層として用いた高蒸気圧元素はＢｉの例を示し
たが、本発明の効果は保護層としてＢｉに限定するもの
ではなく、他の類似の蒸気圧を有する元素がその効果を
発揮した。

【００８３】すなわち、先に使用した（Ｃｒ試料２）を
Ｃｒ原料粉として採用し、その（Ｃｒ＋Ｃｕ）表面にＮ
ｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｚ
ｎ、Ｓｅの各材料を皮覆した後、同様にこれらを皮覆し
た（Ｃｒ＋Ｃｕ）粉のスケルトンを作製後、Ｃｕを溶浸
しＣｒ−Ｃｕ合金を得た。

【００８４】同様の評価を実施したところ、前記したＳ
ｎ〜Ｚｎの各元素を皮覆層として有する接点において
は、いずれもが再点弧発生頻度及び接触抵抗特性とも好
ましい範囲にあった（実施例８〜１５）。

【００８５】これに対し保護層としてＮｉを選んだ接点
では、（Ｃｒ＋Ｃｕ）粉でスケルトンを作製後も、また
溶浸後においても、保護層のＮｉが全面又は一部の表面
に残存する傾向が見られその結果、一部に接触抵抗が著
しく高い領域が見られた（比較例−３）。

【００８６】一方、保護層としてＳｅを選択した接点で
は、（Ｃｒ＋Ｃｕ）粉でスケルトンを作製する際の、加
熱過程のかなり初期の段階でＳｅが蒸発除去される結
果、加熱雰囲気からの汚染保護の役目をはたすことが出
来ず、表面の一部又は全面が汚染を受ける信号、良質の
スケルトンを得ることが出来ないのみならず、Ｃｕの溶
浸工程においては、Ｃｒ−Ｃｕ合金中に空孔を生ずる結
果となった。この接点では再点弧の発生が多く全く保護
層が初めから存在しない比較例−１と大差のない値を示
した（比較例−４）。同じ理由で接触抵抗特性も好まし
くない。

【００８７】従ってこれらの傾向から保護層として適す
る材料は、Ｓｎの蒸気圧（８００℃において５×１０^-6
Ｔｏｒｒ）からＺｎの蒸気圧の間の材料であるのが好ま
しいことになる。 実施例−１６

【００８８】前記した実施例１〜１５、比較例１〜４の
全てはその接点の製造方法が、Ｃｒスレルトンを作製し
た後Ｃｕの溶融点以上にＣｕを加熱溶融し、Ｃｒスケル
トン空隙中にＣｕを溶浸する方法で作製した例について
示したが、本発明の保護層の効果は、この溶浸法に限る
ことなく、固相焼結法で接点を作製する場合の原料Ｃｒ
粉としても適用出来る。

【００８９】すなわち実施例−１６では、（Ｃｒ試料
２）とほぼ等量のＣｕ粉とを混合後、４トン／ｃｍ² で
成形し、−７０℃以下の露点の水素中で、１０３０℃×
３時間の焼結、再加圧成形し、これを必要回数繰返し接
点とした。その結果は、表に示すように他の実施例と同
等の効果が得られている。 実施例１７〜２０

【００９０】前記した実施例１〜１６、比較例１〜４に
ついては、使用した原料Ｃｒ粉は石英管中にＣｒとＢｉ
を封入し蒸気圧差を利用してＣｒの表面にＢｉを付着さ
せたもので述べた（Ｃｒ試料１、２、３）。

【００９１】しかし原料Ｃｒ粉は、これに限ることな
く、Ｃｒ表面への保護層の付与は電気メッキ、無電解メ
ッキ、イオンプレーティング、スパッタリング法（Ｃｒ
試料４〜７）で行ったものでも同様に使用することが出
来る（実施例１７〜２０）。 実施例２１〜２４、比較例５

【００９２】各原料Ｃｒ粉の表面に付与した保護層は、
接点製造時の焼結又は溶浸過程で受ける加熱工程で蒸発
飛散することによって合金中に最終的に残存する保護層
成分の量が決定される。残存するその量は、また接点特
性に影響を及ぼす。例えば焼結又は溶浸終了後、合金中
に残存する。

【００９３】保護層成分の量が、７．２ｗｔ％の場合の
接点では再点弧が多発すると共に、接触抵抗値もばらつ
きを示した（比較例−５）。再点弧特性及び接触抵抗特
性を配慮すると、残存する保護層成分の量は、０．２５
ｗｔ％以下（実施例２１、２２）なら問題がない。従っ
て本発明が対象とする合金は、焼結又は溶浸後の合金中
の保護層成分の量が０．２５ｗｔ％以下残存するものが
好ましい。また、原料ＣｒがＣｒ−Ｔｉ合金、Ｃｒ−Ｚ
ｒ合金に対しても同様の効果が得られる（実施例２３〜
２４） なお本発明は、上記実施例に限定されるものではない。

【００９４】以上の実施例、比較例に供試したＣｒはい
ずれもあらかじめ、第１の工程でその表面に蒸着法、メ
ッキ法、スパッタ法などで付着させたが、このように別
工程であらかじめ付着させるのでなく、焼結工程でＣｒ
粉の近傍に保護層となる材料を配置しておくならば、そ
の焼結中の加熱過程で、あたかも前記したあらかじめ付
与させておくのと同じことが行われる。この挙動も本発
明で述べる第１の工程の定義のなかに入る。すなわち焼
結中に保護層の形成と焼結の進行が行われる。このよう
にしても第２、第３の工程は同様に必須な工程である。

【００９５】本実施例で得られる真空バルブ用合金で
は、接触抵抗特性を安定に維持した上で再点弧の発生率
の低減のみならず各真空バルブ毎の発生率のばらつきも
縮小できた。なお、本発明技術はＣｕ−Ｃｒ二元合金の
みならず他の耐弧材料等の第３成分を添加したＣｕ−Ｃ
ｒ系合金においても同様な効果を示すことは明白であ
る。

【００９６】

【発明の効果】上記実施例の結果からも理解されるよう
に、本発明に係る真空バルブ用接点合金の製造方法は、
得られる接点合金の接触抵抗特性が安定しかつ再点弧発
生頻度が著しく低減する点および遮断性能が向上する点
で極めて優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る真空バルブ用接点合金の製造方法
の実施例で製造された接点合金が適用される真空バルブ
の一例を示す断面図。

【図２】図１における接点部の拡大断面図である。

【符号の説明】

１３ａ…可動側接点、１３ｂ…固定側接点。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関口 薫旦 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 馬島 淑子 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 耐弧材料となる原料Ｃｒ粉、Ｃｒ成形
   体、Ｃｒと導電材料となるＣｕとの混合粉、ＣｒとＣｕ
   との成形体の表面の一部又は全面に、略８００℃で２×
   １０^-7Ｔｏｒｒよりも高い蒸気圧を有する高蒸気圧材料
   を保護層として厚さ０．０５〜５μｍだけ付着、皮覆又
   は合金化させた第１の工程と、前記高蒸気圧材料により
   加熱中の汚染雰囲気から保護しながら、前記第１の工程
   により得られる保護層付材料からＣｒ焼結体、Ｃｒ−Ｃ
   ｕ焼結体を得る第２の工程と、前記第２の工程の期間の
   一部又は総てにおいてＣｒ又はＣｒ−Ｃｕの焼結の進行
   と共に、残存する前記高蒸気圧材料が０．２５重量％以
   下になるように焼結の温度、時間、昇温降温の速度、雰
   囲気を蒸発量制御しながらＣｒスケルトン、Ｃｒ−Ｃｕ
   スケルトン、Ｃｒ−Ｃｕ合金を得る第３の工程を備えた
   ことを特徴とする真空バルブ用接点合金の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第３の工程において、残存する高蒸
   気圧材料の量が０．０１重量％以下となるように蒸発量
   制御をしながらＣｒ、Ｃｒ−Ｃｕスケルトン、Ｃｒ−Ｃ
   ｕ合金を得ることを特徴とする請求項１記載の真空バル
   ブ用接点合金の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第３の工程の後に、前記Ｃｒスケル
   トン又は、Ｃｒ−Ｃｕスケルトン中の残存空隙中にＣｕ
   を溶浸させてＣｒ−Ｃｕ合金を得ることを特徴とする請
   求項１または請求項２記載の真空バルブ用接点合金の製
   造方法。
4. 【請求項４】 Ｃｕよりなる導電材料の一部又は総てが
   Ａｇであることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載
   のいずれかの真空バルブ用接点合金の製造方法。
5. 【請求項５】 Ｃｒよりなる耐弧材料の一部又は総てが
   Ｔｉ、Ｚｒの１つであることを特徴とする請求項１乃至
   請求項４記載のいずれかの真空バルブ用接点合金の製造
   方法。
6. 【請求項６】 前記高蒸気圧材料は、Ｇａ、Ａｇ、Ｉ
   ｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｚｎの群から選ば
   れた元素であることを特徴とする請求項１乃至請求項５
   記載のいずれかの真空バルブ用接点合金の製造方法。