JPH05307263A - レジスト組成物の製造方法及びレジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物の製造方法及びレジスト組成物Info
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- JPH05307263A JPH05307263A JP4347752A JP34775292A JPH05307263A JP H05307263 A JPH05307263 A JP H05307263A JP 4347752 A JP4347752 A JP 4347752A JP 34775292 A JP34775292 A JP 34775292A JP H05307263 A JPH05307263 A JP H05307263A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 製造直後において比較的大きい非溶解粒子が
少なく、且つ長期保存後においても非溶解粒子の増加が
少ないレジスト組成物の製造方法を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、感放射線性化合物及び
溶剤の混合物を孔径0.1μｍ以下であり、且つ、除粒子
性能が99％以上であるフィルターを用いて濾過すること
を特徴とするレジスト組成物の製造方法であり、又、ア
ルカリ可溶性樹脂、感放射線性化合物並びに分子内にア
セトキシ基及びアルコキシ基を双方同時に有さない有機
溶剤を含有するレジスト組成物において、該組成物中、
0.25μｍ以上の粒子径を有する非溶解粒子の含量が１ml
中100 個以下であり、且つその非溶解粒子は各々0.25〜
0.3 μｍの粒子径及び0.3 μｍよりも大きい粒子径を有
する２つの粒子群から構成され、0.25〜0.3 μｍの粒子
径の粒子群含量が１ml中50個以下であることを特徴とす
るレジスト組成物である。
少なく、且つ長期保存後においても非溶解粒子の増加が
少ないレジスト組成物の製造方法を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、感放射線性化合物及び
溶剤の混合物を孔径0.1μｍ以下であり、且つ、除粒子
性能が99％以上であるフィルターを用いて濾過すること
を特徴とするレジスト組成物の製造方法であり、又、ア
ルカリ可溶性樹脂、感放射線性化合物並びに分子内にア
セトキシ基及びアルコキシ基を双方同時に有さない有機
溶剤を含有するレジスト組成物において、該組成物中、
0.25μｍ以上の粒子径を有する非溶解粒子の含量が１ml
中100 個以下であり、且つその非溶解粒子は各々0.25〜
0.3 μｍの粒子径及び0.3 μｍよりも大きい粒子径を有
する２つの粒子群から構成され、0.25〜0.3 μｍの粒子
径の粒子群含量が１ml中50個以下であることを特徴とす
るレジスト組成物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルカリ可溶性樹脂、感
放射線性化合物及び溶剤を含有してなる紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射
線、プロトンビーム等の放射線に感応するレジスト組成
物の製造方法並びにレジスト組成物に関し、特に集積回
路作製のために好適なレジスト組成物の製造方法並びに
レジスト組成物に関する。
放射線性化合物及び溶剤を含有してなる紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射
線、プロトンビーム等の放射線に感応するレジスト組成
物の製造方法並びにレジスト組成物に関し、特に集積回
路作製のために好適なレジスト組成物の製造方法並びに
レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】LSI の高集積化に伴い、集積回路のデザ
インルールも約１μｍから約0.5 μｍへと微細化してい
る。このような微細加工に用いられるレジスト組成物に
は、良好な基本的性能（例えば解像度、感度、プロファ
イル、塗布性及び焦点深度等）を有することは勿論、製
造直後に比較的大きい非溶解粒子が少ないこと、及び長
期保存後も該非溶解粒子が顕著に増加しないこと（換言
すれば良好な保存安定性を有すること）が要求される。
即ち、レジスト組成物中に目視では観察しえない比較的
大きい非溶解粒子が多い場合、該レジスト組成物から形
成されたレジストパターンを介して基板をエッチングす
ると、しばしば、レジストパターンにより覆われた基板
部分にピンホールが発生し、集積回路作製時の歩留りが
悪化することが知られている。ところで、レジスト組成
物には感放射線性化合物等に対して比較的優れた溶解性
を有するセロソルブ系溶剤が一般的に用いられていた。
しかしながら、セロソルブ系溶剤を用いた場合、製造直
後のレジスト組成物中の比較的大きい非溶解粒子数につ
いては問題になるレベルではなくても、逐次増加して長
期保存後には異常なレベルになっていた。近年、セロソ
ルブ系溶剤に代えて乳酸エチル、ピルビン酸エチル等の
溶剤が使用されている。これらの溶剤を用いた場合に
は、製造直後のレジスト組成物中の比較的大きい非溶解
粒子はセロソルブ系溶剤を用いた場合よりも多く、且つ
長期保存後の非溶解粒子は製造直後のそれよりもさらに
増加する傾向があった。このように、比較的大きい非溶
解粒子が製造直後において少なく、且つ、保存安定性の
良好なレジスト組成物を得ることはできなかった。
インルールも約１μｍから約0.5 μｍへと微細化してい
る。このような微細加工に用いられるレジスト組成物に
は、良好な基本的性能（例えば解像度、感度、プロファ
イル、塗布性及び焦点深度等）を有することは勿論、製
造直後に比較的大きい非溶解粒子が少ないこと、及び長
期保存後も該非溶解粒子が顕著に増加しないこと（換言
すれば良好な保存安定性を有すること）が要求される。
即ち、レジスト組成物中に目視では観察しえない比較的
大きい非溶解粒子が多い場合、該レジスト組成物から形
成されたレジストパターンを介して基板をエッチングす
ると、しばしば、レジストパターンにより覆われた基板
部分にピンホールが発生し、集積回路作製時の歩留りが
悪化することが知られている。ところで、レジスト組成
物には感放射線性化合物等に対して比較的優れた溶解性
を有するセロソルブ系溶剤が一般的に用いられていた。
しかしながら、セロソルブ系溶剤を用いた場合、製造直
後のレジスト組成物中の比較的大きい非溶解粒子数につ
いては問題になるレベルではなくても、逐次増加して長
期保存後には異常なレベルになっていた。近年、セロソ
ルブ系溶剤に代えて乳酸エチル、ピルビン酸エチル等の
溶剤が使用されている。これらの溶剤を用いた場合に
は、製造直後のレジスト組成物中の比較的大きい非溶解
粒子はセロソルブ系溶剤を用いた場合よりも多く、且つ
長期保存後の非溶解粒子は製造直後のそれよりもさらに
増加する傾向があった。このように、比較的大きい非溶
解粒子が製造直後において少なく、且つ、保存安定性の
良好なレジスト組成物を得ることはできなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、製造直後及
び長期保存後も非溶解粒子が少ないレジスト組成物の製
造方法並びに集積回路の作製時において、その歩留りが
良好であるレジスト組成物を提供する。
び長期保存後も非溶解粒子が少ないレジスト組成物の製
造方法並びに集積回路の作製時において、その歩留りが
良好であるレジスト組成物を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ可溶
性樹脂、感放射線性化合物及び有機溶剤を含む混合物を
孔径0.1 μｍ以下で、且つ、除粒子性能が99％以上であ
るフィルターを用いて濾過することを特徴とするレジス
ト組成物の製造方法であり、又、アルカリ可溶性樹脂、
感放射線性化合物並びに、分子内にアセトキシ基及びア
ルコキシ基を双方同時に有さない有機溶剤を含有するレ
ジスト組成物において、該組成物中、0.25μｍ以上の粒
子径を有する非溶解粒子の含量が１ml中100 個以下であ
り、且つその非溶解粒子は各々0.25〜0.3 μｍの粒子径
及び0.3 μｍよりも大きい粒子径を有する２つの粒子群
から構成され、0.25〜0.3 μｍの粒子径の粒子群含量が
１ml中50個以下であることを特徴とするレジスト組成物
である。
性樹脂、感放射線性化合物及び有機溶剤を含む混合物を
孔径0.1 μｍ以下で、且つ、除粒子性能が99％以上であ
るフィルターを用いて濾過することを特徴とするレジス
ト組成物の製造方法であり、又、アルカリ可溶性樹脂、
感放射線性化合物並びに、分子内にアセトキシ基及びア
ルコキシ基を双方同時に有さない有機溶剤を含有するレ
ジスト組成物において、該組成物中、0.25μｍ以上の粒
子径を有する非溶解粒子の含量が１ml中100 個以下であ
り、且つその非溶解粒子は各々0.25〜0.3 μｍの粒子径
及び0.3 μｍよりも大きい粒子径を有する２つの粒子群
から構成され、0.25〜0.3 μｍの粒子径の粒子群含量が
１ml中50個以下であることを特徴とするレジスト組成物
である。
【０００５】アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ポ
リヒドロキシスチレンもしくはその誘導体、スチレン−
無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾ
エート、カルボキシル基含有メタアクリル系樹脂あるい
はノボラック樹脂等が挙げられる。
リヒドロキシスチレンもしくはその誘導体、スチレン−
無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾ
エート、カルボキシル基含有メタアクリル系樹脂あるい
はノボラック樹脂等が挙げられる。
【０００６】ノボラック樹脂としては、例えば、フェノ
ール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
３，４−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノ
ール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェ
ノール、３−ｔ−ブチルフェノール、３−エチルフェノ
ール、２−エチルフェノール、４−エチルフェノール、
３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、４−メチル−
２−ｔ−ブチルフェノール、２−ナフトール、１，３−
ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタ
レン、１，５−ジヒドロキシナフタレン等のフェノール
類を単独または２種以上組合せて、アルデヒド類と常法
により縮合させた樹脂が挙げられる。
ール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
３，４−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノ
ール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェ
ノール、３−ｔ−ブチルフェノール、３−エチルフェノ
ール、２−エチルフェノール、４−エチルフェノール、
３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、４−メチル−
２−ｔ−ブチルフェノール、２−ナフトール、１，３−
ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタ
レン、１，５−ジヒドロキシナフタレン等のフェノール
類を単独または２種以上組合せて、アルデヒド類と常法
により縮合させた樹脂が挙げられる。
【０００７】アルデヒド類としては、ホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアルデヒ
ド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプ
ロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、
ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、グルタルアルデヒド、グリオキサール、
ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデ
ヒド等が挙げられる。これらのアルデヒド類は単独で、
または２種以上混合して使用できる。
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアルデヒ
ド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプ
ロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、
ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、グルタルアルデヒド、グリオキサール、
ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデ
ヒド等が挙げられる。これらのアルデヒド類は単独で、
または２種以上混合して使用できる。
【０００８】感放射線性化合物としては例えば１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル等が挙げられる。これらのエステル類は公知の方法、
例えば１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸または
ベンゾキノンジアジドスルホン酸と、ヒドロキシル基を
有する化合物とを、弱アルカリの存在下で縮合させるこ
とにより製造される。ここで、ヒドロキシル基を有する
化合物としてはハイドロキノン、レゾルシン、フロログ
ルシン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，３，３’−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，３，４’−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３’，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３’，５−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
４’，５−トリヒドロキシベンゾフェノン、２’，３，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン、３，３’，４−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、３，４，４’−トリヒド
ロキシベンゾフェノン等のトリヒドロキシベンゾフェノ
ン類、２，３，３’，４−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，２’，３，４−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，２’，３，４’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２，２’，５，５’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、２，３’，４’，５−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，３’，５，５’−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン等のテトラヒドロキシベンゾフェノン
類、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、２，２’，３，４，５’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，２’，３，３’，４−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，５’−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン等のペンタヒドロキシベン
ゾフェノン類、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，３’，４，
５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のヘキサヒド
ロキシベンゾフェノン類、没食子酸アルキルエステル、
特開平２−84650 号公報に一般式(I) で記載されている
オキシフラバン類、特開平２−269351号公報に一般式
(I) で記載されているフェノール化合物及び下記一般式
(II)
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル等が挙げられる。これらのエステル類は公知の方法、
例えば１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸または
ベンゾキノンジアジドスルホン酸と、ヒドロキシル基を
有する化合物とを、弱アルカリの存在下で縮合させるこ
とにより製造される。ここで、ヒドロキシル基を有する
化合物としてはハイドロキノン、レゾルシン、フロログ
ルシン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，３，３’−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，３，４’−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３’，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３’，５−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
４’，５−トリヒドロキシベンゾフェノン、２’，３，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン、３，３’，４−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、３，４，４’−トリヒド
ロキシベンゾフェノン等のトリヒドロキシベンゾフェノ
ン類、２，３，３’，４−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，２’，３，４−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，２’，３，４’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２，２’，５，５’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、２，３’，４’，５−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，３’，５，５’−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン等のテトラヒドロキシベンゾフェノン
類、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、２，２’，３，４，５’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，２’，３，３’，４−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，５’−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン等のペンタヒドロキシベン
ゾフェノン類、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，３’，４，
５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のヘキサヒド
ロキシベンゾフェノン類、没食子酸アルキルエステル、
特開平２−84650 号公報に一般式(I) で記載されている
オキシフラバン類、特開平２−269351号公報に一般式
(I) で記載されているフェノール化合物及び下記一般式
(II)
【０００９】
【化１】
【００１０】（式中、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、
Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 は各々独立して水素原子、水
酸基又はアルキル基を表わし、Ｙ1 及びＹ2 の中、少な
くとも１つは水酸基であり、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、Ｚ4 、
Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 の中、少なくとも２つは水酸基であ
る。又、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は水素
原子、炭素数１〜10のアルキル基、炭素数２〜４のアル
ケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を表わ
す。）で示されるフェノール化合物が挙げられる。好ま
しいヒドロキシル基を有する化合物としては特開平２−
84650 号公報に一般式(I) で記載されているオキシフラ
バン類及び上記一般式(II)で示されるフェノール化合物
が挙げられる。上記の感放射線性化合物は単独で、又は
２種以上混合して用いられる。
Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 は各々独立して水素原子、水
酸基又はアルキル基を表わし、Ｙ1 及びＹ2 の中、少な
くとも１つは水酸基であり、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、Ｚ4 、
Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 の中、少なくとも２つは水酸基であ
る。又、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は水素
原子、炭素数１〜10のアルキル基、炭素数２〜４のアル
ケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を表わ
す。）で示されるフェノール化合物が挙げられる。好ま
しいヒドロキシル基を有する化合物としては特開平２−
84650 号公報に一般式(I) で記載されているオキシフラ
バン類及び上記一般式(II)で示されるフェノール化合物
が挙げられる。上記の感放射線性化合物は単独で、又は
２種以上混合して用いられる。
【００１１】アルカリ可溶性樹脂と感放射線性化合物と
の割合は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、通
常、パターニングが容易で且つ感度が良好になることか
ら感放射線性化合物５〜100 重量部であり、より好まし
くは感放射線性化合物10〜50重量部である。
の割合は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、通
常、パターニングが容易で且つ感度が良好になることか
ら感放射線性化合物５〜100 重量部であり、より好まし
くは感放射線性化合物10〜50重量部である。
【００１２】分子内にアセトキシ基及びアルコキシ基を
双方同時に有さず、且つ、140 〜180 ℃の沸点を有する
有機溶剤としては、例えば酢酸ブチル、酢酸アミル等の
酢酸エステル類、２−ヘプタノン又はシクロヘキサノン
等の炭素数10以下の直鎖もしくは分岐状又は環状のケト
ン類、乳酸エチル又は２−メトキシプロピオン酸メチル
等のモノオキシ又はモノアルコキシカルボン酸エステ
ル、ピルビン酸エチル等のピルビン酸アルキルエステル
類等が挙げられる。溶剤量はウエハー上に均質で、ピン
ホール及び塗りむらのない塗布膜ができる塗布が可能で
あれば特に制限はないが、通常、レジスト組成物中、感
放射線性化合物及びアルカリ可溶性樹脂等の固形分濃度
が３〜50重量％の範囲となるよう調整する。
双方同時に有さず、且つ、140 〜180 ℃の沸点を有する
有機溶剤としては、例えば酢酸ブチル、酢酸アミル等の
酢酸エステル類、２−ヘプタノン又はシクロヘキサノン
等の炭素数10以下の直鎖もしくは分岐状又は環状のケト
ン類、乳酸エチル又は２−メトキシプロピオン酸メチル
等のモノオキシ又はモノアルコキシカルボン酸エステ
ル、ピルビン酸エチル等のピルビン酸アルキルエステル
類等が挙げられる。溶剤量はウエハー上に均質で、ピン
ホール及び塗りむらのない塗布膜ができる塗布が可能で
あれば特に制限はないが、通常、レジスト組成物中、感
放射線性化合物及びアルカリ可溶性樹脂等の固形分濃度
が３〜50重量％の範囲となるよう調整する。
【００１３】必要に応じて、レジスト組成物には少量の
樹脂や染料等を添加することができる。
樹脂や染料等を添加することができる。
【００１４】本発明のレジスト組成物は種々の方法、例
えば感放射線性化合物及びアルカリ可溶性樹脂等と溶剤
との混合物を、約0.1 μｍの孔径を有するフィルターで
濾過する方法等により製造することができる。濾過は常
温（通常20〜25℃）で行われる。フィルターの濾過膜の
素材としては、例えばＰＴＦＥ等の弗素樹脂、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン樹脂、ナイロ
ン６、ナイロン６６等のポリアミド樹脂等が挙げられ
る。フィルターとしては、孔径0.1 μｍ以下で、且つ除
粒子性能が99％以上であるものが好ましい。ここで、除
粒子性能とは、0.1μｍの粒子径を有するポリスチレン
均一ラテックス粒子を除去する能力を意味する。ラテッ
クス粒子を除去する能力は、例えばダウケミカル社製の
ダウユニフォーム等のラテックスを超純水に分散させて
フィルターに供給したときの除去率で示される。除去率
は例えば粒子カウンターを用いてフィルター供給前後の
粒子数を測定して求められる。より好ましいレジスト組
成物の製造方法としては、有機溶剤の主成分として２−
ヘプタノン等の炭素数10以下の直鎖状ケトン類、乳酸エ
チル又は２−メトキシプロピオン酸メチル等のモノオキ
シ又はモノアルコキシカルボン酸エステル、及びピルビ
ン酸エチル等のピルビン酸アルキルエステル類の中から
選ばれる１種又は２種以上を用い、さらにフィルターと
して孔径0.1 μｍ以下で、且つ、除粒子性能が99％以上
であるものを用いる方法が挙げられる。
えば感放射線性化合物及びアルカリ可溶性樹脂等と溶剤
との混合物を、約0.1 μｍの孔径を有するフィルターで
濾過する方法等により製造することができる。濾過は常
温（通常20〜25℃）で行われる。フィルターの濾過膜の
素材としては、例えばＰＴＦＥ等の弗素樹脂、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン樹脂、ナイロ
ン６、ナイロン６６等のポリアミド樹脂等が挙げられ
る。フィルターとしては、孔径0.1 μｍ以下で、且つ除
粒子性能が99％以上であるものが好ましい。ここで、除
粒子性能とは、0.1μｍの粒子径を有するポリスチレン
均一ラテックス粒子を除去する能力を意味する。ラテッ
クス粒子を除去する能力は、例えばダウケミカル社製の
ダウユニフォーム等のラテックスを超純水に分散させて
フィルターに供給したときの除去率で示される。除去率
は例えば粒子カウンターを用いてフィルター供給前後の
粒子数を測定して求められる。より好ましいレジスト組
成物の製造方法としては、有機溶剤の主成分として２−
ヘプタノン等の炭素数10以下の直鎖状ケトン類、乳酸エ
チル又は２−メトキシプロピオン酸メチル等のモノオキ
シ又はモノアルコキシカルボン酸エステル、及びピルビ
ン酸エチル等のピルビン酸アルキルエステル類の中から
選ばれる１種又は２種以上を用い、さらにフィルターと
して孔径0.1 μｍ以下で、且つ、除粒子性能が99％以上
であるものを用いる方法が挙げられる。
【００１５】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、比較的大き
い非溶解粒子が製造直後において少なく、且つ長期保存
後においても比較的大きい非溶解粒子の増加が少ない、
レジスト組成物が得られる。又、本発明のレジスト組成
物を用いれば、レジストパターンにより覆われた基板部
分にピンホールが発生することが殆どないので、集積回
路作製時の歩留りを良好にすることができる。
い非溶解粒子が製造直後において少なく、且つ長期保存
後においても比較的大きい非溶解粒子の増加が少ない、
レジスト組成物が得られる。又、本発明のレジスト組成
物を用いれば、レジストパターンにより覆われた基板部
分にピンホールが発生することが殆どないので、集積回
路作製時の歩留りを良好にすることができる。
【００１６】
【実施例】次に実施例をあげて本発明をより具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定さ
れるものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定さ
れるものではない。
【００１７】実施例１ ｍ／ｐ−クレゾールノボラック樹脂（ｍ／ｐ＝50／50、
クレゾール／ホルマリン＝１／0.75のモル比で製造した
重量平均分子量8000の樹脂）4.0 ｋｇ、下式
クレゾール／ホルマリン＝１／0.75のモル比で製造した
重量平均分子量8000の樹脂）4.0 ｋｇ、下式
【００１８】
【化２】
【００１９】で示されるフェノール化合物の１，２−ナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステル(A) （反応モル
比１：2.7 ）0.86ｋｇ、２−ヘプタノン12.5ｋｇ及びγ
−ブチロラクトン0.66ｋｇを遮光下に仕込み、攪拌して
溶解させた。次いで、0.091 μｍの粒子径を有するポリ
スチレン均一ラテックス粒子の除去能力が99％以上であ
り、且つ孔径が0.09μｍである10インチカートリッジフ
ィルター〔‘ウルトラクリーンテクノロジー’Vol.３，
２，83(203) 〜89(209) 頁(1991)に記載〕により濾過
後、清浄なガロン瓶に充填してポジ型レジスト組成物を
製造した。リオン（株）製自動微粒子計測器（KL−20
型）を用いて製造直後の組成物中の微粒子数を測定して
次の結果を得た。 0.25μｍ以上の粒子数 23個／ml；0.25〜0.3 μｍの粒
子数 ８個／ml 該組成物を22〜24℃のクリーンルーム内に45日保存後、
微粒子数を測定して次のように良好な結果を得た。 0.25μｍ以上の粒子数 45個／ml；0.25〜0.3 μｍの粒
子数 25個／ml 該レジスト組成物を用いて集積回路を作製すると、その
歩留りは良好である。
フトキノンジアジドスルホン酸エステル(A) （反応モル
比１：2.7 ）0.86ｋｇ、２−ヘプタノン12.5ｋｇ及びγ
−ブチロラクトン0.66ｋｇを遮光下に仕込み、攪拌して
溶解させた。次いで、0.091 μｍの粒子径を有するポリ
スチレン均一ラテックス粒子の除去能力が99％以上であ
り、且つ孔径が0.09μｍである10インチカートリッジフ
ィルター〔‘ウルトラクリーンテクノロジー’Vol.３，
２，83(203) 〜89(209) 頁(1991)に記載〕により濾過
後、清浄なガロン瓶に充填してポジ型レジスト組成物を
製造した。リオン（株）製自動微粒子計測器（KL−20
型）を用いて製造直後の組成物中の微粒子数を測定して
次の結果を得た。 0.25μｍ以上の粒子数 23個／ml；0.25〜0.3 μｍの粒
子数 ８個／ml 該組成物を22〜24℃のクリーンルーム内に45日保存後、
微粒子数を測定して次のように良好な結果を得た。 0.25μｍ以上の粒子数 45個／ml；0.25〜0.3 μｍの粒
子数 25個／ml 該レジスト組成物を用いて集積回路を作製すると、その
歩留りは良好である。
Claims (7)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂、感放射線性化合物及
び有機溶剤を含む混合物を孔径0.1μｍ以下で、且つ、
除粒子性能が99％以上であるフィルターを用いて濾過す
ることを特徴とするレジスト組成物の製造方法。 - 【請求項２】有機溶剤が、分子内にアセトキシ基及びア
ルコキシ基を双方同時に有さない溶剤である請求項１に
記載の製造方法。 - 【請求項３】分子内にアセトキシ基及びアルコキシ基を
双方同時に有さない溶剤が、主成分として140 〜180 ℃
の沸点を有する溶剤を含む請求項２に記載の製造方法。 - 【請求項４】140 〜180 ℃の沸点を有する溶剤が、炭素
数10以下の直鎖状ケトン類、モノオキシもしくはモノア
ルコキシカルボン酸エステル、及びピルビン酸アルキル
エステルの中から選ばれる１種又は２種以上である請求
項３に記載の製造方法。 - 【請求項５】アルカリ可溶性樹脂、感放射線性化合物並
びに分子内にアセトキシ基及びアルコキシ基を双方同時
に有さない溶剤を含有するレジスト組成物において、該
組成物中、0.25μｍ以上の粒子径を有する非溶解粒子の
含量が１ml中100 個以下であり、且つその非溶解粒子は
各々0.25〜0.3 μｍの粒子径及び0.3 μｍよりも大きい
粒子径を有する２つの粒子群から構成され、0.25〜0.3
μｍの粒子径の粒子群含量が１ml中50個以下であること
を特徴とするレジスト組成物。 - 【請求項６】分子内にアセトキシ基及びアルコキシ基を
双方同時に有さない溶剤が、主成分として140 〜180 ℃
の沸点を有する溶剤を含む請求項５に記載のレジスト組
成物。 - 【請求項７】140 〜180 ℃の沸点を有する溶剤が、炭素
数10以下の直鎖状ケトン類、モノオキシもしくはモノア
ルコキシカルボン酸エステル、及びピルビン酸アルキル
エステルの中から選ばれる１種又は２種以上である請求
項６に記載のレジスト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34669291 | 1991-12-27 | ||
| JP3-346692 | 1991-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05307263A true JPH05307263A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=18385173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4347752A Pending JPH05307263A (ja) | 1991-12-27 | 1992-12-28 | レジスト組成物の製造方法及びレジスト組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5360696A (ja) |
| EP (1) | EP0558102A3 (ja) |
| JP (1) | JPH05307263A (ja) |
| KR (2) | KR100283040B1 (ja) |
| CA (1) | CA2085405A1 (ja) |
| MX (1) | MX9207519A (ja) |
| TW (1) | TW267219B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009063726A1 (ja) * | 2007-11-12 | 2009-05-22 | Jsr Corporation | フォトレジスト用樹脂の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3433017B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2003-08-04 | 株式会社東芝 | 感光性組成物 |
| US5606006A (en) * | 1996-04-08 | 1997-02-25 | Shell Oil Company | Trisepoxy resin compositions |
| US6027853A (en) * | 1998-01-16 | 2000-02-22 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for preparing a radiation-sensitive composition |
| US7264912B2 (en) * | 2001-04-13 | 2007-09-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method of producing photoresist |
| DE10345362A1 (de) * | 2003-09-25 | 2005-04-28 | Kodak Polychrome Graphics Gmbh | Verfahren zur Verhinderung von Beschichtungsdefekten |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS57159821A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Fujitsu Ltd | Production of photopolymer |
| JPS62123444A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-06-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| US5240517A (en) * | 1988-04-28 | 1993-08-31 | Yoshida Kogyo K.K. | High strength, heat resistant aluminum-based alloys |
| JPH03294861A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| US5258461A (en) * | 1990-11-26 | 1993-11-02 | Xerox Corporation | Electrocodeposition of polymer blends for photoreceptor substrates |
| US5240817A (en) * | 1991-12-20 | 1993-08-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lamination of a photopolymerizable solder mask layer to a substate containing holes using an intermediate photopolymerizable liquid layer |
-
1992
- 1992-12-08 TW TW081109822A patent/TW267219B/zh active
- 1992-12-15 CA CA002085405A patent/CA2085405A1/en not_active Abandoned
- 1992-12-23 MX MX9207519A patent/MX9207519A/es not_active IP Right Cessation
- 1992-12-24 KR KR1019920025536A patent/KR100283040B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-12-28 EP EP9393107205A patent/EP0558102A3/en not_active Withdrawn
- 1992-12-28 JP JP4347752A patent/JPH05307263A/ja active Pending
-
1994
- 1994-02-07 US US08/192,817 patent/US5360696A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-28 US US08/203,616 patent/US5368987A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-22 KR KR1020000048466A patent/KR100283043B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009063726A1 (ja) * | 2007-11-12 | 2009-05-22 | Jsr Corporation | フォトレジスト用樹脂の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5368987A (en) | 1994-11-29 |
| MX9207519A (es) | 1993-07-30 |
| KR100283040B1 (ko) | 2001-03-02 |
| CA2085405A1 (en) | 1993-06-28 |
| US5360696A (en) | 1994-11-01 |
| EP0558102A3 (en) | 1994-11-02 |
| KR100283043B1 (ko) | 2001-02-15 |
| TW267219B (ja) | 1996-01-01 |
| EP0558102A2 (en) | 1993-09-01 |
| KR930013870A (ko) | 1993-07-22 |
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