JPH0530279Y2 - - Google Patents
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- JPH0530279Y2 JPH0530279Y2 JP1987058351U JP5835187U JPH0530279Y2 JP H0530279 Y2 JPH0530279 Y2 JP H0530279Y2 JP 1987058351 U JP1987058351 U JP 1987058351U JP 5835187 U JP5835187 U JP 5835187U JP H0530279 Y2 JPH0530279 Y2 JP H0530279Y2
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- secondary electron
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2443—Scintillation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
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- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は走査電子顕微鏡に関し、特に複数の検
出器によつて２次電子像を観察する装置の改良に
関する。
出器によつて２次電子像を観察する装置の改良に
関する。
［従来技術］
走査電子顕微鏡では、試料近傍に複数の２次電
子検出器を配置し、電子線の照射によりり試料か
ら発生する２次電子を検出することにより試料表
面の凹凸等の形状観察を行つている。第３図はこ
のような装置の従来例を示すので、１は試料照射
用の電子線、２は試料で、試料２は試料ホルダー
３に保持されている。４は試料ホルダー３が載置
された試料ステージで、該試料ステージ４には試
料移動等を行なうためのXY移動機構４ａ，Ｚ移
動機構４ｂ、試料回転機構４ｃ、試料傾斜機構４
ｄ等の機能が備えられており、これらは図示しな
いステージ駆動機構によつて駆動される。５は対
物レンズであり、前記試料ステージ４及び対物レ
ンズ５は内部が真空に排気される鏡体６内に配置
されている。７，８は鏡体６を真空を保持して貫
通し、電子線光軸Ｚに軸対称、即ち、電子線光軸
Ｚを挟んで等距離で対向するように配置された２
次電子検出器で、これらの２次電子検出器は、第
４図に示すように、試料２よりの２次電子ｅを捕
獲する捕獲電極９、シンチレータ１０、ライトガ
イド１１、光電子増倍管１２、コレクター電極１
３等によつて構成され、前記捕獲電極９には、高
圧電源１４より高電圧が印加されている。
子検出器を配置し、電子線の照射によりり試料か
ら発生する２次電子を検出することにより試料表
面の凹凸等の形状観察を行つている。第３図はこ
のような装置の従来例を示すので、１は試料照射
用の電子線、２は試料で、試料２は試料ホルダー
３に保持されている。４は試料ホルダー３が載置
された試料ステージで、該試料ステージ４には試
料移動等を行なうためのXY移動機構４ａ，Ｚ移
動機構４ｂ、試料回転機構４ｃ、試料傾斜機構４
ｄ等の機能が備えられており、これらは図示しな
いステージ駆動機構によつて駆動される。５は対
物レンズであり、前記試料ステージ４及び対物レ
ンズ５は内部が真空に排気される鏡体６内に配置
されている。７，８は鏡体６を真空を保持して貫
通し、電子線光軸Ｚに軸対称、即ち、電子線光軸
Ｚを挟んで等距離で対向するように配置された２
次電子検出器で、これらの２次電子検出器は、第
４図に示すように、試料２よりの２次電子ｅを捕
獲する捕獲電極９、シンチレータ１０、ライトガ
イド１１、光電子増倍管１２、コレクター電極１
３等によつて構成され、前記捕獲電極９には、高
圧電源１４より高電圧が印加されている。
このように構成された装置では、試料２に電子
線１を照射することにより発生する２次電子ｅ
は、電子線光軸Ｚに軸対称に配置された２次電子
検出器７，８によつて検出され、これらの２次電
子検出器７，８よりの信号は、加算増幅された
後、本図では図示しない表示装置に供給されて２
次電子による試料表面の凹凸像として表示され
る。
線１を照射することにより発生する２次電子ｅ
は、電子線光軸Ｚに軸対称に配置された２次電子
検出器７，８によつて検出され、これらの２次電
子検出器７，８よりの信号は、加算増幅された
後、本図では図示しない表示装置に供給されて２
次電子による試料表面の凹凸像として表示され
る。
［考案が解決しようとする問題点］
ところで、このように構成された装置では、試
料２より発生する２次電子ｅを吸引して効率良く
検出するため、前記２次電子検出器７及び８を電
子線光軸Ｚに近づけるようにしている。しかしな
がら、前記２次電子検出器７及び８を電子線光軸
Ｚに近づけると、試料２を試料傾斜機構４ｄによ
つて例えば矢印Ｒ方向に傾斜させて観察した場
合、試料ステージ４が２次電子検出器に接触する
ため、試料をあまり大きく傾斜できない欠点があ
つた。
料２より発生する２次電子ｅを吸引して効率良く
検出するため、前記２次電子検出器７及び８を電
子線光軸Ｚに近づけるようにしている。しかしな
がら、前記２次電子検出器７及び８を電子線光軸
Ｚに近づけると、試料２を試料傾斜機構４ｄによ
つて例えば矢印Ｒ方向に傾斜させて観察した場
合、試料ステージ４が２次電子検出器に接触する
ため、試料をあまり大きく傾斜できない欠点があ
つた。
本考案は以上の点に鑑みなされたもので、電子
線照射によつて試料から発生する２次電子を複数
の２次電子検出器により検出して試料表面の形状
観察を行なう装置において、試料を大きく傾斜さ
せた場合でも試料表面の形状観察を可能にした走
査電子顕微鏡を提供することを目的としている。
線照射によつて試料から発生する２次電子を複数
の２次電子検出器により検出して試料表面の形状
観察を行なう装置において、試料を大きく傾斜さ
せた場合でも試料表面の形状観察を可能にした走
査電子顕微鏡を提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本目的を達成するための本考案は、電子線の照
射により試料から発生する２次電子を検出するた
めの２次電子検出器と、前記試料を傾斜させるた
めの試料傾斜機構を備えた走査電子顕微鏡におい
て、前記２次電子検出器は複数備えられており、
一方の検出器は前記傾斜機構の構成部材の前記傾
斜に伴う移動範囲を逃げて光軸から離して配置さ
れており、他方の検出器は試料に近づけるため光
軸に近い位置に配置されており、両検出器の検出
信号量の相異を補正する補正手段を備えたことを
特徴としている。
射により試料から発生する２次電子を検出するた
めの２次電子検出器と、前記試料を傾斜させるた
めの試料傾斜機構を備えた走査電子顕微鏡におい
て、前記２次電子検出器は複数備えられており、
一方の検出器は前記傾斜機構の構成部材の前記傾
斜に伴う移動範囲を逃げて光軸から離して配置さ
れており、他方の検出器は試料に近づけるため光
軸に近い位置に配置されており、両検出器の検出
信号量の相異を補正する補正手段を備えたことを
特徴としている。
［実施例］
以下本考案の実施例を図面に基づき詳述する。
第１図は本考案の一実施例装置の構成概略図
で、第２図は本考案を説明するための構成図であ
る。尚、第１図及び第２図において、第３図及び
第４図に示す従来装置と同一構成要素には同一番
号を付してその説明を省略する。図中２０，２１
は２次電子検出器、２は増幅器、２３は補正用増
幅器、２４は加算増幅器、２５は表示装置であ
る。
で、第２図は本考案を説明するための構成図であ
る。尚、第１図及び第２図において、第３図及び
第４図に示す従来装置と同一構成要素には同一番
号を付してその説明を省略する。図中２０，２１
は２次電子検出器、２は増幅器、２３は補正用増
幅器、２４は加算増幅器、２５は表示装置であ
る。
ところで、第１図及び第２図に示した本考案に
係る装置が第３図に示す従来装置と異なる点は、
従来装置では、２次電子検出器７，８は前述した
ように電子線光軸Ｚに軸対称に配設されているの
に対して、第１図に示す実施例装置では、一方の
２次電子検出器２１は前記傾斜機構４の構成部材
の前記傾斜に伴う移動範囲を逃げて電子線光軸Ｚ
から離して配置されており、他方の２次電子検出
器２０は試料２に近づけるため電子線光軸Ｚに近
い位置に配置されている。そのため、前記２次電
子検出器２１の捕獲電極９で形成される電界強度
が試料近傍で弱くなり、２次電子検出器２１で検
出される信号量は２次電子検出器２０で検出され
る信号量より減少するが、これを補正するための
補正増幅器２３を設けている。このように構成す
ることにより、２次電子検出器２０と２１の光軸
Ｚより距離の相異により、検出される信号量が異
なつた場合でも、前記補正用増幅器２３の増幅率
によつて前記距離の相異による信号量のアンバラ
ンスが補正される。この補正された信号と前記増
幅器２２より信号は左右対称な信号となり、この
ような信号が前記加算増幅器２４によつて加算さ
れ表示装置２５に表示される。従つて、表示装置
２５に表示される２次電子による凹凸像は、両端
部のエツジが同じ明るさで表示されるため、エツ
ジ効果を軽減し均一なコントラストでエツジの両
端を２次電子像で観察することができる。又、試
料と２次電子検出器２１を従来装置より離間させ
て配置したため、試料を試料傾斜機構によつて矢
印Ｒ方向にθ，＜θ′で傾斜させても、従来装置の
ように試料シテージ４が２次電子検出器に接触す
ることがないため、従来より試料を傾斜させて観
察することができる。
係る装置が第３図に示す従来装置と異なる点は、
従来装置では、２次電子検出器７，８は前述した
ように電子線光軸Ｚに軸対称に配設されているの
に対して、第１図に示す実施例装置では、一方の
２次電子検出器２１は前記傾斜機構４の構成部材
の前記傾斜に伴う移動範囲を逃げて電子線光軸Ｚ
から離して配置されており、他方の２次電子検出
器２０は試料２に近づけるため電子線光軸Ｚに近
い位置に配置されている。そのため、前記２次電
子検出器２１の捕獲電極９で形成される電界強度
が試料近傍で弱くなり、２次電子検出器２１で検
出される信号量は２次電子検出器２０で検出され
る信号量より減少するが、これを補正するための
補正増幅器２３を設けている。このように構成す
ることにより、２次電子検出器２０と２１の光軸
Ｚより距離の相異により、検出される信号量が異
なつた場合でも、前記補正用増幅器２３の増幅率
によつて前記距離の相異による信号量のアンバラ
ンスが補正される。この補正された信号と前記増
幅器２２より信号は左右対称な信号となり、この
ような信号が前記加算増幅器２４によつて加算さ
れ表示装置２５に表示される。従つて、表示装置
２５に表示される２次電子による凹凸像は、両端
部のエツジが同じ明るさで表示されるため、エツ
ジ効果を軽減し均一なコントラストでエツジの両
端を２次電子像で観察することができる。又、試
料と２次電子検出器２１を従来装置より離間させ
て配置したため、試料を試料傾斜機構によつて矢
印Ｒ方向にθ，＜θ′で傾斜させても、従来装置の
ように試料シテージ４が２次電子検出器に接触す
ることがないため、従来より試料を傾斜させて観
察することができる。
［考案の効果］
以上詳述したように本考案によれば、一方の検
出器は試料傾斜機構の構成部材の傾斜範囲を逃げ
るように、電子線の光軸に非対称に複数の検出器
を配置すると共に、各検出器の光軸よりの距離の
相違による検出信号量の相違を補正するようにし
たため、試料の傾斜を大きくして試料表面の形状
観察を良質な像として観察可能にした走査電子顕
微鏡が提供される。
出器は試料傾斜機構の構成部材の傾斜範囲を逃げ
るように、電子線の光軸に非対称に複数の検出器
を配置すると共に、各検出器の光軸よりの距離の
相違による検出信号量の相違を補正するようにし
たため、試料の傾斜を大きくして試料表面の形状
観察を良質な像として観察可能にした走査電子顕
微鏡が提供される。
第１図は本考案の一実施例の構成概略図、第２
図は本考案を説明するための構成図、第３図は従
来装置の構成図、第４図は２次電子検出器を説明
するための図である。 １……電子線、２……試料、３……試料ホルダ
ー、４……試料ステージ、５……対物レンズ、６
……鏡体、９……捕獲電極、１０……シンチレー
タ、１１……ライトガイド１１、１２……光電子
増倍管、１３……コレクター電極、１４……高圧
電源、２０，２１……２次電子検出器、２２……
増幅器、２３……補正用増幅器、２４……加算増
幅器、２５……表示装置。
図は本考案を説明するための構成図、第３図は従
来装置の構成図、第４図は２次電子検出器を説明
するための図である。 １……電子線、２……試料、３……試料ホルダ
ー、４……試料ステージ、５……対物レンズ、６
……鏡体、９……捕獲電極、１０……シンチレー
タ、１１……ライトガイド１１、１２……光電子
増倍管、１３……コレクター電極、１４……高圧
電源、２０，２１……２次電子検出器、２２……
増幅器、２３……補正用増幅器、２４……加算増
幅器、２５……表示装置。
Claims (1)
- 電子線の照射により試料から発生する２次電子
を検出するための２次電子検出器と、前記試料を
傾斜させるための試料傾斜機構を備えた走査電子
顕微鏡において、前記２次電子検出器は複数備え
られており、一方の検出器は前記傾斜機構の構成
部材の前記傾斜に伴う移動範囲を逃げて光軸から
離して配置されており、他方の検出器は試料に近
づけるため光軸に近い位置に配置されており、両
検出器の検出信号量の相異を補正する補正手段を
備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987058351U JPH0530279Y2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | |
| US07/181,201 US4818874A (en) | 1987-04-17 | 1988-04-13 | Scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987058351U JPH0530279Y2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63165761U JPS63165761U (ja) | 1988-10-28 |
| JPH0530279Y2 true JPH0530279Y2 (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=13081897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987058351U Expired - Lifetime JPH0530279Y2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4818874A (ja) |
| JP (1) | JPH0530279Y2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077654B2 (ja) * | 1988-04-01 | 1995-01-30 | 株式会社日立製作所 | 走査型電子顕微鏡 |
| JP2786207B2 (ja) * | 1988-08-26 | 1998-08-13 | 株式会社日立製作所 | 走査型顕微鏡における表面形状算出方法 |
| JP3133307B2 (ja) * | 1989-10-13 | 2001-02-05 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
| US5097127A (en) * | 1990-02-23 | 1992-03-17 | Ibm Corporation | Multiple detector system for specimen inspection using high energy backscatter electrons |
| US5586321A (en) * | 1995-02-21 | 1996-12-17 | Ramot Ltd. | Diffracting token router and applications thereof |
| JP2003331770A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Seiko Instruments Inc | 電子線装置 |
| US6930308B1 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | SEM profile and surface reconstruction using multiple data sets |
| US7872236B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-01-18 | Hermes Microvision, Inc. | Charged particle detection devices |
| US7960697B2 (en) * | 2008-10-23 | 2011-06-14 | Hermes-Microvision, Inc. | Electron beam apparatus |
| US7919760B2 (en) * | 2008-12-09 | 2011-04-05 | Hermes-Microvision, Inc. | Operation stage for wafer edge inspection and review |
| US8094924B2 (en) * | 2008-12-15 | 2012-01-10 | Hermes-Microvision, Inc. | E-beam defect review system |
| JP2012138324A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Topcon Corp | 二次電子検出器、及び荷電粒子ビーム装置 |
| DE112016006875B4 (de) * | 2016-06-17 | 2022-05-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung sowie verfahren zum betrachten einer probe |
| CZ309523B6 (cs) * | 2020-08-27 | 2023-03-22 | Tescan Brno, S.R.O. | Naklápěcí prvek manipulačního stolku |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114269A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-08 | Internatl Precision Inc | Scanning type electronic microscope |
| JPS573358A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Hitachi Ltd | Detector for electron beam device |
| JPS57145259A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 | Akashi Seisakusho Co Ltd | Scanning type electron microscope and its similar device |
| JPS5835854A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Hitachi Ltd | 二次電子検出装置 |
| JPS59165357A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-18 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡の像形成方法 |
| JPH063721B2 (ja) * | 1985-05-17 | 1994-01-12 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP1987058351U patent/JPH0530279Y2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-04-13 US US07/181,201 patent/US4818874A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63165761U (ja) | 1988-10-28 |
| US4818874A (en) | 1989-04-04 |
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