JPH052982B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は、電子写真分野に関するものであり、
具体的には電子写真複写装置において用いられる
光導電体に関するものである。 ［従来の技術］ 本発明は積層された電子写真の光導電体、即ち
金属接地面部材上に電荷発生層（CGL）及び電
荷輸送層（CTL）をこの順で塗布した光導電体
に関するものである。このような光導電体は、金
属層とCGLの間に位置する障壁層及び障壁層と
CGLの中間に位置する接着性促進サビング
（Subbing：フイルムのゼラチンの下塗り）層、
及びCTLの表面上のオーバーコート層又はその
いずれかを任意に含むこともできる。この型の光
導電体では、光導電体の製造中の塗布時間を変化
させた別個の異なる層によつて、電荷発生機能及
び電荷輸送機能を与える。 本明細書において、暗帯電及び帯電電圧という
語は、帯電されるが光にさらされない光導電体の
部分の状態を意味する。明帯電、白色帯電及び放
電電圧という語は、帯電されて次に光に照射され
る光導電体の部分の状態を意味する。 このような光導電体を用いる際、複写装置の帯
電ステーシヨンにおいて暗くし、光導電体が帯電
したままに保つ。この帯電ステーシヨンにおい
て、コロナ帯電によつて、光導電体の外側の表面
を高く帯電させなければならない。この初期帯電
は暗帯電として規定され、時間と共にその値が著
しく低下（即ち暗減衰）してはならないし、この
初期帯電の高い値は長期にわたる光導電体の使用
又は繰り返しで再現できなくてはならない。 光導電体の暗帯電は、複写装置の像形成ステー
シヨンで光導電体にあてる像形成光を用いて、白
色帯電として定義されるところまで引き下げられ
る。この白色帯電は比較的低い値であり、この低
い値もまた長期にわたる光導電体の使用又は繰り
返しで現できなくてはならない。 複写装置を使用しながら、各複写のサイクル１
回毎に通常は光導電体を消去光源にかける。この
光は黄色光（yellow light）として特徴づけられ
る１つのスペクトル成分である。さらに、光導電
体及び複写装置又はそのいずれかの初期設定並び
に後の複写装置の保守サービス等で定期的に光導
電体はまわりの室内光にさらされる。室内光は、
主に黄色光及び青色光（blue light）を合わせた
白色光で特徴づけられる。本明細書では、室内光
を青色光と言うことがある。 例えばこれらの黄色及び青色の光源にさらされ
た後、光導電体はその満足できる電気的特性、例
えば暗帯電及び白色帯電等を維持しなければなら
ない（即ち、これらの光源にさらされても光導電
体が疲れてはならない）。 このような光導電体のCGLは通常、電荷発生
分子を含む重合したバインダを有し、その上の
CTLは電荷輸送分子を含む重合したバインダを
有する。 CGL内の電荷発生分子は像形成光に対する感
度があり、その光にさらされるとCGL内に自由
電子正孔対が発生する。そし光導電体の表面が負
に帯電されていると、正孔がCTLを通つて光導
電体の帯電表面に移動するにつれて、電子正孔対
のうちの電子が光導電体の接地面に移動する。こ
のように、光導電体の表面が白色帯電レベルまで
放電され、潜像が光導電体の表面に形成される。 CTLは通常、像形成光を吸収せず、その電荷
輸送分子は光伝導体の表面に正孔を輸送してこの
表面の電荷を中和するために作用する。 光伝導体の性能を限定するパラメータの一つ
に、CTLの電荷キヤリア・モビリテイがある。
光（本明細書では放射の意味で用いる）によつて
生成された電荷キヤリアのモビリテイは高い方が
好まく、それによつて白色帯電電圧状態にある光
導電体の放電が与えられる。この低い帯電状態の
値は、光導電体の使用回数によつて著しく変化す
べきではない。 非照射部分の光導電体はその初期暗帯電電圧を
維持しなければならない。しかもこの高い帯電状
態の値が光導電体の使用回数によつて著しく変化
すべきではない。 加えて、CTLは通常機械的摩耗（即ち、現像
ステーシヨン、移動ステーシヨン等）にさらされ
るので、CTLの重合体は摩耗に強い重合体が好
ましい。 従来の電子写真の光導電体は、光導電体の
CTL及びCGL又はそのいずれかのバインダとし
てポリエステル重合体及びポリカーボネート重合
体を用いてきた。また、これらの共重合体はもち
ろん、ポリカーボネート及びポリエステルの混合
物も使用されてきた。 我々は、光導電体のCGL及びCTL又はそのい
ずれかのバインダとしての秩序化されたコポリエ
ステルカーボネート（ordered
copolyestercarbonate）重合体（第５図の分子構
造参照）の使用が優れた光導電体を生むことを見
い出した。以下記述されるように、本発明に従う
秩序化コポリエステルカーボネート重合体は、エ
ステル含量の臨界範囲を有する。結果として、本
発明に従う光導電体は黄色及び青色又はそのいず
れかの光にかけられても著しく変化しない電気的
特徴を有し、しかも光導電体は良好な機械的摩耗
特性を有する。 米国特許第4330662号は、本発明に従つてバイ
ンダとして用いられる秩序化コポリエステルカー
ボネートについて記述している。この特許で記述
されている重合された物質は、透明で、優れた耐
熱性及び衝撃強さを有すると言われており、しか
も硬い透明フイルムを作るのに利用できると言わ
れている。 本明細書で使用されるように、秩序化コポリエ
ステルカーボネートという語は、米国特許第
4330662号で記述されている物質を意味し、これ
はキヤリバー（Calibre）（XP734）の名でダウ・
ケミカル社（Dow Chemical Company）から市
販されている。この物質の秩序化された分子構造
は第５図に示されている。 以下に記述されるように、前述の米国特許第
4330662号に記述される形式でしかも本発明に従
つてエステル含量の離界範囲を有する秩序化コポ
リエステルカーボネート物質が光導電体層の
CTL及びCGL又はそのいずれかのバインダとし
て用いられると、優れた電子写真の光導電体が得
られる。 米国特許第4621038号は層状光導電体について
記述しており、CGLが光発生分子としてフツ素
化スクアレイン（squaraine）化合物を含むよう
提案している。そして、光導電体の層に使用でき
るバインダ重合体、例えばポリカーボネート、ポ
リエステル、また、そのブロツク・ランダム重合
体又はその共重合体等を多数あげている。 米国特許第4612271号は、光デイスクで電子写
真の感光性物質として用いることができるアゾ化
合物を含む感光性成分について教示し、バインダ
として高い分子量の重合体を用いることができる
と示唆している。ポリエステルカーボネート等の
多くの重合体があげられている。 本発明の電荷発生分子はスクアリリウム
（squarylium）であり、特に２、４−ビス−（４
−ジメチルアミノ−２−ヒドロキシフエニル）シ
クロブテンジリウム−１、３−ジオラーテ（以下
OHSQとする）が好ましい。 この事に関して、米国特許第3824099号が例11
の中でOHSQ分子を開示している。この特許は
ポリエステルが適切なバインダであると述べてい
る。またポリカーボネートの使用も記述してい
る。 本発明の電荷輸送分子はヒドラゾンであり、特
に２−メチル−４−ジエチルアミノベンザルデハ
イデ−１、１−ジフエニルヒドラゾン（DEH）
が好ましい。 この事に関して、米国特許第4150987号が光導
電体のCTL中のヒドラゾンの使用について記述
している。この特許はポリエステル樹脂及びポリ
カーボネート樹脂の混合をCTLのバインダとし
て使用することができると示唆している。 この後者の特許は、塗布インクを形成するため
にテトロヒドロフラン（THF）及びトルエンの
溶剤の使用について記述している。これらの溶剤
も本発明の好ましい溶剤である。 これらの従来技術のどれもが、秩序化コポリエ
ステルカーボネートCGL及びCTL又はそのいず
れかのバインダのエステル含量の臨界範囲を教示
していないし、本発明の臨界範囲の使用による新
しい効果を教示していない。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、電子写真光導電体の電気特性が使用
において変化しない又は変化しても最小であるよ
うに改善することに関する。一般的な光導電体の
電気特性には暗電圧及び明電圧、又は白色電圧が
ある。 電子写真複写装置を使用する際、帯電ステーシ
ヨンにおいてコロナ帯電を使用して光導電体の表
面を例えば−800VDのような均一で高い電圧に
帯電させる。光導電体の帯電電圧（即ちその帯電
して受け取る電圧）は暗電圧として定義される。 光導電体は複写使用中は暗電圧に保持され、光
導電体が像形成ステーシヨンを通り抜けると選択
的に放電される。光導電体の放電部分はその後約
−50Vの一般的な電圧レベルになる。このように
して、像形成ステーシヨンは潜像を光導電体の上
に形成する。次にこの潜像を調色し、そのトナー
（toner）像を紙のような１枚の基板となる物質に
転移させると、コピー又はプリントが出来上が
る。像形成ステーシヨンによつて放電された光導
電体の電圧は、明電圧として定義される。これら
２つの光導電体の電圧特性が使用によつて変化す
るのは好ましくない。即ち、50000回程度度の複
写を繰り返して光導電体を使用した後に光導電体
は帯電ステーシヨンにおいて−800Vの帯電電圧
に到達せず、しかも像形成ステーシヨンで−50V
の低さまで放電できないか又はそのいずれかの状
態となる。さらに、複写装置の保守サービス等で
光導電体がまわりの室内光に何度もさらされる結
果、光導電体の暗電圧及び明電圧又はそのいずれ
かの特性が変化する。 本発明の目的は、複写装置で使用される電子写
真光導電体の長期にわたる使用及び室内光疲れ又
はそのいずれかによる電気的特性の変化を無くす
か、又は削減させることである。 もう一つの本発明の目的は、例えば複写装置の
消去光によつて生じる放電部分の疲れ及び室内光
疲れを削減した電子写真光導電体を与えることで
ある。 さらに本発明の目的は、電荷発生層及びその上
の電荷輸送層を有する層状電子写真光導電体を与
えることであり、その電荷輸送層及び電荷発生層
のバインダ重合物質は、エステル含量が35重量％
〜70重量％の臨界範囲の秩序化コポリエステルカ
ーボネートからなる。この範囲内において、60重
量％〜70重量％が好ましく、70重量％が最も好ま
しい。 ［課題を解決するための手段］ 本発明の特徴として、本発明に従う光導電体は
接地面部材、活性にする光が存在すると正孔電子
対を発生させることのできる物質を含む接地面部
材上の電荷発生層、電荷発生層から電荷輸送層の
露出表面まで正孔を輸送する事ができる物質を含
む電荷発生層上の電荷輸送層からなり、これらの
層のうち１つ又は両方とも35重量％〜70重量％の
範囲のエステル含量である秩序化コポリエステル
カーボネートからなる重合したバインダ物質を含
む。この範囲内では、エステル含量は60重量％〜
70重量％が好ましく、70重量％が最も好ましい。 本発明の特徴として、電荷輸送物質はヒドラゾ
ンであり、電荷発生物質はスクアリリウムであ
る。 本発明の特徴として、光導電体の製造方法にお
いて無アミン溶剤を用いて電荷発生層を塗布する
ためのOHSQ分散液を形成し、電荷輸送層を塗
布するためのDEH溶液を形成する。 秩序化コポリエステルカーボネートを光導電体
のCGL及びCTLの両者に用いる場合は、CGLを
アミン溶剤なしで分散塗布でき、CTLを溶液塗
布できる。さらに、結果として得られる光導電体
は、アミン溶剤を用いて塗布される従来の光導電
体の好ましい特性を有し、加えて暗帯電疲れ及び
白色帯電疲れは最小である。 ［実施例］ 第１図は、本発明に従う層状光導電体の図であ
る。本発明は、フレキシブル・ウエブ又はベルト
の光導電体及びドラム光導電体に関して記述され
る。しかしながら、他の形状でも同じように有効
であることは理解されるであろう。本発明の光導
電体は、電子写真装置例えば複写装置やプリンタ
に利用できる。この光導電体において、光を吸収
する一層（CGL）が電荷キヤリアを発生させ、
その上の層（CTL）がこれらの電荷キヤリアを
光導電体の露出表面に輸送するという特徴を有す
る。 第１図の光導電体において、フレキシブル基板
１０（即ち、マイラー（Mylar）社のポリエチレ
ンテレフタレート）は金属のアルミニウムの均一
膜厚の薄い層１１でおおわれている。アルミニウ
ム層１１は、電気的接地面として作用する。 そしてアルミニウム層１１は、重合したバイン
ダ及び感光性分子、即ち有機染料を含む均一膜厚
の薄い電荷発生層（CGL）１２でおおわれてい
る。 さらにCGL１２の上は均一膜厚の電荷輸送層
（CTL）１３でおおわれている。一般にCTL１３
は電荷輸送分子を含む重合したバインダを有す
る。 第１図に示されている様々な層の膜厚は厳密で
はないが、当業者には周知である。一般的な光導
電体では、接地層１１は0.01μmの厚さで、CGL
１２は0.1μmでCTL１３は15〜22μmの範囲であ
つた。層１１及び１２の間にポリアミド等の障壁
層を使用する場合は、これを0.1μmとした。 本発明のCGL及びCTLを形成するために用い
られる塗布インクの詳細な組成は厳密ではない
が、CGLの一般的な塗布インクは以下のように
して作られる。秩序化コポリエステルカーボネー
ト17ｇ及び任意選択的に分散剤0.4ｇをTHF溶剤
86ｇに溶解させる。この溶剤をOHSQ8.8ｇと共
に比較的小さなスチール球で半分満されているジ
ヤーの中に入れる。そしてそのジヤーを約２時間
塗布攪拌器にかける。結果として得られた分散液
をTHF249ｇで希釈し、CGL塗布インク７を形成
する。このインクは比較的長い間安定であり、
CGLを形成するための様々な塗布装置で使用で
きる。 CTLの一般的な塗布インクは、以下のように
して作られる。秩序化コポリエステルカーボネー
ト16ｇ、DEH40ｇ、任意選択的にシリコーン油
レベリング剤（DC−200）２滴をTHF溶剤500ｇ
に溶解させる。この適切に混合した溶液がCTL
の塗布インクである。このインクもまた、比較的
長い間安定であり、CTLを形成するための様々
な塗布装置で使用できる。 複写装置での操作において、コロナ帯電を用い
てCTL１３の露出表面１４上に電荷の連続層を
形成する。例えば、約800Vの負の電荷を露出表
面１４に与える。 本発明の特徴として、CTLは複写装置の帯電
ステーシヨンにおけるコロナ帯電の効果によつて
光導電体に耐退色性を与えるヒドラゾンを含む。 帯電手段が負のコロナである場合には、帯電ス
テーシヨンで異なる帯電源を用いることができる
が、しばしば、コロナによつて酸化窒素種が生じ
る。これらの種は、隣接の移動する光導電体の固
体表面に吸収されやすい。このため複写は、像の
色あせ（image wash−out）と呼ばれる像密度
の低い品質となる。 本発明に従つて、バインダが秩序化コポリエス
テルカーボネートである光導電体CTLの輸送分
子として、ヒドラゾン分子２−メチル−４−ジエ
チルアミノベンザルデハイド、１、１−ジフエニ
ルヒドラゾンを用いると、負のコロナ帯電を有す
る複写装置で高品質のコピー及びプリントを得る
ことができる。 第１図における矢印１５は、CGL１２内で正
孔電子対を生む像形成光の照射を示している。こ
の対の負の要素１７は正の極性の接地面１１に引
き付けられ、正の要素１６はCTL１３を通つて
負の極性の光導電体露出表面１４に移動する。従
つて、表面１４は像形成光で照射されたパターン
に選択的に放電され、複写装置（図示せず）に与
えられる。 本発明に従つて、第１図の光導電体にもう一つ
の周知の特徴を与えることができる（即ち、表面
１４上のオーバーコートの使用、及び接地面１１
とCGL１２の中間の障壁層の使用、及びCGL１
２のすぐ下の接着性促進サビング層の使用又はこ
のいずれか）。 さらに、CGL１２は電子写真プリンタで用い
られる比較的安価で信頼性の高いガリウムヒ素
（GaAs）レーザに対して感度を有する分子を含
んでいることが好ましい。この事に関してスクア
リリウム染料は近赤外線スペクトルに感度を有す
るので好適である。 本発明の一つの特徴に従つて、比較的不溶性で
高純度であり、エイムス試験（Ames test）で負
となる重合体マトリクスに分散したOHSQ顔料
を有する塗布媒体（すなわちインク）をアミン溶
剤を存在させずに用いる（したがつて、高粘度の
微粒子分散液が形成される）塗布プロセスで
CGL１２を形成する。例えばテトラヒドロフラ
ン（THF）、塩化メチレン又はトルエン等の無害
の溶剤を重合体マトリクスの溶解に用いる。そし
てこのインクをアルミニウム層１１上に塗布し、
CGL１２を形成する。インクが比較的高粘度で
あるので、塗布プロセスは簡略化される。 一度層を形成すると（即ち、硬化又は乾燥のプ
ロセスによつて溶剤を蒸発させる。）、分散させた
CGL１２は、次にCTL１３を塗布するのに用い
る溶剤に対して高い耐性を示す。これはアミン溶
剤を含む塗布溶液でCGL１２を形成した場合よ
りも高い耐性であり、この点でも有利である。 CGL１２は、バインダとして秩序化コポリエ
ステルカーボネートを用いて形成される。第５図
はこの重合体の分子構造を表わしている。CGL
１２を塗布するためのインク分散液の好ましい調
整方法は、スチール球を中に有する攪拌ミルを含
んでいた。秩序化コポリエステルカーボネート及
びTHF溶剤の液を温め、溶剤に重合体を完全に
溶解させた。結果として得られた溶液及び
OHSQ染料を攪拌ミル内にセツトした。そして
その攪拌ミルを塗料攪拌器にセツトし、混合させ
た後冷却し、追加のTHF溶剤で希釈した。攪拌
ミル及び塗料攪拌器の代わりにサンドミル装置を
用いることもできる。 溶剤／重合体の溶液中にOHSQを分散させた
液液をCGL１２の塗布に用いた。この分散液は
高粘度であるので塗布プロセスは簡略化される。 例えばDEHのようなヒドラゾン輸送分子を含
むCTL１３の中のバインダ又は重合したマトリ
クスとして前述の秩序化コポリエステルカーボネ
ートを用いる時には、CTLの室内光に対する耐
性が著しく大きくなる（即ち、室内光疲れが著し
く小さくなる）。さらに、複写装置の黄色消去光
にさらされた後の疲れも小さい。室内光又は白色
光は、400nm〜480nmの波長の青色光と、520nm
以上の波長の黄色光を合わせたものであると考え
られる。 本発明に従うと、前述のCGL及びCTL又はそ
のいずれかは、秩序化コポリエステルカーボネー
ト（分子構造は第５図に表わされている。）を有
する重合されたバインダ物質を含み、そのエステ
ル含量は35〜70重量％の範囲で、好ましくは60〜
70重量％の範囲である。この範囲内では、70重量
％のエステル含量が最も好ましい。 CGL１３をオーバーコート層でおおわないで、
そのような層を任意選択的に用いる場合には、
CTL１３の摩耗特性を考慮しなければならない。
本発明の秩序化コポリエステルカーボネートを使
用すると、光導電体にすぐれた摩耗特性を与える
こともできる。 CTL１３の室内光疲れは、一部の青色光の吸
収と一部の黄色光の吸収が原因で層１３において
光化学変化が起こるためであるといわれている。
この光化学変化は、層の暗電圧降下、層の暗減衰
速度の増加及び層の白色電圧発生の原因であると
いわれている。これらの好ましくない影響に関係
する主な要因は、輸送分子DEHが青い光及び空
気（特に酸素）の存在の下でインダゾール誘導体
に光環化する、即ち青色光疲れであるといわれて
いる。このインダゾール誘導体は、CTL内で絶
縁層を形成するのでCTLの電荷輸送機能を妨げ
る。即ち、下にあるCGLからCTLの表面への電
荷キヤリア（例えば正孔）の輸送が阻止されると
言われている。 このインダゾール誘導体への光化学変化は、
CTLの秩序化コポリエステルカーボネート・バ
インダ内のエステル含量の臨界範囲を使用するこ
とによつて阻止することができる。その結果、
DEH分子の構造又はDEH分子の輸送特性を変え
る必要がない。 以下に明らかにされるように、秩序化コポリエ
ステルカーボネート中のポリエステル含量があま
りにも多いと、光導電体の電気的特性に悪い影響
を及ぼす。一方、ポリエステル含量があまりにも
少ないと、インダゾール誘導体の形成を阻止でき
ない。 本発明の特徴に従つて、重合体マトリクスに
DEHを分散させて溶液を調整した塗布媒質又は
インクを用いる塗布プロセスでCTL１３を形成
する。無害の溶剤例えばテトラヒドロフラン
（THF）又は塩化メチレンを用いて重合体マトリ
クスを溶解する。そしてこのインクをCGL１２
上に塗布する。その後、硬化又は乾燥プロセスで
溶剤を蒸発させ、使用可能なCTLを形成する。 第２図は、本発明の新規の効果を説明する図で
あり、光導電体の暗帯電電圧２０が長期にわたる
光導電体の使用に伴つて変化する挙動を理想状態
２１と比較して示し、光導電体の白色放電電圧２
２が長期にわたる光導電体の使用に伴つて変化す
る挙動を理想状態２３と比較して示してある。カ
ーブ２２で示されるような使用に伴つて生じる光
導電体放電電圧の増加は、しばしば、白色放出
（white evolution）と呼ばれる。 第２図のｙ軸に示されているように、光導電体
は複写装置の帯電ステーシヨン（図示せず）を通
り、初めは800Vの電荷を受け取る。そして、こ
の十分に帯電された光導電体が像形成ステーシヨ
ン（図示せず）を通ると、光導電体の選択された
部分の電荷は50Vにまで落ちるが、光導電体の他
の部分は800V電荷のままである。 この帯電及び画像の操作は第３図の放電カーブ
３０で示されている。時間t1で光導電体部分は帯
電ステーシヨンを通り、時間t2でその同じ光導電
体部分が像形成ステーシヨンを通り、時間t3で光
導電体部分は現像ステーシヨン（図示せず）を通
つてそこで光導電体の潜像上にトナーを付着さ
せ、時間t4で光導電体部分は黄色光消去ステーシ
ヨン（図示せず）を通る。例えばt1及びt2間の時
間は通常は一瞬である。 第２図及び第３図のベクトル２４は、現像ベク
トルである。即ち、光導電体の画像及び非画像部
分間の電圧差を示している。光導電体が現像ステ
ーシヨンを通ると光導電体の潜像上のみに選択的
にトナーが付着する。 光導電体の長期にわたる使用（通常は何千回も
の複写）の後、光導電体には第２図のカーブ２０
及び２２に示されるような疲れが現れる。従つ
て、使用２５まで複写を繰り返すと、現像ベクト
ルは２４′で示される程度にまで大きく減少する
ので、第３図の放電カーブ３０が変化する。使用
疲れの影響は、矢印２６及び２７によつて表わさ
れる。矢印２６は暗帯電疲れ、矢印２７は白色帯
電疲れである。 本発明に基づく光導電体に対する室内光の影響
は、一時的なものである。即ち、室内光にさらさ
れた結果として生じる光導電体の現像ベクトルの
シフトは、室内光にさらされた直後に光導電体を
暗く保つことによつて復帰する。この現像は、光
導電体及び複写装置又はそのいずれかを製造する
際に最も頻繁に起こり、保守サービス等で複写装
置のカバーが開けられる時など、後発的にも起こ
る。 第４図は、本発明の具体例としてドラム光導電
体の構造を開示している。本発明のこの具体例に
おいて、まず参照番号４０で一部示されているア
ルミニウム・ドラムにポリアミド障壁層４１を塗
布する。次にこの障壁層４１にCGL４３の付着
性を促進する重合体を含むサビング層４２を塗布
する。サビング層４２は、前述の秩序化コポリエ
ステルカーボネートを含んでもよい。 この手順で前述のようなスクアリリウムを含む
分散液でCGL４３を塗布するための接地面手段
４０−４２を得る。そしてドラム光導電体の露出
表面に前述のようなヒドラゾンを含む溶液で
CTL４４を塗布する。 ドラム４０が導電性のプラスチツク・ドラムで
ある時には、本発明のCGLはさらに別の利点を
有する。CGL４３は無アミン溶剤を含む塗布イ
ンク分散液で塗布されるので、高活性溶剤例えば
アミン等によるドラムのプラスチツクの侵食を防
ぐ。 表１は、本発明のエステル含量の臨界範囲及び
光導電体のCTLに対するエステル含量の影響を
表わしている。

【表】 ７つ全ての光導電体サンプル（表１のＡ〜Ｇ）
のCTLは40重量％DEH及び60重量％重合したバ
インダをを含んでいた。これらのサンプルの
CGLは、アミンの溶剤で塗布したOHSQ層を含
んでいた。 サンプルＡ及びＧのCTL重合バインダはそれ
ぞれエステル含量０％及び100％であることに注
目されたい。 サンプルＢ〜ＦのCTL重合体は、前述の秩序
化コポリエステルカーボネートを含み、そのエス
テル含量は、35重量％〜90重量％の範囲で選択さ
れた。以下に示すように、サンプルＢ〜Ｅは本発
明の教示する範囲内（エステル含量が約35重量％
〜70重量％）のサンプルであり、サンプルＤ及び
Ｅは本発明の好ましいサンプル（エステル含量が
60重量％〜70重量％）であり、サンプルＥは最も
好ましいサンプル（エステル含量70重量％）であ
る。 表１のカラム３及び４は、光導電体が室内光に
さらす前（すなわち青色光疲れなし）でかつ光導
電体の使用前（すなわち黄色光疲れなし）である
サンプルの、それぞれの光導電体帯電電圧及び放
電電圧を示している。 カラム３，５及び７の帯電を生むために、全て
のサンプルを同じ帯電源にかけた。約0.4mJ／cm²
のレーザ光源を用いて、ガラム３，５及び７の帯
電した光導電体サンプルを消去することによつて
カラム４，６及び８の値を得た。 カラム３は、光導電体サンプルが帯電ステーシ
ヨンを通つて帯電した値を示している。そして全
てのサンプルが同じ強度の像形成ステーシヨンに
かけられた。カラム４は、サンプルが像形成ステ
ーシヨンを通つて放電した電圧レベルを示してい
る。 例えば（カラム３及び４を参照）、サンプルＤ
（エステル含量63重量％）は672Vの初期帯電電圧
に到達し、続いて像形成ステーシヨンの操作によ
つて109Vに放電された。サンプルＥ（エステル含
量69重量％）は669Vの初期帯電電圧に到達し、
続いて像形成ステーシヨン操作によつて104Vに
放電された。 この表１のカラム５及び６は、約136mWの強
度の白色けい光に30分間さらした室内光疲れ後の
各サンプルの光導電体の帯電電圧及び放電電圧を
示している。 例えば（カラム５及び６を参照）、サンプルＤ
は室内光疲れ後650Vの帯電電圧に到達し、続い
て像形成ステーシヨンにおいて44Vに放電され
た。一方、サンプルＥは、室内光疲れ後646Vの
帯電電圧に到達し、続いて像形成ステーシヨンに
おいて36Vに放電された。 サンプルＤ及びＥの前述の変化は、全てのサン
プルの代表的なものであることに注目されたい。
即ち、疲れ帯電状態（カラム５）及び疲れ放電状
態（カラム６）はカラム３及び４と比べて低い値
である。この減少は、カラム３〜４の状態及びカ
ラム５〜６の状態の両方に対して同じだけ起こる
ので、現像ベクトルは疲れの前後でほとんど同じ
大きさのままである。表１には示されていない
が、休止させると全てのサンプルはカラム５〜６
の状態からカラムの状態に戻りやすい。（即ち一
定期間の休止によつて室内光疲れが回復する。） カラム７及び８は、同じ光導電体サンプルを黄
色消去光で露光するプロセスを40000回繰り返し
た後の帯電状態及び放電状態を表わしている（即
ち、カラム７及び８は、黄色光疲れの影響を示し
ている）。再びサンプルＤ及びＥ（即ちエステル含
量が60重量％〜70重量％の範囲）に注目すると、
サンプルＤは619Vの帯電電圧に到達し213Vに放
電された。一方サンプルＥは、604Vの帯電電圧
に到達し、179Vに放電された。 当業者には明らかなように、表１から使用可能
な光導電体の候補を選ぶことができる。 表１のサンプルＡ（エステル含量０％のサンプ
ル）を考察するに、室内光疲れの後のこのサンプ
ルは劣化し（カラム５及び６参照）、サンプルの
白色帯電電圧は使用不可能な程高い230Vとなつ
た（例えば第２図のカーブ２２参照）。 表１のサンプルＧ（エステル含量100％のサンプ
ル）を考察するに、室内光疲れの後のこのサンプ
ルは劣化し（カラム５参照）、サンプルの暗帯電
電圧は使用不可能な低い448Vとなつた（例えば
第２図のカーブ２０参照）。 表１のサンプルＢ及びＣは、複写装置には使用
可能であるが、いくつかの好ましくない特性を有
する。 サンプルＢは、長期にわたつて使用すると
237Vの高い放電電圧（カラム８参照）を有する
ので、画質が損なわれる。このサンプルの初期現
像ベクトルは546V（678−132）であるが、黄色消
去光で４万回露光した後は388V（625−237）に落
ちる。 サンプルＣは同様の長期的な使用に対する疲れ
の特性ばかりでなく、このサンプルの初期放電電
圧の値（カラム４参照）は最も高く、かつ室内光
疲れ後の放電電圧（カラム６参照）も、サンプル
Ａ程ではないがかなり高い。 サンプルＦはサンプルＢと同じ事が言えるが、
特に、黄色消去光にさらされた後の結果が悪いの
で、本発明の範囲内に入れることはできない。 サンプルＢ〜Ｅが本発明の範囲内にある。これ
らのうち、サンプルＤ及びＥは本発明の好ましい
具体例であり、特にサンプルＥは最も好ましい。
サンプルＢ〜Ｅにおいて、帯電電圧は一様に高く
（カラム３，５及び７参照）、放電電圧は一様に使
用可能な低いレベルである（カラム４，６及び８
参照）。現像ベクトルは室内光及び黄色消去光の
疲れで大きさが変化するが、これらの変化の大き
さは複写装置においては扱いやすい。 従つて、表１から本発明の範囲内にあるCTL
の秩序化コポリエステルカーボネート・バインダ
のエステル含量は35重量％〜70重量％（サンプル
Ｂ〜Ｅ）であり、好ましくはこ範囲の上限にあ
り、60重量％〜70重量％である（サンプルＤ及び
Ｅ）。そして70重量％（サンプルＥ）が最も好ま
しい。 以下に示すように、本発明は腐食性アミン溶剤
を含まないスクアリリウムのCGL塗料分散液を
調整するので、化学的に安定な塗布インク及び価
格的に有利な塗布プロセスを供与できる利点があ
る。本発明以前は、無色の溶解性錯体を形成する
ためにアミンと混合させることによつて不溶性の
OHSQを溶解させる必要があつた。そしてこの
溶液をバインダ重合体及び溶剤と共に混合させて
CGL塗布インクを形成した。この従来技術の調
整においては、アミンに化学活性があるので腐食
性を示した。 本発明は、エステル含量が約35重量％ないし約
70重量％の範囲であり、好ましくはこの範囲の上
限の例えば約70重量％である前述の秩序化コポリ
エステルカーボネートの溶剤及び重合体マトリク
スの中に、不溶性スクアリリウムを分散させる。
これは、高粘度かつ低化学的活性度の微粒子塗布
分散液となる。この塗布分散液が高い粘度を有す
ることは、塗布プロセスの作業ウインドの寸法が
大きくなる場合の利点である。塗布インクが化学
的に不活性であるので、塗布の使用前２週間まで
は保存できる。さらに、CGLを塗布した光導電
体の分散体は、次に塗布するCGLに含まれる溶
剤に対してより大きな耐性を示す。 第６図は、第４図に示した型の光導電体ドラム
の暗帯電電圧カーブ５０及び白色帯電電圧カーブ
５１（第２図のカーブ２０及び２２と同様）を示
している。このドラムのCGLは0.1〜0.2μm厚さ
であり、CTLは本発明の秩序化コポリエステル
カーボネートを含む前述の形式であつた。この
CGLを用いる光導電体の帯電及び感度が直接ス
クアリリウム染料の量に関係するので、前述の典
型的なCGL塗料インクの重合体と染料の比を慎
重に制御しなければならない。 第６図から明らかなように、光導電体ドラムは
優れた暗帯電疲れ及び白色帯電疲れ特性を示し
た。 ［発明の効果］ 本発明は、複写装置で使用される電子写真光導
電体の長期的使用（複数回の使用）及び室内光疲
れ又はそのいずれかによる電気的特性の変化を無
くすか、又は軽減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に従う層状光導電体の図であ
る。第２図は、第１図の光導電体の長期的使用で
起こる暗帯電疲れ及び白色帯電疲れを示す図であ
る。第３図は、、帯電ステーシヨンにおける第１
図の光導電体の帯電、像形成ステーシヨンにおけ
る光導電体の放電、現像ステーシヨンにおける光
導電体の潜像の現像、及び消去ステーシヨンにお
ける光導電体の消去を示す図である。第４図は、
ドラム光導電体の構造の本発明の実施例を示す図
である。第５図は、本発明で用いられる秩序化コ
ポリエステルカーボネートの分子構造を示す図で
ある。第６図は、本発明に従うCGLを有する光
導電体ドラムの暗帯電及び白色帯電の特性を示す
図である。 １０……フレキシブル基板、１１……アルミニ
ウム接地層、１２，４３……CGL、１３，４４
……CTL、１４……CTLの露出表面の電荷連続
層、１５……像形成光、１６……正の要素、１７
……負の要素、２０，５０……白色帯電電圧カー
ブ、２１……暗帯電電圧の理想状態、２２，５１
……白色帯電電圧カーブ、２３……白色帯電電圧
の理想状態、２４，２４′……現像ベクトル、２
６……暗帯電疲れ、２７……白色帯電疲れ、２７
……白色帯電疲れ、３０……放電カーブ、４０…
…アルミニウム・ドラム、４１……ポリアミド障
壁層、４２……サビング層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 接地面部材と、 前記接地面部材上の電荷発生層で、活性化照射
   によつて正孔電子対を発生することができるスク
   アリリウム電荷発生物質を含む層と、 前記電荷発生層上の電荷輸送層で、前記電荷発
   生層から該電荷輸送層の露出表面まで発生した正
   孔を輸送することのできるヒドラゾン物質を含む
   層とを有し、 前記電荷発生層及び前記電荷輸送層は、エステ
   ル含量が35重量％〜70重量％の範囲の秩序化コポ
   リエステルカーボネートからなる重合したバイン
   ダを含むことを特徴とする光導電体。 ２ 前記電荷輸送物質がDEHである請求項１記
   載の光導電体。 ３ 前記電荷発生物質がOHSQである請求項１
   記載の光導電体。 ４ 前記電荷輸送物質がDEHであり、かつ前記
   電荷発生物質がOHSQである請求項１記載の光
   導電体。 ５ 前記電荷発生層及び前記電荷輸送物質は、エ
   ステル含量が60重量％〜70重量％の範囲の秩序化
   コポリエステルカーボネートからなる重合したバ
   インダを含む請求項４記載の光導電体。 ５ 前記重合したバインダは、エステル含量が70
   重量％である秩序化コポリエステルカーボネート
   からなる請求項５記載の光導電体。 ７ (a) 活性化照射によつて正孔電子対を発生す
   ることができる電荷発生物層を重合したバイン
   ダ内に有する電荷発生層と、 (b) 前記電荷発生層から電荷輸送層の露出表面ま
   で発生した正孔を輸送することのできるヒドラ
   ゾン物質及びエステル含量が35重量％〜70重量
   ％の範囲の秩序化コポリエステルカーボネート
   を含む、前記電荷発生層上の電荷輸送層とから
   なる光導電体。 ８ 前記電荷輸送物質がDEHである請求項７記
   載の光導電体。 ９ 前記秩序化コポリエステルカーボネートのエ
   ステル含量が60重量％〜70重量％の範囲である請
   求項８記載の光導電体。 １０ 前記秩序化コポリエステルカーボネートの
   エステル含量が70重量％である請求項９記載の光
   導電体。 １１ 前記電荷発生層の下に接地面部材を含む請
   求項１０記載の光導電体。 １２ 前記電荷輸送物質がDEHである請求項７
   記載の光導電体。 １３ (a) 活性化照射によつて正孔電子対を発生
   することができるスクアリリウム物質及びエス
   テル含量が35重量％〜70重量％の範囲の秩序化
   コポリエステルカーボネートを含む電荷発生層
   と、 (b) 重合したバインダ内に電荷輸送物質を有す
   る、電荷発生層上の電荷輸送層とからなる光導
   電体。 １４ 前記電荷発生層がOHSQである請求項１
   ３記載の光導電体。 １５ 前記電荷発生層の下に接地面部材を含む請
   求項１４記載の光導電体。 １６ 前記秩序化コポリエステルカーボネートの
   エステル含量が60重量％〜70重量％の範囲である
   請求項１５記載の光導電体。 １７ 前記秩序化コポリエステルカーボネートの
   エステル含量が70重量％である請求項１６記載の
   光導電体。 １８ 接地面部材を与える工程と、 第一溶液を形成するためにエステル含量が35重
   量％〜70重量％の範囲の秩序化コポリエステルカ
   ーボネートを第一溶剤中に混合させる工程と、 アミン無しで塗布分散液を形成するために前記
   第一溶液中にスクアリリウム電荷発生物質を混合
   させる工程と、 前記接地面部材上に電荷発生層を形成するため
   に前記塗布分散液を前記接地面部材上に塗布し、
   続いて前記第一溶剤を蒸発させるために前記電荷
   発生層を処理する工程と、 第二溶液を形成するためにエステル含量が35重
   量％〜70重量％の範囲の秩序化コポリエステルカ
   ーボネートを第二溶剤中に混合させる工程と、 塗布溶液を形成するために前記第二溶液中にヒ
   ドラゾン電荷輸送物質を混合させる工程と、 前記電荷発生層上に電荷輸送層を形成するため
   に前記塗布溶液を前記電荷発生層に塗布し、続い
   て前記第二溶剤を蒸発させるために前記電荷輸送
   層を処理する工程とからなる光導電体製造方法。 １９ 前記ヒドラゾン電荷輸送物質がDEHであ
   る請求項１８記載の光導電体製造方法。 ２０ 前記スクアリリウム電荷発生物質が
   OHSQである請求項１８記載の光導電体製造方
   法。 ２１ 前記ヒドラゾン電荷輸送物質がDEHであ
   り、かつ前記スクアリリウム電荷発生物質が
   OHSQである請求項１８記載の光導電体製造方
   法。 ２２ 前記第一溶液及び第二溶液の秩序化コポリ
   エステルカーボネートのエステル含量が60重量％
   〜70重量％の範囲である請求項２１記載の光導電
   体製造方法。 ２３ 前記第一溶液及び第二溶液の秩序化コポリ
   エステルカーボネートのエステル含量が70重量％
   である請求項２２記載の光導電体製造方法。 ２４ 前記第一溶剤及び第二溶剤がTHFである
   請求項２３記載の光導電体製造方法。 ２５ アルミニウム・ドラムと、 前記ドラムの外側アルミニウム表面上をおおう
   ポリアミド障壁層と、 前記障壁層をおおう重合したサビング層と、 エステル含量が35重量％〜70重量％の範囲の秩
   序化コポリエステルカーボネートをバインダとし
   て含み、前記サビング層上にスクアリリウム含有
   の分散液で塗布した電荷発生層（CGL）と、 前記秩序化コポリエステルカーボネートをバイ
   ンダとして含み、前記CGL上にヒドラゾン含有
   の溶液で塗布した電荷輸送層（CTL）とからな
   る電子写真複写装置でで用いられる光導電体。 ２６ 前記サビング層が前記秩序化コポリエステ
   ルカーボネートを含む請求項２５記載の光導電
   体。 ２７ 前記秩序化コポリエステルカーボネートの
   エステル含量が60重量％〜70重量％の範囲である
   請求項２６記載の光導電体。 ２８ 前記秩序化コポリエステルカーボネートの
   エステル含量が70重量％である請求項２７記載の
   光導電体。