JPH05297569A - 位相シフトレチクルおよびその製造方法 - Google Patents
位相シフトレチクルおよびその製造方法Info
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- JPH05297569A JPH05297569A JP31447292A JP31447292A JPH05297569A JP H05297569 A JPH05297569 A JP H05297569A JP 31447292 A JP31447292 A JP 31447292A JP 31447292 A JP31447292 A JP 31447292A JP H05297569 A JPH05297569 A JP H05297569A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】隣接する開口部分を透過する光に位相差を与え
る位相シフトレチクルにおいて、同一光透過部内の位相
の乱れを最小限にする。 【構成】ガラス基板１，導電性膜２の上にクロム膜３で
遮光体パターンを形成し、その上の全面に平坦化膜４を
形成する。さらにその上に所望のパターンのシフター６
を形成する。
る位相シフトレチクルにおいて、同一光透過部内の位相
の乱れを最小限にする。 【構成】ガラス基板１，導電性膜２の上にクロム膜３で
遮光体パターンを形成し、その上の全面に平坦化膜４を
形成する。さらにその上に所望のパターンのシフター６
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトレチクルおよ
びその製造方法に係わり、特に位相差を与えるシフター
を有するレチクルの構造およびその製造方法に関する。
びその製造方法に係わり、特に位相差を与えるシフター
を有するレチクルの構造およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】縮小投影露光装置で使用されるホトマス
クであるレチクルにおいて、近接する開口パターンを解
像度良く転写する位相シフトレイクルは、例えば日経マ
イクロデバイス１９９０年７月号Ｎｏ．６１ ＰＰ１０
３−１１４に紹介されている。
クであるレチクルにおいて、近接する開口パターンを解
像度良く転写する位相シフトレイクルは、例えば日経マ
イクロデバイス１９９０年７月号Ｎｏ．６１ ＰＰ１０
３−１１４に紹介されている。
【０００３】従来技術の位相シフトレチクルは、図４に
示す様に、ガラス基板１上の全面に電子線描画時の帯電
防止用の薄い導電性膜２を成膜し、さらにその上に遮光
体となるクロム膜を成膜し、パターン形成することによ
り所望のクロム膜３のパターンを得、その上に位相差材
パターンであるシフター６を形成している。ここで示し
ている導電性膜２は、パターン形成時における電子線描
画の条件によっては不要の場合がある。この場合は、ク
ロム膜３を直接ガラス基板１に披着形成してもよい。
示す様に、ガラス基板１上の全面に電子線描画時の帯電
防止用の薄い導電性膜２を成膜し、さらにその上に遮光
体となるクロム膜を成膜し、パターン形成することによ
り所望のクロム膜３のパターンを得、その上に位相差材
パターンであるシフター６を形成している。ここで示し
ている導電性膜２は、パターン形成時における電子線描
画の条件によっては不要の場合がある。この場合は、ク
ロム膜３を直接ガラス基板１に披着形成してもよい。
【０００４】図５は図４の構造を製造する従来技術の方
法である。
法である。
【０００５】まずレチクルの母材となるガラス基板１の
上に電子線描画時の帯電防止用として導電性膜２を成膜
し、さらにその上に成膜されたクロム膜３をパターン形
成する（図５（ａ））。次に化学的気相成長法（以下Ｃ
ＶＤと略す）、スパッタ法あるいはスピン塗布法で位相
差材として二酸化珪素膜７を形成する。さらに二酸化珪
素膜７の上にレジスト８をスピン塗布法等で塗布し、電
子線１０で所望のパターンを露光し（図５（ｂ））、こ
れを現像して形成されたレジスト８のパターンをマスク
として二酸化珪素膜７をエッチングによりパターニング
し、最後にレジスト８を除去すると、二酸化珪素膜７か
ら形成された位相シフター６を有するレチクルが得られ
る（図５（ｃ））。
上に電子線描画時の帯電防止用として導電性膜２を成膜
し、さらにその上に成膜されたクロム膜３をパターン形
成する（図５（ａ））。次に化学的気相成長法（以下Ｃ
ＶＤと略す）、スパッタ法あるいはスピン塗布法で位相
差材として二酸化珪素膜７を形成する。さらに二酸化珪
素膜７の上にレジスト８をスピン塗布法等で塗布し、電
子線１０で所望のパターンを露光し（図５（ｂ））、こ
れを現像して形成されたレジスト８のパターンをマスク
として二酸化珪素膜７をエッチングによりパターニング
し、最後にレジスト８を除去すると、二酸化珪素膜７か
ら形成された位相シフター６を有するレチクルが得られ
る（図５（ｃ））。
【０００６】また、近年では、第３８回応用物理学関係
連合講演会の講演予稿集、１９９１年春季Ｎｏ．２，５
３５頁、２９Ｐ−ＺＣ−１、でも紹介されているよう
に、位相差材としてガラス基板を選択的にエッチングし
て位相差を得ている。
連合講演会の講演予稿集、１９９１年春季Ｎｏ．２，５
３５頁、２９Ｐ−ＺＣ−１、でも紹介されているよう
に、位相差材としてガラス基板を選択的にエッチングし
て位相差を得ている。
【０００７】その一例を図６に示す。先に示した図４，
図５の従来例と同様に、ガラス基板１上に導電性膜２を
設け、その上に所望の遮光体パターン３を形成する。次
に、位相差を与えるべき部分以外をレジストで覆い、位
相差を与えるべき部分の導電性膜２をエッチングにより
除去し続いてガラス基板１をエッチング法により所望の
深さまで掘った後、レジストを除去することにより図６
で示した位相シフトレチクルを得ることができる。
図５の従来例と同様に、ガラス基板１上に導電性膜２を
設け、その上に所望の遮光体パターン３を形成する。次
に、位相差を与えるべき部分以外をレジストで覆い、位
相差を与えるべき部分の導電性膜２をエッチングにより
除去し続いてガラス基板１をエッチング法により所望の
深さまで掘った後、レジストを除去することにより図６
で示した位相シフトレチクルを得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この従来の遮光体パタ
ーン３上に位相差材パターン６を披着形成する図４，図
５に示す位相シフトレチクルでは、遮光体パターン３に
よって生じる段差によって、遮光体近傍の位相差材６
（７）に膜厚差が生じるため、光透過部の位相が不均一
になり、位相シフト法の効果を十分に引き出せないとい
う問題点があった。
ーン３上に位相差材パターン６を披着形成する図４，図
５に示す位相シフトレチクルでは、遮光体パターン３に
よって生じる段差によって、遮光体近傍の位相差材６
（７）に膜厚差が生じるため、光透過部の位相が不均一
になり、位相シフト法の効果を十分に引き出せないとい
う問題点があった。
【０００９】すなわち、この従来の位相シフトレチクル
の製造方法では、このレチクルを波長λが３６５ｎｍ
（ナノメータ）の光で使用する場合、二酸化珪素膜７に
よるシフター６の膜厚は屈折率ｎ＝１．４３の場合は、
λ／｛２×（ｎ−１）｝から約４２４ｎｍ±１０ｎｍ、
すなわち所望の膜厚から約±２．４％の膜厚制御、均一
性が必要である。
の製造方法では、このレチクルを波長λが３６５ｎｍ
（ナノメータ）の光で使用する場合、二酸化珪素膜７に
よるシフター６の膜厚は屈折率ｎ＝１．４３の場合は、
λ／｛２×（ｎ−１）｝から約４２４ｎｍ±１０ｎｍ、
すなわち所望の膜厚から約±２．４％の膜厚制御、均一
性が必要である。
【００１０】しかしながら、従来技術によって位相差材
としての二酸化珪素膜７をＣＶＤ法で形成しこれをパタ
ーニングしてシフター６を得る場合は、レチクル面内の
膜厚の均一性は約±５％と悪く、光の位相をコントロー
ルしきれない。また、スピン塗布法で二酸化珪素膜７を
形成する場合、クロムパターンによる凹凸が二酸化珪素
膜の表面でも解消せず、凹凸部の中央と端で膜厚差が大
きいと言う問題点があった。
としての二酸化珪素膜７をＣＶＤ法で形成しこれをパタ
ーニングしてシフター６を得る場合は、レチクル面内の
膜厚の均一性は約±５％と悪く、光の位相をコントロー
ルしきれない。また、スピン塗布法で二酸化珪素膜７を
形成する場合、クロムパターンによる凹凸が二酸化珪素
膜の表面でも解消せず、凹凸部の中央と端で膜厚差が大
きいと言う問題点があった。
【００１１】一方、従来のガラス基板を選択的に掘る図
６に示す位相シフトレチクルでは、時間制御によってエ
ッチング法で掘るために深さをコントロールしにくく、
また反応性イオンエッチング（以下、ＩＲＥ、と略す）
法等によってガラス基板を掘るため光が透過する部分が
物理的に荒れた状態になり、光の位相が乱れるという問
題点があった。
６に示す位相シフトレチクルでは、時間制御によってエ
ッチング法で掘るために深さをコントロールしにくく、
また反応性イオンエッチング（以下、ＩＲＥ、と略す）
法等によってガラス基板を掘るため光が透過する部分が
物理的に荒れた状態になり、光の位相が乱れるという問
題点があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、隣接す
る開口部分を透過する光に位相差を与える位相シフトレ
チクルにおいて、ガラス基板上に形成された遮光体パタ
ーンと、該遮光体パターンを含む該ガラス基板上の全面
に形成された表面が平坦化される平坦化膜と、該平坦化
膜の平坦化された表面上に形成された位相差を与える位
相差材パターンとを有する位相シフトレチクルにある。
る開口部分を透過する光に位相差を与える位相シフトレ
チクルにおいて、ガラス基板上に形成された遮光体パタ
ーンと、該遮光体パターンを含む該ガラス基板上の全面
に形成された表面が平坦化される平坦化膜と、該平坦化
膜の平坦化された表面上に形成された位相差を与える位
相差材パターンとを有する位相シフトレチクルにある。
【００１３】本発明の他の特徴は、隣接する開口部分を
透過する光に位相差を与える位相シフトレチクルの製造
方法において、ガラス基板上に所望のパターンの遮光体
を形成する工程と、該遮光体を含むガラス基板上の全面
に平坦化膜を形成する工程と、該平坦化膜上の位相差を
与えるべき部位に所望の位相差材を形成する工程とを有
する位相シフトレチクルの製造方法にある。
透過する光に位相差を与える位相シフトレチクルの製造
方法において、ガラス基板上に所望のパターンの遮光体
を形成する工程と、該遮光体を含むガラス基板上の全面
に平坦化膜を形成する工程と、該平坦化膜上の位相差を
与えるべき部位に所望の位相差材を形成する工程とを有
する位相シフトレチクルの製造方法にある。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】図１は本発明の第１の実施例の位相シフト
レチクルおよびその製造方法を示す断面図である。
レチクルおよびその製造方法を示す断面図である。
【００１６】まず図１（Ａ）に示す様に、ガラス基板１
の全表面に薄い第１の導電性膜２を披着しその上にクロ
ム膜のパターン３を遮光体パターンとして披着形成し、
その上の全面にＣＶＤ法、例えば低温で成膜できる低圧
ＣＶＤ法（２００℃程度）や光ＣＶＤ法（１００℃程
度）、又はスパッタ法等で平坦化膜４として二酸化珪素
膜を、その上表面が満足できる平坦となる様に、十分な
厚さに形成する。この実施例では約８００ｎｍ（ナノメ
ータ）の二酸化珪素膜４を形成する。
の全表面に薄い第１の導電性膜２を披着しその上にクロ
ム膜のパターン３を遮光体パターンとして披着形成し、
その上の全面にＣＶＤ法、例えば低温で成膜できる低圧
ＣＶＤ法（２００℃程度）や光ＣＶＤ法（１００℃程
度）、又はスパッタ法等で平坦化膜４として二酸化珪素
膜を、その上表面が満足できる平坦となる様に、十分な
厚さに形成する。この実施例では約８００ｎｍ（ナノメ
ータ）の二酸化珪素膜４を形成する。
【００１７】次に図１（Ｂ）に示す様に、平坦化膜４の
全上表面に第２の導電性膜５を披着し、さらにその上に
スピン塗布法やＣＶＤ法あるいはスパッタ法等を用いて
シフターを形成するための位相差材、ここでは二酸化珪
素膜を所望の膜厚に全面形成する。しかる後、全面に形
成された二酸化珪素膜を所望の形状にパターニングする
ことによってシフター６のパターンを得る。
全上表面に第２の導電性膜５を披着し、さらにその上に
スピン塗布法やＣＶＤ法あるいはスパッタ法等を用いて
シフターを形成するための位相差材、ここでは二酸化珪
素膜を所望の膜厚に全面形成する。しかる後、全面に形
成された二酸化珪素膜を所望の形状にパターニングする
ことによってシフター６のパターンを得る。
【００１８】尚、第１の導電性膜２はクロム膜パターン
３を電子線露光で形成する時の帯電防止膜として設ける
のであるが、形成時における電子線描画の条件によって
は不要の場合がある。この場合は、クロム膜３を直接ガ
ラス基板１に披着形成してもよい。同様に、第２の導電
性膜５はシフターのパターン６を電子線露光で形成する
時の帯電防止膜として設けるのであるが、形成時におけ
る電子線描画の条件によっては不要の場合がある。この
場合は、シフターのパターン６を直接平坦化膜４に披着
形成してもよい。
３を電子線露光で形成する時の帯電防止膜として設ける
のであるが、形成時における電子線描画の条件によって
は不要の場合がある。この場合は、クロム膜３を直接ガ
ラス基板１に披着形成してもよい。同様に、第２の導電
性膜５はシフターのパターン６を電子線露光で形成する
時の帯電防止膜として設けるのであるが、形成時におけ
る電子線描画の条件によっては不要の場合がある。この
場合は、シフターのパターン６を直接平坦化膜４に披着
形成してもよい。
【００１９】図２は本発明の第２の実施例の位相シフト
レチクルおよびその製造方法を示す断面図である。
レチクルおよびその製造方法を示す断面図である。
【００２０】まず図２（ａ）に示す様に、ガラス基板１
上の導電性膜２の上にクロム膜３を所望のパターンに形
成する。ここで示している導電性膜２はクロムパターン
形成時の製造方法・条件によっては不必要な場合があ
る。
上の導電性膜２の上にクロム膜３を所望のパターンに形
成する。ここで示している導電性膜２はクロムパターン
形成時の製造方法・条件によっては不必要な場合があ
る。
【００２１】次に図２（ｂ）に示す様に、全面にＣＶＤ
法、例えば低温で成膜のできる低圧ＣＶＤ法（２００℃
程度）や光ＣＶＤ法（１００℃程度）で膜厚が約５０ｎ
ｍの薄い二酸化珪素膜９を形成する。本実施例では光Ｃ
ＶＤ法を用いてレチクル全面に膜厚が４７ｎｍ±２．８
ｎｍの二酸化珪素膜９を形成した。
法、例えば低温で成膜のできる低圧ＣＶＤ法（２００℃
程度）や光ＣＶＤ法（１００℃程度）で膜厚が約５０ｎ
ｍの薄い二酸化珪素膜９を形成する。本実施例では光Ｃ
ＶＤ法を用いてレチクル全面に膜厚が４７ｎｍ±２．８
ｎｍの二酸化珪素膜９を形成した。
【００２２】次に図２（ｃ）に示すに、平坦化膜４とし
て液相成長法やスピン塗布法によって二酸化珪素膜４を
形成する。
て液相成長法やスピン塗布法によって二酸化珪素膜４を
形成する。
【００２３】本実施例の液相成長法は、例えば特開平３
−９７２４７号公報に示す方法により、約３．５ｍｏｌ
の珪弗化水素酸水溶液にシラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）
を１５０℃の低温で焼成して形成した二酸化珪素の粉末
を３０℃の温度で溶解、飽和させた飽和水溶液を用い、
かつ常時過飽和状態に保つために濃度が約０．１ｍｏｌ
／ｌのホウ酸水溶液を１０ｃｃ／時の速度で連続的に添
加した。また、この過飽和水溶液は開口幅が０．２μｍ
のテフロンフィルターを用いて常時循環させ、粒径が
０．２μｍを越える粒子を除去した。この様に常時過飽
和かつ３５℃の一定温度に保たれた水溶液に、上記レチ
クルの中間製品を浸漬する。二酸化珪素の成長速度が４
０ｎｍ／時であるため、１７時間３０分浸漬することに
よって、厚さ０．７μｍの二酸化珪素膜からなる平坦化
膜４を形成させる。この時の平坦化膜４の表面で後にシ
フター材を形成する部位での凹凸差は約３ｎｍであっ
た。また、平坦化膜４としてスピン塗布法による二酸化
珪素膜を形成する場合、二酸化珪素の濃度が２０ｗｔ％
の塗布剤を２０００ｒｐｍで６０秒スピン塗布し、その
後２００℃で３０分間ベークを行ない平坦化膜４を形成
させた結果、厚さ０．９８μｍの二酸化珪素膜の平坦化
膜４が形成できた。この時の平坦化膜４の表面で後にシ
フター材を形成する部位での凹凸差は約１．５ｎｍであ
った。但し、この場合の平坦の効果は、下地の薄い二酸
化珪素膜９が存在していない場合でも同様に得られる。
−９７２４７号公報に示す方法により、約３．５ｍｏｌ
の珪弗化水素酸水溶液にシラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）
を１５０℃の低温で焼成して形成した二酸化珪素の粉末
を３０℃の温度で溶解、飽和させた飽和水溶液を用い、
かつ常時過飽和状態に保つために濃度が約０．１ｍｏｌ
／ｌのホウ酸水溶液を１０ｃｃ／時の速度で連続的に添
加した。また、この過飽和水溶液は開口幅が０．２μｍ
のテフロンフィルターを用いて常時循環させ、粒径が
０．２μｍを越える粒子を除去した。この様に常時過飽
和かつ３５℃の一定温度に保たれた水溶液に、上記レチ
クルの中間製品を浸漬する。二酸化珪素の成長速度が４
０ｎｍ／時であるため、１７時間３０分浸漬することに
よって、厚さ０．７μｍの二酸化珪素膜からなる平坦化
膜４を形成させる。この時の平坦化膜４の表面で後にシ
フター材を形成する部位での凹凸差は約３ｎｍであっ
た。また、平坦化膜４としてスピン塗布法による二酸化
珪素膜を形成する場合、二酸化珪素の濃度が２０ｗｔ％
の塗布剤を２０００ｒｐｍで６０秒スピン塗布し、その
後２００℃で３０分間ベークを行ない平坦化膜４を形成
させた結果、厚さ０．９８μｍの二酸化珪素膜の平坦化
膜４が形成できた。この時の平坦化膜４の表面で後にシ
フター材を形成する部位での凹凸差は約１．５ｎｍであ
った。但し、この場合の平坦の効果は、下地の薄い二酸
化珪素膜９が存在していない場合でも同様に得られる。
【００２４】次に図２（ｄ）に示す様に平坦化膜上にレ
ジストを塗布し、所望のパターンに露光、現像処理を行
なうことにより、位相差材を形成する必要のない部位に
レジストパターン８を形成する。次にこのレジストパタ
ーン８を形成した状態で前記珪弗化水素酸水溶液に７時
間９分２７秒浸漬することによって、レジストパターン
８の間に厚さ２８６ｎｍの二酸化珪素膜を選択的に形成
させてシフター６を得る。この時のシフター６となる位
相差材の二酸化珪素膜の膜厚均一性は±１．０％と良好
であった。
ジストを塗布し、所望のパターンに露光、現像処理を行
なうことにより、位相差材を形成する必要のない部位に
レジストパターン８を形成する。次にこのレジストパタ
ーン８を形成した状態で前記珪弗化水素酸水溶液に７時
間９分２７秒浸漬することによって、レジストパターン
８の間に厚さ２８６ｎｍの二酸化珪素膜を選択的に形成
させてシフター６を得る。この時のシフター６となる位
相差材の二酸化珪素膜の膜厚均一性は±１．０％と良好
であった。
【００２５】最後にレジスト８を剥離することにより、
図２（ｅ）に示す様に、所望の部位に位相差材のパター
ンであるシフター６を形成した位相シフトレチクルが得
られる。
図２（ｅ）に示す様に、所望の部位に位相差材のパター
ンであるシフター６を形成した位相シフトレチクルが得
られる。
【００２６】図３は本発明の第３の実施例の位相シフト
レチクルおよびその製造方法を示す断面図である。
レチクルおよびその製造方法を示す断面図である。
【００２７】まず図３（ａ），（ｂ）に示す様に、図２
の第２の実施例と同様にしてガラス基板１上の導電性膜
２の上にクロム膜３のパターン及び平坦化膜４を形成す
る。
の第２の実施例と同様にしてガラス基板１上の導電性膜
２の上にクロム膜３のパターン及び平坦化膜４を形成す
る。
【００２８】但し、液相成長法を用いて平坦化膜４を形
成する場合は、第２の実施例の図３（ｂ）で示した様に
クロム膜３上にＣＶＤ法等により薄い二酸化珪素膜９を
形成する。
成する場合は、第２の実施例の図３（ｂ）で示した様に
クロム膜３上にＣＶＤ法等により薄い二酸化珪素膜９を
形成する。
【００２９】次に図３（ｃ）に示す様に、平坦化膜４の
上に後の工程でエッチング停止膜となる導電性膜５を形
成する。さらに導電性膜５の上に位相差材となる二酸化
珪素膜７を液相成長法又はスピン塗布法にて全面に形成
する。液相成長法の場合、第２の実施例で説明した珪弗
化水素水溶液に７時間９分２７秒浸漬することによっ
て、厚さ２８６ｎｍの二酸化珪素膜７を全面に形成す
る。この時の二酸化珪素膜７の膜厚均一性は±１．０％
であった。
上に後の工程でエッチング停止膜となる導電性膜５を形
成する。さらに導電性膜５の上に位相差材となる二酸化
珪素膜７を液相成長法又はスピン塗布法にて全面に形成
する。液相成長法の場合、第２の実施例で説明した珪弗
化水素水溶液に７時間９分２７秒浸漬することによっ
て、厚さ２８６ｎｍの二酸化珪素膜７を全面に形成す
る。この時の二酸化珪素膜７の膜厚均一性は±１．０％
であった。
【００３０】またスピン塗布法で形成する場合、二酸化
珪素の濃度が１２ｗｔ％の塗布剤を４０００ｒｐｍで６
０秒スピン塗布し、その後２００℃で３０分間ベークを
行なって二酸化珪素膜７を形成する。この時の二酸化珪
素膜７の膜厚は２８７ｎｍで膜厚の均一性は±１．４％
であった。
珪素の濃度が１２ｗｔ％の塗布剤を４０００ｒｐｍで６
０秒スピン塗布し、その後２００℃で３０分間ベークを
行なって二酸化珪素膜７を形成する。この時の二酸化珪
素膜７の膜厚は２８７ｎｍで膜厚の均一性は±１．４％
であった。
【００３１】次に図３（ｄ）に示すように、二酸化珪素
膜７上にレジストを塗布し、所望のパターンに露光、現
像処理を行なう。このレジストパターン８をエッチング
マスクとして反応性イオンエッチング法等で二酸化珪素
膜７を選択的にエッチングすることにより、この位相差
材としての二酸化珪素膜７のパターンであるシフター６
を得る。
膜７上にレジストを塗布し、所望のパターンに露光、現
像処理を行なう。このレジストパターン８をエッチング
マスクとして反応性イオンエッチング法等で二酸化珪素
膜７を選択的にエッチングすることにより、この位相差
材としての二酸化珪素膜７のパターンであるシフター６
を得る。
【００３２】最後に図３（ｅ）に示す様に、レジスト８
を剥離することにより、レチクル上の所望の部位に位相
差材６を形成した位相シフトレチクルが得られる。本実
施例の方法によっても、前記実施例と同じ効果を得るこ
とができる。
を剥離することにより、レチクル上の所望の部位に位相
差材６を形成した位相シフトレチクルが得られる。本実
施例の方法によっても、前記実施例と同じ効果を得るこ
とができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、クロム膜
による遮光体パターンによって生じる表面の凹凸を平坦
化膜によって平坦にすることによって、同一光透過部内
の位相の乱れを最小限にすることができるという効果を
有する。
による遮光体パターンによって生じる表面の凹凸を平坦
化膜によって平坦にすることによって、同一光透過部内
の位相の乱れを最小限にすることができるという効果を
有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す断面図である。
【図４】従来技術を示す断面図である。
【図５】図４を製造する従来技術の方法を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】他の従来技術を示す断面図である。
１ ガラス基板 ２ 導電性膜 ３ クロム膜 ４ 平坦化膜 ５ 導電性膜 ６ シフター ７ シフター６を形成する位相差材としての二酸化珪
素膜 ８ レジストパターン ９ 薄い二酸化珪素膜 １０ 電子線
素膜 ８ レジストパターン ９ 薄い二酸化珪素膜 １０ 電子線
Claims (7)
- 【請求項１】 隣接する開口部分を透過する光に位相差
を与える位相シフトレチクルにおいて、ガラス基板上に
形成された遮光体パターンと、該遮光体パターンを含む
該ガラス基板上の全面に形成された表面が平坦化される
平坦化膜と、該平坦化膜の平坦化された表面上に形成さ
れた位相差を与える位相差材パターンとを有することを
特徴とする位相シフトレチクル。 - 【請求項２】 前記遮光体パターンは前記ガラス基板上
の全面に形成された第１の導電性膜を介して形成され、
前記位相差材パターンは前記平坦化膜表面上の全面に形
成された第２の導電性膜を介して形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の位相シフトレチクル。 - 【請求項３】 隣接する開口部分を透過する光に位相差
を与える位相シフトレチクルの製造方法において、ガラ
ス基板上に所望のパターンの遮光体を形成する工程と、
該遮光体を含むガラス基板上の全面に平坦化膜を形成す
る工程と、該平坦化膜上の位相差を与えるべき部位に所
望の位相差材を形成する工程とを有することを特徴とす
る位相シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項４】 前記平坦化膜を形成する方法として、ス
ピン塗布法で二酸化珪素膜を形成することを特徴とする
請求項３に記載の位相シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項５】 前記平坦化膜を形成する方法として、常
時二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中に前記ガ
ラス基板上に遮光体パターンを形成した状態で浸漬する
ことによって、二酸化珪素膜を全面に形成することを特
徴とする請求項３に記載の位相シフトレチクルの製造方
法。 - 【請求項６】 前記位相差材を形成する方法として、ス
ピン塗布法で二酸化珪素膜を形成することを特徴とする
請求項３に記載の位相シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項７】 前記位相差材を形成する方法として、常
時二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中に前記平
坦化膜の形成を行った状態で浸漬することによって、二
酸化珪素膜を形成することを特徴とする請求項３に記載
の位相シフトレチクルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31447292A JP2882215B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-11-25 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117092 | 1992-02-19 | ||
| JP4-31170 | 1992-02-19 | ||
| JP31447292A JP2882215B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-11-25 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05297569A true JPH05297569A (ja) | 1993-11-12 |
| JP2882215B2 JP2882215B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=26369623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31447292A Expired - Fee Related JP2882215B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-11-25 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882215B2 (ja) |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP31447292A patent/JP2882215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2882215B2 (ja) | 1999-04-12 |
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Legal Events
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