JPH05232676A - 位相シフトレチクルの製造方法 - Google Patents
位相シフトレチクルの製造方法Info
- Publication number
- JPH05232676A JPH05232676A JP3122492A JP3122492A JPH05232676A JP H05232676 A JPH05232676 A JP H05232676A JP 3122492 A JP3122492 A JP 3122492A JP 3122492 A JP3122492 A JP 3122492A JP H05232676 A JPH05232676 A JP H05232676A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】位相シフトレチクルの製造方法において、低温
でかつ簡単に均一性が良く、同一透過部内の位相の乱れ
が少ない製造方法を提供する。 【構成】ガラス基板１上の前面にレジスト２を塗布し、
露光・現像によりパターンを形成後、レジストが残って
いない部分に液相成長ＳｉＯ2 ５を選択的に成長させ、
レジストを剥離することにより位相シフトレチクルを得
る。
でかつ簡単に均一性が良く、同一透過部内の位相の乱れ
が少ない製造方法を提供する。 【構成】ガラス基板１上の前面にレジスト２を塗布し、
露光・現像によりパターンを形成後、レジストが残って
いない部分に液相成長ＳｉＯ2 ５を選択的に成長させ、
レジストを剥離することにより位相シフトレチクルを得
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトレチクルの
製造方法に関し、特にシフターの製造方法に関する。
製造方法に関し、特にシフターの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、縮小投影露光装置で使用されるホ
トマスクであるレチクルにおいて、近接する開孔パター
ンを解像度良く転写する位相シフトレチクルは、雑誌
「日経マイクロテバイス」１９９０年、７月号、Ｎｏ．
６１のＰ１０３〜１１４、あるいは同雑誌１９９１年、
５月号、Ｎｏ．７１のＰ５３〜５８でも紹介されている
ように様々な構造が提案されている。
トマスクであるレチクルにおいて、近接する開孔パター
ンを解像度良く転写する位相シフトレチクルは、雑誌
「日経マイクロテバイス」１９９０年、７月号、Ｎｏ．
６１のＰ１０３〜１１４、あるいは同雑誌１９９１年、
５月号、Ｎｏ．７１のＰ５３〜５８でも紹介されている
ように様々な構造が提案されている。
【０００３】その一例として、クロム等の遮光パターン
を用いずシフターのみで、そのエッヂ部による遮光効果
を利用する透過型位相シフトマスクの作成プロセスを図
５，図６に示す。まず、図５（ａ），（ｂ）に示すよう
にレチクルの母材となるガラス基板１の上にエッチング
時のストッパーとして導電性膜６を成膜する。ここで、
エッチングストッパーはエッチング方法により、不要な
場合または導電性膜以外の材料を用いる場合もある。次
に図５（ｃ）に示すように導電性膜６の上に化学的気相
成長法（以下ＣＶＤ法と記す）やスピン塗布法で二酸化
珪素膜７（以下ＳｉＯ2 と略す）を所望の膜厚ｄに形成
する。但し、ｄ＝λ／２（ｎ−１）でありこの式で、ｎ
はＳｉＯ2 の屈折率、λは露光波長である。さらに、図
５（ｄ），図６（ａ）に示すように上記ＳｉＯ2 ７上に
レジスト２を例えばスピン塗布法等により塗布し、例え
ば電子線３、あるいはレーザー光等で所望のパターンを
露光・現像により得る。そして、図６（ｂ）に示すよう
にＳｉＯ2 ７をエッチングし、最後に図６（ｃ）に示す
ようにレジスト２を除去すると所望の透過型位相シフト
レチクルが得られる。
を用いずシフターのみで、そのエッヂ部による遮光効果
を利用する透過型位相シフトマスクの作成プロセスを図
５，図６に示す。まず、図５（ａ），（ｂ）に示すよう
にレチクルの母材となるガラス基板１の上にエッチング
時のストッパーとして導電性膜６を成膜する。ここで、
エッチングストッパーはエッチング方法により、不要な
場合または導電性膜以外の材料を用いる場合もある。次
に図５（ｃ）に示すように導電性膜６の上に化学的気相
成長法（以下ＣＶＤ法と記す）やスピン塗布法で二酸化
珪素膜７（以下ＳｉＯ2 と略す）を所望の膜厚ｄに形成
する。但し、ｄ＝λ／２（ｎ−１）でありこの式で、ｎ
はＳｉＯ2 の屈折率、λは露光波長である。さらに、図
５（ｄ），図６（ａ）に示すように上記ＳｉＯ2 ７上に
レジスト２を例えばスピン塗布法等により塗布し、例え
ば電子線３、あるいはレーザー光等で所望のパターンを
露光・現像により得る。そして、図６（ｂ）に示すよう
にＳｉＯ2 ７をエッチングし、最後に図６（ｃ）に示す
ようにレジスト２を除去すると所望の透過型位相シフト
レチクルが得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の位相シ
フトレチクルの製造方法では、このレチクルを波長４３
５．８ｎｍ（ナノメータ）（水銀ランプのＧ線）の光で
使用する場合、ＳｉＯ2シフターの膜厚は約４７０ｎｍ
±１３ｎｍ、すなわち所望の膜厚から約２．８％の膜厚
制御、均一性が必要である。しかし、ＳｉＯ2 シフター
をＣＶＤ法で形成した場合、レチクル面内の均一性は約
±１６％と悪く、光の位相をコントロールできない。ま
た、スピン塗布法でシフターとしてのＳｉＯ2 を形成す
るのには約４００℃の高温焼結が必要である。さらに、
ＳｉＯ2 上にレジストパターン形成後、エッチングによ
りレジストパターンをＳｉＯ2 に転写をするので寸法誤
差が生じ易い。その上、成膜後に適性膜厚からずれてい
ても修正ができないなどの問題点があった。
フトレチクルの製造方法では、このレチクルを波長４３
５．８ｎｍ（ナノメータ）（水銀ランプのＧ線）の光で
使用する場合、ＳｉＯ2シフターの膜厚は約４７０ｎｍ
±１３ｎｍ、すなわち所望の膜厚から約２．８％の膜厚
制御、均一性が必要である。しかし、ＳｉＯ2 シフター
をＣＶＤ法で形成した場合、レチクル面内の均一性は約
±１６％と悪く、光の位相をコントロールできない。ま
た、スピン塗布法でシフターとしてのＳｉＯ2 を形成す
るのには約４００℃の高温焼結が必要である。さらに、
ＳｉＯ2 上にレジストパターン形成後、エッチングによ
りレジストパターンをＳｉＯ2 に転写をするので寸法誤
差が生じ易い。その上、成膜後に適性膜厚からずれてい
ても修正ができないなどの問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトレチ
クルの製造方法は、ガラス基板上にレジストを塗布、露
光、現像し、所望のパターンを形成する。そして、過飽
和状態の二酸化珪素水溶液中にこれを浸し、ＳｉＯ2 を
液相成長させてレジストを剥離し、レチクル上にシフタ
ーを形成させるという手段を有する。
クルの製造方法は、ガラス基板上にレジストを塗布、露
光、現像し、所望のパターンを形成する。そして、過飽
和状態の二酸化珪素水溶液中にこれを浸し、ＳｉＯ2 を
液相成長させてレジストを剥離し、レチクル上にシフタ
ーを形成させるという手段を有する。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１，図２は本発明の第１の実施例を説明する図で
ある。まず図１（ａ）のガラス基板１上に図１（ｂ）に
示すようにレジスト２を塗布し、図１（ｃ）に示すよう
に所望のパターンマスク４を介して露光光３、例えば電
子線などで露光、現像して図１（ｄ）に示すように所望
のレジストパターン２を形成する。そして、液相成長法
により位相シフターとなるＳｉＯ2 ５を成長させる。こ
の第１の実施例の液相成長法は、例えば、シラノール
（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を１５０℃の低温で焼成して形成し
た二酸化珪素の粉末を約３．５ｍｏｌの珪弗化水素酸水
溶液に３０℃の温度で溶解・飽和させた飽和水溶液を用
い、かつ、常時飽和状態を保つために濃度が約０．１ｍ
ｏｌ／ｌのほう酸水溶液を１０ｃｃ／ｈｒの速度で連続
的に添加した。また、この過飽和水溶液は０．２μｍの
テフロンフィルターを用いて常時循環させ、０．２μｍ
を越える粒子を除去した。上記図１（ｄ）の状態にある
レチクル基板であるガラス基板を上述した常時飽和、か
つ、３５℃の一定温度に保たれた水溶液に１１．８時間
浸漬（Ｓｉ成長速度は４０ｎｍ／ｈｒ）することによっ
て、図２（ａ）に示すようにレジストパターンの間に厚
さ約３９５．３ｎｍの液晶成長ＳｉＯ2 を選択的に成長
させる。この時の均一性は±０．０５％と良好であっ
た。最後にレジストを剥離することにより、図２（ｂ）
に示すようにレチクル上の所望の場所に位相シフターが
形成された位相シフトレチクルが得られる。本実施例で
は液相成長ＳｉＯ2 の膜厚を３９５．３ｎｍにしたが、
これは上述した位相シフトレチクルを波長が３６５．０
ｎｍである光源で使用する場合であり、実際の光源には
２４８．４ｎｍ，４３５．８ｎｍ等の色々な成長がある
ため光源ごとに膜厚を設定することが必要である。
る。図１，図２は本発明の第１の実施例を説明する図で
ある。まず図１（ａ）のガラス基板１上に図１（ｂ）に
示すようにレジスト２を塗布し、図１（ｃ）に示すよう
に所望のパターンマスク４を介して露光光３、例えば電
子線などで露光、現像して図１（ｄ）に示すように所望
のレジストパターン２を形成する。そして、液相成長法
により位相シフターとなるＳｉＯ2 ５を成長させる。こ
の第１の実施例の液相成長法は、例えば、シラノール
（Ｓｉ（ＯＨ）4 ）を１５０℃の低温で焼成して形成し
た二酸化珪素の粉末を約３．５ｍｏｌの珪弗化水素酸水
溶液に３０℃の温度で溶解・飽和させた飽和水溶液を用
い、かつ、常時飽和状態を保つために濃度が約０．１ｍ
ｏｌ／ｌのほう酸水溶液を１０ｃｃ／ｈｒの速度で連続
的に添加した。また、この過飽和水溶液は０．２μｍの
テフロンフィルターを用いて常時循環させ、０．２μｍ
を越える粒子を除去した。上記図１（ｄ）の状態にある
レチクル基板であるガラス基板を上述した常時飽和、か
つ、３５℃の一定温度に保たれた水溶液に１１．８時間
浸漬（Ｓｉ成長速度は４０ｎｍ／ｈｒ）することによっ
て、図２（ａ）に示すようにレジストパターンの間に厚
さ約３９５．３ｎｍの液晶成長ＳｉＯ2 を選択的に成長
させる。この時の均一性は±０．０５％と良好であっ
た。最後にレジストを剥離することにより、図２（ｂ）
に示すようにレチクル上の所望の場所に位相シフターが
形成された位相シフトレチクルが得られる。本実施例で
は液相成長ＳｉＯ2 の膜厚を３９５．３ｎｍにしたが、
これは上述した位相シフトレチクルを波長が３６５．０
ｎｍである光源で使用する場合であり、実際の光源には
２４８．４ｎｍ，４３５．８ｎｍ等の色々な成長がある
ため光源ごとに膜厚を設定することが必要である。
【０００７】次に本発明第２の実施例について図面を参
照して説明する。図３，図４は本発明の第２の実施例を
説明する図である。図３（ａ）に示すように透過型シフ
ター５付き位相シフトレチクル上に、図３（ｂ）に示す
ように前面にレジスト２を塗布し、図３（ｃ）に示すよ
うに、この位相シフトレチクルを作成した時に使用した
マスク４を介して露光光３，例えば電子線などで露光、
現像して図３（ｄ）に示すように所望のレジストパター
ン２を形成する。そして、図４（ａ）に示すように、第
１の実施例と同様の方法で、液相成長法によりレジスト
パターン間に位相シフターとなるＳｉＯ2 ５ｂを所望の
膜厚に成長させ、レジストを剥離することにより膜厚を
厚くした位相シフトレチクルが得られる。本実施例では
位相シフトレチクル使用後でも液相成長ＳｉＯ2 により
シフター膜厚を厚くできるため、波長が２４８．４ｎｍ
（Ｔ＝２６９．０ｎｍ）用の位相シフトレチクルを３６
５．０ｎｍ（Ｔ＝３９５．３ｎｍ）用、さらには、４３
５．８ｎｍ（Ｔ＝４７２．０ｎｍ）用に修正して使用で
きる。尚、レジストパターン形成時、電子ビーム描画を
用いる場合、チャージアップ防止の為、導伝層（例えば
ＳｎＯ2 等）をレジスト下に形成しておいても良い。
照して説明する。図３，図４は本発明の第２の実施例を
説明する図である。図３（ａ）に示すように透過型シフ
ター５付き位相シフトレチクル上に、図３（ｂ）に示す
ように前面にレジスト２を塗布し、図３（ｃ）に示すよ
うに、この位相シフトレチクルを作成した時に使用した
マスク４を介して露光光３，例えば電子線などで露光、
現像して図３（ｄ）に示すように所望のレジストパター
ン２を形成する。そして、図４（ａ）に示すように、第
１の実施例と同様の方法で、液相成長法によりレジスト
パターン間に位相シフターとなるＳｉＯ2 ５ｂを所望の
膜厚に成長させ、レジストを剥離することにより膜厚を
厚くした位相シフトレチクルが得られる。本実施例では
位相シフトレチクル使用後でも液相成長ＳｉＯ2 により
シフター膜厚を厚くできるため、波長が２４８．４ｎｍ
（Ｔ＝２６９．０ｎｍ）用の位相シフトレチクルを３６
５．０ｎｍ（Ｔ＝３９５．３ｎｍ）用、さらには、４３
５．８ｎｍ（Ｔ＝４７２．０ｎｍ）用に修正して使用で
きる。尚、レジストパターン形成時、電子ビーム描画を
用いる場合、チャージアップ防止の為、導伝層（例えば
ＳｎＯ2 等）をレジスト下に形成しておいても良い。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、シフター
形成を液相成長法で行うので、高温処理がなくストッパ
ーとしての導伝性膜の剥離およびガラス基板の変形が生
じない。また、ＳｉＯ2 の成長速度が４０．０ｎｍ／ｈ
ｒと遅く、面内均一性が±０．０５％と良いため所望の
膜厚に制御し易く、面内全域で所望の膜厚が得られる。
さらに、選択成長が可能でありレジストパターンのスペ
ース部分にＳｉＯ2 が形成されるのでエッチングが不要
であり、寸法誤差が生じにくい。その上、ストッパーと
して用いる導電性膜等は不要であるため光の透過率が減
少することもないなどの効果がある。加えて、シフター
膜厚を自由に厚くすることが出来るため波長が２４８．
４ｎｍ（Ｔ＝２６９．０ｎｍ）用の位相シフトレチクル
を３６５．０ｎｍ（Ｔ＝３９５．３ｎｍ）用、さらに
は、４３５．８ｎｍ（Ｔ＝４７２．０ｎｍ）用に修正し
て使用できる。
形成を液相成長法で行うので、高温処理がなくストッパ
ーとしての導伝性膜の剥離およびガラス基板の変形が生
じない。また、ＳｉＯ2 の成長速度が４０．０ｎｍ／ｈ
ｒと遅く、面内均一性が±０．０５％と良いため所望の
膜厚に制御し易く、面内全域で所望の膜厚が得られる。
さらに、選択成長が可能でありレジストパターンのスペ
ース部分にＳｉＯ2 が形成されるのでエッチングが不要
であり、寸法誤差が生じにくい。その上、ストッパーと
して用いる導電性膜等は不要であるため光の透過率が減
少することもないなどの効果がある。加えて、シフター
膜厚を自由に厚くすることが出来るため波長が２４８．
４ｎｍ（Ｔ＝２６９．０ｎｍ）用の位相シフトレチクル
を３６５．０ｎｍ（Ｔ＝３９５．３ｎｍ）用、さらに
は、４３５．８ｎｍ（Ｔ＝４７２．０ｎｍ）用に修正し
て使用できる。
【図１】本発明の第１の実施例を工程順に示した断面
図。
図。
【図２】本発明の第１の実施例を工程順に示した断面
図。
図。
【図３】本発明の第２の実施例を工程順に示した断面
図。
図。
【図４】本発明の第２の実施例を工程順に示した断面
図。
図。
【図５】従来技術を工程順に示した断面図。
【図６】従来技術を工程順に示した断面図。
１ ガラス基板 ２ レジスト ３ 露光光 ４ マスク ５，５ｂ 液相成長ＳｉＯ2 ６ 導電性膜 ７ ＳｉＯ２
Claims (1)
- 【請求項１】 透過する光に位相差を与える位相シフト
レチクルの製造方法において、ガラス基板上にレジスト
パターンを形成する工程と、該レジストパターンを残し
たまま常時二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中
に該ガラス基板を浸漬することによって、該レジスト膜
のない部分に選択的に二酸化珪素を形成る工程と、該ガ
ラス基板上に残したレジスト膜を除去する工程を有する
ことを特徴とする位相シフトレチクルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122492A JPH05232676A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122492A JPH05232676A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232676A true JPH05232676A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12325457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3122492A Withdrawn JPH05232676A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05232676A (ja) |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP3122492A patent/JPH05232676A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |