JPH05295056A - スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法 - Google Patents

スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法

Info

Publication number
JPH05295056A
JPH05295056A JP12281792A JP12281792A JPH05295056A JP H05295056 A JPH05295056 A JP H05295056A JP 12281792 A JP12281792 A JP 12281792A JP 12281792 A JP12281792 A JP 12281792A JP H05295056 A JPH05295056 A JP H05295056A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
compound
halogen
polymerization
monomer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12281792A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3107251B2 (ja
Inventor
Toshinori Tazaki
稔典 田崎
Shuji Machida
修司 町田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP04122817A priority Critical patent/JP3107251B2/ja
Publication of JPH05295056A publication Critical patent/JPH05295056A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3107251B2 publication Critical patent/JP3107251B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Graft Or Block Polymers (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 (A)スチレン系モノマーを繰り返し単位と
する高度のシンジオタクチック構造を有する重合体セグ
メント80〜99.9重量%と、(B)末端に重合活性
ビニル基を有する数平均分子量300〜10000のマ
クロモノマーに由来する重合体セグメント20〜0.1
重量%とから成る[η]が0.07〜20のスチレン系
ブロック共重合体、及びスチレン系モノマーを、遷移金
属化合物とアルミニウム縮合化合物又は配位錯体化合物
とから成る触媒の存在下重合させたのち、これと該マク
ロモノマーとを重合させて前記スチレン系ブロック共重
合体を製造する方法である。 【効果】 シンジオタクチックポリスチレンが本来有す
る優れた耐熱性、耐薬品性及び電気特性を保持するとと
もに、他の性質が改善され、複合材料の素材や耐熱性エ
ラストマーなどとして有用なスチレン系ブロック共重合
体が容易に得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なスチレン系ブロッ
ク共重合体及びこのものを効率よく製造する方法に関す
るものである。さらに詳しくいえば、本発明は、優れた
耐熱性、耐薬品性、電気的性質を示し、かつ良好なじん
性、伸び、接着性及び相容性を有し、複合材料の素材や
耐熱性エラストマーなどとして有用なスチレン系ブロッ
ク共重合体、及びこのものを効率よく製造する方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】ポリスチレン系樹脂は、一般にスチレン
系モノマーを塊状重合、溶液重合、乳化重合、懸濁重合
などの方法で、ラジカル重合させることによって得られ
ている。このようなラジカル重合で得られたポリスチレ
ン系樹脂は、通常アタクチック構造のもので、立体規則
性を有しておらず、耐熱性や耐薬品性が用途によっては
不十分であり、その改善が望まれている。
【0003】ところで、立体規則性を有するポリスチレ
ン系樹脂としては、アイソタクチック構造のものと、シ
ンジオタクチック構造のものがあり、前者のアイソタク
チック構造のものは、主としてチーグラー型触媒を用い
る重合によって得られることが知られており、一方、後
者のシンジオタクチック構造のものは、主としてハロゲ
ン化チタンやアルコキシチタンなどのチタニウム化合物
とアルキルアルミノキサンとの組合せから成る触媒の存
在下に、重合することによって得られることが知られて
いる(特開昭62−104818号公報)。
【0004】これらの立体規則性を有するポリスチレン
系樹脂は、立体規則性を有しないアタクチック構造のポ
リスチレン系樹脂に比べ、高い融点を有し、かつ耐薬品
性に優れていることから、耐熱性、耐薬品性のポリマー
としての用途が期待されているが、アイソタクチック構
造のポリスチレン系樹脂は、結晶化速度が極めて遅いと
いう欠点があり、実用的でない。これに対し、シンジオ
タクチック構造のポリスチレン系樹脂は、結晶化速度が
速い上、耐熱性、耐薬品性に優れ、かつ電気特性も向上
していることから、その単独重合体や共重合体の開発が
試みられており(特開昭62−104818号公報、特
開昭63−241009号公報)、各分野における応用
が期待されている。
【0005】しかしながら、このシンジオタクチック構
造のポリスチレン系樹脂は、耐熱性や耐薬品性に優れて
いるものの、耐衝撃性については、一般のアタクチック
構造のものと同程度であるため、耐衝撃性を向上させる
のに、ゴムや無機充填剤などを配合することが試みられ
ているが、この場合用途が制限されるのを免れない。
【0006】他方、近年、重合性官能基を末端に有する
高分子量のモノマー、いわゆるマクロモノマーが開発さ
れ、種々の用途に応用されはじめている。このマクロモ
ノマーは、他のモノマーと共重合させることにより、幹
成分の物性を維持したまま、枝成分の物性、例えば相容
性、接着性、潤滑性などが付与されたポリマーを容易に
与えることができる。
【0007】このようなマクロモノマーを用いた重合体
として、例えば末端にスチリル基を有する特定のマクロ
モノマーを用いた単独重合体及び該マクロモノマーとス
チレン系モノマーとの共重合体が提案されている(特開
平4−13707号公報)。この場合、マクロモノマー
を用いた単独重合体や共重合体は所望の効果を十分に発
現しうるものの、該マクロモノマーとスチレン系モノマ
ーとの共重合体においては、スチレン系モノマーの繰り
返し単位とマクロモノマーの繰り返し単位の配列につい
ては特に規定されておらず、事実上ランダム共重合体で
あった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた耐熱
性、耐薬品性、電気的性質を有し、かつ良好なじん性、
伸び、接着性及び相容性を有し、複合材料の素材や耐熱
性エラストマーなどとして有用なスチレン系ブロック共
重合体を提供することを目的としてなされたものであ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、優れた物
性を有するスチレン系ブロック共重合体を開発すべく鋭
意研究を重ねた結果、特定のスチレン系モノマーを繰り
返し単位とする高度のシンジオタクチック構造を有する
重合体セグメントと末端に重合活性ビニル基を有する特
定の分子量のマクロモノマーに由来する重合体セグメン
トとを所定の割合で含有し、かつ極限粘度が特定の範囲
にあるスチレン系ブロック共重合体が優れた耐熱性、耐
薬品性、電気的特性を示し、かつ良好なじん性、伸び、
接着性及び相容性を有すること、及び該スチレン系モノ
マーを特定の触媒の存在下に重合させ、次いでこれに、
末端に重合活性ビニル基を有する特定の分子量のマクロ
モノマーを添加して重合させることにより、前記スチレ
ン系ブロック共重合体が容易に得られること、さらに該
マクロモノマーとして、末端にスチリル基を有するもの
はもちろん、アクリロイル基やメタクリロイル基を有す
るものも用いうることを見出し、この知見に基づいて本
発明を完成するに至った。
【0010】すなわち、本発明は、(A)一般式 CH=CH−Ar−(R)p (I) (式中のArは二価の芳香族基、Rは水素原子、ハロ
ゲン原子又は炭素原子及びケイ素原子の中から選ばれた
少なくとも1種を含む置換基、pは1〜5の整数であ
り、pが2以上の場合、Rは同じものでも、異なるも
のであってもよい)で表わされるスチレン系モノマーを
繰り返し単位とする高度のシンジオタクチック構造を有
する重合体セグメント80〜99.9重量%と、(B)
アニオン重合性モノマーをアニオン重合開始剤を用いて
重合させたのち、これと含ハロゲン不飽和化合物とを反
応させて得られた末端に重合活性ビニル基を有する数平
均分子量300〜10000のマクロモノマーに由来す
る重合体セグメント20〜0.1重量%とから成り、か
つ1,2,4‐トリクロロベンゼン溶液中温度135℃
で測定した極限粘度[η]が0.07〜20dl/gで
あることを特徴とするスチレン系ブロック共重合体を提
供するものである。
【0011】本発明に従えば、このスチレン系ブロック
共重合体は、(a)前記の一般式(I)で表わされるス
チレン系モノマーを(イ)遷移金属化合物と(ロ)アル
ミニウム縮合化合物とから成る触媒、又は(イ)遷移金
属化合物及び(ハ)遷移金属化合物と反応してイオン性
錯体を形成しうる化合物から成る触媒の存在下で重合さ
せ、次いで、これに(b)前記マクロモノマーを添加し
て重合させることにより、製造することができる。
【0012】本発明のスチレン系ブロック共重合体にお
いて、(A)重合体セグメントを形成するスチレン系モ
ノマーとしては、一般式 CH=CH−Ar−(R)p (I) (式中のAr、R及びpは前記と同じ意味をもつ)で
表わされる芳香族モノビニル化合物が用いられる。この
ようなスチレン系モノマーの具体例としては、スチレ
ン、p‐メチルスチレン、o‐メチルスチレン、m‐メ
チルスチレン、2,4‐ジメチルスチレン、2,5‐ジ
メチルスチレン、3,4‐ジメチルスチレン、3,5‐
ジメチルスチレン、p‐t‐ブチルスチレンなどのアル
キルスチレン類、p‐クロロスチレン、m‐クロロスチ
レン、o‐クロロスチレン、p‐ブロモスチレン、m‐
ブロモスチレン、o‐ブロモスチレン、p‐フルオロス
チレン、m‐フルオロスチレン、o‐フルオロスチレ
ン、o‐メチル‐p‐フルオロスチレンなどのハロゲン
化スチレン類、4‐ビニルビフェニル、3‐ビニルビフ
ェニル、2‐ビニルビフェニルなどのビニルビフェニル
類、1‐(4‐ビニルフェニル)‐ナフタレン、2‐
(4‐ビニルフェニル)‐ナフタレン、1‐(3‐ビニ
ルフェニル)‐ナフタレン、2‐(3‐ビニルフェニ
ル)‐ナフタレン、1‐(2‐ビニルフェニル)‐ナフ
タレン、2‐(2‐ビニルフェニル)‐ナフタレンなど
のビニルフェニルナフタレン類、1‐(4‐ビニルフェ
ニル)‐アントラセン、2‐(4‐ビニルフェニル)‐
アントラセン、9‐(4‐ビニルフェニル)‐アントラ
セン、1‐(3‐ビニルフェニル)‐アントラセン、2
‐(3‐ビニルフェニル)‐アントラセン、9‐(3‐
ビニルフェニル)‐アントラセン、1‐(2‐ビニルフ
ェニル)‐アントラセン、2‐(2‐ビニルフェニル)
‐アントラセン、9‐(2‐ビニルフェニル)‐アント
ラセンなどのビニルフェニルアントラセン類、1‐(4
‐ビニルフェニル)‐フェナントレン、2‐(4‐ビニ
ルフェニル)‐フェナントレン、3‐(4‐ビニルフェ
ニル)‐フェナントレン、4‐(4‐ビニルフェニル)
‐フェナントレン、9‐(4‐ビニルフェニル)‐フェ
ナントレン、1‐(3‐ビニルフェニル)‐フェナント
レン、2‐(3‐ビニルフェニル)‐フェナントレン、
3‐(3‐ビニルフェニル)‐フェナントレン、4‐
(3‐ビニルフェニル)‐フェナントレン、9‐(3‐
ビニルフェニル)‐フェナントレン、1‐(2‐ビニル
フェニル)‐フェナントレン、2‐(2‐ビニルフェニ
ル)‐フェナントレン、3‐(2‐ビニルフェニル)‐
フェナントレン、4‐(2‐ビニルフェニル)‐フェナ
ントレン、9‐(2‐ビニルフェニル)‐フェナントレ
ンなどのビニルフェニルフェナントレン類、1‐(4‐
ビニルフェニル)‐ピレン、2‐(4‐ビニルフェニ
ル)‐ピレン、1‐(3‐ビニルフェニル)‐ピレン、
2‐(3‐ビニルフェニル)‐ピレン、1‐(2‐ビニ
ルフェニル)‐ピレン、2‐(2‐ビニルフェニル)‐
ピレンなどのビニルフェニルピレン類、4‐ビニル‐p
‐ターフェニル、4‐ビニル‐m‐ターフェニル、4‐
ビニル‐o‐ターフェニル、3‐ビニル‐p‐ターフェ
ニル、3‐ビニル‐m‐ターフェニル、3‐ビニル‐o
‐ターフェニル、2‐ビニル‐p‐ターフェニル、2‐
ビニル‐m‐ターフェニル、2‐ビニル‐o‐ターフェ
ニルなどのビニルターフェニル類、4‐(4‐ビニルフ
ェニル)‐p‐ターフェニルなどのビニルフェニルター
フェニル類、4‐ビニル‐4′‐メチルビフェニル、4
‐ビニル‐3′‐メチルビフェニル、4‐ビニル‐2′
‐メチルビフェニル、2‐メチル‐4‐ビニルビフェニ
ル、3‐メチル‐4‐ビニルビフェニルなどのビニルア
ルキルビフェニル類、4‐ビニル‐4′‐フルオロビフ
ェニル、4‐ビニル‐3′‐フルオロビフェニル、4‐
ビニル‐2′‐フルオロビフェニル、4‐ビニル‐2‐
フルオロビフェニル、4‐ビニル‐3‐フルオロビフェ
ニル、4‐ビニル‐4′‐クロロビフェニル、4‐ビニ
ル‐3′‐クロロビフェニル、4‐ビニル‐2′‐クロ
ロビフェニル,4‐ビニル‐2‐クロロビフェニル、4
‐ビニル‐3‐クロロビフェニル、4‐ビニル‐4′‐
ブロモビフェニル、4‐ビニル‐3′‐ブロモビフェニ
ル、4‐ビニル‐2′‐ブロモビフェニル、4‐ビニル
‐2‐ブロモビフェニル、4‐ビニル‐3‐ブロモビフ
ェニルなどのハロゲン化ビニルビフェニル類、4‐ビニ
ル‐4′‐トリメチルシリルビフェニルなどのトリアル
キルシリルビニルビフェニル類、4‐ビニル‐4′‐ト
リメチルスタンニルビフェニル、4‐ビニル‐4′‐ト
リブチルスタンニルビフェニルなどのトリアルキルスタ
ンニルビニルビフェニル類、4‐ビニル‐4′‐トリメ
チルシリルメチルビフェニルなどのトリアルキルシリル
メチルビニルビフェニル類、p‐クロロエチルスチレ
ン、m‐クロロエチルスチレン、o‐クロロエチルスチ
レンなどのハロゲン置換アルキルスチレン、p‐トリメ
チルシリルスチレン、m‐トリメチルシリルスチレン、
o‐トリメチルシリルスチレン、p‐トリエチルシリル
スチレン、m‐トリエチルシリルスチレン、o‐トリエ
チルシリルスチレン、p‐ジメチル‐t‐ブチルシリル
スチレンなどのアルキルシリルスチレン類、p‐ジメチ
ルフェニルシリルスチレン、p‐メチルジフェニルシリ
ルスチレン、p‐トリフェニルシリルスチレンなどのフ
ェニル基含有シリルスチレン類、p‐ジメチルクロロシ
リルスチレン、p‐メチルジクロロシリルスチレン、p
‐トリクロロシリルスチレン、p‐ジメチルブロモシリ
ルスチレン、p‐ジメチルヨードシリルスチレンなどの
ハロゲン含有シリルスチレン類、p‐(p‐トリメチル
シリル)ジメチルシリルスチレンなどのシリル基含有シ
リルスチレン類などが挙げられる。
【0013】これらのスチレン系モノマーはそれぞれ単
独で用いてもよいし、シンジオタクチックスチレン系重
合体の特性がそこなわれない範囲で2種以上を組み合わ
せて用いてもよく、また第3成分のモノマーと共重合さ
せてもよい。
【0014】一方、本発明のスチレン系ブロック共重合
体において、(B)重合体セグメントを形成するマクロ
モノマーは、末端にスチリル基、アクリロイル基、メタ
クリロイル基などの重合活性ビニル基を有するものであ
って、アニオン重合性モノマーをアニオン重合開始剤を
用いてアニオン重合させ、次いでこの重合体と含ハロゲ
ン不飽和化合物とを反応させることにより、得られる。
【0015】前記アニオン重合性モノマーとしては、ア
ニオン重合が可能なモノマーとして知られているものの
中から任意のものを選択して用いることができるが、
「ポリマーハンドブック(Polmer HandBo
ok)」(ジョンウイリー・アンド・サンズ社出版)、
第2章記載のモノマーのうち、Q(共鳴因子)値が0.
2以上で、かつe(極性因子)値が−1.50以上の共
役性モノマーが好適である。このような共役性モノマー
としては、例えばジフェニルエチレンやインデンなどの
オレフィン類、イソプレン、1,3‐ブタジエン、2‐
フルオロ‐1,3‐ブタジエン、2,3‐ジクロロ‐
1,3‐ブタジエン、1,3‐シクロヘキサジエンなど
のジエン類、α‐メチルスチレン、2,4,6‐トリメ
チルスチレンなどのアルキル、ハロゲン、ハロアルキル
置換スチレンや、1‐ビニルナフタレン、2‐イソプロ
ペニルナフタレン、4‐クロロ‐1‐ビニルナフタレン
などの芳香族ビニル化合物、アクリル酸及びメタクリル
酸のメチル、エチル、n‐ブチル、sec‐ブチル、t
‐ブチル、イソブチル、2‐クロロエチル、2‐ニトロ
プロピル、2,3‐エポキシプロピル、2‐ヒドロキシ
エチル、2‐ヒドロキシプロピル、オクチル、シクロヘ
キシル、ベンジル、フェニルなどのエステルや、アクリ
ル酸及びメタクリル酸のマグネシウム、カリウム塩など
の金属塩などの不飽和カルボン酸類、N,N‐ジメチル
アクリルアミド、N,N‐ジアリル置換アクリルアミ
ド、アクリルアミドなどのアクリルアミド誘導体及びこ
れらに対応するメタクリルアミド誘導体、さらにはケイ
皮酸ベンジル、アクロレイン、N‐置換マレイミド、ア
クリロニトリル、メタクリロニトリルなどが挙げられ
る。
【0016】さらに、前記共役性モノマー以外に、例え
ばエチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン
などの非共役性モノマーも用いることができる。
【0017】これらのアニオン重合性モノマーは1種用
いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0018】該アニオン重合開始剤としては、例えばセ
シウム、ルビジウム、カリウム、ナトリウム、リチウム
などのアルカリ金属、n‐ブチルリチウム、オクチルカ
リウム、ベンジルバリウムなどのアルカリ金属アルキル
又はアルカリ土類金属アルキル、ナトリウム‐ナフタレ
ンなどのアルカリ金属芳香族化合物錯体、カリウムアミ
ド、ジエチルリチウムアミドなどのアルカリ金属アミ
ド、フェニルマグネシウムブロミド、ジエチルマグネシ
ウムなどのマグネシウム化合物(CC−O-
Na+などのアルカリ金属ケチル、リチウムアルミニウ
ムヒドリド(LiAlH)、ジメトキシエトキシナト
リウムアルミニウムヒドリド[NaAlH(O−CH
CHOCH]などのアート錯体、n‐ブトキ
シカリウムなどのアルコキシド、p‐ビニルベンジルマ
グネシウムクロリドなどの官能基含有金属化合物などの
中から、使用するモノマーの種類に応じて適宜選ばれ
る。例えばモノマーとしてエチレンを用いる場合には、
アルキル金属化合物に第三級ジアミン化合物を組合せた
ものが効果的である。
【0019】これらのアニオン重合開始剤を用いて、前
記アニオン重合性モノマーをアニオン重合させるが、こ
の際溶媒は用いなくてもよいし、用いてもよい。溶媒を
使用する場合は、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、
シクロペンタンなどの脂環式炭化水素、ベンゼン、トル
エンなどの芳香族炭化水素などの無極性溶媒が好ましく
用いられる。これらの溶媒は1種用いてもよいし、2種
以上を混合して用いてもよい。
【0020】アニオン重合の温度は、通常−78〜20
0℃の範囲で、使用するモノマーの種類に応じて適宜選
ばれる。例えばエチレンを用いる場合は30〜70℃の
範囲で、ジエン類を用いる場合は0〜60℃の範囲で、
不飽和カルボン酸誘導体を用いる場合は−78〜−20
℃の範囲で選ぶのが有利である。
【0021】さらに、アニオン重合性モノマーは、アニ
オン重合開始剤に対し、通常2モル倍以上の割合で用い
られる。またアニオン重合性モノマーとしてエチレンを
用いる場合には、その重合開始剤1モルに対し、1.5
〜2.5モルの割合で第三級ジアミン化合物を添加する
のが触媒活性の向上の点から望ましい。
【0022】このようなアニオン重合により得られた重
合体の末端に、重合活性ビニル基が導入される。この重
合活性ビニル基としては、スチリル基、アクリロイル
基、メタクリロイル基などが挙げられる。
【0023】該スチリル基を導入する場合は、前記アニ
オン重合性モノマーの重合終了時に、含ハロゲンスチレ
ン誘導体を作用させればよい。この際用いられる含ハロ
ゲンスチレン誘導体としては、例えば
【化1】 (式中のRは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又
はアリール基、Rは水素原子、ハロゲン原子、炭素数
1〜20のハロゲン化アルキル基又はハロゲン化アリー
ル基であるが、少なくとも1つはハロゲン原子又は炭素
数1〜20のハロゲン化アルキル基又はハロゲン化アリ
ール基であり、nは1〜3の整数で、nが2又は3の場
合にはRは同じものであってもよいし、異なるもので
あってもよい)で表わされる化合物が用いられる。
【0024】このような含ハロゲンスチレン誘導体とし
ては、例えば2‐クロロスチレン、3‐クロロスチレ
ン、4‐クロロスチレン、2,5‐ジクロロスチレン、
2,3‐ジクロロスチレン、3,4‐ジクロロスチレ
ン、3,5‐ジクロロスチレン、2‐クロロ‐5‐メチ
ルスチレン、4‐クロロ‐5‐メチルスチレン、2‐ク
ロロ‐3,4‐ジメチルスチレン、2,3,4‐トリク
ロロスチレン、2,4,5‐トリクロロスチレン、4‐
クロロメチルスチレン、4‐クロロメチル‐4′‐ビニ
ルビフェニルなどの含塩素誘導体、及びこれらに対応す
る含臭素誘導体や含ヨウ素誘導体などを挙げることがで
きる。
【0025】これらの含ハロゲンスチレン誘導体は、前
記アニオン重合において用いたアニオン重合開始剤1モ
ルに対し、通常0.05〜5モル、好ましくは0.5〜
3モル、より好ましくは1.0〜2.0モルの割合で用
いられる。この含ハロゲンスチレン誘導体はそのまま反
応系に添加してもよいし、適当な溶剤に希釈して添加し
てもよい。また、この際触媒を用いてもよいが、重合防
止上用いない方がよい。該含ハロゲンスチレン誘導体を
反応系に添加して、アニオン重合性モノマーの重合体と
反応させる際の温度は、重合温度のままでも差し支えな
いが、−78〜50℃の範囲にあるのが望ましい。な
お、アニオン重合開始剤としてp‐ビニルベンジルマグ
ネシウムクロリドを用いると二官能性マクロモノマーが
得られる。
【0026】このようにして、末端に重合活性スチリル
基を有するマクロモノマーが得られる。このマクロモノ
マーの構造は、例えば一置換スチレンの場合は、
【化2】 三置換スチレンの場合は
【化3】 (式中のR′、R″、R″は含ハロゲンスチレン
誘導体の置換基においてハロゲンのみが失われた基又は
単なる結合、Mはアニオン重合性モノマー単位、R
アニオン重合開始剤の残基、mは重合度である)などで
表わすことができる。
【0027】一方、アクリロイル基やメタクリロイル基
を導入する場合は、一般式
【化4】 (式中のRは水素原子又はメチル基、Rはハロゲン
原子、炭素数1〜20のハロゲン化アルコキシ基又はハ
ロゲン化アリーロキシ基である)で表わされるアクリル
酸誘導体又はメタクリル酸誘導体が用いられる。該アク
リル酸誘導体としては、例えばアクリル酸クロリド、ア
クリル酸2‐クロロエチル、アクリル酸3‐クロロプロ
ピル、アクリル酸4‐クロロブチル、アクリル酸p‐ク
ロロフェニルなどの含塩素誘導体及びこれらに対応する
含臭素誘導体、含ヨウ素誘導体などを挙げることができ
る。また、メタクリル酸誘導体としては、前記アクリル
酸誘導体に対応するメタクリル酸誘導体を挙げることが
できる。
【0028】本発明においては、この末端に重合活性ビ
ニル基を有するマクロモノマーは、その数平均分子量が
300〜10000、好ましくは500〜6000の範
囲にあることが必要である。この数平均分子量が300
未満では、得られるマクロモノマー重合体のもつ性質、
例えば接着性、相溶性が十分に発揮されない。すなわ
ち、このマクロモノマーは、アニオン重合性モノマーと
してメタクリル酸メチルを用いる場合は5量体以上、エ
チレンを用いる場合は15量体以上であることが肝要で
ある。
【0029】本発明のスチレン系ブロック共重合体は、
(A)前記のスチレン系モノマーを繰り返し単位とする
高度のシンジオタクチック構造を有する重合体セグメン
トと(B)前記の末端に重合活性ビニル基を有するマク
ロモノマーに由来する重合体セグメントとから成るもの
である。
【0030】ここでいう高度のシンジオタクチック構造
とは、立体化学構造が主としてシンジオタクチック構
造、すなわち炭素‐炭素結合から形成される主鎖に対し
て側鎖である置換アリール基が交互に反対方向に位置す
る立体構造を有するもの(ラセミ体)であり、そのタク
ティシティーは同位体炭素による核磁気共鳴法(13
‐NMR法)により定量される。
【0031】13C‐NMR法により定量されるタクテ
ィシティーは、連続する複数個の構成単位の存在割合
(すなわち、連続する構成単位の相対的立体配座関係の
存在割合)、例えば2個の場合は、ダイアッド、3個の
場合はトリアッド、5個の場合はペンタッドによって示
すことができるが、本発明にいう高度のシンジオタクチ
ック構造を有するとは、置換基の種類や各繰り返し単位
の含有割合によってシンジオタクティシティーの度合い
は若干変動するが、スチレン系繰り返し単位の連鎖にお
いて、通常はラセミダイアッドで75%以上、若しくは
ラセミペンダッドで30%以上のシンジオタクティシテ
ィーを有するものをいう。
【0032】また、該スチレン系ブロック共重合体は
(A)重合体セグメントの含有量が80〜99.9重量
%で、(B)重合体セグメントの含有量が20〜0.1
重量%の範囲にあることが必要である。(A)セグメン
トと(B)セグメントとの割合が前記範囲を逸脱するも
のでは、本発明の目的を十分に達せられない。
【0033】さらに、該スチレン系ブロック共重合体
は、1,2,4‐トリクロロベンゼン溶液中温度135
℃で測定した極限粘度[η]が0.07〜20dl/g
の範囲にあることが必要である。この極限粘度[η]が
0.07dl/g未満では機械的特性が不十分である
し、20dl/gを超えると成形が困難となる。
【0034】このようなスチレン系ブロック共重合体を
製造するには、本発明に従えば、まず前記スチレン系モ
ノマーを(イ)遷移金属化合物と(ロ)アルミニウム縮
合化合物とから成る触媒、又は(イ)遷移金属化合物及
び(ハ)遷移金属化合物と反応してイオン性錯体を形成
しうる化合物から成る触媒の存在下で重合させる。
【0035】該(イ)成分の遷移金属化合物としては、
例えば一般式
【化5】 (式中のRないしR18は、それぞれ水素原子、ハロ
ゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜2
0のアルコキシ基、炭素数6〜20のアリール基、炭素
数7〜20のアリールアルキル基、炭素数6〜20のア
リールオキシ基、炭素数1〜20のアシルオキシ基、ア
セチルアセトニル基、シクロペンタジエニル基、置換シ
クロペンタジエニル基又はインデニル基、a、b及びc
は、それぞれ0≦a+b+c≦4の関係式を満たす0又
は1〜4の整数、d及びeは、それぞれ0≦d+e≦3
の関係式を満たす0又は1〜3の整数、fは0、1又は
2、g及びhは、それぞれ0≦g+h≦3の関係式を満
たす0又は1〜3の整数、M及びMは、それぞれチ
タン、ジルコニウム、ハフニウム又はバナジウム、M
及びMは、それぞれバナジウムである)で表わされる
化合物を挙げることができるが、これらの中で、前記一
般式(VI)で表わされる化合物であって、Mがチタ
ン又はジルコニウムであるものが好適である。これらの
遷移金属化合物は1種用いてもよいし、2種以上を組み
合わせて用いてもよい。
【0036】前記一般式(VI)〜(IX)において、
ないしR18で示されるもののうち、ハロゲン原子
としては塩素、臭素、ヨウ素又はフッ素が、置換シクロ
ペンタジエニル基としては、例えば炭素数1〜6のアル
キル基で1個以上置換されたシクロペンタジエニル基、
具体的にはメチルシクロペンタジエニル基、1,2‐ジ
メチルシクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル基などが、炭素数1〜20のアルキル基と
しては、例えばメチル基、エチル基、n‐プロピル基、
イソプロピル基、n‐ブチル基、イソブチル基、アミル
基、イソアミル基、オクチル基、2‐エチルヘキシル基
などが、炭素数1〜20のアルコキシ基としては、例え
ばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、アミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキ
シ基、2‐エチルヘキシル基などが、炭素数6〜20の
アリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基な
どが、炭素数7〜20のアリールアルキル基としては、
例えばベンジル基、フェネチル基、9‐アントリルメチ
ル基などが、炭素数6〜20のアリールオキシ基として
は、例えばフェノキシ基などが、炭素数1〜20のアシ
ルオキシ基としては、例えばアセチルオキシ基、ステア
ロイルオキシ基などが挙げられる。
【0037】このような前記一般式(VI)ないし(I
X)で表わされる遷移金属化合物のうち、チタン化合物
の具体例としては、テトラメトキシチタン、テトラエト
キシチタン、テトラ‐n‐ブトキシチタン、テトライソ
プロポキシチタン、シクロペンタジエニルトリメチルチ
タン、四塩化チタン、三塩化チタン、ジメトキシチタン
ジクロリド、メトキシチタントリクロリド、トリメトキ
シチタンクロリド、シクロペンタジエニルトリエチルチ
タン、シクロペンタジエニルトリプロピルチタン、シク
ロペンタジエニルトリブチルチタン、メチルシクロペン
タジエニルトリメチルチタン、メチルシクロペンタジエ
ニルトリベンジルチタン、1,2‐ジメチルシクロペン
タジエニルトリメチルチタン、テトラメチルシクロペン
タジエニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロペン
タジエニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロペン
タジエニルトリエチルチタン、ペンタメチルシクロペン
タジエニルトリプロピルチタン、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルトリブチルチタン、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタントリフェニル、ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルトリベンジルチタン、シクロペンタジエ
ニルメチルチタンジクロリド、シクロペンタジエニルエ
チルチタンジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルメチルチタンジクロリド、ペンタメチルシクロペン
タジエニルエチルチタンジクロリド、シクロペンタジエ
ニルジメチルチタンモノクロリド、シクロペンタジエニ
ルジエチルチタンモノクロリド、シクロペンタジエニル
チタントリメトキシド、シクロペンタジエニルチタント
リエトキシド、シクロペンタジエニルチタントリプロポ
キシド、シクロペンタジエニルチタントリフェノキシ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメト
キシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリ
エトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタン
トリプロポキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタントリブトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルチタントリフェノキシド、シクロペンタジエニルチ
タントリクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタントリクロリド、シクロペンタジエニルメトキシチ
タンジクロリド、シクロペンタジエニルジメトキシチタ
ンクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメトキ
シチタンジクロリド、シクロペンタジエニルトリベンジ
ルチタン、シクロペンタジエニルジメチルメトキシチタ
ン、メチルシクロペンタジエニルジメチルメトキシチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジエニルメチルジエトキ
シチタン、インデニルチタントリクロリド、インデニル
チタントリメトキシド、インデニルチタントリエトキシ
ド、インデニルトリメチルチタン、インデニルトリベン
ジルチタンなどが挙げられる。また、チタン化合物のう
ちのビスシクロペンタジエニル置換体として、ビス(シ
クロペンタジエニル)ジメチルチタン、ビス(シクロペ
ンタジエニル)ジフェニルチタン、ビス(シクロペンタ
ジエニル)ジエチルチタン、ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジベンジルチタン、ビス(メチルシクロペンタジエ
ニル)ジメチルチタン、ビス(ペンタメチルシクロペン
タジエニル)ジメチルチタン、ビス(メチルジシクロペ
ンタジエニル)ジベンジルチタン、ビス(ペンタメチル
シクロペンタジエニル)ジベンジルチタン、ビス(ペン
タメチルシクロペンタジエニル)クロロメチルチタン、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ヒドリドメ
チルチタンなどが挙げられる。さらに、エチレンビス
(インデニル)ジメチルチタン、エチレンビス(テトラ
ヒドロインデニル)ジメチルチタン、ジメチルシリレン
ビス(シクロペンタジエニル)ジメチルチタンのような
架橋型の配位子を含むチタン化合物も挙げられる。ま
た、これら遷移金属化合物は、ルイス塩基と錯体を形成
したものでもよい。
【0038】これらチタン化合物のうち、スチレン系重
合体部の分子量を高くする必要のある場合、アルコキシ
ド、置換π電子系配位子をもつチタン化合物が好まし
い。また、分子量を低くする場合はπ電子系配位子、ハ
ロゲン配位子をもつチタン化合物が好ましい。
【0039】また、前記一般式(VI)ないし(IX)
で表わされる遷移金属化合物のうち、ジルコニウム化合
物の具体例としては、シクロペンタジエニルジルコニウ
ムトリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムトリメトキシド、シクロペンタジエニルト
リベンジルジルコニウム、ペンタメチルシクロペンタジ
エニルトリベンジルジルコニウム、ビスインデニルジル
コニウムジクロリド、ジルコニウムベンジルジクロリ
ド、ジルコニウムテトラベンジル、トリブトキシジルコ
ニウムクロリド、トリイソプロポキシジルコニウムクロ
リドなどが挙げられる。
【0040】さらに、同様にハフニウム化合物の具体例
としては、シクロペンタジエニルハフニウムトリメトキ
シド、ペンタメチルシクロペンタジエニルハフニウムト
リメトキシド、シクロペンタジエニルトリベンジルハフ
ニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリベンジ
ルハフニウム、ビスインデニルハフニウムジクロリド、
ハフニウムジベンジルジクロリド、ハフニウムテトラベ
ンジル、トリブトキシハフニウムクロリド、トリイソプ
ロポキシハフニウムクロリドなどが挙げられる。
【0041】また、同様にバナジウム化合物の具体例と
しては、バナジウムトリクロリド、バナジルトリクロリ
ド、バナジウムトリアセチルアセトナート、バナジウム
テトラクロリド、バナジウムトリブトキシド、バナジル
ジクロリド、バナジルビスアセチルアセトナート、バナ
ジルトリアセチルアセトナートなどが挙げられる。
【0042】これらの遷移金属化合物と組み合わせて用
いられる(ロ)成分のアルミニウム縮合化合物は、有機
アルミニウムと縮合剤との接触生成物である。ここで有
機アルミニウム化合物としては、通常一般式 AlR19 (X) (式中のR19はハロゲン原子、炭素数1〜8のアルキ
ル基又はハロゲン化アルキル基であって、3つのR19
は同一のものでも異なっていてもよい)で表わされる有
機アルミニウム化合物、具体的にはトリメチルアルミニ
ウム、ジメチルアルミニウムクロリド、トリエチルアル
ミニウム、トリイソブチルアルミニウムなどが挙げら
れ、これらの中でトリメチルアルミニウムが好適であ
る。
【0043】なお、縮合剤については、典型的には水が
挙げられるが、そのほか上記有機アルミニウムが縮合反
応するもの、例えば、硫酸銅5水塩、無機物や有機物へ
の吸着水など各種のものが挙げられる。
【0044】該アルミニウム縮合化合物の代表例として
は、一般式
【化6】 (式中のR20は炭素数1〜8のアルキル基、qは0〜
50の数である)で表わされる鎖状アルミノキサンや、
一般式
【化7】 (式中のR20は前記と同じ意味をもち、rは2〜50
の数である)で表わされる環状アルミノキサンなどがあ
る。
【0045】一般に、トリアルキルアルミニウムなどの
有機アルミニウム化合物と水との接触生成物は、上述の
鎖状アルキルアルミノキサンや環状アルキルアルミノキ
サンとともに、未反応のトリアルキルアルミニウム、各
種の縮合生成物の混合物、さらには、これらが複雑に会
合した分子であり、これらはトリアルキルアルミニウム
と縮合剤である水との接触条件によって様々な生成物と
なる。
【0046】この際のアルキルアルミニウム化合物と水
との接触方法には特に限定はなく、公知の手法に準じて
反応させればよい。例えば(1)有機アルミニウム化合
物を有機溶剤に溶解しておき、これを水と接触させる方
法、(2)重合時に当初有機アルミニウム化合物を加え
ておき、後に水を添加する方法、さらには(3)金属塩
などに含有されている結晶水、無機物や有機物への吸着
水を有機アルミニウム化合物と反応させる方法などがあ
る。なお、上記の水にはアンモニア、エチルアミンなど
のアミン、硫化水素などの硫黄化合物、亜リン酸エステ
ルなどのリン化合物などが20%程度まで含有されてい
てもよい。また、この反応は無溶媒下でも進行するが、
溶媒中で行うことが好ましく、好適な溶媒としては、ヘ
キサン、ヘプタン、デカンなどの脂肪族炭化水素あるい
はベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
を挙げることができる。
【0047】このアルミノキサン(例えばアルキルアル
ミノキサン)は、上記の接触反応後、含水化合物などを
使用した場合には、固体残渣をろ別し、ろ液を常圧下あ
るいは減圧下で30〜200℃の温度、好ましくは40
〜150℃の温度で、20分〜8時間、好ましくは30
分〜5時間の範囲で溶媒を留去しつつ熱処理したものが
好ましい。
【0048】この熱処理にあたっては、温度は各種の状
況によって適宜定めればよいが、通常は、上記範囲で行
う。一般に、30℃未満の温度では、効果が発現せず、
また200℃を超えるとアルキルアルミノキサン自体の
熱分解が起こり、いずれも好ましくない。
【0049】そして、熱処理の処理条件により反応生成
物は、無色の固体又は溶液状態で得られる。このように
して得られた生成物を、必要に応じて炭化水素溶媒で溶
解あるいは希釈して触媒溶液として使用することができ
る。
【0050】このような触媒成分として用いる有機アル
ミニウム化合物と縮合剤との接触生成物であるアルミノ
キサン、特にアルキルアルミノキサンの好適な例は、プ
ロトン核磁気共鳴スペクトルで観測されるアルミニウム
‐メチル基(Al‐CH)結合に基づくメチルプロト
ンシグナル領域における高磁場成分が50%以下のもの
である。つまり、上記の接触生成物を室温下、トルエン
溶媒中でそのプロトン核磁気共鳴(H‐NMR)スペ
クトルを観測すると、「Al‐CH」に基づくメチル
プロトンシグナルはテトラメチルシラン(TMS)基準
において1.0〜−0.5ppmの範囲に見られる。T
MSのプロトンシグナル(0ppm)が「Al‐C
」に基づくメチルプロトン観測領域にあるため、こ
の「Al‐CH」に基づくメチルプロトンシグナル
を、TMS基準におけるトルエンのメチルプロトンシグ
ナル2.35ppmを基準に測定し高磁場成分(即ち、
−0.1〜−0.5ppm)と他の磁場成分(即ち、
1.0〜−0.1ppm)とに分けたときに、該高磁場
成分が全体の50%以下、好ましくは45〜5%のもの
が触媒成分として好適に使用できる。
【0051】本発明においては、触媒として前記(イ)
成分と(ロ)成分とを組み合わせたものに、さらに所望
に応じ(ニ)成分として他の触媒成分を加え、触媒活性
を向上させたものを用いることができる。
【0052】この(ニ)触媒成分としては、例えば一般
式 R21 kAlY3-k (XIII) (式中のR21は炭素数1〜18、好ましくは1〜12
のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基などの炭化水素基、Yは水素原子又は
ハロゲン原子、kは1〜3の数である)で表わされる有
機アルミニウム化合物が挙げられる。このようなものの
具体例としては、トリメチルアルミニウム、トリエチル
アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジメチル
アルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリ
ド、メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウ
ムジクロリド、ジエチルアルミニウムエトキシドなどの
1種又は2種以上を挙げることができる。また、立体規
則性をそここなわない範囲において、一般式 W−R22−(P)s−R23−W′ (XI
V) (式中のR22、R23は炭素数1〜20の炭化水素
基、炭素数7〜30の置換芳香族炭化水素基あるいは酸
素、窒素、硫黄などのヘテロ原子を含む置換基を有する
炭素数6〜40の置換芳香族炭化水素基を示し、Pは炭
素数1〜20の炭化水素基、
【化8】 で示される基、R24は水素原子又は炭素数1〜6の炭
化水素基、W及びW′は水酸基、アルデヒド基又はカル
ボキシル基、sは0又は1〜5の整数である)で表わさ
れる少なくとも2個の水酸基、アルデヒド基又はカルボ
キシル基を有する有機化合物を加えることができる。
【0053】前記一般式(XIV)で表わされる有機化
合物の具体例としては、2,2′‐ジヒドロキシ‐3,
3′‐ジ‐t‐ブチル‐5,5′‐ジメチルジフェニル
スルフィド、2,2′‐ジヒドロキシ‐3,3′‐ジ‐
t‐ブチル‐5,5′‐ジメチルジフェニルエーテルな
どが挙げられる。
【0054】本発明において、前記(イ)成分と(ロ)
成分との組合せから成る触媒を使用する場合、これらの
成分の割合は、各成分の種類、原料のスチレン系モノマ
ーの種類やその他の条件により異なり、一義的には定め
られないが、通常は(イ)成分中の遷移金属に対する
(ロ)成分中のアルミニウムのモル比が1〜10、好
ましくは10〜10になるように選ばれる。
【0055】また、原料のスチレン系モノマーと触媒と
の使用割合については適宜定めればよいが、通常該スチ
レン系モノマーの(ロ)成分中のアルミニウムに対する
モル比が1〜10、好ましくは10〜10になる
ように選ばれる。
【0056】本発明においては、触媒として、前記の組
合せ以外に、(イ)遷移金属化合物と、(ハ)該遷移金
属化合物と反応してイオン性錯体を形成しうる化合物と
の組合せを用いることができる。また、所望により、こ
の組合せに、さらに前記(ニ)成分を加えたものを用い
ることができる。
【0057】この触媒において、(イ)成分として用い
られる遷移金属化合物は前記したものから適宜選定すれ
ばよいが、好ましくは前記一般式(VI)、(VI
I)、(VIII)及び(IX)で表わされる遷移金属
化合物が望ましく、特に、これらの中の炭素数6〜20
のアリール基を少なくとも1つ有する化合物が好適であ
る。また所望により用いられる(ニ)成分としては、前
記したものが挙げられるが、これらの中で一般式(XI
II)で表わされる有機アルミニウム化合物が好適であ
る。
【0058】さらに、該(ハ)成分は、カチオンと複数
の基が周期律表VB族、VIB族、VIIB族、VII
I族、IB族、IIB族、IIIA族、IVA族及びV
A族から選ばれた元素に結合したアニオンとから成る配
位錯体化合物であって、その種類については特に制限は
ないが、例えば一般式 ([L−H]u+)v ([M…Xi(i-t)-)w (XV) 又は ([Lu+)v ([M…Xi(i-t)-)w (XVI) (ただし、LはM、R2526又はR27 Cである) [式中Lはルイス塩基、M及びMはそれぞれ周期
律表のVB族、VIB族、VIIB族、VIII族、I
B族、IIB族、IIIA族、IVA族又はVA族から
選ばれる元素、Mは周期律表のIB族、IIB族、V
III族から選ばれる金属、Mは周期律表のVIII
族から選ばれる金属、X〜Xはそれぞれ水素原子、
ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のア
リール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、
置換アルキル基、有機メタロイド基又はハロゲン原子を
示し、R25及びR26はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は
フルオレニル基、R27は炭化水素基を示す。tは
、Mの原子価で1〜7の整数、iは2〜8の整
数、uはL−H、Lのイオン価数で1〜7の整数、
vは1以上の整数、w=u×v/(i−t)である]で
表わされる配位錯体化合物を好適に用いることができ
る。
【0059】上記Lで示されるルイス塩基の具体例と
しては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフランなどのエーテル類、テトラヒドロチオフェ
ンなどのチオエーテル類、エチルベンゾエートなどのエ
ステル類、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニト
リル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブ
チルアミン、N,N‐ジメチルアニリン、2,2′‐ビ
ピリジン、フェナントロリンなどのアミン類、トリエチ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどのホスフィ
ン類、鎖状不飽和炭化水素としてエチレン、ブタジエ
ン、1‐ペンテン、イソプレン、ペンタジエン、1‐ヘ
キセン及びこれらの誘導体、環状不飽和炭化水素として
ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘプタトリエ
ン、シクロオクタジエン、シクロオクタトリエン、シク
ロオクタテトラエン及びこれらの誘導体などが挙げられ
る。
【0060】M及びMの具体例としてはB、Al、
Si、P、As、Sbなど、Mの具体例としてはL
i、Na、Ag、Cuなど、Mの具体例としてはF
e、Co、Niなどが挙げられる。X〜Xの具体例
としては、例えば、ジアルキルアミノ基としてジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、アルコキシ基としてメト
キシ基、エトキシ基、n‐ブトキシ基、アリールオキシ
基としてフェノキシ基、2,6‐ジメチルフェノキシ
基、ナフチルオキシ基、炭素数1〜20のアルキル基と
してメチル基、エチル基、n‐プロピル基、iso‐プ
ロピル基、n‐ブチル基、n‐オクチル基、2‐エチル
ヘキシル基、炭素数6〜20のアリール基、アルキルア
リール基若しくはアリールアルキル基としてフェニル
基、p‐トリル基、ベンジル基、ペンタフルオロフェニ
ル基、3,5‐ジ(トリフルオロメチル)フェニル基、
4‐ターシャリーブチルフェニル基、2,6‐ジメチル
フェニル基、3,5‐ジメチルフェニル基、2,4‐ジ
メチルフェニル基、1,2‐ジメチルフェニル基、ハロ
ゲンとしてF、Cl、Br、l、有機メタロイド基とし
て五メチルアンチモン基、トリメチルシリル基、トリメ
チルゲルミル基、ジフェニルアルシン基、ジシクロヘキ
シルアンチモン基、ジフェニル硼素基が挙げられる。R
25及びR26の置換シクロペンタジエニル基の具体例とし
ては、メチルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペ
ンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基
が挙げられる。
【0061】上記式[14]、[15]の化合物の中
で、具体的には、下記のものを特に好適に使用できる。
例えば式[14]の化合物として、テトラフェニル硼酸
トリエチルアンモニウム、テトラフェニル硼酸トリプロ
ピルアンモニウム、テトラフェニル硼酸トリ(n‐ブチ
ル)アンモニウム、テトラキス(o,p‐ジメチルフェ
ニル)硼酸トリ(n‐ブチル)アンモニウム、テトラフ
ェニル硼酸トリメチルアンモニウム、テトラキス(p‐
トリフルオロメチル)硼酸トリ(n‐ブチル)アンモニ
ウム、テトラフェニル硼酸トリフェニルホスホニウム、
テトラフェニル硼酸トリ(メチルフェニル)ホスホニウ
ム、テトラフェニル硼酸トリ(ジメチルフェニル)ホス
ホニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸
イソプロピルアンモニウム、テトラフェニル硼酸ジシク
ロヘキシルアンモニウム、テトラキス(ペンタフルオロ
フェニル)硼酸トリエチルアンモニウム、テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリ(n‐ブチル)ア
ンモニウム、ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニ
ウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメ
チルアニリニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸ジエチルアニリニウム、テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸ジn‐ブチルアニリニウム、テト
ラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチルジフェニ
ルアンモニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸p‐ブロモ‐N,N‐ジメチルアニリニウムな
どが挙げられる。
【0062】一方、前記一般式(XVI)で表わされる
化合物の中で好ましいものとしては、例えばテトラフェ
ニル硼酸フェロセニウム、テトラキス(ペンタフルオロ
フェニル)硼酸フェロセニウム、テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸デカメチルフェロセニウム、テト
ラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸セチルフェロセ
ニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ホ
ルミルフェロセニウム、テトラキス(ペンタフルオロフ
ェニル)硼酸シアノフェロセニウム、テトラフェニル硼
酸銀、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸銀、
テトラフェニル硼酸トリチル、テトラキス(ペンタフル
オロフェニル)硼酸トリチル、ヘキサフルオロ砒素酸
銀、ヘキサフルオロアンチモン酸銀、テトラフルオロ硼
酸銀などが挙げられる。
【0063】前記(イ)成分と(ハ)成分との使用割合
については特に制限はないが、通常(イ)成分に対する
(ハ)成分のモル比が0.01〜100、好ましくは1
〜10になるように選ばれる。また、(イ)成分と
(ハ)成分とは予め接触させ、接触生成物を分離、洗浄
して用いてもよいし、重合系内で接触させてもよい。さ
らに、所望に応じて用いられる該(ニ)成分の使用量
は、(イ)成分1モルに対し、通常0〜100モルの範
囲で選ばれる。この(ニ)成分を用いると重合活性の向
上を図ることができるが、あまり多くても添加量に相当
する効果は発現しない。なお、(ニ)成分は、(イ)成
分、(ハ)成分あるいは(イ)成分と(ハ)成分との接
触生成物と接触させて用いてもよい。この接触は、予め
接触させてもよく、重合系内へ順次添加して接触させて
もよい。
【0064】また、前記(ハ)成分の使用量は、原料モ
ノマー/(ハ)成分モル比が通常1〜10、好ましく
は100〜10になるように選ばれる。
【0065】本発明においては、このような触媒の存在
下に、まず、前記一般式(I)で表わされるスチレン系
モノマーを重合させて高度のシンジオタクチック構造の
スチレン系重合体(オリゴマーを含む)を得たのち、こ
れに前記マクロモノマーを共重合させる二段重合法によ
り所望のスチレン系ブロック共重合体が得られる。これ
らの工程における重合温度、重合時間、重合方法等につ
いては、適宜選定すればよいが、一般には、重合温度は
0〜120℃、好ましくは10〜80℃であり、重合時
間は1秒ないし10時間の範囲で選定すればよい。重合
方法としては、塊状、溶液、懸濁重合のいずれも可能で
ある。また、溶液重合にあっては、使用できる溶媒とし
てはペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水
素、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素、ベンゼン、
トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などがある。
これらの中でも脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素が好ま
しい。この場合、モノマー/溶媒(体積比)は任意に選
択することができる。
【0066】
【発明の効果】本発明のスチレン系ブロック共重合体は
シンジオタクチックポリスチレンが本来有する優れた耐
熱性、耐薬品性及び電気特性を保持するとともに、じん
性、伸び、接着性及びオレフィン系樹脂やジエン系樹脂
との相溶性が改善されたものであって、複合材料の素材
や耐熱性エラストマーなどとして有用である。
【0067】また、本発明方法によると、前記のスチレ
ン系ブロック共重合体を効率よく製造することができ
る。
【0068】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【0069】なお、重合体の融点、極限粘度及び接着強
度は次のようにして求めた。 (1)融点 装 置:セイコー電子製DSC‐200型示差走査熱
量計 測定条件:300℃、5分間保持、30℃まで7℃
/分で冷却(ファーストクーリング)、30℃、5分
間保持、300℃まで20℃/分で昇温(セカンドヒ
ーティング)このセカンドヒーティング時に融点を求め
た。 (2)極限粘度 1,2,4‐トリクロルベンゼン中、135℃で測定し
た。 (3)接着強度 15mm幅のアルミニウム板(厚さ50μ)を2枚用意
し、共重合体40mgをはさみ込んだ。温度300℃で
融解したのち、10kg/cm圧でプレスを2分間行
った。このようにして作成したテストピースの接着強度
を2cm/分の引張速度で測定した。
【0070】製造例1 (1)イソプレン型マクロモノマーの製造 内容積0.5lのかきまぜ機付反応器を窒素で置換した
のち、これに十分に乾燥したヘプタン260ml及びイ
ソプレン50mlを加え、50℃に加熱し、次いでse
c‐ブチルリチウム38.4ミリモルをヘプタン40m
lに希釈して反応系内に徐々に滴下した。滴下後、かき
まぜながら、3時間反応を続行し、反応終了後、ただち
に反応系をドライアイス‐メタノール系浴で−78℃ま
で急冷した。次に、専用投入管により、4‐クロロメチ
ルスチレンのヘプタン溶液(46ミリモル/40mlヘ
プタン)を滴下し、液温を−78℃に保持したまま、さ
らに1時間かきまぜ続けたのち、アルコールを投入して
反応を停止させることにより、イソプレン型マクロモノ
マー40.7gが得られた。ゲルパーミュレーションク
ロマトグラフィー(溶媒;クロロホルム、温度35℃)
測定の結果、このものの重量平均分子量はポリエチレン
換算で890(Mn=593)、分子量分布度は1.5
0であった。
【0071】また、このマクロモノマーについて赤外線
吸収スペクトル(KBr法)の測定を行ったところ、1
377cm−1付近にイソプレン連鎖のcis‐1,4
構造によるメチル基の吸収が、1660cm−1に同構
造のC=Cによるピークが、また1645cm−1には
スチリル基に基づく末端ビニル基の存在を示唆している
ピークが認められた。
【0072】さらに、13C‐NMRの測定[CDCl
溶液中]結果、135ppm、112ppm付近に末
端ビニル基に由来する吸収が、124〜125ppm、
135ppm付近にイソプレン主鎖構造における二重結
合のメチレン炭素の吸収が、27.0ppm付近、3
2.3ppm付近にメチレン炭素の吸収が、23.0p
pm付近にメチル炭素の吸収が確認された。ベンゼン環
の炭素は120〜148ppmの間に逐次観測された。
【0073】(2) 前記(1)において、4‐クロロ
メチルスチレンの代りにメタクリル酸クロリドのヘプタ
ン溶液(48ミリモル/40mlヘプタン)を用い、か
つsec‐ブチルリチウムとして33.4ミリモル/4
0mlヘプタン溶液を用いた以外は、(1)と同様にし
て実施した。
【0074】得られたマクロモノマーの収量は31.6
g、重量平均分子量はポリエチレン換算で1020、分
子量分布は1.60であった。また、IRの測定を行っ
たところ、1725cm−1付近にカルボニルの吸収が
新たに観測され、1640cm−1にはメタクリロイル
基による不飽和結合の存在を示すピークが認められた。
【0075】(3) 前記(1)において、イソプレン
の代りにアクリル酸エチル60mlを用い、溶媒をテト
ラヒドロフラン(THF)に変え、開始剤をt‐ブチル
リチウム(34.6ミリモル/40mlヘキサン)と
し、4‐クロロメチルスチレン(40ミリモル/40m
lTHF)を用いて−78℃で重合を行った以外は、
(1)と同様にして実施した。得られたマクロモノマー
の収量は44.8g、重量平均分子量はポリスチレン換
算で1480、分子量分布は1.40であった。
【0076】(4) 前記(1)において、イソプレン
の代りに1,3‐ブタジエン50mlを用い、溶媒をT
HFに変え、開始剤としてt‐ブチルリチウム(37.
3ミリモル/40mlヘプタン)を用い0℃で重合を行
った。重合終了後、これにアクリル酸クロリド(44.
7ミリモル/40mlTHF)を反応させて、末端アク
リロイル型ブタジエンマクロモノマーを製造した。処理
手順は前記(1)と同様である。
【0077】該マクロモノマーは、収量は25.3g、
重量平均分子量は860、分子量分布は1.36であ
り、かつIRでは740cm−1付近にブタジエンのc
is‐1,4構造によるピークが、1725cm−1
近にはアクリロイル基中のカルボニルの特性ピークが、
さらに1640cm−1付近に不飽和結合によるピーク
が認められた。
【0078】(5) 前記(1)において、イソプレン
の代りにメタクリル酸(2,4,6‐トリブロモフェニ
ル)30g/200mlTHFを用い、かつ開始剤とし
てsec‐ブチルリチウム(7.5ミリモル/40ml
ヘプタン)を用いて−78℃で重合を行ったのち、これ
に、4‐クロロメチルスチレン(9ミリモル/40ml
THF)を反応させて目的とする末端スチレン型マクロ
モノマー27.8gを得た。このものの重量平均分子量
は3850、分子量分布は1.41であった。
【0079】製造例2 アルミニウム縮合化合物(メチルアルミノキサン)の調
製 窒素置換した内容積500mlのガラス製容器に、トル
エン200ml、硫酸銅5水塩(CuSO・5H
O)17.7g(71ミリモル)及びトリメチルアル
ミニウム24ml(250ミリモル)を入れ、40℃で
8時間反応させた。その後固体成分を除去して得られた
溶液からさらにトルエンを減圧留去して接触生成物6.
7gを得た。このものの凝固点降下法により測定した分
子量は610であった。また、特開昭62−32539
1号公報に基づくH‐NMR測定による高磁場成分、
すなわち室温下トルエン溶液中でそのプロトン核磁気共
鳴スペクトルを観測すると(Al‐CH)結合に基づ
くメチルプロトンシグナルはテトラメチルシラン基準に
おいて1.0〜−0.5ppmの範囲にみられる。テト
ラメチルシランのプロトンシグナルは(0ppm)がA
l‐CH結合に基づくメチルプロトンに基づく観測領
域にあるため、このAl‐CH結合に基づくメチルプ
ロトンシグナルをテトラメチルシラン基準におけるトル
エンのメチルプロトンシグナル2.35ppmを基準に
して測定し、高磁場成分(すなわち、−0.0〜−0.
5ppm)と他の磁場成分(すなわち、1.0〜−0.
1ppm)とに分けたときに、該高磁場成分が全体の4
3%であった。
【0080】実施例1 窒素雰囲気下、乾燥した500ml反応容器に、室温下
トルエン100ml、触媒成分として製造例2で得られ
たメチルアルミノキサン4ミリモルを加え、さらにスチ
レン100mlを加えたのち、60℃で30分間静置し
た。次いで、これに1,2,3,4,5‐ペンタメチル
シクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシド10マ
イクロモルを添加し、重合を開始した。
【0081】30分間反応を行ったのち、製造例1
(1)で得られたイソプレン型マクロモノマーのトルエ
ン溶液(10g/50mlトルエン)を添加し、2時間
重合を行った。その後、メタノール‐塩酸混合液に反応
生成物を投入し、反応を停止し脱灰したのち、さらにメ
タノールで洗浄し乾燥した。さらに非品質ポリマーを除
去するために、メチルエチルケトンでソックスレー抽出
を8時間行い、不溶部を乾燥して、39.5gの重合体
を得た。この重合体の極限粘度[η]は0.90dl/
gであった。
【0082】13C‐NMRを測定したところ、14
5.2ppmに鋭いピークが見られた。このことは、ス
チレン連鎖がシンジオタクチック構造であることを示し
ている。また、赤外線吸収スペクトル(IR)には13
80cm−1付近にcis‐1,4イソプレン単位の吸
収が認められ、H‐NMRより求めた。イソプレン単
位含量は9.7重量%であることが判明した。結果を表
2に示した。
【0083】また、シンジオタクティシティーはラセミ
ペンタッドで90%以上であった。なお、シンジオタク
ティシティーは13C‐NMRより求めた。
【0084】実施例2 実施例1において、表1に示す条件に変更したこと以外
は、実施例1と同様にして共重合体を製造した。結果を
表2に示す。
【0085】また、13C‐NMRより求めたシンジオ
タクティシティーはラセミペンタッドで92%以上であ
った。
【0086】実施例3〜6 表1に示す条件に変更したこと以外は、実施例1と同様
にしてブロック共重合体を製造した。その結果を表2に
示す。また、13C‐NMRより算出したシンジオタク
ティシティーはラセミペンタッドで87%以上であっ
た。
【0087】実施例7 実施例1において、重合触媒をトリイソブチルアルミニ
ウム30マイクロモル、テトラキス(ペンタフルオロフ
ェニル)硼酸トリエチルアンモニウム5マイクロモル及
び1,2,3,4,5‐ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリメトチル5マイクロモルから成る系
に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてブロック
共重合体を製造した。その結果を表2に示す。
【0088】実施例8〜10 表1に示す条件に変更したこと以外は、実施例7と同様
にしてブロック共重合体を製造した。その結果を表2に
示す。
【0089】比較例1 窒素雰囲気下、乾燥した500ml反応容器に、室温
下、トルエン100ml、触媒成分として製造例2で得
られたメチルアルミノキサン4ミリモルを加え、さらに
スチレン100mlを加えたのち、60℃で30分間静
置した。
【0090】この容器に1,2,3,4,5‐ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシド1
0マイクロモルを添加し、さらに製造例1(3)で得ら
れたアクリル酸エチル型マクロモノマーのトルエン溶液
(10g/50mlトルエン)を添加し、3時間重合を
行った。その後、メタノール‐塩酸混合液に反応生成物
を投入し、反応を停止し脱灰したのち、さらにメタノー
ルで洗浄を行い、乾燥して28.5gの重合体を得た。
この重合体の極限粘度[η]は0.48dl/gであっ
た。
【0091】13C‐NMRを測定したところ、14
5.1ppmに鋭いピークが見られた。このことは、ス
チレン連鎖がシンジオタクチック構造であることを示し
ている。また、IRには1730cm−1付近にカルボ
ニルの吸収が認められ、H‐NMRより求めたアクリ
ル酸エチル単位含量は4.6重量%であることが判明し
た。結果を表2に示す。
【0092】このものの13C‐NMRより求めたシン
ジオタクティシティーは、それぞれラセミペンタッドで
72%であった。
【0093】比較例2 比較例1において、製造例(3)で得たマクロモノマー
の代りに、製造例1(5)で得たマクロモノマーを用い
た以外は、比較例1と同様にして実施した。その結果を
表2に示す。
【0094】
【表1】
【0095】注1)重合触媒 (I) 1,2,3,4,5‐ペンタメチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリメトキシド‐メチルアルミノ
キサン (II) 1,2,3,4,5‐ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリメチル‐テトラ(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸トリエチルアンモニウム‐トリイ
ソブチルアルミニウム 2)IP‐CMS:イソプレン鎖末端スチリル基 IP‐AC:イソプレン鎖末端アクリロイル基 EA‐CMS:アクリル酸エステル鎖末端スチリル基 BD‐MC:1,3‐ブタジエン鎖末端メタクリロイル
基 BPMA‐CMS:メタクリル酸2,4,6‐トリブロ
モフェニル鎖末端スチリル基 3)マクロモノマー添加前重合時間(ただし、添加後は
一律120分) 4)全重合時間
【0096】
【表2】

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)一般式 CH=CH−Ar−(R)p (式中のArは二価の芳香族基、Rは水素原子、ハロ
    ゲン原子又は炭素原子及びケイ素原子の中から選ばれた
    少なくとも1種を含む置換基、pは1〜5の整数であ
    り、pが2以上の場合、Rは同じものでも、異なるも
    のであってもよい)で表わされるスチレン系モノマーを
    繰り返し単位とする高度のシンジオタクチック構造を有
    する重合体セグメント80〜99.9重量%と、(B)
    アニオン重合性モノマーをアニオン重合開始剤を用いて
    重合させたのち、これと含ハロゲン不飽和化合物とを反
    応させて得られた末端に重合活性ビニル基を有する数平
    均分子量300〜10000のマクロモノマーに由来す
    る重合体セグメント20〜0.1重量%とから成り、か
    つ1,2,4‐トリクロロベンゼン溶液中温度135℃
    で測定した極限粘度[η]が0.07〜20dl/gで
    あることを特徴とするスチレン系ブロック共重合体。
  2. 【請求項2】 (a)一般式 CH=CH−Ar−(R)p (式中のArは二価の芳香族基、Rは水素原子、ハロ
    ゲン原子又は炭素原子及びケイ素原子の中から選ばれた
    少なくとも1種を含む置換基、pは1〜5の整数であ
    り、pが2以上の場合、Rは同じものでも異なるもの
    であってもよい)で表わされるスチレン系モノマーを
    (イ)遷移金属化合物と(ロ)アルミニウム縮合化合物
    から成る触媒の存在下で重合させ、次いでこれに、
    (b)アニオン重合性モノマーをアニオン重合開始剤を
    用いて重合させたのち、これと含ハロゲン不飽和化合物
    とを反応させて得られた末端に重合活性ビニル基を有す
    る数平均分子量300〜10000のマクロモノマーを
    添加して重合させることを特徴とする請求項1記載のス
    チレン系ブロック共重合体の製造方法。
  3. 【請求項3】 (a)一般式 CH=CH−Ar−(R)p (式中のArは二価の芳香族基、Rは水素原子、ハロ
    ゲン原子又は炭素原子及びケイ素原子の中から選ばれた
    少なくとも1種を含む置換基、pは1〜5の整数であ
    り、pが2以上の場合、Rは同じものでも異なるもの
    であってもよい)で表わされるスチレン系モノマーを
    (イ)遷移金属化合物及び(ハ)遷移金属化合物と反応
    してイオン性錯体を形成しうる化合物から成る触媒の存
    在下で重合させ、次いでこれに(b)アニオン重合性モ
    ノマーをアニオン重合開始剤を用いて重合させたのち、
    これと含ハロゲン不飽和化合物とを反応させて得られた
    末端に重合活性ビニル基を有する数平均分子量300〜
    10000のマクロモノマーを添加して重合させること
    を特徴とする請求項1記載のスチレン系ブロック共重合
    体の製造方法。
JP04122817A 1992-04-17 1992-04-17 スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3107251B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04122817A JP3107251B2 (ja) 1992-04-17 1992-04-17 スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04122817A JP3107251B2 (ja) 1992-04-17 1992-04-17 スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05295056A true JPH05295056A (ja) 1993-11-09
JP3107251B2 JP3107251B2 (ja) 2000-11-06

Family

ID=14845375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04122817A Expired - Fee Related JP3107251B2 (ja) 1992-04-17 1992-04-17 スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3107251B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0860456A1 (en) * 1997-02-21 1998-08-26 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Graft copolymer and styrene-based resin composition
EP0911349A1 (en) * 1997-10-24 1999-04-28 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Aromatic vinyl resin material and molded products thereof
JP2000186127A (ja) * 1998-12-21 2000-07-04 Goodyear Tire & Rubber Co:The スチレン―ブタジエン・ブロックコポリマ―
WO2001058964A1 (fr) * 2000-02-10 2001-08-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Polymeres de styrene syndiotactiques et leur procede de production
JP2002322226A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Kyoeisha Chem Co Ltd (メタ)アクリル系ブロック共重合物およびそれを含む非水系塗料用顔料の分散剤
US6489425B1 (en) 1999-08-16 2002-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Styrene/macromonomer random polymer having excellent melt flowability and impact strength and method of preparing the same
JP2008081747A (ja) * 1996-09-23 2008-04-10 Bridgestone Corp 増量シンジオタクテイツクポリスチレンエラストマーブロツクコポリマー類
US7795347B2 (en) 2003-03-14 2010-09-14 Mitsui Chemicals, Inc. Multi-branched polymer, process for producing the same, and applications thereof
JP2011084641A (ja) * 2009-10-15 2011-04-28 Mitsui Chemicals Inc 芳香族ビニル化合物と共役ポリエン化合物とのブロック共重合体の製造方法およびブロック共重合体
KR20170013858A (ko) 2014-05-30 2017-02-07 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드 점착제 조성물 및 그 제조 방법, 그리고, 점착제층 및 그 제조 방법

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008081747A (ja) * 1996-09-23 2008-04-10 Bridgestone Corp 増量シンジオタクテイツクポリスチレンエラストマーブロツクコポリマー類
EP0860456A1 (en) * 1997-02-21 1998-08-26 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Graft copolymer and styrene-based resin composition
EP0911349A1 (en) * 1997-10-24 1999-04-28 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Aromatic vinyl resin material and molded products thereof
JP2000186127A (ja) * 1998-12-21 2000-07-04 Goodyear Tire & Rubber Co:The スチレン―ブタジエン・ブロックコポリマ―
US6489425B1 (en) 1999-08-16 2002-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Styrene/macromonomer random polymer having excellent melt flowability and impact strength and method of preparing the same
WO2001058964A1 (fr) * 2000-02-10 2001-08-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Polymeres de styrene syndiotactiques et leur procede de production
US7026406B1 (en) 2000-02-10 2006-04-11 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Syndiotactic styrene polymers and process for the production thereof
JP2002322226A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Kyoeisha Chem Co Ltd (メタ)アクリル系ブロック共重合物およびそれを含む非水系塗料用顔料の分散剤
US7795347B2 (en) 2003-03-14 2010-09-14 Mitsui Chemicals, Inc. Multi-branched polymer, process for producing the same, and applications thereof
JP2011084641A (ja) * 2009-10-15 2011-04-28 Mitsui Chemicals Inc 芳香族ビニル化合物と共役ポリエン化合物とのブロック共重合体の製造方法およびブロック共重合体
KR20170013858A (ko) 2014-05-30 2017-02-07 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드 점착제 조성물 및 그 제조 방법, 그리고, 점착제층 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3107251B2 (ja) 2000-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0490269B1 (en) Graft copolymer and process for producing the same
JP4625901B2 (ja) シンジオタクチック芳香族ビニル系ブロック共重合体およびその製造方法
JP3194438B2 (ja) スチレン系重合体の製造方法及びその触媒
JP2927566B2 (ja) スチレン系共重合体の製造方法
JP3107251B2 (ja) スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法
JP3369294B2 (ja) 遷移金属化合物、それを用いた重合用触媒及び該重合用触媒を用いたスチレン系重合体の製造方法
JP3101028B2 (ja) グラフト共重合体及びその製造方法
JP3115944B2 (ja) 化学変性スチレン系重合体及びその製造方法
JP3121095B2 (ja) グラフト共重合体及びその製造方法
JP3237193B2 (ja) スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法
JP3210325B2 (ja) スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法
JP2977930B2 (ja) スチレン系共重合体の製造方法
JP2980367B2 (ja) スチレン系共重合体およびその製造方法
JPH05310834A (ja) スチレン系重合体及びその製造方法
JP3121113B2 (ja) スチレン系樹脂組成物の製造方法
JP3487448B2 (ja) スチレン系重合体の製造方法
JP3135083B2 (ja) スチレン系重合体及び共重合体の製造方法
WO1996016993A1 (fr) Procede de modulation de la masse molaire de polymere styrenique
JP2001172315A (ja) スチレン系モノマー重合用多重金属メタロセン触媒およびその合成方法ならびにこれを用いたスチレン系重合体の合成方法
JP3135082B2 (ja) スチレン系重合体および共重合体の製造方法
JP3121109B2 (ja) オレフィン系共重合体
JP3180523B2 (ja) スチレン系重合体製造用触媒の選択方法
JP2966990B2 (ja) 樹脂組成物
JP2977932B2 (ja) スチレン系共重合体の製造方法
JPH0413707A (ja) スチレン系マクロモノマー、その重合体及び該重合体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees