JPH0529464A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0529464A JPH0529464A JP3181479A JP18147991A JPH0529464A JP H0529464 A JPH0529464 A JP H0529464A JP 3181479 A JP3181479 A JP 3181479A JP 18147991 A JP18147991 A JP 18147991A JP H0529464 A JPH0529464 A JP H0529464A
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- Japan
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- film
- fuse
- laser beam
- interlayer insulating
- fuse element
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ヒューズ素子内蔵の半導体装置において、アル
ミニウム膜１０Ａ，１０Ｂに接続された第１のヒューズ
膜３上に第２のヒューズ膜６αを設ける。 【効果】６α，３を順次にレーザ光照射して溶断するこ
とにより、１回あたりのレーザ光強度を弱くでき、短絡
などを防止できる。
ミニウム膜１０Ａ，１０Ｂに接続された第１のヒューズ
膜３上に第２のヒューズ膜６αを設ける。 【効果】６α，３を順次にレーザ光照射して溶断するこ
とにより、１回あたりのレーザ光強度を弱くでき、短絡
などを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
ヒューズ素子を内蔵する半導体装置に関する。
ヒューズ素子を内蔵する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層金属配線層を用いた半導体装
置におけるヒューズ素子はヒューズ膜として第１ポリシ
リコン層を用いて形成されていた。
置におけるヒューズ素子はヒューズ膜として第１ポリシ
リコン層を用いて形成されていた。
【０００３】図４は従来のヒューズ素子を示す半導体チ
ップの平面図、図５（ａ）は図４のＸ−Ｘ線断面図、図
５（ｂ）は図４のＹ−Ｙ線断面図である。
ップの平面図、図５（ａ）は図４のＸ−Ｘ線断面図、図
５（ｂ）は図４のＹ−Ｙ線断面図である。
【０００４】このヒューズ素子はレーザ光照射で溶断す
る型のヒューズ素子であるが、シリコン基板１の表面に
形成されたフィールド酸化膜２上に形成されたヒューズ
膜３（第１ポリシリコン膜）の両端にアルミニウム膜１
０Ａ，１０Ｂがコンタクト孔１１を介して接続されてい
る。なお、コンタクト孔はポリシリコンなどの半導体１
４Ａ，１４Ｂで埋め込まれている。
る型のヒューズ素子であるが、シリコン基板１の表面に
形成されたフィールド酸化膜２上に形成されたヒューズ
膜３（第１ポリシリコン膜）の両端にアルミニウム膜１
０Ａ，１０Ｂがコンタクト孔１１を介して接続されてい
る。なお、コンタクト孔はポリシリコンなどの半導体１
４Ａ，１４Ｂで埋め込まれている。
【０００５】ヒューズ膜３は半導体装置の特性その他の
必要に応じてレーザ光などを照射して溶断される。レー
ザトリミングの場合を例にとると、ヒューズ膜３の中央
部を標的としてレーザ光が照射され、その結果、図６
（ａ），（ｂ）に示すように、ヒューズ膜３より上方の
第１〜第４の層間絶縁膜４，５，７，８，およびヒュー
ズ膜３自身を破壊してアルミニウム膜１０Ａ，１０Ｂ間
を非導通状態にすることによりトリミングの目的を達す
る。
必要に応じてレーザ光などを照射して溶断される。レー
ザトリミングの場合を例にとると、ヒューズ膜３の中央
部を標的としてレーザ光が照射され、その結果、図６
（ａ），（ｂ）に示すように、ヒューズ膜３より上方の
第１〜第４の層間絶縁膜４，５，７，８，およびヒュー
ズ膜３自身を破壊してアルミニウム膜１０Ａ，１０Ｂ間
を非導通状態にすることによりトリミングの目的を達す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
におけるヒューズ素子では、ヒューズ膜３上に絶縁膜が
厚くついているため、レーザ光照射による溶断の際、こ
のヒューズ膜３上方の絶縁膜を全て破壊しなければなら
ないため、レーザ光照射強度を強くする必要がある。こ
のため、ヒューズ膜下のフィールド酸化膜にも破壊が及
んでしまい、図６（ｂ）のＡ部のようにレーザ光により
溶断されたヒューズ膜が破壊されたフィールド絶縁膜を
つきぬけて、シリコン基板と接触してしまい、アルミニ
ウム膜とシリコン基板との短絡が起こり、これによるト
リミング成功率などの歩留の低下を招くと言う問題点が
あった。
におけるヒューズ素子では、ヒューズ膜３上に絶縁膜が
厚くついているため、レーザ光照射による溶断の際、こ
のヒューズ膜３上方の絶縁膜を全て破壊しなければなら
ないため、レーザ光照射強度を強くする必要がある。こ
のため、ヒューズ膜下のフィールド酸化膜にも破壊が及
んでしまい、図６（ｂ）のＡ部のようにレーザ光により
溶断されたヒューズ膜が破壊されたフィールド絶縁膜を
つきぬけて、シリコン基板と接触してしまい、アルミニ
ウム膜とシリコン基板との短絡が起こり、これによるト
リミング成功率などの歩留の低下を招くと言う問題点が
あった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップの絶縁膜上に形成された所定形状の第１の
ヒューズ膜と、前記第１のヒューズ膜を被覆する少なく
とも１つの層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられ
前記第１のヒューズ膜の中央部を覆う第２のヒューズ膜
と、前記第２のヒューズ膜を被覆する他の絶縁膜とを有
するというものである。
半導体チップの絶縁膜上に形成された所定形状の第１の
ヒューズ膜と、前記第１のヒューズ膜を被覆する少なく
とも１つの層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられ
前記第１のヒューズ膜の中央部を覆う第２のヒューズ膜
と、前記第２のヒューズ膜を被覆する他の絶縁膜とを有
するというものである。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【０００９】図１（ａ）は本発明の第１の実施例を示す
平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。
平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。
【００１０】この実施例は、半導体チップのフィールド
酸化膜２上に形成された、主要部が長方形状の第１のヒ
ューズ膜３（弟１ポリシリコン層からできている）と、
第１のヒューズ膜３を被覆する第１の層間絶縁膜４、第
２の層間絶縁膜５と、第２の層間絶縁膜５上に設けられ
第１のヒューズ膜３の中央部を覆う第２のヒューズ膜６
α（長方形状の第３ポリシリコン層からできている）
と、第２のヒューズ膜６αを被覆する第３の層間絶縁膜
７，第４の層間絶縁膜８を有している。
酸化膜２上に形成された、主要部が長方形状の第１のヒ
ューズ膜３（弟１ポリシリコン層からできている）と、
第１のヒューズ膜３を被覆する第１の層間絶縁膜４、第
２の層間絶縁膜５と、第２の層間絶縁膜５上に設けられ
第１のヒューズ膜３の中央部を覆う第２のヒューズ膜６
α（長方形状の第３ポリシリコン層からできている）
と、第２のヒューズ膜６αを被覆する第３の層間絶縁膜
７，第４の層間絶縁膜８を有している。
【００１１】本実施例において、ヒューズ素子をレーザ
光でトリミングする際の説明を以下に記述する。
光でトリミングする際の説明を以下に記述する。
【００１２】まず、第２のヒューズ膜６αを標的として
レーザ光照射を行ない、第２のヒューズ膜６α及びその
上方の絶縁膜（第３，第４の層間絶縁膜７，８）を破壊
する。この結果、図２（ａ）に示すように凹み１２−１
が形成される。次に第１のヒューズ膜３を標的として２
回目のレーザ光照射を行なう。この結果、図２（ｂ）に
示すように第１のヒューズ膜３及びその上方の第１の層
間絶縁膜４，第２の層間絶縁膜５が破壊されて凹み１２
−２が形成され、アルミニウム膜１０Ａ，１０Ｂ間が非
導通状態となってトリミング目的を達成する。
レーザ光照射を行ない、第２のヒューズ膜６α及びその
上方の絶縁膜（第３，第４の層間絶縁膜７，８）を破壊
する。この結果、図２（ａ）に示すように凹み１２−１
が形成される。次に第１のヒューズ膜３を標的として２
回目のレーザ光照射を行なう。この結果、図２（ｂ）に
示すように第１のヒューズ膜３及びその上方の第１の層
間絶縁膜４，第２の層間絶縁膜５が破壊されて凹み１２
−２が形成され、アルミニウム膜１０Ａ，１０Ｂ間が非
導通状態となってトリミング目的を達成する。
【００１３】図３は本発明の第２の実施例を示す平面図
である。第２のヒューズ膜６βは、コンタクト孔１３を
介してアルミニウム膜１０Ａ，１０Ｂと接続されてい
る。これにより、第２のヒューズ膜形成後の半導体装置
の製造工程における第２のヒューズ膜６βのチャージア
ップやそれにもとづく回路動作中のキャリアトラップが
回避され、ヒューズ素子を内蔵する半導体装置の誤動作
が防止できるという利点がある。
である。第２のヒューズ膜６βは、コンタクト孔１３を
介してアルミニウム膜１０Ａ，１０Ｂと接続されてい
る。これにより、第２のヒューズ膜形成後の半導体装置
の製造工程における第２のヒューズ膜６βのチャージア
ップやそれにもとづく回路動作中のキャリアトラップが
回避され、ヒューズ素子を内蔵する半導体装置の誤動作
が防止できるという利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザ光
照射によりヒューズ素子を溶断する際、レーザ光照射の
標的となるヒューズ膜を階層的に備えているので、１回
のレーザ光照射強度を弱くすることが出来、そのため、
ヒューズ素子と基板間の短絡を防止でき、歩留りや信頼
性が向上すると言う効果を有する。
照射によりヒューズ素子を溶断する際、レーザ光照射の
標的となるヒューズ膜を階層的に備えているので、１回
のレーザ光照射強度を弱くすることが出来、そのため、
ヒューズ素子と基板間の短絡を防止でき、歩留りや信頼
性が向上すると言う効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図（図１
（ａ））および断面図（図１（ｂ））である。
（ａ））および断面図（図１（ｂ））である。
【図２】第１の実施例におけるヒューズ溶断作業の説明
に使用する工程順断面図である。
に使用する工程順断面図である。
【図３】第２の実施例を示す平面図である。
【図４】従来例を示す平面図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ線断面図（図５（ａ））およびＹ
−Ｙ線断面図（図５（ｂ））で万る。
−Ｙ線断面図（図５（ｂ））で万る。
【図６】従来例におけるヒューズ溶断作業の説明に使用
する工程順断面図である。
する工程順断面図である。
１ シリコン基板 ２ フィールド酸化膜 ３ ヒューズ膜，第１のヒューズ膜 ４ 第１の層間絶縁膜 ５ 第２の層間絶縁膜 ６α，６β 第２のヒューズ膜 ７ 第３の層間絶縁膜 ８ 第４の層間絶縁膜 ９ カバー絶縁膜 １０Ａ，１０Ｂ アルミニウム膜 １１ コンタクト孔 １２−１，１２−２ 凹み １３ コンタクト孔 １４Ａ，１４Ｂ 導電体 １５ 凹み
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体チップの絶縁膜上に形成された所
定形状の第１のヒューズ膜と、前記第１のヒューズ膜を
被覆する少なくとも１つの層間絶縁膜と、前記層間絶縁
膜上に設けられ前記第１ヒューズ膜の中央部を覆う第２
のヒューズ膜と、前記第２のヒューズ膜を被覆する他の
絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3181479A JP2833275B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3181479A JP2833275B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529464A true JPH0529464A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2833275B2 JP2833275B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=16101479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3181479A Expired - Fee Related JP2833275B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833275B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009604A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 半導体集積回路及び半導体装置システム |
| KR100799130B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 퓨즈 구조를 가진 반도체 소자 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278250A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Mitsubishi Metal Corp | 分散強化型焼結合金鋼製ねじ転造ダイス |
| JPS63278250A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3181479A patent/JP2833275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278250A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Mitsubishi Metal Corp | 分散強化型焼結合金鋼製ねじ転造ダイス |
| JPS63278250A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009604A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 半導体集積回路及び半導体装置システム |
| KR100799130B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 퓨즈 구조를 가진 반도체 소자 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2833275B2 (ja) | 1998-12-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980303 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980901 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |