JPH05287008A - 光重合性組成物及びその重合方法 - Google Patents

光重合性組成物及びその重合方法

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JPH05287008A
JPH05287008A JP8713192A JP8713192A JPH05287008A JP H05287008 A JPH05287008 A JP H05287008A JP 8713192 A JP8713192 A JP 8713192A JP 8713192 A JP8713192 A JP 8713192A JP H05287008 A JPH05287008 A JP H05287008A
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JP
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photopolymerization initiator
parts
disk substrate
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JP8713192A
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Yoshifumi Matsumoto
良文 松本
Kanehiro Nakamura
兼寛 中村
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Tokuyama Corp
Original Assignee
Tokuyama Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】反り、面振れ量及び面振れ加速度などの機械精
度に優れた光ディスク基板として好適な重合体の製造原
料である光重合性組成物及びその重合方法を提供する。 【構成】(a)ラジカル重合性単量体100重量部、
(b)吸収スペクトル中の365nm及び405nmに
おけるモル吸光係数をそれぞれε365及びε405としたと
き、1.6≦ε365/ε405≦2.0を満足する光重合開
始剤0.1〜10重量部を含んでなる光重合性組成物。
該光重合性組成物に、少なくとも365nm及び405
nmにスペクトルを有する光を照射して重合する重合方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、反り角、面振れ量及び
面振れ加速度などの機械精度に優れた重合体の製造原料
として好適な重合性組成物及びその重合方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】光ディスク基板の製造方法として、少な
くとも一方が光透過性物質よりなる一対の成形型に光重
合性単量体を注入し、光透過性物質よりなる一方の型を
通して光を照射して重合させ、光ディスク基板を得る方
法がある。
【0003】この方法は、比較的低粘度の光重合性単量
体を無圧力下又は低圧力下で重合させるため、分子配向
が起こりにくく、光学的に均一であるが、基板の反り
角、面振れ量及び面振れ加速度などの機械精度に劣ると
いう問題がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、反り角、面振れ量及び面振れ加速度などの機械精度
に優れた光ディスク基板の製造原料として好適な光重合
性組成物を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題について鋭意研究を重ねた結果、特定の光重合開始剤
を配合した光重合性組成物を使用することにより、上記
目的を達成することに成功し、本発明を提案するに至っ
た。
【0006】すなわち、本発明は、 (a)ラジカル重合性単量体及び/又はその部分重合体 100重量部 (b)吸収スペクトル中の365nm及び405nmにおけるモル吸光係数をそ れぞれε365及びε405としたとき、下記式 1.6≦ε365/ε405≦2.0 を満足する光重合開始剤 0.1〜10重量部 を含んでなる光重合性組成物である。
【0007】本発明において用いられるラジカル重合性
単量体は、ラジカル重合性を示す公知の化合物を何等制
限なく用いることができる。例えば、スチレン、p−メ
チルスチレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチ
レン、フルオロスチレン、ブロモスチレン、ブチルスチ
レン、trans−スチルベン、ジビニルベンゼンなどのス
チレン及びその誘導体;メチルメタクリレ−ト、エチル
メタクリレ−ト、ブチルメタクリレ−ト、フェニルメタ
クリレ−ト、シクロヘキシルメタクリレ−ト、ボルニル
メタクリレ−ト、イソボルニルメタクリレ−ト、トリシ
クロデカニルメタクリレ−ト、メチルアクリレ−ト、エ
チルアクリレ−ト、エチレングリコ−ルジメタクリレ−
ト、ブタンジオ−ルジアクリレ−ト、ビスフェノ−ルA
ジメタクリレ−ト、トリメチロ−ルプロパントリメタク
リレ−ト、ペンタエリスリト−ルトリアクリレ−トなど
のメタクリル酸エステル及びアクリル酸エステル;無水
マレイン酸、フェニル無水マレイン酸などのマレイン酸
及びその誘導体;N−メチルマレイミド、N−フェニル
マレイミドなどのマレイミド誘導体;下記一般式(I)
で表される分子内に少なくとも2個以上のビニルフェニ
ル基を有する化合物(以下、VP化合物と略記する)な
どが挙げられる。
【0008】
【化1】
【0009】(但し、R1はn価の有機基であり、R2
水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基であり、nは2
以上の整数である。)上記したラジカル重合性単量体
は、単独で用いても良いし、二種類以上を混合して用い
ても良い。また、上記したラジカル重合性単量体の部分
重合体を単独で、或いは、部分重合体とラジカル重合性
単量体とを混合して使用することもできる。本発明で使
用されるラジカル重合性単量体の部分重合体は、上記し
たラジカル重合性単量体を公知の方法で部分重合するこ
とによって得ることができる。
【0010】本発明において、機械精度及び耐熱性に優
れ、また、複屈折及び吸水率が小さい光ディスク基板を
得るためには、特にスチレンまたはその誘導体を10〜
50重量%、一般式(I)で示されるVP化合物を30
〜70重量%、及びアクリル酸エステルまたはメタクリ
ル酸エステルを0〜50重量%よりなる単量体組成とす
ることが好ましい。
【0011】次に、光重合開始剤は、吸収スペクトル中
の365nm及び405nmにおけるモル吸光係数をそ
れぞれε365及びε405としたとき、次式(1) 1.6≦ε365/ε405≦2.0 (1) を満足する化合物である。このような光重合開始剤を使
用することによって、光重合して得た重合体の反り角、
面振れ量及び面振れ加速度などの機械精度を向上させる
ことができる。上記のε365及びε405の関係は、さらに
機械制度の良好な重合体を得ようとすれば、1.65≦
ε365/ε405≦1.90を満足することが好ましい。
【0012】光重合開始剤は、一種で上記の特定の関係
を有する化合物を使用しても良く、また、一種で上記の
関係を満足できないときには、上記の関係を満たすよう
に二種以上の化合物を混合して使用してもよい。しか
し、現在のところ、一種で上記式の関係を満足する光重
合開始剤は見当らないために、一般には二種以上を混合
する方法が採用される。
【0013】二種以上を混合することによって、上記の
関係を満たすことのできる光重合開始剤としては、例え
ば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイ
ソブチルエーテル等のベンゾインエーテル類;ベンジル
ジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール等のベン
ジルケタール類;1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニ
ルケトン、4−イソプロピル−2−ヒドロキシ−2−メ
チル−プロピオフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル
−プロピオフェノン等のα−ヒドロキシアセトフェノン
類;2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−
モノフォリノ−1−プロパノン等のα−アミノアセトフ
ェノン類;ベンジル等のα−ジカルボニル類;ベンゾフ
ェノン、アセトフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチ
ル等の芳香族ケトン類;チオキサントン、2,4−ジエ
チルチオキサントン等のチオキサントン類;4,4′−
ビスジメチルアミノベンゾフェノン、4,4′−ビスジ
エチルアミノベンゾフェノン、p−N,N−ジメチル−
アミノ−アセトフェノン等の芳香族アミン類;p−t−
ブチルトリクロロアセトフェノン、p−t−ブチルジク
ロロアセトフェノン等のクロロアセトフェノン類;2,
4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニルフォスフィ
ンオキシド、2,4−ジクロルベンゾイル−ジフェニル
フォスフィンオキシド、トルイル−ジフェニルフォスフ
ィンオキシド等のアシルフォスフィンオキシド類;Fe
−芳香族化合物等の光カチオン系開始剤などを挙げるこ
とができる。二種以上を混合することによって、上記の
関係を満たすことのできる光重合開始剤を使用する場合
には、上記の関係を満足するようにその混合比を適当に
選べばよい。
【0014】上記の光重合性開始剤の配合量は、ラジカ
ル重合性単量体及び/又はその部分重合体100重量部
に対して0.1〜10重量部であり、0.2〜5重量部
の範囲であることが好ましい。光重合性開始剤の配合量
が0.1重量部未満のときはラジカル重合性単量体及び
/又はその部分重合体の硬化速度が遅くなりすぎ、実用
的ではない。また、10重量部をこえるときは得られた
重合体の耐熱性が低下したり、黄変したりするために好
ましくない。
【0015】上記の光重合性組成物には、増感剤、酸化
防止剤、光安定剤、離型剤、帯電防止剤などを混合する
ことができる。
【0016】次に、上記光重合性組成物を少なくとも一
方が光透過性物質よりなる一対の成形型に注入し、光透
過性物質よりなる一方の型を通して、少なくとも365
nm及び405nmにスペクトルを有する光を照射して
重合を行う。少なくとも365nm及び405nmにス
ペクトルを有する光としては特に制限はないが、高圧水
銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、
クセノンランプなどの光源から発せられる光を好適に使
用することができる。
【0017】また、成形型内での重合の条件は、特に制
限されるものではないが、通常は、温度20〜180
℃、好ましくは40〜140℃、圧力0.1〜10kg
/cm2、好ましくは0.5〜5kg/cm2の条件を採
用することが好ましい。
【0018】重合時間は、光重合性単量体の組成、光重
合開始剤の種類や量、重合温度及び光の強度等により異
なるが、通常1分〜60分程度である。
【0019】さらに、成形型より取りだした重合体に光
又は放射線を照射して重合をさらに進めたり、熱により
常圧下、又は減圧下でアニ−リングを行ってもよい。
【0020】
【発明の効果】本発明の光重合成組成物を使用すること
により、反り角、面振れ量及び面振れ加速度などの機械
精度に優れた重合体を得ることができる。この重合体
は、機械精度に優れているために、光ディスク基板とし
て好適に使用できる。
【0021】
【実施例】本発明をさらに具体的に説明するため、以下
実施例および比較例を掲げて説明するが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
【0022】実施例1 スチレン20重量部、1,1−ビス(4−ビニルベンジ
ルオキシフェニル)−1−フェニルエタン60重量部及
びイソボルニルメタクリレ−ト20重量部に、光重合開
始剤として2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフ
ェノン0.32重量部及び2,4,6−トリメチルベン
ゾイン−ジフェニルフォスフィンオキシド0.68重量
部を混合した。この時の光重合開始剤の365nm及び
405nmにおけるモル吸光係数の比ε365/ε405は
1.69であった。
【0023】上記混合物を55℃に保たれた一方がパイ
レックスガラス製の可動金型で、もう一方がスタンパ−
を装着した金属製の固定金型からなる一対の成形金型に
注入し、パイレックスガラス製の可動金型の上方から5
00W超高圧水銀ランプにて光重合性組成物表面に6.
5mW/cm2の紫外線を照射し、重合を開始した。照
射を開始して1分後、可動金型側から2kg/cm2
圧力をかけ、10分間重合を行った。その後、光ディス
ク基板を成形金型より取り出した。
【0024】得られた光ディスク基板を光ディスク基板
機械特性測定装置にて、1800rpmの速度で回転し
ながら機械特性を測定した。その結果、光ディスク基板
の反り角は1.2mrad、面振れ量は49μm及び面
振れ加速度は14m/s2であった。
【0025】実施例2,3及び比較例1〜3 2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノンと
2,4,6−トリメチルベンゾイン−ジフェニルフォス
フィンオキシドの配合量を表1に示す値にした以外は実
施例1と同じ条件で光ディスク基板を成形した。得られ
た光ディスク基板の機械特性を表1に示した。
【0026】
【表1】
【0027】実施例4 光重合開始剤を2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1
−(モルフィリノフェニル)−ブタン−1−オン0.4
重量部、2,4,6−トリメチルベンゾイン−ジフェニ
ルフォスフィンオキシド1.6重量部とした以外は実施
例1と同様にして光ディスク基板を成形した。なお、こ
の時の光重合開始剤の365nm及び405nmにおけ
るモル吸光係数の比ε365/ε405は1.88であった。
得られた基板の反り角は2.1mrad、面振れ量は8
2μm及び面振れ加速度は19m/s2であった。
【0028】実施例5 光源として、メタルハライドランプを使用し、光重合性
組成物表面に12mW/cm2の紫外線を照射した以外
は実施例1と同様にして光ディスク基板を成形した。得
られた基板の反り角は1.8mrad、面振れ量は92
μm及び面振れ加速度は18m/s2であった。
【0029】実施例6 ラジカル重合性単量体として、スチレン45重量部、
1,1−ビス(4−ビニルベンジルオキシフェニル)−
1−フェニルエタン55重量部とした以外は実施例1と
同様にして、光ディスク基板を成形した。得られた基板
の反り角は1.2.mrad、面振れ量は80μm及び
面振れ加速度は19m/s2であった。
【0030】実施例7 実施例1で得られた基板を減圧乾燥器に入れ、1Tor
rの減圧下、135℃で4時間アニ−リングを行った。
得られた基板の反り角は2.4mrad、面振れ量は6
2μm及び面振れ加速度は18m/s2であった。
【0031】比較例4 光重合開始剤をアセトフェノン1.0重量部とし、光照
射を開始してから5分後に可動金型側から2kg/cm
2の圧力をかけ、30分間重合を行った以外は、比較例
1と同様にして光ディスク基板を成形した。なお、この
ときの光重合開始剤の365nm及び405nmにおけ
るモル吸光係数の比ε365/ε405は2.50であった。
得られた基板の反り角は11mrad、面振れ量は34
2μm及び面振れ加速度は56m/s2であった。
【0032】比較例5 比較例1で得られた基板を減圧乾燥器に入れ、1Tor
rの減圧下、135℃で4時間アニ−リングを行った。
得られた基板の反り角は7.8mrad、面振れ量は2
37μm及び面振れ加速度は34m/s2であった。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)ラジカル重合性単量体及び/又はそ
    の部分重合体 100重量部 (b)吸収スペクトル中の365nm及び405nmに
    おけるモル吸光係数をそれぞれε365及びε405としたと
    き、下記式 1.6≦ε365/ε405≦2.0 を満足する光重合開始剤
    0.1〜10重量部 を含んでなる光重合性組成物。
  2. 【請求項2】請求項1記載の光重合性組成物に少なくと
    も365nm及び405nmにスペクトルを有する光を
    照射することを特徴とする光重合性組成物の重合方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58171406A (ja) * 1982-03-31 1983-10-08 Matsushita Electric Works Ltd 光硬化性樹脂組成物
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