JPH05283500A - マルチチャンバ型真空処理装置 - Google Patents
マルチチャンバ型真空処理装置Info
- Publication number
- JPH05283500A JPH05283500A JP24106691A JP24106691A JPH05283500A JP H05283500 A JPH05283500 A JP H05283500A JP 24106691 A JP24106691 A JP 24106691A JP 24106691 A JP24106691 A JP 24106691A JP H05283500 A JPH05283500 A JP H05283500A
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- Japan
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- chamber
- heat treatment
- unit
- heat
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のマルチチャンバ型真空処理装置の構成
では、処理工程が多くなるとその分だけプロセスチャン
バの数が多くなり、セパレーションチャンバの周囲にそ
の処理工程数だけのチャンバを配置するのが不可能にな
る。この発明は、かかる処理工程数の増加に十分対応で
きる、簡潔なマルチチャンバ型真空処理装置の提供を目
的とする。 【構成】 セパレーションチャンバの周囲に複数の真空
チャンバを備えてマルチチャンバ型真空処理装置を構成
するに当たり、真空チャンバのうち少なくとも１つを、
複数の熱処理ユニットを内蔵する熱処理用プロセスチャ
ンバで構成し、かつ、この熱処理用プロセスチャンバに
は、その複数の熱処理ユニットのうちから一つを選ん
で、セパレーションチャンバとの間で被処理物を授受で
きる機構を設けた。
では、処理工程が多くなるとその分だけプロセスチャン
バの数が多くなり、セパレーションチャンバの周囲にそ
の処理工程数だけのチャンバを配置するのが不可能にな
る。この発明は、かかる処理工程数の増加に十分対応で
きる、簡潔なマルチチャンバ型真空処理装置の提供を目
的とする。 【構成】 セパレーションチャンバの周囲に複数の真空
チャンバを備えてマルチチャンバ型真空処理装置を構成
するに当たり、真空チャンバのうち少なくとも１つを、
複数の熱処理ユニットを内蔵する熱処理用プロセスチャ
ンバで構成し、かつ、この熱処理用プロセスチャンバに
は、その複数の熱処理ユニットのうちから一つを選ん
で、セパレーションチャンバとの間で被処理物を授受で
きる機構を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マルチチャンバ型真空
処理装置に関し、特に複数の熱処理工程を含む複数のプ
ロセスを有する真空処理に適した、装置を簡潔化したマ
ルチチャンバ型真空処理装置に関するものである。
処理装置に関し、特に複数の熱処理工程を含む複数のプ
ロセスを有する真空処理に適した、装置を簡潔化したマ
ルチチャンバ型真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のマルチチャンバ型真空処理装置
は、例えば図３の（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）にそれぞ
れ示すようにセパレーションチャンバを中心にして各チ
ャンバを配置する構成を採用している。即ち、セパレー
ションチャンバＳＥＰを囲み、それぞれゲートバルブＧ
Ｖを介して、ロードロックチャンバＬ／Ｌと、その他の
複数のプロセスチャンバを配設した構造となっている。
は、例えば図３の（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）にそれぞ
れ示すようにセパレーションチャンバを中心にして各チ
ャンバを配置する構成を採用している。即ち、セパレー
ションチャンバＳＥＰを囲み、それぞれゲートバルブＧ
Ｖを介して、ロードロックチャンバＬ／Ｌと、その他の
複数のプロセスチャンバを配設した構造となっている。
【０００３】プロセスチャンバのうち、ＳＰ１〜ＳＰ７
（代表して単にＳＰで示す。）はスパッタチャンバ、Ｈ
Ｔ１，ＨＴ２（代表してＨＴで示す。）は加熱チャンバ
で例えば３００℃までウエハを加熱するチャンバ、ＡＬ
はアニーリングチャンバで例えば短時間に５００℃〜７
００℃までウエハを加熱するチャンバ、ＣＬは冷却チャ
ンバである。中央部に位置するセパレーションチャンバ
ＳＥＰのメンテナンスのため、プロセスチャンバ配設可
能箇所の１箇所に空のスペースを設けるか、若しくはそ
の場所のプロセスチャンバを取出し可能に構成すること
がある。（参考文献。特願平２−４０４７７７、特公平
３−２２０５７）。
（代表して単にＳＰで示す。）はスパッタチャンバ、Ｈ
Ｔ１，ＨＴ２（代表してＨＴで示す。）は加熱チャンバ
で例えば３００℃までウエハを加熱するチャンバ、ＡＬ
はアニーリングチャンバで例えば短時間に５００℃〜７
００℃までウエハを加熱するチャンバ、ＣＬは冷却チャ
ンバである。中央部に位置するセパレーションチャンバ
ＳＥＰのメンテナンスのため、プロセスチャンバ配設可
能箇所の１箇所に空のスペースを設けるか、若しくはそ
の場所のプロセスチャンバを取出し可能に構成すること
がある。（参考文献。特願平２−４０４７７７、特公平
３−２２０５７）。
【０００４】これらの装置は半導体ウエハに次の処理を
施す場合に用いられる。例えば、図３の（Ｃ）の場合で
いうと、半導体ウエハをロードロックチャンバＬ／Ｌか
ら、セパレーションチャンバＳＥＰを経由してスパッタ
チャンバＳＰ６に移し、ここで所望のスパッタ処理を施
した後、ウエハをセパレーションチャンバＳＥＰを経由
して加熱チャンバＨＴに移して加熱し、次いでウエハを
セパレーションチャンバＳＥＰを経由してアニーリング
チャンバＡＬに移し、そこで処理した後セパレーション
チャンバＳＥＰを経て次のスパッタチャンバＳＰ７へと
移し、等々、次々と所定の処理を行なった後、最後に冷
却チャンバＣＬに移し、冷却後ロードロックチャンバＬ
／Ｌから処理済みのウェハーを取り出す。
施す場合に用いられる。例えば、図３の（Ｃ）の場合で
いうと、半導体ウエハをロードロックチャンバＬ／Ｌか
ら、セパレーションチャンバＳＥＰを経由してスパッタ
チャンバＳＰ６に移し、ここで所望のスパッタ処理を施
した後、ウエハをセパレーションチャンバＳＥＰを経由
して加熱チャンバＨＴに移して加熱し、次いでウエハを
セパレーションチャンバＳＥＰを経由してアニーリング
チャンバＡＬに移し、そこで処理した後セパレーション
チャンバＳＥＰを経て次のスパッタチャンバＳＰ７へと
移し、等々、次々と所定の処理を行なった後、最後に冷
却チャンバＣＬに移し、冷却後ロードロックチャンバＬ
／Ｌから処理済みのウェハーを取り出す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したような従来の
マルチチャンバ型真空処理装置の構成では、処理工程が
多くなるとその分だけプロセスチャンバの数が多くな
る。空のスペースを確保するときは、更にプロセスチャ
ンバの個数が増す。図３にはセパレーションチャンバＳ
ＥＰが６角形のものを示したが、排気装置や配管など付
属する装置の多さ、複雑さから考えても、セパレーショ
ンチャンバの周囲にチャンバ６個を配置するのが限界で
あり、６以上の数の処理工程に対処できる装置の構成は
未だ開発されていない。
マルチチャンバ型真空処理装置の構成では、処理工程が
多くなるとその分だけプロセスチャンバの数が多くな
る。空のスペースを確保するときは、更にプロセスチャ
ンバの個数が増す。図３にはセパレーションチャンバＳ
ＥＰが６角形のものを示したが、排気装置や配管など付
属する装置の多さ、複雑さから考えても、セパレーショ
ンチャンバの周囲にチャンバ６個を配置するのが限界で
あり、６以上の数の処理工程に対処できる装置の構成は
未だ開発されていない。
【０００６】この発明の目的は、かかる処理工程数の増
加にも十分対応できる、簡潔なマルチチャンバ型真空処
理装置を提供することにある。
加にも十分対応できる、簡潔なマルチチャンバ型真空処
理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、セパ
レーションチャンバの周囲に複数の真空チャンバを備え
るマルチチャンバ型真空処理装置において、前記複数の
真空チャンバのうち少なくとも１つを、複数の熱処理ユ
ニットを内蔵する熱処理用プロセスチャンバで構成し、
かつ、この熱処理用プロセスチャンバには、その複数の
熱処理ユニットのうちから一つを選んで、セパレーショ
ンチャンバとの間で被処理物を授受する機構を設けたも
のである。
レーションチャンバの周囲に複数の真空チャンバを備え
るマルチチャンバ型真空処理装置において、前記複数の
真空チャンバのうち少なくとも１つを、複数の熱処理ユ
ニットを内蔵する熱処理用プロセスチャンバで構成し、
かつ、この熱処理用プロセスチャンバには、その複数の
熱処理ユニットのうちから一つを選んで、セパレーショ
ンチャンバとの間で被処理物を授受する機構を設けたも
のである。
【０００８】複数の熱処理ユニットのうちからその一つ
を選ぶ機構は、その熱処理用プロセスチャンバに、ウエ
ハが授受される平面に垂直な方向に動くエレベータ機構
を含んで構成するとき装置を簡単にできる。
を選ぶ機構は、その熱処理用プロセスチャンバに、ウエ
ハが授受される平面に垂直な方向に動くエレベータ機構
を含んで構成するとき装置を簡単にできる。
【作用】上述したこの発明の構成によれば、セパレーシ
ョンチャンバにゲートバルブを介して連絡させた、各熱
処理用プロセスチャンバに、それぞれ目的の異なる熱処
理を実行するためのユニット箱を設け、これらユニット
箱をエレベータ機構によりゲートバルブの位置に移動さ
せ、各ユニット箱をセパレーションチャンバの間におい
て、被処理物のやりとりを行なうことができる。従っ
て、１つの熱処理用プロセスチャンバ内において、所要
の複数の処理を個別に行なうことができるので、セパレ
ーションチャンバに対し多数のプロセスチャンバを設け
て、従来よりも多い処理を実行可能となる。
ョンチャンバにゲートバルブを介して連絡させた、各熱
処理用プロセスチャンバに、それぞれ目的の異なる熱処
理を実行するためのユニット箱を設け、これらユニット
箱をエレベータ機構によりゲートバルブの位置に移動さ
せ、各ユニット箱をセパレーションチャンバの間におい
て、被処理物のやりとりを行なうことができる。従っ
て、１つの熱処理用プロセスチャンバ内において、所要
の複数の処理を個別に行なうことができるので、セパレ
ーションチャンバに対し多数のプロセスチャンバを設け
て、従来よりも多い処理を実行可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例につ
き説明する。尚、図は、この発明が理解できる程度に、
その構成成分の寸法、形状および配置関係を概略的に示
してあるに過ぎない。
き説明する。尚、図は、この発明が理解できる程度に、
その構成成分の寸法、形状および配置関係を概略的に示
してあるに過ぎない。
【００１０】図１にこの発明の実施例のマルチチャンバ
型真空処理装置の要部の正面断面図を示す。図２はこの
装置の平面図であり、図１はそのＢ−Ｂ断面図に当たっ
ている。以下これらの図を用いて説明を行なう。各図に
おいて前述の図３で説明した構成成分と実質的に同一の
構成成分には同一の符号を付して説明を省略する。
型真空処理装置の要部の正面断面図を示す。図２はこの
装置の平面図であり、図１はそのＢ−Ｂ断面図に当たっ
ている。以下これらの図を用いて説明を行なう。各図に
おいて前述の図３で説明した構成成分と実質的に同一の
構成成分には同一の符号を付して説明を省略する。
【００１１】図２において、中央に位置するセパレーシ
ョンチャンバＳＥＰの周囲には、ロードロックチャンバ
Ｌ／Ｌ、と４個のプロセスチャンバ（ＰＳ１，ＳＰ１
１，ＳＰ１２，ＳＰ１３）が設けられてている。これら
のうち、プロセスチャンバＳＰ１１〜ＳＰ１３は従来備
えられていたスパッタチャンバと同様のスパッタチャン
バであるが、この発明で新しく熱処理用プロセスチャン
バＰＳ１が設けられている。
ョンチャンバＳＥＰの周囲には、ロードロックチャンバ
Ｌ／Ｌ、と４個のプロセスチャンバ（ＰＳ１，ＳＰ１
１，ＳＰ１２，ＳＰ１３）が設けられてている。これら
のうち、プロセスチャンバＳＰ１１〜ＳＰ１３は従来備
えられていたスパッタチャンバと同様のスパッタチャン
バであるが、この発明で新しく熱処理用プロセスチャン
バＰＳ１が設けられている。
【００１２】図１からも理解できるように、熱処理用プ
ロセスチャンバＰＳ１は以下説明するような構成となっ
ている。排気装置２０と排気バルブ２２でつながってい
る。さらに、このプロセスチャンバＰＳ１は上下駆動機
構１０で駆動されるエレベータ１２を内蔵している。こ
のエレベータ１２に、３個の熱処理ユニット即ち、加熱
ユニットＨＴＵ、アニーリングユニットＡＬＵ、冷却ユ
ニットＣＬＵを取り付けてあり、各ユニットの間には熱
遮断板３０を設けてある。
ロセスチャンバＰＳ１は以下説明するような構成となっ
ている。排気装置２０と排気バルブ２２でつながってい
る。さらに、このプロセスチャンバＰＳ１は上下駆動機
構１０で駆動されるエレベータ１２を内蔵している。こ
のエレベータ１２に、３個の熱処理ユニット即ち、加熱
ユニットＨＴＵ、アニーリングユニットＡＬＵ、冷却ユ
ニットＣＬＵを取り付けてあり、各ユニットの間には熱
遮断板３０を設けてある。
【００１３】各熱処理ユニットは、実質的に同形の断熱
性のユニット箱１４を複数備えている。さらに、これら
ユニット箱１４は、シーズヒータ１６（ランプヒータに
よる加熱に置き換えることがある）を具えた加熱ホルダ
ー３２、同じくシーズヒータ１７（同）を具えたアニー
ルホルダー３４、冷却管１８を具えた冷却ホルダー３６
を個別に搭載させてある。尚、これら各ユニット箱には
このほかに通常、電源、冷却水源、温度制御装置等々を
具えるがこれらは省略した。これら各板上に被処理物の
ウエハ４２、４４、４６がセパレーションチャンバＳＥ
ＰからゲートバルブＧＶを経由して送られて載せられ、
加熱、アニール、冷却の処理がなされる。
性のユニット箱１４を複数備えている。さらに、これら
ユニット箱１４は、シーズヒータ１６（ランプヒータに
よる加熱に置き換えることがある）を具えた加熱ホルダ
ー３２、同じくシーズヒータ１７（同）を具えたアニー
ルホルダー３４、冷却管１８を具えた冷却ホルダー３６
を個別に搭載させてある。尚、これら各ユニット箱には
このほかに通常、電源、冷却水源、温度制御装置等々を
具えるがこれらは省略した。これら各板上に被処理物の
ウエハ４２、４４、４６がセパレーションチャンバＳＥ
ＰからゲートバルブＧＶを経由して送られて載せられ、
加熱、アニール、冷却の処理がなされる。
【００１４】図１は、エレベータ１２が上下動（矢印４
１）してアニーリングユニットＡＬＵをゲートバルブＧ
Ｖの丁度真正面位置に据えて停止し、ゲートバルブＧＶ
を開閉して、セパレーションチャンバＳＥＰからウエハ
４４がアニールホルダー３４上に送られて来た（矢印４
０）状態を示す。ウエハの搬送機構は省略している。
１）してアニーリングユニットＡＬＵをゲートバルブＧ
Ｖの丁度真正面位置に据えて停止し、ゲートバルブＧＶ
を開閉して、セパレーションチャンバＳＥＰからウエハ
４４がアニールホルダー３４上に送られて来た（矢印４
０）状態を示す。ウエハの搬送機構は省略している。
【００１５】尚、ガスバルブ５２、５４はプロセスチャ
ンバＰＳ１内にガスの供給が必要となる場合に備えたも
のである。もし供給するガスがユニット毎で異なる場合
は、各ユニットにもゲートバルブを具え、ユニット箱を
を密閉に近いものにしてユニット相互を空間的に隔離す
ることになる。
ンバＰＳ１内にガスの供給が必要となる場合に備えたも
のである。もし供給するガスがユニット毎で異なる場合
は、各ユニットにもゲートバルブを具え、ユニット箱を
を密閉に近いものにしてユニット相互を空間的に隔離す
ることになる。
【００１６】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、本発
明によれば、１個の熱処理用プロセスチャンバの中に複
数の加熱、アニーリング、冷却処理用ユニットをまとめ
て配置できるため、セパレーションチャンバの周囲に実
質上従来より多くの処理用真空チャンバを設けることが
でき、スペースの利用効率を向上することができる。
明によれば、１個の熱処理用プロセスチャンバの中に複
数の加熱、アニーリング、冷却処理用ユニットをまとめ
て配置できるため、セパレーションチャンバの周囲に実
質上従来より多くの処理用真空チャンバを設けることが
でき、スペースの利用効率を向上することができる。
【図１】この発明の実施例のマルチチャンバ型真空処理
装置の熱処理用プロセスチャンバ部を中心にした要部正
面断面図である。
装置の熱処理用プロセスチャンバ部を中心にした要部正
面断面図である。
【図２】実施例の装置の平面図である。図１はそのＢ−
Ｂ断面図に相当する。
Ｂ断面図に相当する。
【図３】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、従来のマルチ
チャンバ型真空処理装置のチャンバ構成例をそれぞれ示
す平面図である。
チャンバ型真空処理装置のチャンバ構成例をそれぞれ示
す平面図である。
ＳＥＰ：セパレーションチャンバ Ｌ／Ｌ：ロー
ドロックチャンバ ＧＶ：ゲートバルブ ＳＰ，ＳＰ１〜ＳＰ１
３：スパッタチャンバ ＨＴ，ＨＴ１，ＨＴ２：加熱チャンバ ＡＬ：アニー
リングチャンバ ＣＬ：冷却チャンバ ＰＳ１：熱処
理用プロセスチャンバ ＨＴＵ：加熱ユニット ＡＬＵ：アニ
ーリングユニット ＣＬＵ：冷却ユニット １０：上下駆
動機構 １２：エレベータ １４：断熱性
のユニット箱 １６：シーズヒータ １７：シーズ
ヒータ １８：冷却管 ２０：排気装
置 ２１：排気バルブ ３０：熱遮断
板 ３２：加熱ホルダー ３４：アニー
ルホルダー ３６：冷却ホルダー ４０：搬送機
構を略示する ４１：エレベータの上下動を示す ４２、４４、
４６：ウエハ ５２、５４：ガスバルブ
ドロックチャンバ ＧＶ：ゲートバルブ ＳＰ，ＳＰ１〜ＳＰ１
３：スパッタチャンバ ＨＴ，ＨＴ１，ＨＴ２：加熱チャンバ ＡＬ：アニー
リングチャンバ ＣＬ：冷却チャンバ ＰＳ１：熱処
理用プロセスチャンバ ＨＴＵ：加熱ユニット ＡＬＵ：アニ
ーリングユニット ＣＬＵ：冷却ユニット １０：上下駆
動機構 １２：エレベータ １４：断熱性
のユニット箱 １６：シーズヒータ １７：シーズ
ヒータ １８：冷却管 ２０：排気装
置 ２１：排気バルブ ３０：熱遮断
板 ３２：加熱ホルダー ３４：アニー
ルホルダー ３６：冷却ホルダー ４０：搬送機
構を略示する ４１：エレベータの上下動を示す ４２、４４、
４６：ウエハ ５２、５４：ガスバルブ
Claims (2)
- 【請求項１】 セパレーションチャンバの周囲に複数の
真空チャンバを備えたマルチチャンバ型真空処理装置に
おいて、 前記複数の真空チャンバは、複数の熱処理ユニットを内
蔵してなる熱処理用プロセスチャンバを含む複数のプロ
セスチャンバと、ロードロックチャンバとからなり、か
つ、該熱処理用プロセスチャンバは、該複数の熱処理ユ
ニットのうち一つを選んで、被処理物を該セパレーショ
ンチャンバと該熱処理用プロセスチャンバの間で授受す
る機構を具えることを特徴とするマルチチャンバ型真空
処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の熱処理用プロセスチャン
バの該複数の熱処理ユニットのうちからその一つを選ぶ
機構は、該真空チャンバの配置される平面に垂直な方向
に動くエレベータ機構を含むことを特徴とするマルチチ
ャンバ型真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24106691A JP3320753B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | マルチチャンバ型真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24106691A JP3320753B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | マルチチャンバ型真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283500A true JPH05283500A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3320753B2 JP3320753B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=17068794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24106691A Expired - Fee Related JP3320753B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | マルチチャンバ型真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3320753B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0797240A2 (en) * | 1996-03-04 | 1997-09-24 | Applied Materials, Inc. | Reduced footprint semiconductor processing system |
| JP2000031070A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Ulvac Corp | ａ−Ｓｉ薄膜形成装置 |
| JP2002058985A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-26 | Anelva Corp | 加熱・冷却装置およびこの装置を具える真空処理装置 |
| US6753213B2 (en) | 1994-07-28 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing method |
| KR100620272B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-09-08 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 기판 가열 장치 및 멀티-챔버 기판 처리 시스템 |
| KR100654605B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2006-12-08 | 태화일렉트론(주) | 평판표시기용 글라스 가공을 위한 다단 진공 챔버 장치 |
| CN110223933A (zh) * | 2018-03-02 | 2019-09-10 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理系统 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP24106691A patent/JP3320753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6753213B2 (en) | 1994-07-28 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing method |
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| KR100654605B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2006-12-08 | 태화일렉트론(주) | 평판표시기용 글라스 가공을 위한 다단 진공 챔버 장치 |
| CN110223933A (zh) * | 2018-03-02 | 2019-09-10 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理系统 |
| KR20190104877A (ko) * | 2018-03-02 | 2019-09-11 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 |
| JP2019153665A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及び基板処理システム |
| US11387121B2 (en) | 2018-03-02 | 2022-07-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating system including pin lift mechanism below cooling base and heat plate |
| CN110223933B (zh) * | 2018-03-02 | 2023-08-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3320753B2 (ja) | 2002-09-03 |
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