JPH05282617A - 垂直磁化膜及びその製造法 - Google Patents
垂直磁化膜及びその製造法Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化に対して安定であって、垂直磁気異方性
が優れており、しかも、結晶性が改善された垂直磁化膜
及び当該垂直磁化膜を工業的に得られる製造法を提供す
る。 【構成】 Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層Ａと
Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物層Ｂとが、交互に
Ａ、Ｂ或いはＢ、Ａの順に２回以上繰り返し積層されて
いる垂直磁化膜、必要によりＦｅを主成分とするスピネ
ル型酸化物層Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物
層Ｂ及びＡとＢの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主成
分とするスピネル型酸化物層Ｃが、Ａ、Ｃ、Ｂあるいは
Ｂ、Ｃ、Ａの順で２回以上繰り返し積層されている垂直
磁化膜であり、当該垂直磁化膜は、Ｆｅを主成分とする
スピネル型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピネル型
酸化物層Ｂとが、交互にＡ、Ｂ或いはＢ、Ａの順に２回
以上繰り返し積層された膜を形成した後、当該積層膜を
２５０〜４００℃の温度範囲で熱処理することにより得
られる。
が優れており、しかも、結晶性が改善された垂直磁化膜
及び当該垂直磁化膜を工業的に得られる製造法を提供す
る。 【構成】 Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層Ａと
Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物層Ｂとが、交互に
Ａ、Ｂ或いはＢ、Ａの順に２回以上繰り返し積層されて
いる垂直磁化膜、必要によりＦｅを主成分とするスピネ
ル型酸化物層Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物
層Ｂ及びＡとＢの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主成
分とするスピネル型酸化物層Ｃが、Ａ、Ｃ、Ｂあるいは
Ｂ、Ｃ、Ａの順で２回以上繰り返し積層されている垂直
磁化膜であり、当該垂直磁化膜は、Ｆｅを主成分とする
スピネル型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピネル型
酸化物層Ｂとが、交互にＡ、Ｂ或いはＢ、Ａの順に２回
以上繰り返し積層された膜を形成した後、当該積層膜を
２５０〜４００℃の温度範囲で熱処理することにより得
られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、垂直磁気記録用材料と
して好適である酸化に対して安定であって垂直磁気異方
性が優れており、しかも結晶性が改善された垂直磁化膜
及びその製造法に関するものである。
して好適である酸化に対して安定であって垂直磁気異方
性が優れており、しかも結晶性が改善された垂直磁化膜
及びその製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器、システムの小型化と高
信頼性の傾向が顕著であり、再生出力や感度等の高密度
記録媒体として垂直磁化膜の開発がさかんであり実用化
されている。垂直磁化膜は、膜面に垂直な方向への磁化
容易軸、即ち、垂直磁気異方性を有することによって垂
直方向への磁気特性が優れていることが必要である。
信頼性の傾向が顕著であり、再生出力や感度等の高密度
記録媒体として垂直磁化膜の開発がさかんであり実用化
されている。垂直磁化膜は、膜面に垂直な方向への磁化
容易軸、即ち、垂直磁気異方性を有することによって垂
直方向への磁気特性が優れていることが必要である。
【０００３】また、垂直磁化膜を形成する結晶は、結晶
粒が大きい場合には結晶粒界で光の散乱を生じてノイズ
が大きくなる為、結晶粒ができるだけ微細であるか又は
非晶質であることが要求される。
粒が大きい場合には結晶粒界で光の散乱を生じてノイズ
が大きくなる為、結晶粒ができるだけ微細であるか又は
非晶質であることが要求される。
【０００４】次に、垂直磁化膜は、空気中の酸素による
酸化により磁気的安定性が劣るので酸化に対して安定で
あることが要求される。
酸化により磁気的安定性が劣るので酸化に対して安定で
あることが要求される。
【０００５】更に、垂直磁化膜を情報の記録、再生をレ
ーザ光等の光ビームを用いて行う光磁気記録媒体として
用いる場合、媒体のファラデー回転角等の磁気光学特性
ができるだけ高いことが要求される。近時、高密度記録
化に対する要求が強まっており、記録されるキャリアー
信号の周波数が益々高くなる傾向、即ち、短波長領域に
移向する傾向にあるが、光磁気記録の場合記録されるビ
ット径はレーザーの波長によって決まっており、波長が
短かい程ビット径を小さくできる為、６００ｎｍ以下の
短波長領域でファラデー回転角の波長依存性が高いこと
が強く要求されている。
ーザ光等の光ビームを用いて行う光磁気記録媒体として
用いる場合、媒体のファラデー回転角等の磁気光学特性
ができるだけ高いことが要求される。近時、高密度記録
化に対する要求が強まっており、記録されるキャリアー
信号の周波数が益々高くなる傾向、即ち、短波長領域に
移向する傾向にあるが、光磁気記録の場合記録されるビ
ット径はレーザーの波長によって決まっており、波長が
短かい程ビット径を小さくできる為、６００ｎｍ以下の
短波長領域でファラデー回転角の波長依存性が高いこと
が強く要求されている。
【０００６】従来、垂直磁化膜としては、Ｇｄ−Ｃｏ、
Ｔｂ−Ｆｅ等の希土類金属と遷移金属との非晶質合金薄
膜やコバルトフェライト等のスピネル型酸化物薄膜（特
開昭５１−１１９９９９号公報、特開昭６３−４７３５
９号公報、特開平３−１７８１３号公報、特開平３−１
８８６０４号公報、特開平４−１０５０９号公報）、バ
リウムフェライト等のマグネトプランバイト型酸化物薄
膜（特開昭６２−２６７９４９号公報）及び置換型ガー
ネット薄膜等の酸化物薄膜がある。
Ｔｂ−Ｆｅ等の希土類金属と遷移金属との非晶質合金薄
膜やコバルトフェライト等のスピネル型酸化物薄膜（特
開昭５１−１１９９９９号公報、特開昭６３−４７３５
９号公報、特開平３−１７８１３号公報、特開平３−１
８８６０４号公報、特開平４−１０５０９号公報）、バ
リウムフェライト等のマグネトプランバイト型酸化物薄
膜（特開昭６２−２６７９４９号公報）及び置換型ガー
ネット薄膜等の酸化物薄膜がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】酸化に対して安定であ
って垂直磁気異方性が優れており、しかも、結晶性が改
善された垂直磁化膜は、現在最も要求されているところ
であるが、これら諸特性を十分満たすものは未だ得られ
ていない。
って垂直磁気異方性が優れており、しかも、結晶性が改
善された垂直磁化膜は、現在最も要求されているところ
であるが、これら諸特性を十分満たすものは未だ得られ
ていない。
【０００８】即ち、前出公知の非晶質合金薄膜は、結晶
粒界がない為、ノイズが小さいという特徴を有するもの
ではあるが、短波長のレーザーを用いた際に磁気光学特
性が実用上要求される０．３度よりも低下してしまい、
また、酸化されやすく酸化に対して不安定であるという
欠点を有する。前出公知の酸化物薄膜は、酸化に対して
安定であるという特徴を有するものではあるが、結晶粒
が大きい為ノイズが大きくなるという欠点がある。即
ち、膜の結晶性と垂直磁気異方性や磁気光学特性等の諸
特性とは密接な関係があり、結晶性を改善して前記諸特
性を向上させる為には成膜をするに際して基板温度を５
００℃以上に熱処理する方法や基板温度を低温度として
成膜した後５００℃以上の高温で熱処理する方法等高温
加熱処理工程を必須としているので、必然的に結晶粒の
成長が生起するのである。
粒界がない為、ノイズが小さいという特徴を有するもの
ではあるが、短波長のレーザーを用いた際に磁気光学特
性が実用上要求される０．３度よりも低下してしまい、
また、酸化されやすく酸化に対して不安定であるという
欠点を有する。前出公知の酸化物薄膜は、酸化に対して
安定であるという特徴を有するものではあるが、結晶粒
が大きい為ノイズが大きくなるという欠点がある。即
ち、膜の結晶性と垂直磁気異方性や磁気光学特性等の諸
特性とは密接な関係があり、結晶性を改善して前記諸特
性を向上させる為には成膜をするに際して基板温度を５
００℃以上に熱処理する方法や基板温度を低温度として
成膜した後５００℃以上の高温で熱処理する方法等高温
加熱処理工程を必須としているので、必然的に結晶粒の
成長が生起するのである。
【０００９】殊に、基板温度を５００℃以上にする為に
は基板自体の耐熱性が要求されるが、垂直磁気記録媒体
用の基板材料として現在汎用されているポリカーボネー
ト、エポキシ樹脂、ガラス等の耐熱性は不十分であり、
基板材料が制限される等、工業的、経済的ではない。
は基板自体の耐熱性が要求されるが、垂直磁気記録媒体
用の基板材料として現在汎用されているポリカーボネー
ト、エポキシ樹脂、ガラス等の耐熱性は不十分であり、
基板材料が制限される等、工業的、経済的ではない。
【００１０】そこで、本発明は、５００℃以下の温度で
垂直磁気異方性が優れており、しかも、結晶性が改善さ
れた酸化物からなる垂直磁化膜を得ることを技術的課題
とする。
垂直磁気異方性が優れており、しかも、結晶性が改善さ
れた酸化物からなる垂直磁化膜を得ることを技術的課題
とする。
【００１１】
【課題を解決する為の手段】前記技術的課題は、次の通
りの本発明によって達成できる。即ち、本発明は、Ｆｅ
を主成分とするスピネル型酸化物層ＡとＣｏを主成分と
するスピネル型酸化物層Ｂとが、交互にＡ、Ｂ或いは
Ｂ、Ａの順に２回以上繰り返し積層されていることから
なる垂直磁化膜、必要により、Ｆｅを主成分とするスピ
ネル型酸化物層Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化
物層Ｂ及びＡとＢの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主
成分とするスピネル型酸化物層Ｃが、Ａ、Ｃ、Ｂあるい
はＢ、Ｃ、Ａの順で２回以上繰り返し積層されているこ
とからなる垂直磁化膜及びＦｅを主成分とするスピネル
型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂとが、交互にＡ、Ｂ或いはＢ、Ａの順に２回以上繰り
返し積層された膜を形成した後、当該積層膜を２５０〜
４００℃の温度範囲で熱処理することにより、前記Ａと
前記Ｂの間にＦｅとＣｏの混合物を主成分とするスピネ
ル型酸化物層Ｃを形成することからなる垂直磁化膜の製
造法である。
りの本発明によって達成できる。即ち、本発明は、Ｆｅ
を主成分とするスピネル型酸化物層ＡとＣｏを主成分と
するスピネル型酸化物層Ｂとが、交互にＡ、Ｂ或いは
Ｂ、Ａの順に２回以上繰り返し積層されていることから
なる垂直磁化膜、必要により、Ｆｅを主成分とするスピ
ネル型酸化物層Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化
物層Ｂ及びＡとＢの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主
成分とするスピネル型酸化物層Ｃが、Ａ、Ｃ、Ｂあるい
はＢ、Ｃ、Ａの順で２回以上繰り返し積層されているこ
とからなる垂直磁化膜及びＦｅを主成分とするスピネル
型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂとが、交互にＡ、Ｂ或いはＢ、Ａの順に２回以上繰り
返し積層された膜を形成した後、当該積層膜を２５０〜
４００℃の温度範囲で熱処理することにより、前記Ａと
前記Ｂの間にＦｅとＣｏの混合物を主成分とするスピネ
ル型酸化物層Ｃを形成することからなる垂直磁化膜の製
造法である。
【００１２】次に、本発明実施にあたっての諸条件につ
いて述べる。本発明におけるＦｅを主成分とするスピネ
ル型酸化物層は、一般式Ａx Ｆｅ3-x Ｏ4 （０≦ｘ≦
１、ＡはＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎ等の遷移金属）で表わされる
スピネル型酸化物である。
いて述べる。本発明におけるＦｅを主成分とするスピネ
ル型酸化物層は、一般式Ａx Ｆｅ3-x Ｏ4 （０≦ｘ≦
１、ＡはＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎ等の遷移金属）で表わされる
スピネル型酸化物である。
【００１３】本発明におけるＣｏを主成分とするスピネ
ル型酸化物層は一般式Ｂy Ｃｏ3-yＯ4 （０≦ｙ≦１、
ＢはＦｅ、Ｎｉ、Ｍｎ等の遷移金属）で表わされるスピ
ネル型酸化物である。
ル型酸化物層は一般式Ｂy Ｃｏ3-yＯ4 （０≦ｙ≦１、
ＢはＦｅ、Ｎｉ、Ｍｎ等の遷移金属）で表わされるスピ
ネル型酸化物である。
【００１４】本発明におけるＦｅを主成分とするスピネ
ル型酸化物層とＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層
とからなる積層膜の一周期の厚みは１０００Å以下、好
ましくは４０Å〜５００Åである。一周期の厚みが１０
００Åを越える場合、４０Å未満の場合には、本発明の
目的とする垂直磁化膜が得られない。
ル型酸化物層とＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層
とからなる積層膜の一周期の厚みは１０００Å以下、好
ましくは４０Å〜５００Åである。一周期の厚みが１０
００Åを越える場合、４０Å未満の場合には、本発明の
目的とする垂直磁化膜が得られない。
【００１５】本発明におけるＦｅを主成分とするスピネ
ル型酸化物層の厚みは、Ｃｏを主成分とするスピネル型
酸化物層の厚みに対し０．５〜４．０の範囲が好まし
い。厚みの割合が０．５未満の場合には、飽和磁化の値
が著しく減少して垂直磁気記録用材料として好ましくな
い。殊に、ＦｅとＣｏの混合物を主成分とするスピネル
型酸化物層を有する本発明に係る垂直磁化膜の場合に
は、０．５未満の場合、実用上望ましいファラデー回転
角を得ることが困難となる。４．０を越える場合には、
面内磁化成分が大きくなり、垂直磁化膜を得ることがで
きない。得られる垂直磁化膜の飽和磁化値を考慮すれば
２．０〜３．０の割合が好ましく、飽和磁化値１８０〜
２７０ｅｍｕ／ｃｃ程度が得られる。
ル型酸化物層の厚みは、Ｃｏを主成分とするスピネル型
酸化物層の厚みに対し０．５〜４．０の範囲が好まし
い。厚みの割合が０．５未満の場合には、飽和磁化の値
が著しく減少して垂直磁気記録用材料として好ましくな
い。殊に、ＦｅとＣｏの混合物を主成分とするスピネル
型酸化物層を有する本発明に係る垂直磁化膜の場合に
は、０．５未満の場合、実用上望ましいファラデー回転
角を得ることが困難となる。４．０を越える場合には、
面内磁化成分が大きくなり、垂直磁化膜を得ることがで
きない。得られる垂直磁化膜の飽和磁化値を考慮すれば
２．０〜３．０の割合が好ましく、飽和磁化値１８０〜
２７０ｅｍｕ／ｃｃ程度が得られる。
【００１６】本発明に係る垂直磁化膜の積層の周期は、
Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層とＣｏを主成分
とするスピネル型酸化物層とからなる積層膜を一周期と
して２周期以上であればよい。垂直磁化膜の厚みは実用
上５０００Å程度以下であるから、所望の厚みになる様
に周期を定めればよい。
Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層とＣｏを主成分
とするスピネル型酸化物層とからなる積層膜を一周期と
して２周期以上であればよい。垂直磁化膜の厚みは実用
上５０００Å程度以下であるから、所望の厚みになる様
に周期を定めればよい。
【００１７】本発明に係るＦｅとＣｏの混合物を主成分
とするスピネル型酸化物層は、Ｃｏが濃度勾配をもって
存在している層であり、この層の厚みはアニール処理温
度が高くなる程、また、アニール処理の時間が長くなる
程、大きくなる傾向にある。この層の厚みが大きくなる
程、またＣｏの濃度勾配が大きくなる程、磁気異方性が
大きくなる為、垂直磁化膜として好ましい。
とするスピネル型酸化物層は、Ｃｏが濃度勾配をもって
存在している層であり、この層の厚みはアニール処理温
度が高くなる程、また、アニール処理の時間が長くなる
程、大きくなる傾向にある。この層の厚みが大きくなる
程、またＣｏの濃度勾配が大きくなる程、磁気異方性が
大きくなる為、垂直磁化膜として好ましい。
【００１８】本発明に係る垂直磁化膜は、酸素雰囲気中
で金属ターゲット（Ｆｅ及びＣｏ）をスパッタする反応
スパッタ法、Ｆｅ3 Ｏ4 及びＣｏ3 Ｏ4 の焼結ターゲッ
トにより直接酸化膜を形成する直接法並びに酸素雰囲気
中で金属（Ｆｅ及びＣｏ）を蒸着する反応蒸着法のいず
れの方法によっても得ることができる。
で金属ターゲット（Ｆｅ及びＣｏ）をスパッタする反応
スパッタ法、Ｆｅ3 Ｏ4 及びＣｏ3 Ｏ4 の焼結ターゲッ
トにより直接酸化膜を形成する直接法並びに酸素雰囲気
中で金属（Ｆｅ及びＣｏ）を蒸着する反応蒸着法のいず
れの方法によっても得ることができる。
【００１９】本発明に係る垂直磁化膜を成膜する際に使
用する基板は、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ガラ
ス等周知の基板材料のいずれも使用することができる。
用する基板は、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ガラ
ス等周知の基板材料のいずれも使用することができる。
【００２０】基板温度は１００℃以上、好ましくは２０
０℃以上であり、その上限値は４００℃で充分である。
１００℃未満の場合には、基板面にヘマタイト等のＦｅ
を主成分とするスピネル型酸化物層以外の酸化物が生成
されやすくなりＦｅを主成分とするスピネル型酸化物層
を安定して生成させることが困難になる。
０℃以上であり、その上限値は４００℃で充分である。
１００℃未満の場合には、基板面にヘマタイト等のＦｅ
を主成分とするスピネル型酸化物層以外の酸化物が生成
されやすくなりＦｅを主成分とするスピネル型酸化物層
を安定して生成させることが困難になる。
【００２１】本発明に係る垂直磁化膜のアニール温度
は、２５０〜４００℃の温度範囲である。２５０℃未満
の場合には、中間層が形成されず垂直磁気異方性をより
向上させることができず、優れた磁気光学特性が得られ
ない。４００℃を越える場合には、周期構造が失われて
均一な膜となり垂直方向の一軸異方性が失われる。
は、２５０〜４００℃の温度範囲である。２５０℃未満
の場合には、中間層が形成されず垂直磁気異方性をより
向上させることができず、優れた磁気光学特性が得られ
ない。４００℃を越える場合には、周期構造が失われて
均一な膜となり垂直方向の一軸異方性が失われる。
【００２２】アニール処理は、大気中、真空中、不活性
ガス中のいずれの雰囲気下で行ってもよい。
ガス中のいずれの雰囲気下で行ってもよい。
【００２３】
【作用】本発明において最も重要な点は、Ｆｅを主成分
とするスピネル型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピ
ネル型酸化物層Ｂとが、交互にＡ、Ｂ或いはＢ、Ａの順
に２回以上繰り返し積層した場合には、酸化に対して安
定であって垂直磁気異方性が優れており、しかも、結晶
性が改善された垂直磁化膜を得ることができるという事
実である。また、上記垂直磁化膜を必要により、２５０
〜４００℃の温度範囲で熱処理して熱拡散することによ
り、前記Ａと前記Ｂの間にＦｅとＣｏの混合物を主成分
とするスピネル型酸化物層Ｃを形成した場合には、アニ
ール処理をしない場合に比べ、垂直磁気異方性がより向
上し、且つ、磁気光学特性が優れた垂直磁化膜が得られ
るという事実である。
とするスピネル型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピ
ネル型酸化物層Ｂとが、交互にＡ、Ｂ或いはＢ、Ａの順
に２回以上繰り返し積層した場合には、酸化に対して安
定であって垂直磁気異方性が優れており、しかも、結晶
性が改善された垂直磁化膜を得ることができるという事
実である。また、上記垂直磁化膜を必要により、２５０
〜４００℃の温度範囲で熱処理して熱拡散することによ
り、前記Ａと前記Ｂの間にＦｅとＣｏの混合物を主成分
とするスピネル型酸化物層Ｃを形成した場合には、アニ
ール処理をしない場合に比べ、垂直磁気異方性がより向
上し、且つ、磁気光学特性が優れた垂直磁化膜が得られ
るという事実である。
【００２４】本発明に係るＦｅを主成分とするスピネル
型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂとが交互に２回以上繰り返し積層されている積層膜が
垂直磁化膜となる理由について、本発明者は、Ｃｏを主
成分とするスピネル型酸化物層ＢがＦｅを主成分とする
スピネル型酸化物層Ａと同じスピネル構造をもち、しか
も格子定数が小さい（３．８％程度）為応力異方性、即
ち、Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層ＡとＣｏを
主成分とするスピネル型酸化物層Ｂとの界面においてＦ
ｅを主成分とするスピネル型酸化物層Ａに圧縮応力が働
くことによりＦｅを主成分とするスピネル型酸化物層Ａ
が膜面垂直方向（この場合（１１１）方向）に引っ張ら
れ、その結果、逆磁歪効果によりＦｅを主成分とするス
ピネル型酸化物層Ａ（１１１）方向に磁気異方性が生じ
ること及びフェライトにおける８面体位置のＣｏ2+イオ
ンは（１１１）軸方向がスピン容易方向であるが立方体
の場合には４方向の（１１１）軸が存在するため異方性
エネルギーの平均をとると容易軸は（１１１）ではなく
（１００）方向になるが、界面においては膜面垂直方向
に格子間隔が変化している為垂直方向以外の（１１１）
軸では回転対称性が崩れｄε準位の縮退が全て解けるこ
とによって異方性を失い、その結果垂直方向の（１１
１）軸の異方性だけが生き残りこの方向に異方性が生じ
ることによるものであろうと考えている。
型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂとが交互に２回以上繰り返し積層されている積層膜が
垂直磁化膜となる理由について、本発明者は、Ｃｏを主
成分とするスピネル型酸化物層ＢがＦｅを主成分とする
スピネル型酸化物層Ａと同じスピネル構造をもち、しか
も格子定数が小さい（３．８％程度）為応力異方性、即
ち、Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層ＡとＣｏを
主成分とするスピネル型酸化物層Ｂとの界面においてＦ
ｅを主成分とするスピネル型酸化物層Ａに圧縮応力が働
くことによりＦｅを主成分とするスピネル型酸化物層Ａ
が膜面垂直方向（この場合（１１１）方向）に引っ張ら
れ、その結果、逆磁歪効果によりＦｅを主成分とするス
ピネル型酸化物層Ａ（１１１）方向に磁気異方性が生じ
ること及びフェライトにおける８面体位置のＣｏ2+イオ
ンは（１１１）軸方向がスピン容易方向であるが立方体
の場合には４方向の（１１１）軸が存在するため異方性
エネルギーの平均をとると容易軸は（１１１）ではなく
（１００）方向になるが、界面においては膜面垂直方向
に格子間隔が変化している為垂直方向以外の（１１１）
軸では回転対称性が崩れｄε準位の縮退が全て解けるこ
とによって異方性を失い、その結果垂直方向の（１１
１）軸の異方性だけが生き残りこの方向に異方性が生じ
ることによるものであろうと考えている。
【００２５】本発明に係るＦｅを主成分とするスピネル
型酸化物層Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂ及びＡとＢの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主成分
とするスピネル型酸化物層Ｃが、２回以上繰り返し積層
されている積層膜の垂直磁気異方性が増加し、磁気光学
特性が優れる理由について、本発明者は、界面における
イオンの熱拡散により応力および（１１１）軸方向に異
方性を持つ中間層が増大するためであると考えている。
型酸化物層Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂ及びＡとＢの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主成分
とするスピネル型酸化物層Ｃが、２回以上繰り返し積層
されている積層膜の垂直磁気異方性が増加し、磁気光学
特性が優れる理由について、本発明者は、界面における
イオンの熱拡散により応力および（１１１）軸方向に異
方性を持つ中間層が増大するためであると考えている。
【００２６】本発明に係るＦｅを主成分とするスピネル
型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂとが、交互に繰り返し積層されている垂直磁化膜は、
保磁力６００〜２５００ Ｏｅ、角型０．３〜０．５、
結晶粒が３０〜１００Åである。
型酸化物層ＡとＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂとが、交互に繰り返し積層されている垂直磁化膜は、
保磁力６００〜２５００ Ｏｅ、角型０．３〜０．５、
結晶粒が３０〜１００Åである。
【００２７】本発明に係るＦｅを主成分とするスピネル
型酸化物層Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂ及びＡとＢの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主成分
とするスピネル型酸化物層Ｃが、２回以上繰り返し積層
されている垂直磁化膜は、保磁力１０００〜５５００
Ｏｅ、角型０．５〜０．９、４５０〜６００ｎｍの短波
長領域におけるファラデー回転角の波長依存性が０．４
〜２．０、結晶粒が４０〜２００Åである。
型酸化物層Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物層
Ｂ及びＡとＢの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主成分
とするスピネル型酸化物層Ｃが、２回以上繰り返し積層
されている垂直磁化膜は、保磁力１０００〜５５００
Ｏｅ、角型０．５〜０．９、４５０〜６００ｎｍの短波
長領域におけるファラデー回転角の波長依存性が０．４
〜２．０、結晶粒が４０〜２００Åである。
【００２８】
【実施例】次に、実施例並びに比較例により本発明を説
明する。尚、以下の実施例並びに比較例における磁化膜
の磁気特性は、「振動試料型磁力計ＶＳＭ−３Ｓ−１
５」（東英工業（株）製）を用いて測定した値で示し、
ファラデー回転角の波長依存性は、分光式カーファラデ
ー測定装置ＢＨ−Ｍ８００（（株）日本科学エンジニア
リング製）により測定した。Ｘ線回折スペクトルはＸ線
回折装置・回転対陰極型ＲＩＧＡＫＵ ＲＵ３００（波
長１．５４１８Å、通常出力５０ｋＶ／２４０ｍＡ）
（理学電機（株）製）を用いて測定し、結晶粒はＸ線回
折スペクトルの高角領域のピークの半値巾から求めた値
で示した。
明する。尚、以下の実施例並びに比較例における磁化膜
の磁気特性は、「振動試料型磁力計ＶＳＭ−３Ｓ−１
５」（東英工業（株）製）を用いて測定した値で示し、
ファラデー回転角の波長依存性は、分光式カーファラデ
ー測定装置ＢＨ−Ｍ８００（（株）日本科学エンジニア
リング製）により測定した。Ｘ線回折スペクトルはＸ線
回折装置・回転対陰極型ＲＩＧＡＫＵ ＲＵ３００（波
長１．５４１８Å、通常出力５０ｋＶ／２４０ｍＡ）
（理学電機（株）製）を用いて測定し、結晶粒はＸ線回
折スペクトルの高角領域のピークの半値巾から求めた値
で示した。
【００２９】実施例１ 高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５０Ｈ−Ｔ０６
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基板のターゲット間距離を８０ｍｍに設定して２００℃
に保持したガラス基板上に、Ｐｏ2 ＝１．３２×１０-4
Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で金属（Ｆｅ）ターゲットをス
パッタリングして３４Å／分の付着速度で第１層として
膜面（１１１）配向したスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 膜を２０
０Åの厚みで形成した。次に、シャッターを回転し、１
０Å／分の付着速度でスパッタリングして第２層のスピ
ネル型Ｃｏ3 Ｏ4 を１００Åの厚みで形成した。この操
作を交互に１６回繰り返して２００Åの厚みのＦｅ3 Ｏ
4 層と１００Åの厚みのＣｏ3 Ｏ4 層とがそれぞれ８層
からなる積層膜を得た。尚、成膜時の投入電力はＦｅ側
を３００Ｗ、Ｃｏ側を１００Ｗとして後出比較例に比べ
Ｃｏの投入電力を下げることにより、Ｃｏの付着速度を
下げて酸素分圧を変えることなくＣｏＯよりも酸化度の
高いスピネル型Ｃｏ3 Ｏ4 を形成した。
（（株）日本真空製）を用いた反応スパッタ法により、
基板のターゲット間距離を８０ｍｍに設定して２００℃
に保持したガラス基板上に、Ｐｏ2 ＝１．３２×１０-4
Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で金属（Ｆｅ）ターゲットをス
パッタリングして３４Å／分の付着速度で第１層として
膜面（１１１）配向したスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 膜を２０
０Åの厚みで形成した。次に、シャッターを回転し、１
０Å／分の付着速度でスパッタリングして第２層のスピ
ネル型Ｃｏ3 Ｏ4 を１００Åの厚みで形成した。この操
作を交互に１６回繰り返して２００Åの厚みのＦｅ3 Ｏ
4 層と１００Åの厚みのＣｏ3 Ｏ4 層とがそれぞれ８層
からなる積層膜を得た。尚、成膜時の投入電力はＦｅ側
を３００Ｗ、Ｃｏ側を１００Ｗとして後出比較例に比べ
Ｃｏの投入電力を下げることにより、Ｃｏの付着速度を
下げて酸素分圧を変えることなくＣｏＯよりも酸化度の
高いスピネル型Ｃｏ3 Ｏ4 を形成した。
【００３０】得られた積層膜の磁化曲線を図１に示す。
図１中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲
線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合の磁化曲線で
ある。図１に示される通り、実線ａの残留磁化値及び保
磁力値が点線ｂのそれらに比べいずれも大きいことか
ら、垂直磁化膜であることが認められた。また、この垂
直磁化膜の磁気特性は、保磁力１１００ Ｏｅ、角形比
０．３８であり、結晶粒は７０Åであった。
図１中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲
線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合の磁化曲線で
ある。図１に示される通り、実線ａの残留磁化値及び保
磁力値が点線ｂのそれらに比べいずれも大きいことか
ら、垂直磁化膜であることが認められた。また、この垂
直磁化膜の磁気特性は、保磁力１１００ Ｏｅ、角形比
０．３８であり、結晶粒は７０Åであった。
【００３１】実施例２ 実施例１と同様にして、１００Åの厚みの膜面（１１
１）配向したスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 層と５０Åの厚みの
スピネル型Ｃｏ3 Ｏ4 層とを第一層をＦｅ3 Ｏ4とし交
互にそれぞれ１６層が積層された積層膜を作成した。得
られた積層膜の磁化曲線を図２に示す。図２中、実線ａ
は垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線、点線ｂは面
内方向に磁場をかけた場合の磁化曲線である。図２に示
される通り、実線ａの残留磁化値及び保磁力値が点線ｂ
のそれらに比べいずれも大きいことから、垂直磁化膜で
あることが認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特
性は、保磁力２０００ Ｏｅ、角形比０．４１であり、
結晶粒は５０Åであった。
１）配向したスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 層と５０Åの厚みの
スピネル型Ｃｏ3 Ｏ4 層とを第一層をＦｅ3 Ｏ4とし交
互にそれぞれ１６層が積層された積層膜を作成した。得
られた積層膜の磁化曲線を図２に示す。図２中、実線ａ
は垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線、点線ｂは面
内方向に磁場をかけた場合の磁化曲線である。図２に示
される通り、実線ａの残留磁化値及び保磁力値が点線ｂ
のそれらに比べいずれも大きいことから、垂直磁化膜で
あることが認められた。また、この垂直磁化膜の磁気特
性は、保磁力２０００ Ｏｅ、角形比０．４１であり、
結晶粒は５０Åであった。
【００３２】実施例３ Ｆｅ3 Ｏ4 層とＣｏ3 Ｏ4 層の順序を逆にした以外は、
実施例１と同様にして１００Åの厚みのスピネル型Ｃｏ
3 Ｏ4 層と２００Åの厚みの膜面（１１１）配向したス
ピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 層とがそれぞれ８層からなる積層膜
を得た。得られた積層膜は磁化曲線を観察した結果、垂
直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の残留磁化値及び
保磁力値が面内方向に磁場をかけた場合の磁化曲線のそ
れらに比べいずれも大きいことから、垂直磁化膜である
ことが認められた。この垂直磁化膜の磁気特性は、保磁
力１２００ Ｏｅ、飽和磁化２００ｅｍｕ／ｃｃ、角形
比０．４０であり、結晶粒は７０Åであった。
実施例１と同様にして１００Åの厚みのスピネル型Ｃｏ
3 Ｏ4 層と２００Åの厚みの膜面（１１１）配向したス
ピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 層とがそれぞれ８層からなる積層膜
を得た。得られた積層膜は磁化曲線を観察した結果、垂
直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の残留磁化値及び
保磁力値が面内方向に磁場をかけた場合の磁化曲線のそ
れらに比べいずれも大きいことから、垂直磁化膜である
ことが認められた。この垂直磁化膜の磁気特性は、保磁
力１２００ Ｏｅ、飽和磁化２００ｅｍｕ／ｃｃ、角形
比０．４０であり、結晶粒は７０Åであった。
【００３３】実施例４ 実施例１と同様にして、１５０Åの厚みの膜面（１１
１）配向したスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 層と５０Åの厚みの
スピネル型Ｃｏ3 Ｏ4 層とがそれぞれ８層からなる積層
膜を得た。得られた積層膜は磁化曲線を観察した結果、
垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の残留磁化値及
び保磁力値が面内方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の
それらに比べいずれも大きいことから、垂直磁化膜であ
ることが認められた。この垂直磁化膜の磁気特性は、保
磁力１５００ Ｏｅ、飽和磁化２４０ｅｍｕ／ｃｃ、角
形比０．４０であり、結晶粒は５０Åであった。
１）配向したスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 層と５０Åの厚みの
スピネル型Ｃｏ3 Ｏ4 層とがそれぞれ８層からなる積層
膜を得た。得られた積層膜は磁化曲線を観察した結果、
垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の残留磁化値及
び保磁力値が面内方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の
それらに比べいずれも大きいことから、垂直磁化膜であ
ることが認められた。この垂直磁化膜の磁気特性は、保
磁力１５００ Ｏｅ、飽和磁化２４０ｅｍｕ／ｃｃ、角
形比０．４０であり、結晶粒は５０Åであった。
【００３４】実施例５ 実施例１で得られた積層膜を３５０℃で２時間大気中で
アニール処理した。積層性を表わすＸ線回折スペクトル
の小角領域のピークをアニール前とアニール後で比較観
察した結果、アニール後のピーク値が減少しており、こ
のことからアニールによって相互拡散が起こり層Ａと層
Ｂの間にＦｅ3 Ｏ4 とＣｏ3 Ｏ4 が固溶した中間層Ｃが
形成されたことがわかる。得られた積層膜の磁化曲線を
図３に示す。図３中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた
場合の磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線である。図３に示される通り、実線ａの残留
磁化値及び保磁力値が点線ｂのそれらに比べいずれも大
きいことから、垂直磁化膜であることが認められた。ま
た、アニール前に比べ垂直方向の残留磁化及び保磁力が
ともに著しく増加し、面内方向には飽和しにくくなって
良好な垂直磁化膜となっていることが認められた。得ら
れた垂直磁化膜の磁気特性は、保磁力５０００ Ｏｅ、
角形比０．８０であり、光ファラデー回転角は波長５２
５ｎｍにおいて１．０ｄｅｇ／μｍであり、結晶粒は８
０Åであった。
アニール処理した。積層性を表わすＸ線回折スペクトル
の小角領域のピークをアニール前とアニール後で比較観
察した結果、アニール後のピーク値が減少しており、こ
のことからアニールによって相互拡散が起こり層Ａと層
Ｂの間にＦｅ3 Ｏ4 とＣｏ3 Ｏ4 が固溶した中間層Ｃが
形成されたことがわかる。得られた積層膜の磁化曲線を
図３に示す。図３中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた
場合の磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線である。図３に示される通り、実線ａの残留
磁化値及び保磁力値が点線ｂのそれらに比べいずれも大
きいことから、垂直磁化膜であることが認められた。ま
た、アニール前に比べ垂直方向の残留磁化及び保磁力が
ともに著しく増加し、面内方向には飽和しにくくなって
良好な垂直磁化膜となっていることが認められた。得ら
れた垂直磁化膜の磁気特性は、保磁力５０００ Ｏｅ、
角形比０．８０であり、光ファラデー回転角は波長５２
５ｎｍにおいて１．０ｄｅｇ／μｍであり、結晶粒は８
０Åであった。
【００３５】実施例６ 実施例２で得られた積層膜を３５０℃で２時間大気中で
アニール処理した。積層性を表わすＸ線回折スペクトル
の小角領域のピークをアニール前とアニール後で比較観
察した結果、アニール後のピーク値が減少しており、こ
のことからアニールによって相互拡散が起こり層Ａと層
Ｂの間にＦｅ3 Ｏ4 とＣｏ3 Ｏ4 が固溶した中間層Ｃが
形成されたことがわかる。得られた積層膜の磁化曲線を
図４に示す。図４中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた
場合の磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線である。図４に示される通り、実線ａの残留
磁化値及び保磁力値が点線ｂのそれらに比べいずれも大
きいことから、垂直磁化膜であることが認められた。ま
た、アニール処理前に比べ垂直方向の残留磁化及び保磁
力がともに著しく増加し、面内方向には飽和しにくくな
って良好な垂直磁化膜となっていることが認められた。
得られた垂直磁化膜の磁気特性は、保磁力３６００ Ｏ
ｅ、角形比０．７４であった。この垂直磁化膜のファラ
デー回転角の波長依存性を図５に、小角領域及び高角領
域のＸ線回折スペクトルをそれぞれ図６及び図７に示
す。
アニール処理した。積層性を表わすＸ線回折スペクトル
の小角領域のピークをアニール前とアニール後で比較観
察した結果、アニール後のピーク値が減少しており、こ
のことからアニールによって相互拡散が起こり層Ａと層
Ｂの間にＦｅ3 Ｏ4 とＣｏ3 Ｏ4 が固溶した中間層Ｃが
形成されたことがわかる。得られた積層膜の磁化曲線を
図４に示す。図４中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた
場合の磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線である。図４に示される通り、実線ａの残留
磁化値及び保磁力値が点線ｂのそれらに比べいずれも大
きいことから、垂直磁化膜であることが認められた。ま
た、アニール処理前に比べ垂直方向の残留磁化及び保磁
力がともに著しく増加し、面内方向には飽和しにくくな
って良好な垂直磁化膜となっていることが認められた。
得られた垂直磁化膜の磁気特性は、保磁力３６００ Ｏ
ｅ、角形比０．７４であった。この垂直磁化膜のファラ
デー回転角の波長依存性を図５に、小角領域及び高角領
域のＸ線回折スペクトルをそれぞれ図６及び図７に示
す。
【００３６】図５に示す通り、波長５２５ｎｍの短波長
領域においてファラデー回転角が１．５ｄｅｇ／μｍを
示しており、磁気光学特性が優れていることが認められ
た。また、図６に示す通り、得られた膜が多数のピーク
を示していることから積層構造を有していることが認め
れた。図７に示すピークの半値巾から計算により求めた
結晶粒の大きさは６０Å以下の微細なものであった。
領域においてファラデー回転角が１．５ｄｅｇ／μｍを
示しており、磁気光学特性が優れていることが認められ
た。また、図６に示す通り、得られた膜が多数のピーク
を示していることから積層構造を有していることが認め
れた。図７に示すピークの半値巾から計算により求めた
結晶粒の大きさは６０Å以下の微細なものであった。
【００３７】実施例７ アニール温度を３００℃とした以外は実施例６と同様に
して垂直磁化膜を得た。得られた積層膜は磁化曲線を観
察した結果、垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の
残留磁化値及び保磁力値が面内方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線のそれらに比べいずれも大きいことから、垂
直磁化膜であることが認められた。この垂直磁化膜の磁
気特性は、保磁力３５００ Ｏｅ、飽和磁化２２０ｅｍ
ｕ／ｃｃ、角形比０．７５であってファラデー回転角の
波長依存性は波長５２５ｎｍにおいて１．２ｄｅｇ／μ
ｍであり、結晶粒は６０Åであった。
して垂直磁化膜を得た。得られた積層膜は磁化曲線を観
察した結果、垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の
残留磁化値及び保磁力値が面内方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線のそれらに比べいずれも大きいことから、垂
直磁化膜であることが認められた。この垂直磁化膜の磁
気特性は、保磁力３５００ Ｏｅ、飽和磁化２２０ｅｍ
ｕ／ｃｃ、角形比０．７５であってファラデー回転角の
波長依存性は波長５２５ｎｍにおいて１．２ｄｅｇ／μ
ｍであり、結晶粒は６０Åであった。
【００３８】実施例８ 実施例３で得られた積層膜を３５０℃で２時間大気中で
アニール処理した。積層性を表わすＸ線回折スペクトル
の小角領域のピークをアニール前とアニール後で比較観
察した結果、アニール後のピーク値が減少していること
からアニールによって相互拡散が起こり層Ａと層Ｂの間
にＦｅ3 Ｏ4 とＣｏ3 Ｏ4 が固溶した中間層Ｃが形成さ
れたことがわかる。得られた積層膜は磁化曲線を観察し
た結果、垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の残留
磁化値及び保磁力値が面内方向に磁場をかけた場合の磁
化曲線のそれらに比べいずれも大きいことから、垂直磁
化膜であることが認められた。この垂直磁化膜の磁気特
性は、保磁力４５００ Ｏｅ、飽和磁化２２０ｅｍｕ／
ｃｃ、角形比０．７５であってファラデー回転角の波長
依存性は波長５２５ｎｍにおいて１．２ｄｅｇ／μｍで
あり、結晶粒は８０Åであった。
アニール処理した。積層性を表わすＸ線回折スペクトル
の小角領域のピークをアニール前とアニール後で比較観
察した結果、アニール後のピーク値が減少していること
からアニールによって相互拡散が起こり層Ａと層Ｂの間
にＦｅ3 Ｏ4 とＣｏ3 Ｏ4 が固溶した中間層Ｃが形成さ
れたことがわかる。得られた積層膜は磁化曲線を観察し
た結果、垂直方向に磁場をかけた場合の磁化曲線の残留
磁化値及び保磁力値が面内方向に磁場をかけた場合の磁
化曲線のそれらに比べいずれも大きいことから、垂直磁
化膜であることが認められた。この垂直磁化膜の磁気特
性は、保磁力４５００ Ｏｅ、飽和磁化２２０ｅｍｕ／
ｃｃ、角形比０．７５であってファラデー回転角の波長
依存性は波長５２５ｎｍにおいて１．２ｄｅｇ／μｍで
あり、結晶粒は８０Åであった。
【００３９】比較例１ スパッタガス（Ａｒ）圧を５ｍＴｏｒｒ、基板のターゲ
ット間距離を８０ｍｍ、基板の回転速度を１０ｒｐｍと
一定とし、Ｐｏ2 ＝１．３２×１０-4Ｔｏｒｒの酸素雰
囲気中で金属ターゲット（Ｆｅ）をスパッタして、２０
０℃に保持したガラス基板上に３０００Åの厚みのスピ
ネル型Ｆｅ3 Ｏ4 を形成した。この膜の磁化曲線を図８
に示す。図８中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合の磁
化曲線である。図８に示される通り、点線ｂの残留磁化
値及び保磁力値が実線ａのそれらに比べいずれも大きい
ことから、面内磁化膜であることが認められた。また、
この膜の垂直方向の磁気特性は保磁力３００ Ｏｅ、角
形比０．０６であった。
ット間距離を８０ｍｍ、基板の回転速度を１０ｒｐｍと
一定とし、Ｐｏ2 ＝１．３２×１０-4Ｔｏｒｒの酸素雰
囲気中で金属ターゲット（Ｆｅ）をスパッタして、２０
０℃に保持したガラス基板上に３０００Åの厚みのスピ
ネル型Ｆｅ3 Ｏ4 を形成した。この膜の磁化曲線を図８
に示す。図８中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合の磁
化曲線である。図８に示される通り、点線ｂの残留磁化
値及び保磁力値が実線ａのそれらに比べいずれも大きい
ことから、面内磁化膜であることが認められた。また、
この膜の垂直方向の磁気特性は保磁力３００ Ｏｅ、角
形比０．０６であった。
【００４０】比較例２ ２００℃に保持したガラス基板上に、Ｐｏ2 ＝１．３２
×１０-4Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で第１層として膜面
（１１１）配向したスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 膜を２００Å
の厚みで形成した。次にシャッターを回転し、第２層の
ＣｏＯを１００Åの厚みで形成した。この操作を交互に
１６回繰り返して２００Åの厚みのＦｅ3Ｏ4 層と１０
０Åの厚みのＣｏＯ層とがそれぞれ８層からなる積層膜
を得た。尚、成膜時の投入電力はＦｅ側を３００Ｗ、Ｃ
ｏ側を２００Ｗとした。この膜の磁化曲線を図９に示
す。
×１０-4Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で第１層として膜面
（１１１）配向したスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 膜を２００Å
の厚みで形成した。次にシャッターを回転し、第２層の
ＣｏＯを１００Åの厚みで形成した。この操作を交互に
１６回繰り返して２００Åの厚みのＦｅ3Ｏ4 層と１０
０Åの厚みのＣｏＯ層とがそれぞれ８層からなる積層膜
を得た。尚、成膜時の投入電力はＦｅ側を３００Ｗ、Ｃ
ｏ側を２００Ｗとした。この膜の磁化曲線を図９に示
す。
【００４１】図９中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた
場合の磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線である。図９に示される通り、比較例１のＦ
ｅ3Ｏ4 単層膜に比べて保磁力は増加しているが、点線
ｂの残留磁化値及び保磁力値が実線ａのそれらに比べい
ずれも大きいことから、面内磁化膜であることが認めら
れた。また、この膜の垂直方向の磁気特性は保磁力６０
０ Ｏｅ、角形比０．１０であった。
場合の磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合
の磁化曲線である。図９に示される通り、比較例１のＦ
ｅ3Ｏ4 単層膜に比べて保磁力は増加しているが、点線
ｂの残留磁化値及び保磁力値が実線ａのそれらに比べい
ずれも大きいことから、面内磁化膜であることが認めら
れた。また、この膜の垂直方向の磁気特性は保磁力６０
０ Ｏｅ、角形比０．１０であった。
【００４２】比較例３ 比較例２で得られた積層膜を３５０℃で２時間大気中で
アニールした。得られた積層膜の磁化曲線を図１０に示
す。図１０中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた場合の
磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合の磁化
曲線である。図１０に示される通り、アニール前に比べ
て若干保磁力が増加しているが、点線ｂの残留磁化値及
び保磁力値が実線ａのそれらに比べいずれも大きいこと
から、面内磁化膜であることが認められた。また、この
膜の垂直方向の磁気特性は保磁力６５０ Ｏｅ、角形比
０．０８であった。
アニールした。得られた積層膜の磁化曲線を図１０に示
す。図１０中、実線ａは垂直方向に磁場をかけた場合の
磁化曲線、点線ｂは面内方向に磁場をかけた場合の磁化
曲線である。図１０に示される通り、アニール前に比べ
て若干保磁力が増加しているが、点線ｂの残留磁化値及
び保磁力値が実線ａのそれらに比べいずれも大きいこと
から、面内磁化膜であることが認められた。また、この
膜の垂直方向の磁気特性は保磁力６５０ Ｏｅ、角形比
０．０８であった。
【００４３】
【発明の効果】本発明に係る垂直磁化膜は、前出実施例
に示した通り、酸化に対して安定であって、垂直磁気異
方性が優れており、しかも、結晶性が改善されたもので
あるので、高密度垂直磁気記録用又は光磁気記録用材料
として好適である。
に示した通り、酸化に対して安定であって、垂直磁気異
方性が優れており、しかも、結晶性が改善されたもので
あるので、高密度垂直磁気記録用又は光磁気記録用材料
として好適である。
【図１】実施例１で得られた積層膜の磁化曲線である。
【図２】実施例２で得られた積層膜の磁化曲線である。
【図３】実施例５で得られた積層膜の磁化曲線である。
【図４】実施例６で得られた積層膜の磁化曲線である。
【図５】実施例６で得られた積層膜のファラデー回転角
と周波数との関係図である。
と周波数との関係図である。
【図６】実施例６で得られた積層膜の小角領域のＸ線回
折スペクトルを示す。
折スペクトルを示す。
【図７】実施例６で得られた積層膜の高角領域のＸ線回
折スペクトルを示す。
折スペクトルを示す。
【図８】比較例１で得られたスピネル型Ｆｅ3 Ｏ4 層の
磁化曲線である。
磁化曲線である。
【図９】比較例２で得られた積層膜の磁化曲線である。
【図１０】比較例３で得られた積層膜の磁化曲線であ
る。
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層
ＡとＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層Ｂとが、交
互にＡ、Ｂ或いはＢ、Ａの順に２回以上繰り返し積層さ
れていることを特徴とする垂直磁化膜。 - 【請求項２】 Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層
Ａ、Ｃｏを主成分とするスピネル型酸化物層Ｂ及びＡと
Ｂの中間にあるＦｅとＣｏの混合物を主成分とするスピ
ネル型酸化物層Ｃが、Ａ、Ｃ、ＢあるいはＢ、Ｃ、Ａの
順で２回以上繰り返し積層されていることを特徴とする
垂直磁化膜。 - 【請求項３】 Ｆｅを主成分とするスピネル型酸化物層
ＡとＣｏを主成分とするスピネル型酸化物層Ｂとが、交
互にＡ、Ｂ或いはＢ、Ａの順に２回以上繰り返し積層さ
れた膜を形成した後、当該積層膜を２５０〜４００℃の
温度範囲で熱処理することにより、前記Ａと前記Ｂの間
にＦｅとＣｏの混合物を主成分とするスピネル型酸化物
層Ｃを形成することを特徴とする垂直磁化膜の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105460A JP2872226B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 垂直磁化膜及びその製造法 |
| EP93302367A EP0564188B1 (en) | 1992-03-30 | 1993-03-26 | Perpendicular magnetic film, process for producing the same and magnetic recording medium having the same |
| DE69304765T DE69304765T2 (de) | 1992-03-30 | 1993-03-26 | Senkrecht magnetisierbarer Film, Verfahren zur Herstellung des Filmes und magnetisches Aufzeichnungsmedium mit diesem Film |
| US08/328,135 US5589261A (en) | 1992-03-30 | 1994-10-24 | Perpendicular magnetic film, process for producing the same and magnetic recording medium having the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105460A JP2872226B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 垂直磁化膜及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05282617A true JPH05282617A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2872226B2 JP2872226B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=14408197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4105460A Expired - Fee Related JP2872226B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 垂直磁化膜及びその製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5589261A (ja) |
| EP (1) | EP0564188B1 (ja) |
| JP (1) | JP2872226B2 (ja) |
| DE (1) | DE69304765T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000074044A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magnétique et disque magnétique |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2872229B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1999-03-17 | 戸田工業株式会社 | 垂直磁化膜、垂直磁化膜用多層膜及び垂直磁化膜の製造法 |
| FR2714205A1 (fr) * | 1993-12-17 | 1995-06-23 | Atg Sa | Matériau composite pour l'enregistrement magnéto-optique, sa préparation et son utilisation. |
| US5965287A (en) * | 1996-10-29 | 1999-10-12 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material and Faraday element using the same |
| SG87797A1 (en) * | 1998-03-20 | 2002-04-16 | Toda Kogyo Corp | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| EP0945858A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-09-29 | Toda Kogyo Corp. | Process for producing magnetic recording medium |
| US6759137B1 (en) * | 1998-08-28 | 2004-07-06 | Centre National De La Recherche Scientifique, Inc. | Opto-magnetic recording medium with a garnet ferrite recording layer, and opto-magnetic information recording/reproducing device |
| FR2832251B1 (fr) * | 2001-11-12 | 2006-08-25 | Univ Toulouse | Utilisations d'oxydes spinelles oxydables comme materiaux pour couche sensible d'un support optique enregistrable une seule fois |
| WO2007114400A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US8118429B2 (en) * | 2007-10-29 | 2012-02-21 | Amo Wavefront Sciences, Llc. | Systems and methods of phase diversity wavefront sensing |
| US9245549B2 (en) | 2013-05-13 | 2016-01-26 | HGST Netherlands B.V. | Thermally stable low random telegraph noise sensor |
| CN110029315B (zh) * | 2019-04-29 | 2020-01-31 | 电子科技大学 | 一种超晶格材料及其制备方法和应用 |
| CN113511888B (zh) * | 2021-04-07 | 2022-05-03 | 电子科技大学 | 一种窄线宽ltcf旋磁基板材料及其制备方法 |
| US11817242B2 (en) * | 2021-11-17 | 2023-11-14 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Magnonic electromagnetic radiation sources with high output power at high frequencies |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51119999A (en) * | 1976-01-24 | 1976-10-20 | Kyocera Corp | Magnetic thin film memory |
| JPS60242514A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS62267949A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6347359A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Sony Corp | コバルトフエライト系スピネル薄膜の製造方法 |
| DE3789271T2 (de) * | 1986-10-21 | 1994-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetische Eisenoxydfilme und ihre Herstellung. |
| JPS63183608A (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-29 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2777656B2 (ja) * | 1989-06-14 | 1998-07-23 | 株式会社リコー | 磁気記録媒体 |
| JP2896193B2 (ja) * | 1989-07-27 | 1999-05-31 | 株式会社東芝 | 酸化物結晶配向膜の製造方法及び酸化物結晶配向膜並びに光磁気記録媒体 |
| JPH0410509A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Limes:Kk | コバルトフェライト膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP4105460A patent/JP2872226B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-03-26 EP EP93302367A patent/EP0564188B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-26 DE DE69304765T patent/DE69304765T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-24 US US08/328,135 patent/US5589261A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2000074044A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magnétique et disque magnétique |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0564188A1 (en) | 1993-10-06 |
| DE69304765T2 (de) | 1997-01-30 |
| EP0564188B1 (en) | 1996-09-18 |
| US5589261A (en) | 1996-12-31 |
| JP2872226B2 (ja) | 1999-03-17 |
| DE69304765D1 (de) | 1996-10-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |