JPH0528047U - 半導体パツケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】応力からＴＡＢパッケージのインナーリードを
保護する。 【構成】このＴＡＢパッケージは、デバイスホール２を
有するフィルムキャリア１と、デバイスホール２内に突
出して設けられたインナーリード５と、このインナーリ
ード５にバンプ６を介して接続されたＬＳＩチップ３
と、ＬＳＩチップ３のバンプ６とインナーリード５の一
部とをデバイスホール２内で封止する封止部７と、封止
部７とフィルムキャリア１とにわたり貼り付けられたマ
ーキングラベル９とを具備する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、例えばＴＡＢ（テープ・オートメイデッド・ボンディング）方式の 半導体パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】

ＬＳＩチップをフィルム材（フィルムキャリア）に接続してなるＴＡＢ方式の 半導体パッケージ（以下ＴＡＢパッケージと称す）などは、ＬＳＩチップをその 電極数に関係なく一括接続できる反面、母材がフィルム材であるためにＬＳＩチ ップとの接続部には、周囲からも内部からも応力が加わりやすい。このためＴＡ Ｂパッケージには確実な応力対策が望まれている。

【０００３】 ここで、内部からの応力とは、例えば、ＴＡＢパッケージの周囲に温度および 湿度などの環境変化が起こったとき、ＴＡＢパッケージを構成する部材、例えば フィルムキャリア、ＬＳＩチップおよびインナーリードなどの熱膨張係数の違い から部材間の接続部に生じる応力のことである。

【０００４】 この応力から部材間の接続部を保護するために、図４（ａ）に示すように、フ ィルムキャリア４１のデバイスホール４２に配置されたＬＳＩチップ４３を、イ ンナーリードとの接続部４４を含み熱硬化樹脂（封止樹脂）４５などを用いてポ ッティングし封止することがよく知られている。

【０００５】 しかしながら、このようなＴＡＢパッケージでは、デバイスホール４２内の封 止されない部分、例えば、デバイスホール４２に突出したインナーリードの一部 ４６などは保護が不完全になり、フィルムキャリア４１の周囲よりこの一部４６ に応力がかかる。例えば、ＴＡＢパッケージの形成段階において、フィルムキャ リア４１にＬＳＩチップ４３を接続する際、フィルムキャリア４１に熱履歴（温 度変化）が生じてフィルムキャリア４１を歪ませることがある。この場合、ＬＳ Ｉチップ４３はフィルムキャリア４１が歪んだ状態のまま接続される。

【０００６】 そして、このように形成されたＴＡＢパッケージを配線基板に実装すると、歪 んだフィルムキャリア４１のアウターリード４７は、配線基板の平坦な面に矯正 されて矯正力を生じ、この矯正力がアウターリード４７よりインナーリードの封 止されていない一部４６に加えられる。このとき、この矯正力は、方形状のデバ イスホール４２の角側に位置するインナーリードに最も大きく加わることになり 経時変化などが重なると、その露出部分４６が破断する恐れがある。

【０００７】 そこで、インナーリード全体を保護するために、図４（ｂ）に示すように、フ ィルムキャリア４１の両面からデバイスホール４２を一塊として封止することが 考えられる。

【０００８】 この場合、このＴＡＢパッケージでは、デバイスホール４２全面が封止される ので、外部からの応力は、デバイスホール４２の内側に位置するインナーリード とＬＳＩチップの接続部４４とに加わることはない。

【０００９】 しかしながら、この応力対策のように、フィルムキャリア１を含んで、封止樹 脂４５をポッティングすると、封止樹脂４５が熱硬化するときの熱履歴によって フィルムキャリア１が変形してしまうという欠点があった。

【００１０】

【考案が解決しようとする課題】

このように従来の半導体パッケージでは、パッケージにさまざまな応力が加え られる。この応力対策は、フィルムキャリア１を含まずにデバイスホール内だけ を封止するのがよい。

【００１１】 このような半導体パッケージを配線基板に実装した場合、フィルムキャリアの 歪みが矯正されて、この矯正力がインナーリードに加わるためインナーリードの 保護が必要になる。

【００１２】 本考案はこのような課題を解決するためになされたもので、デバイスホール内 に封止部を形成しつつインナーリードを応力から保護することができる半導体パ ッケージを提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】

本考案の半導体パッケージは上記した目的を達成するために、デバイスホール を有するフィルム材と、前記フィルム材の前記デバイスホールに突出して設けら れたインナーリードと、前記インナーリードに接続部を介して接続された半導体 チップと、前記半導体チップの接続部および前記インナーリードを前記デバイス ホール内で封止する封止部と、前記封止部と前記フィルム材とにわたり貼り付け られた補強材とを具備している。

【００１４】

【作用】

この考案の半導体パッケージでは、デバイスホール内に形成された封止部とフ ィルム材とにわたり保強材が貼り付けられている。

【００１５】 この半導体パッケージを配線基板に実装すると、フィルム材の歪みなどが矯正 されたときに矯正力が生じる。この矯正力はフィルム材より保強材と封止部とに 分散されて伝えられ直接インナーリードに加わることはなくなる。

【００１６】

【実施例】

以下、本考案の実施例の詳細を図面に基づいて説明する。

【００１７】 図１は、本実施例のＴＡＢパッケージの一例を示す断面図である。

【００１８】 同図において、１はパッケージの母材としてのフィルムキャリアである。この フィルムキャリア１の中央部には、方形状のデバイスホール２が設けられている 。また、このフィルムキャリア１には、外縁部にアウターリード４が、またデバ イスホール２にインナーリード５がそれぞれ突出して設けられている。デバイス ホール２に突出したインナーリード５には、接続部としてのバンプ６を介してＬ ＳＩチップ３が接続されている。また、デバイスホール２内には、ＬＳＩチップ ３の能動領域面（ＬＳＩチップ３のバンプ６に挟まれている面）とインナーリー ド５の一部とが熱硬化樹脂（封止樹脂）などにより封止されて封止部７が形成さ れている。この封止部７はフィルムキャリア１に接触しない範囲で形成されてい るので、フィルムキャリア１より突出したインナーリード５には、封止部７で封 止されない部分８ができている。

【００１９】 そして、封止部７とフィルムキャリア１とにわたり保強材としてのマーキング ラベル９が貼り付けられてＴＡＢパッケージが構成されている。

【００２０】 ここで、このマーキングラベル９は、図２に示すように、その基材にプラスチ ックシート１０が用いられており、フィルムキャリア１に当接される面には接着 層１１が形成され、その反対側の面には、導体層１２が形成されてなるものであ る。また、図３（ａ）に示すように、マーキングラベル９の導体層１１の表面に は、印刷などによって部品の番号、製造年月などのマーキング１３が施されてい る。

【００２１】 このＴＡＢパッケージでは、１枚のマーキングラベル９によって、封止部７と フィルムキャリア１とが固定されて、同図（ｂ）に示すようなＴＡＢパッケージ が形成されている。

【００２２】 したがって、熱応力などによりフィルムキャリア１に歪みの生じたＴＡＢパッ ケージが配線基板に実装されると、アウターリード４が配線基板の平坦な面で矯 正され矯正力が生じる。すると、この矯正力はアウターリード４よりフィルムキ ャリア１に加えられ、さらにフィルムキャリア１よりマーキングラベル９と封止 部７とに分散されて伝わり、これらの部材がこの力を受け合う。したがって、矯 正力はインナーリード５自体あるいはインナーリード５の封止されていない部分 ８に直接加わることはなくなる。

【００２３】 この実施例のＴＡＢパッケージによれば、封止部７はフィルムキャリア１に接 触しないをようにＬＳＩチップ３の能動領域およびインナーリード５の一部だけ を封止するように形成されているので、フィルムキャリア１が熱硬化樹脂（封止 樹脂）の熱履歴により変形されることがない。また、封止部７が小さく形成でき るのでポッティングに要する熱硬化樹脂の使用量も少なく済む。

【００２４】 このＴＡＢパッケージを配線基板に実装するときに、フィルムキャリア１の歪 みが矯正されて矯正力が生じる場合があるが、この矯正力は、フィルムキャリア １と封止部７とにわたって貼り付けられたマーキングラベル９と封止部７とに分 散されるのでインナーリード５に直接加わることがなくなる。すなわち、ＴＡＢ パッケージのインナーリード５は、マーキングラベル９によって保護されて応力 による破損の恐れがなくなる。

【００２５】 また、本実施例では、補強材としてマーキングラベル９を用いることによって 電気的にフローティング状態にあるＬＳＩチップ３に発生するノイズを拡散する ことができる。

【００２６】 例えば、ＬＳＩチップの周囲を封止樹脂などでモールドした半導体パッケージ などは、配線基板と接するリードフレーム材や封止樹脂（モールド材）に導電粒 子などを混入させてノイズの拡散を図っていたが、ＴＡＢパッケージでは、基材 がフィルム材であるためにＬＳＩチップ３は、配線基板から電気的にフローティ ング状態にされてしまい、ＬＳＩチップ３に発生するノイズを拡散することがで きなかった。

【００２７】 一方、本実施例に用いたマーキングラベル９は、一面に導体層１２が形成され ているので、ＬＳＩチップ３に発生するノイズをこの導体層１２を通じて拡散さ せることができる。すなわち、このマーキングラベル９は、応力からの機械的な 保強材としてばかりでなくＬＳＩチップよりのノイズを拡散するという電気的な 効果も奏することができる。

【００２８】 なお、本実施例では、デバイスホールを方形状としているが、円形および長方 形などその形は限定されない。また、本実施例では熱硬化樹脂を用いて封止部を 形成しているが、紫外線硬化樹脂などを用いてもよい。さらに、本実施例では半 導体チップとしてＬＳＩチップを用いたが、フィルム材に接続されるような半導 体チップであれば、その種類は限定されない。また、本実施例では保強材として 導体層を配設したマーキングラベルを用いたが、導体層がなくてもよい。さらに このマーキングラベルの基材は、プラスチックシートの他、インナーリードより 硬質の材料であれば同様の効果が得られる。また、マーキングラベルは、フィル ムキャリアの両面に各 1枚づつ張り付けてもよく、貼り付け位置および貼り付け 枚数などに限定されない。

【００２９】

【考案の効果】

以上説明したように本考案の半導体パッケージによれば、補強材はフィルム材 に接触しないように形成した封止部とフィルム材とにわたり貼り付けられており このときに生じる応力は、封止部と補強材とに分散されて伝えられ、互いが応力 を受け合うためにインナーリードには直接加わらなくなる。

【００３０】 この結果、応力に弱いデバイスホール内のインナーリードを保護することがで きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る一実施例のＴＡＢパッケージの構
成を示す断面図。

【図２】図１のＴＡＢパッケージのマーキングラベルの
内部構成を示す断面図。

【図３】（ａ）は図１のマーキングラベル貼り付け過程
を示す分解斜視図。（ｂ）は図１のＴＡＢパッケージを
示す分解斜視図。

【図４】（ａ）は従来のＴＡＢパッケージに応力対策を
施した一例を示す断面図。（ｂ）は従来のＴＡＢパッケ
ージの応力対策を施した他の例を示す断面図。

【符号の説明】

１………………フィルムキャリア ２………………デバイスホール ３………………ＬＳＩチップ ４………………アウターリード ５………………インナーリード ６………………バンプ ７………………封止部 ８………………インナーリードが封止されない部分 ９………………マーキングラベル

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 デバイスホールを有するフィルム材と、 前記フィルム材の前記デバイスホールに突出して設けら
   れたインナーリードと、前記インナーリードに接続部を
   介して接続された半導体チップと、 前記半導体チップの接続部および前記インナーリードを
   前記デバイスホール内で封止する封止部と、 前記封止部と前記フィルム材とにわたり貼り付けられた
   補強材とを具備したことを特徴とする半導体パッケー
   ジ。