JPS59177953A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59177953A JPS59177953A JP5198083A JP5198083A JPS59177953A JP S59177953 A JPS59177953 A JP S59177953A JP 5198083 A JP5198083 A JP 5198083A JP 5198083 A JP5198083 A JP 5198083A JP S59177953 A JPS59177953 A JP S59177953A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bed
- grooves
- stress
- sealing body
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
近年、半導体装置は、複合化され多機能のものが開発さ
れている。これに伴って半導体装置を構成する能動素子
の数は増加している。このため、素子の微細化が図られ
ているにも拘らず、半導体装置を構成する被レットの大
きさは、例えば７〜８ｍｍ口、或はそれ以上と大きくな
っている。而して、半導体（レットの最外層は素子を樹
脂で封止した樹脂封止体で形成されている。
れている。これに伴って半導体装置を構成する能動素子
の数は増加している。このため、素子の微細化が図られ
ているにも拘らず、半導体装置を構成する被レットの大
きさは、例えば７〜８ｍｍ口、或はそれ以上と大きくな
っている。而して、半導体（レットの最外層は素子を樹
脂で封止した樹脂封止体で形成されている。
第１図は、樹脂封止体を除去した半導体装置の要部を示
している。図中１は、ペレット配設床部に所定の半導体
ペレット２を装着したベッドである。ベッド１は、図示
しないフレーム枠に支持リード３を介して保持されてい
る。半導体被レット２は、フレーム枠から４ツＰ１に向
けて導出されたリード（図示せず）のインナーリードに
デンディング線（図示せず）を介して接続されている。
している。図中１は、ペレット配設床部に所定の半導体
ペレット２を装着したベッドである。ベッド１は、図示
しないフレーム枠に支持リード３を介して保持されてい
る。半導体被レット２は、フレーム枠から４ツＰ１に向
けて導出されたリード（図示せず）のインナーリードに
デンディング線（図示せず）を介して接続されている。
半導体４レツト２、ベッド１、デンディング線及びイン
ナーリードは、エポキシ等からなる樹脂封止体で封止さ
れている。
ナーリードは、エポキシ等からなる樹脂封止体で封止さ
れている。
このように構成された半導体装置は、熱膨張係数が半導
体ベレット２、ペッド１、樹脂封止体の夫々で異なる。
体ベレット２、ペッド１、樹脂封止体の夫々で異なる。
特に樹脂封止体の熱膨張係数が大きい。このため樹脂封
止体の形成時や、製品の完成後に施す温度サイクル試験
の際に生じる温度変化によって樹脂封止体が伸縮すると
、伸縮に伴う応力が樹脂封止体、ペッド、半導体ベレッ
ト２の夫々に不均一な状態で加わる。その結果、樹脂封
止体や半導体ベレット２にクラックが発生し、素子特性
を著しく劣化する問題があった。
止体の形成時や、製品の完成後に施す温度サイクル試験
の際に生じる温度変化によって樹脂封止体が伸縮すると
、伸縮に伴う応力が樹脂封止体、ペッド、半導体ベレッ
ト２の夫々に不均一な状態で加わる。その結果、樹脂封
止体や半導体ベレット２にクラックが発生し、素子特性
を著しく劣化する問題があった。
本発明は、ペッドに加わる応力を分散して樹脂封止体等
にクラックが入るのを防止し、素子特性の向上を達成し
た半導体装置を提供することをその目的とするものであ
る。
にクラックが入るのを防止し、素子特性の向上を達成し
た半導体装置を提供することをその目的とするものであ
る。
本発明は、半導体ベレットを装着するペッドの下面の隅
部に応力吸収用の溝を形成して、熱処理の際に発生する
応力を分散してクラックの発生を阻止した半導体装置で
ある。
部に応力吸収用の溝を形成して、熱処理の際に発生する
応力を分散してクラックの発生を阻止した半導体装置で
ある。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第２図は、本発明の一実施例の要部を示す斜視図、第３
図は、同実施例の底面図である。図中１０は、半導体４
レツト１１が装着されるベレット配設床を表面側に形成
したペッドである。
図は、同実施例の底面図である。図中１０は、半導体４
レツト１１が装着されるベレット配設床を表面側に形成
したペッドである。
ペレット配設床には、半導体にレット１ノが装着されて
いる。ペッド１０の周辺近傍には、先端部をペッド１０
の側面に対向させるようにして多数本のインナーリード
１３が配置されている。インナーリード１３の後端部は
、アウターリードと一体化している。アウターリードは
、ペッド１０の側部から導出した保持リード１４と共に
、図示しないフレームの枠部に接続している。ペッド１
θの裏面の隅部には、応力吸収用の溝１５が形成されて
いる。半導体ベレット１１とインナーリード１３間には
、？ンデイング線が架設されるようになっている。半導
体ベレット１１．４ツド１０．インナーリート０１３及
び保持リード１４は、アウターリードの部分を導出する
ようにして、エポキシ樹脂等からなる樹脂封止体で一体
に封止されるようになっている。
いる。ペッド１０の周辺近傍には、先端部をペッド１０
の側面に対向させるようにして多数本のインナーリード
１３が配置されている。インナーリード１３の後端部は
、アウターリードと一体化している。アウターリードは
、ペッド１０の側部から導出した保持リード１４と共に
、図示しないフレームの枠部に接続している。ペッド１
θの裏面の隅部には、応力吸収用の溝１５が形成されて
いる。半導体ベレット１１とインナーリード１３間には
、？ンデイング線が架設されるようになっている。半導
体ベレット１１．４ツド１０．インナーリート０１３及
び保持リード１４は、アウターリードの部分を導出する
ようにして、エポキシ樹脂等からなる樹脂封止体で一体
に封止されるようになっている。
ここで、応力吸収用の溝１５は、第４図に示す如く、樹
脂封止体１６で一体に封止された半導体装置に、信頼性
試験等により熱の変化が加えられた場合に、樹脂封止体
１６等の伸縮に伴って発生する応力を分散させて吸収す
る作用を示すものである。従って、この溝１５の形成位
置は、応力の集中が起き易いペッド１０の裏面の隅部と
するのが望ましい。また、溝１５の大きさ、数、及び形
状は、半導体ペレット１ノ及びペッド１０の大きさ、樹
脂封止体１６の材質等を考慮して設定するのが望ましい
。更に、溝１５の形成の仕方としては、フレーム形成用
の薄板上に所定ツヤターンのレジスト膜を形成してペッ
ド１０となる部分を特定し、その裏面側に溝形成用のレ
ジスト膜を形成した後、これらのレジスト膜をマスクに
してエツチング処理を施すのが望ましい。まだ、溝１５
の／’Ｐターンとしては、応力の分散作用を高めるため
に、ペッド１０の隅部から裏面全面に亘って、第５図に
示す如く、略格子状に形成しても良い。また、ペラｙｘ
ｏの大きさは、半導体ベレット１１の大きさと略等しか
、或はこれよりも僅に大きく設定されている。これは、
半導体ベレット１ノを高い接着強度でペッド１０に接着
するためである。
脂封止体１６で一体に封止された半導体装置に、信頼性
試験等により熱の変化が加えられた場合に、樹脂封止体
１６等の伸縮に伴って発生する応力を分散させて吸収す
る作用を示すものである。従って、この溝１５の形成位
置は、応力の集中が起き易いペッド１０の裏面の隅部と
するのが望ましい。また、溝１５の大きさ、数、及び形
状は、半導体ペレット１ノ及びペッド１０の大きさ、樹
脂封止体１６の材質等を考慮して設定するのが望ましい
。更に、溝１５の形成の仕方としては、フレーム形成用
の薄板上に所定ツヤターンのレジスト膜を形成してペッ
ド１０となる部分を特定し、その裏面側に溝形成用のレ
ジスト膜を形成した後、これらのレジスト膜をマスクに
してエツチング処理を施すのが望ましい。まだ、溝１５
の／’Ｐターンとしては、応力の分散作用を高めるため
に、ペッド１０の隅部から裏面全面に亘って、第５図に
示す如く、略格子状に形成しても良い。また、ペラｙｘ
ｏの大きさは、半導体ベレット１１の大きさと略等しか
、或はこれよりも僅に大きく設定されている。これは、
半導体ベレット１ノを高い接着強度でペッド１０に接着
するためである。
このように構成された半導体装置によれば、ペッド１０
の裏面側の隅部に応力吸収用の溝１５が形成されている
ので、信頼性試験等の際の熱変化によって樹脂封止体１
６、ペッド１０、半導体ペレット１１等に伸縮が起きて
も、この伸縮に伴う応力を溝１５で吸収し、応力を分散
させることができる。
の裏面側の隅部に応力吸収用の溝１５が形成されている
ので、信頼性試験等の際の熱変化によって樹脂封止体１
６、ペッド１０、半導体ペレット１１等に伸縮が起きて
も、この伸縮に伴う応力を溝１５で吸収し、応力を分散
させることができる。
その結果、樹脂封止体１６、半導体装レッド１１等にク
ラックが入るのを防１トシて、素子特性を向上させるこ
とができる。
ラックが入るのを防１トシて、素子特性を向上させるこ
とができる。
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置によれば、
熱処理の際に発生する応力を吸収して、クラックの発生
を防止することにより、素子特性を向上させることがで
きるものである。
熱処理の際に発生する応力を吸収して、クラックの発生
を防止することにより、素子特性を向上させることがで
きるものである。
第１図は、従来の半導体装置の要部を示す斜視図、第２
図は、本発明の一実施例の要部を示す斜視図、第３図は
、同実施例の要部の説明図、第４図は、同実施例の半導
体装置に応力が加っている状態を示す説明図、第５図は
、溝の他の例を示す説明図である。 １０・・・ベッド、１ノ・・・半導体ペレット、１３・
・・インナーリード、１４・・・保持リード、１５゜１
５′・・・溝、１６・・・樹脂封止体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
図は、本発明の一実施例の要部を示す斜視図、第３図は
、同実施例の要部の説明図、第４図は、同実施例の半導
体装置に応力が加っている状態を示す説明図、第５図は
、溝の他の例を示す説明図である。 １０・・・ベッド、１ノ・・・半導体ペレット、１３・
・・インナーリード、１４・・・保持リード、１５゜１
５′・・・溝、１６・・・樹脂封止体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
Claims (1)
- ペレット配設床を有するベッドと該ベッドに近接して設
けられたインナーリード及びアウターリードとからなる
リードフレームと、前記ベッド上に設置された半導体ペ
レットと、該半導体ペレットと前記インナーリード間に
架設されたデンディング線と、該ボンディング線、前記
インナーリード、前記半導体ペレットを封止する樹脂封
止体とを具備する半導体装置において、ペレット配設床
と反対側のベッドの下面の隅部に応力吸収用の溝を形成
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5198083A JPS59177953A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5198083A JPS59177953A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177953A true JPS59177953A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12902005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5198083A Pending JPS59177953A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177953A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224245A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム並びに半導体装置 |
| JPS6442847A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Toshiba Corp | Lead frame |
| US4857989A (en) * | 1986-09-04 | 1989-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US5793100A (en) * | 1995-02-02 | 1998-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP5198083A patent/JPS59177953A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857989A (en) * | 1986-09-04 | 1989-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JPS63224245A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム並びに半導体装置 |
| JPS6442847A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Toshiba Corp | Lead frame |
| US5793100A (en) * | 1995-02-02 | 1998-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
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