JP3004798B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
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- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関する。本発明は、特に、樹脂テープの一表面に接着
された半導体ペレット、リードの内部リードの夫々を樹
脂封止体で封止する、ＣＯＴ(Ｃhip Ｏn Ｔape）構造を
採用する樹脂封止型半導体装置に適用して有効な技術に
関する。
に関する。本発明は、特に、樹脂テープの一表面に接着
された半導体ペレット、リードの内部リードの夫々を樹
脂封止体で封止する、ＣＯＴ(Ｃhip Ｏn Ｔape）構造を
採用する樹脂封止型半導体装置に適用して有効な技術に
関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置例えばＱＦＰ（Ｑ
uad Ｆlat Ｐackage）構造を採用する樹脂封止型半導体
装置は半導体ペレット（半導体チップ）を樹脂封止体で
封止する。半導体ペレットはタブ（ダイパッド）の表面
上に固着される。半導体ペレットの素子形成面は、記憶
回路システムや論理回路システムが搭載されるととも
に、これらの回路システムと外部装置とを電気的に接続
する外部端子（ボンディングパッド）が配列される。こ
の半導体ペレットの外部端子はワイヤを通してリードの
内部リードに電気的に接続される。内部リードは、半導
体ペレットと同様に樹脂封止体で封止され、この樹脂封
止体の外部に突出し配列される外部リードに一体にかつ
電気的に接続される。
uad Ｆlat Ｐackage）構造を採用する樹脂封止型半導体
装置は半導体ペレット（半導体チップ）を樹脂封止体で
封止する。半導体ペレットはタブ（ダイパッド）の表面
上に固着される。半導体ペレットの素子形成面は、記憶
回路システムや論理回路システムが搭載されるととも
に、これらの回路システムと外部装置とを電気的に接続
する外部端子（ボンディングパッド）が配列される。こ
の半導体ペレットの外部端子はワイヤを通してリードの
内部リードに電気的に接続される。内部リードは、半導
体ペレットと同様に樹脂封止体で封止され、この樹脂封
止体の外部に突出し配列される外部リードに一体にかつ
電気的に接続される。
【０００３】前記半導体ペレットは現在のところ単結晶
珪素で形成されるものが主流である。この半導体ペレッ
トの素子形成面に配列される外部端子は、一般的に、回
路システム内の最上層の結線と同一材料のアルミニウム
合金膜又はそれを主体とする積層膜で形成される。タ
ブ、内部リード、外部リードの夫々はＦｅ−Ｎｉ合金で
形成されるものが主流である。樹脂封止体は、トランス
ファモールド法で成型され、例えばフェノール硬化型エ
ポキシ系樹脂で形成される。
珪素で形成されるものが主流である。この半導体ペレッ
トの素子形成面に配列される外部端子は、一般的に、回
路システム内の最上層の結線と同一材料のアルミニウム
合金膜又はそれを主体とする積層膜で形成される。タ
ブ、内部リード、外部リードの夫々はＦｅ−Ｎｉ合金で
形成されるものが主流である。樹脂封止体は、トランス
ファモールド法で成型され、例えばフェノール硬化型エ
ポキシ系樹脂で形成される。
【０００４】この種のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型
半導体装置は、通常、半導体ペレットの外径サイズに比
べて、タブの半導体ペレットを搭載する側の表面々積が
大きく構成される。つまり、樹脂封止型半導体装置は樹
脂封止体の内部に広い範囲にわたってタブが配置され
る。樹脂封止体すなわちエポキシ系樹脂、タブすなわち
Ｆｅ−Ｎｉ合金の夫々は、接着性が悪く、しかも熱膨張
係数差がある。このため、樹脂封止型半導体装置の実装
時の半田リフロー工程時において、樹脂封止体とタブと
の間の界面に剥離が発生し、この剥離で形成された隙間
に露結した水分が気化膨張し、樹脂封止体にクラックが
発生する。この樹脂封止体のクラックの発生は、水分経
路を形成し、半導体ペレットの外部端子を腐食するの
で、樹脂封止型半導体装置の耐湿性、封止能力のいずれ
もが劣化する。
半導体装置は、通常、半導体ペレットの外径サイズに比
べて、タブの半導体ペレットを搭載する側の表面々積が
大きく構成される。つまり、樹脂封止型半導体装置は樹
脂封止体の内部に広い範囲にわたってタブが配置され
る。樹脂封止体すなわちエポキシ系樹脂、タブすなわち
Ｆｅ−Ｎｉ合金の夫々は、接着性が悪く、しかも熱膨張
係数差がある。このため、樹脂封止型半導体装置の実装
時の半田リフロー工程時において、樹脂封止体とタブと
の間の界面に剥離が発生し、この剥離で形成された隙間
に露結した水分が気化膨張し、樹脂封止体にクラックが
発生する。この樹脂封止体のクラックの発生は、水分経
路を形成し、半導体ペレットの外部端子を腐食するの
で、樹脂封止型半導体装置の耐湿性、封止能力のいずれ
もが劣化する。
【０００５】そこで、本発明者が開発中の樹脂封止型半
導体装置は、Ｆｅ−Ｎｉ合金で形成されたタブに変えて
樹脂テープを使用する、ＣＯＴ構造が採用される。前記
樹脂テープはポリイミド系樹脂が使用され、この樹脂テ
ープの表面には半導体ペレット、リードの内部リードの
夫々を接着する目的で接着層が形成される。樹脂テープ
は半導体ペレット、内部リードの夫々とともに樹脂封止
体で封止される。
導体装置は、Ｆｅ−Ｎｉ合金で形成されたタブに変えて
樹脂テープを使用する、ＣＯＴ構造が採用される。前記
樹脂テープはポリイミド系樹脂が使用され、この樹脂テ
ープの表面には半導体ペレット、リードの内部リードの
夫々を接着する目的で接着層が形成される。樹脂テープ
は半導体ペレット、内部リードの夫々とともに樹脂封止
体で封止される。
【０００６】このＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置は、前述のように、タブに変えて樹脂テープを使
用し、この樹脂テープが樹脂封止体との接着性が高くし
かも樹脂封止体に熱膨張係数が近いので、樹脂封止体に
クラックが発生しにくい。
体装置は、前述のように、タブに変えて樹脂テープを使
用し、この樹脂テープが樹脂封止体との接着性が高くし
かも樹脂封止体に熱膨張係数が近いので、樹脂封止体に
クラックが発生しにくい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述のＣ
ＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の開発に先立
ち、下記の問題点が生じることを見出した。
ＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の開発に先立
ち、下記の問題点が生じることを見出した。
【０００８】前述のＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置は、その組立プロセスにおいて、樹脂テープの
一表面に接着層を介在してリードの内部リードを接着し
た後に、樹脂テープの一表面に接着層を介在して半導体
ペレットが接着される。つまり、内部リード、半導体ペ
レットの夫々は、１回の工程で樹脂テープにボンディン
グしておらず、２回の工程に分けてボンディングが行わ
れる。したがって、樹脂テープの一表面の接着層として
は、熱硬化性樹脂が使用できず、熱可塑性樹脂にある程
度限られてしまう。熱可塑性樹脂としては例えばポリア
ミドイミド系樹脂が使用される。この熱可塑性樹脂を接
着層とする樹脂テープは、組立プロセスにおいて、約３
００〜４５０〔℃〕程度の熱を加えた状態で、内部リー
ド（この状態においてはリードフレーム）、半導体ペレ
ットの夫々に貼付けられる。
導体装置は、その組立プロセスにおいて、樹脂テープの
一表面に接着層を介在してリードの内部リードを接着し
た後に、樹脂テープの一表面に接着層を介在して半導体
ペレットが接着される。つまり、内部リード、半導体ペ
レットの夫々は、１回の工程で樹脂テープにボンディン
グしておらず、２回の工程に分けてボンディングが行わ
れる。したがって、樹脂テープの一表面の接着層として
は、熱硬化性樹脂が使用できず、熱可塑性樹脂にある程
度限られてしまう。熱可塑性樹脂としては例えばポリア
ミドイミド系樹脂が使用される。この熱可塑性樹脂を接
着層とする樹脂テープは、組立プロセスにおいて、約３
００〜４５０〔℃〕程度の熱を加えた状態で、内部リー
ド（この状態においてはリードフレーム）、半導体ペレ
ットの夫々に貼付けられる。
【０００９】ＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装
置は、２方向リード配列構造の場合、樹脂封止体の平面
形状が一般的に長方形状で形成され、又４方向リード配
列構造の場合、樹脂封止体の平面形状が一般的に正方形
状で形成されることが多い。前記樹脂テープの平面形状
は樹脂封止体の平面形状の相似形状で形成され、各々の
対角線をほぼ一致した状態において、樹脂テープは樹脂
封止体の内部に配置される。前記樹脂テープは、樹脂封
止体の内部において半導体ペレットを接着する領域及び
内部リードを接着する領域を含む広い範囲（従来のタブ
の表面の面積に比べて大きい面積）で形成され、樹脂封
止体の内部の大半を占有する。
置は、２方向リード配列構造の場合、樹脂封止体の平面
形状が一般的に長方形状で形成され、又４方向リード配
列構造の場合、樹脂封止体の平面形状が一般的に正方形
状で形成されることが多い。前記樹脂テープの平面形状
は樹脂封止体の平面形状の相似形状で形成され、各々の
対角線をほぼ一致した状態において、樹脂テープは樹脂
封止体の内部に配置される。前記樹脂テープは、樹脂封
止体の内部において半導体ペレットを接着する領域及び
内部リードを接着する領域を含む広い範囲（従来のタブ
の表面の面積に比べて大きい面積）で形成され、樹脂封
止体の内部の大半を占有する。
【００１０】このため、ＣＯＴ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置の組立プロセスにおいて、樹脂テープに熱
を加えた状態で内部リード、半導体ペレットの夫々に貼
付けられ、しかも樹脂テープの面積が大きいので、樹脂
テープの貼付け後に、樹脂テープに収縮が生じ、内部リ
ードを含むリードフレーム自体に反りが発生する。この
リードフレームに反りが発生すると、以下の原因にな
る。 （１）ＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の組
立プロセスのペレットボンディング工程において、ヒー
トブロックにリードフレームが密着しないので、リード
フレーム及び樹脂テープに熱が均一に加わらず、樹脂テ
ープと半導体ペレットの接着性が劣化し、ボンディング
不良が発生する。 （２）前記組立プロセスのワイヤボンディング工程にお
いて、前記問題点（１）と同様に、ヒートブロックにリ
ードフレームが密着しないので、リードフレーム特に内
部リードに熱が均一に加わらず、内部リードとワイヤと
の接着性が劣化し、ボンディング不良が発生する。 （３）また、前記ワイヤボンディング工程において、内
部リードを押え付けた状態で内部リードにワイヤをボン
ディングした後に、前記内部リードの押え付けを解放し
た際、内部リードの戻り（反りの回復）に基づき、ワイ
ヤの変形や切断が発生する。 （４）前記反りが発生したリードフレームは、組立プロ
セスの各工程間に搬送する際に搬送不良（所謂、ジャ
ム）が発生する。
型半導体装置の組立プロセスにおいて、樹脂テープに熱
を加えた状態で内部リード、半導体ペレットの夫々に貼
付けられ、しかも樹脂テープの面積が大きいので、樹脂
テープの貼付け後に、樹脂テープに収縮が生じ、内部リ
ードを含むリードフレーム自体に反りが発生する。この
リードフレームに反りが発生すると、以下の原因にな
る。 （１）ＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の組
立プロセスのペレットボンディング工程において、ヒー
トブロックにリードフレームが密着しないので、リード
フレーム及び樹脂テープに熱が均一に加わらず、樹脂テ
ープと半導体ペレットの接着性が劣化し、ボンディング
不良が発生する。 （２）前記組立プロセスのワイヤボンディング工程にお
いて、前記問題点（１）と同様に、ヒートブロックにリ
ードフレームが密着しないので、リードフレーム特に内
部リードに熱が均一に加わらず、内部リードとワイヤと
の接着性が劣化し、ボンディング不良が発生する。 （３）また、前記ワイヤボンディング工程において、内
部リードを押え付けた状態で内部リードにワイヤをボン
ディングした後に、前記内部リードの押え付けを解放し
た際、内部リードの戻り（反りの回復）に基づき、ワイ
ヤの変形や切断が発生する。 （４）前記反りが発生したリードフレームは、組立プロ
セスの各工程間に搬送する際に搬送不良（所謂、ジャ
ム）が発生する。
【００１１】本発明の目的は、ＣＯＴ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置において、以下のとおりである。 （１）樹脂テープに起因するリードの反りを低減する。 （２）組立プロセス中のボンディング不良を防止する。 （３）組立プロセス中のワイヤの変形や切断を防止す
る。 （４）組立プロセスの搬送不良を防止する。
脂封止型半導体装置において、以下のとおりである。 （１）樹脂テープに起因するリードの反りを低減する。 （２）組立プロセス中のボンディング不良を防止する。 （３）組立プロセス中のワイヤの変形や切断を防止す
る。 （４）組立プロセスの搬送不良を防止する。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。なお、特開平２‐１３４８５１号公報
には、ＣＯＴ構造を有する半導体装置が記載されている
が、本発明の前記問題点及びその対策については記載さ
れていない。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。なお、特開平２‐１３４８５１号公報
には、ＣＯＴ構造を有する半導体装置が記載されている
が、本発明の前記問題点及びその対策については記載さ
れていない。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１４】樹脂テープにより半導体ペレット及び前記
半導体ペレットと電気的に接続される内部リードを支持
し、前記樹脂テープ、前記半導体ペレット及び内部リー
ドを樹脂封止体によって封止した半導体装置であって、
前記樹脂封止体の平面形状が略正方形であり、前記樹脂
テープは前記樹脂封止体の直交する２本の中心線の各々
に対して対称の形状を有し、前記樹脂テープには樹脂封
止体の各角部或いは各辺に対向させて切欠部が設けられ
ていることを特徴とする。
半導体ペレットと電気的に接続される内部リードを支持
し、前記樹脂テープ、前記半導体ペレット及び内部リー
ドを樹脂封止体によって封止した半導体装置であって、
前記樹脂封止体の平面形状が略正方形であり、前記樹脂
テープは前記樹脂封止体の直交する２本の中心線の各々
に対して対称の形状を有し、前記樹脂テープには樹脂封
止体の各角部或いは各辺に対向させて切欠部が設けられ
ていることを特徴とする。
【００１５】樹脂テープにより半導体ペレット及び前記
半導体ペレットと電気的に接続される内部リードを支持
し、前記樹脂テープ、前記半導体ペレット及び内部リー
ドを樹脂封止体によって封止した半導体装置であって、
前記樹脂封止体の平面形状が略正方形であり、前記樹脂
テープは前記樹脂封止体の直交する２本の中心線の各々
に対して対称の方形状を有し、前記樹脂テープの辺部が
封止体の各角部と対向し、樹脂テープの角部が封止体の
各辺に対して対向していることを特徴とする。
半導体ペレットと電気的に接続される内部リードを支持
し、前記樹脂テープ、前記半導体ペレット及び内部リー
ドを樹脂封止体によって封止した半導体装置であって、
前記樹脂封止体の平面形状が略正方形であり、前記樹脂
テープは前記樹脂封止体の直交する２本の中心線の各々
に対して対称の方形状を有し、前記樹脂テープの辺部が
封止体の各角部と対向し、樹脂テープの角部が封止体の
各辺に対して対向していることを特徴とする。
【００１６】また、前記半導体ペレットは略正方形であ
り、前記半導体ペレットの対角線と前記樹脂封止体の対
角線は略一致しており、前記対角線に沿った半導体ペレ
ット角部から前記樹脂テープ端部までの距離は、前記対
角線に沿った樹脂テープ端部から樹脂封止体角部までの
距離よりも短い。
り、前記半導体ペレットの対角線と前記樹脂封止体の対
角線は略一致しており、前記対角線に沿った半導体ペレ
ット角部から前記樹脂テープ端部までの距離は、前記対
角線に沿った樹脂テープ端部から樹脂封止体角部までの
距離よりも短い。
【００１７】
【作用】上述した手段によれば、前記ＣＯＴ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置において、以下の作用効果が
得られる。 （Ａ）前記樹脂テープの一部分に切欠部を構成し、樹脂
テープの面積を縮小できるので、樹脂テープが内部リー
ドに与える応力（主に引張応力）を減少し、内部リード
（リードフレーム）に発生する反りを低減できる。 （Ｂ）前記樹脂テープの半導体ペレットを中心とする対
向する領域の夫々に切欠部を構成し、同様に、半導体ペ
レットを中心とする対向する領域の夫々に配置される内
部リードの夫々に、樹脂テープが与える応力の方向と大
きさを揃え（応力の方向は相殺する方向に揃え、応力の
大きさは同等に揃え）たので、内部リードに発生する反
りを低減できる。 （Ｃ）前記作用効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づ
き、樹脂テープの歪（ゆが）みが減少できるので、樹脂
テープの一表面への半導体ペレットのボンディング不良
を低減できる。また、半導体ペレットの外部端子と内部
リードとの間を電気的に接続するワイヤのボンディング
不良を低減できる。 （Ｄ）前記作用効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づ
き、前記内部リードの反りが減少し、前記内部リードを
押え、前記ワイヤのボンディングを行った後に、前記内
部リードの押えを解除する、ワイヤボンディング工程に
おいて、内部リードの押えの解除で内部リードの反りが
戻る現象が低減できるので、ワイヤの変形や断線を防止
できる。 （Ｅ）前記作用効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づ
き、前記内部リードの反りが減少できるので、組立プロ
セス中のリードの搬送時の搬送不良（所謂、ジャム）を
防止できる。
する樹脂封止型半導体装置において、以下の作用効果が
得られる。 （Ａ）前記樹脂テープの一部分に切欠部を構成し、樹脂
テープの面積を縮小できるので、樹脂テープが内部リー
ドに与える応力（主に引張応力）を減少し、内部リード
（リードフレーム）に発生する反りを低減できる。 （Ｂ）前記樹脂テープの半導体ペレットを中心とする対
向する領域の夫々に切欠部を構成し、同様に、半導体ペ
レットを中心とする対向する領域の夫々に配置される内
部リードの夫々に、樹脂テープが与える応力の方向と大
きさを揃え（応力の方向は相殺する方向に揃え、応力の
大きさは同等に揃え）たので、内部リードに発生する反
りを低減できる。 （Ｃ）前記作用効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づ
き、樹脂テープの歪（ゆが）みが減少できるので、樹脂
テープの一表面への半導体ペレットのボンディング不良
を低減できる。また、半導体ペレットの外部端子と内部
リードとの間を電気的に接続するワイヤのボンディング
不良を低減できる。 （Ｄ）前記作用効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づ
き、前記内部リードの反りが減少し、前記内部リードを
押え、前記ワイヤのボンディングを行った後に、前記内
部リードの押えを解除する、ワイヤボンディング工程に
おいて、内部リードの押えの解除で内部リードの反りが
戻る現象が低減できるので、ワイヤの変形や断線を防止
できる。 （Ｅ）前記作用効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づ
き、前記内部リードの反りが減少できるので、組立プロ
セス中のリードの搬送時の搬送不良（所謂、ジャム）を
防止できる。
【００１８】以下、本発明の構成について、ＣＯＴ構造
を採用する樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、
実施例とともに説明する。
を採用する樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、
実施例とともに説明する。
【００１９】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００２０】
（実 施 例 １）本発明の実施例１であるＣＯＴ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置の構成を図１（断面
図）、図２（平面図）の夫々で示す。
採用する樹脂封止型半導体装置の構成を図１（断面
図）、図２（平面図）の夫々で示す。
【００２１】図１、図２の夫々に示すように、ＣＯＴ構
造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、半導体ペレッ
ト２の素子形成面に配置される外部端子２０、リード３
の内部リード３０の一端の夫々が電気的に接続される。
この半導体ペレット２及び内部リード３０は樹脂封止体
６で封止される。前記樹脂封止体６の外側面には前記内
部リード３０の他端に電気的に接続されかつ一体に構成
された外部リード３１が複数本配列される。本実施例１
のＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、図
２に示すように、樹脂封止体６の平面形状が実質的に正
方形で形成され、この樹脂封止体６の正方形の各辺の夫
々に沿って夫々複数本の外部リード３１が配列された、
４方向リード配列構造で構成される。
造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、半導体ペレッ
ト２の素子形成面に配置される外部端子２０、リード３
の内部リード３０の一端の夫々が電気的に接続される。
この半導体ペレット２及び内部リード３０は樹脂封止体
６で封止される。前記樹脂封止体６の外側面には前記内
部リード３０の他端に電気的に接続されかつ一体に構成
された外部リード３１が複数本配列される。本実施例１
のＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、図
２に示すように、樹脂封止体６の平面形状が実質的に正
方形で形成され、この樹脂封止体６の正方形の各辺の夫
々に沿って夫々複数本の外部リード３１が配列された、
４方向リード配列構造で構成される。
【００２２】前記半導体ペレット２は、樹脂封止体６の
平面形状に相似しこの樹脂封止体６の平面形状に比べて
小さい、平面形状が方形状で形成され、単結晶珪素基板
を主体に構成される。この半導体ペレット２の素子形成
面（図１中、上側表面）は記憶回路システム若しくは論
理回路システムが搭載される。半導体ペレット２つまり
単結晶珪素基板は２×１０~6〜３×１０~6〔Ｋ~1〕程度
の線膨張係数を有する。半導体ペレット２の外部端子２
０は回路システムが搭載された素子形成面に複数個配置
される。外部端子２０は、回路システムの最上層の結線
と同一材料、例えばアルミニウム合金膜又はそれを主体
とする積層膜で構成される。
平面形状に相似しこの樹脂封止体６の平面形状に比べて
小さい、平面形状が方形状で形成され、単結晶珪素基板
を主体に構成される。この半導体ペレット２の素子形成
面（図１中、上側表面）は記憶回路システム若しくは論
理回路システムが搭載される。半導体ペレット２つまり
単結晶珪素基板は２×１０~6〜３×１０~6〔Ｋ~1〕程度
の線膨張係数を有する。半導体ペレット２の外部端子２
０は回路システムが搭載された素子形成面に複数個配置
される。外部端子２０は、回路システムの最上層の結線
と同一材料、例えばアルミニウム合金膜又はそれを主体
とする積層膜で構成される。
【００２３】前記半導体ペレット２の外部端子２０、内
部リード３０の夫々はワイヤ５を通して電気的に接続さ
れる。ワイヤ５は、例えばＡｕワイヤが使用され、熱圧
着に超音波振動を併用したボンディング法でボンディン
グされる。
部リード３０の夫々はワイヤ５を通して電気的に接続さ
れる。ワイヤ５は、例えばＡｕワイヤが使用され、熱圧
着に超音波振動を併用したボンディング法でボンディン
グされる。
【００２４】前記リード３の内部リード３０、外部リー
ド３１の夫々はＦｅ−Ｎｉ合金（例えば、Ｎｉ含有量は
４２又は５０〔％〕）で形成される。このリード３は例
えば０.１〜０.２〔ｍｍ〕程度の板厚で形成される。リ
ード３は、４２〔％〕のＮｉ含有量の場合、 ５.２×１
０~6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有し、５０〔％〕のＮ
ｉ含有量の場合、１０×１０~6〜１１×１０~6〔Ｋ~1〕
程度の線膨張係数を有する。リード３の内部リード３
０、外部リード３１の夫々は、１枚のリードフレームか
ら切断されかつ成型される。
ド３１の夫々はＦｅ−Ｎｉ合金（例えば、Ｎｉ含有量は
４２又は５０〔％〕）で形成される。このリード３は例
えば０.１〜０.２〔ｍｍ〕程度の板厚で形成される。リ
ード３は、４２〔％〕のＮｉ含有量の場合、 ５.２×１
０~6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有し、５０〔％〕のＮ
ｉ含有量の場合、１０×１０~6〜１１×１０~6〔Ｋ~1〕
程度の線膨張係数を有する。リード３の内部リード３
０、外部リード３１の夫々は、１枚のリードフレームか
ら切断されかつ成型される。
【００２５】また、リード３は、後述するが、樹脂テー
プ４に基づきリード３（リードフレーム）に加わる応力
を低減できるので、Ｆｅ−Ｎｉ合金に変えて、Ｃｕ、Ｃ
ｕ系合金を使用することもできる。
プ４に基づきリード３（リードフレーム）に加わる応力
を低減できるので、Ｆｅ−Ｎｉ合金に変えて、Ｃｕ、Ｃ
ｕ系合金を使用することもできる。
【００２６】前記半導体ペレット２、リード３の夫々は
樹脂封止体６の内部において、樹脂テープ４の一表面
（半導体ペレット２の裏面に接着される表面）に接着さ
れる。樹脂テープ４は基材としての樹脂テープ本体４１
及びその少なくとも一表面上に形成された接着層４０を
主体に構成される。樹脂テープ４の樹脂テープ本体４１
は、樹脂封止体６の内部において、半導体ペレット２の
領域及び内部リード３０の領域を含む広い範囲（大きい
面積）で形成される。接着層４０は、同様に樹脂テープ
本体４１の一表面上の広い範囲で形成される。この樹脂
テープ４の樹脂テープ本体４１は、例えばポリイミド系
樹脂若しくはカプトン系樹脂が使用され、４０〜６０
〔μｍ〕程度の膜厚で構成される。接着層４０は、熱可
塑性樹脂例えばポリアミドイミド系樹脂が使用され、２
０〜３０〔μｍ〕程度の膜厚で構成される。樹脂テープ
４は、基材としての樹脂テープ本体４１の膜厚が厚いの
で、樹脂テープ本体４１の線膨張係数で全体の線膨張係
数が律則される。つまり、樹脂テープ４は、樹脂テープ
本体４１が例えばポリイミド系樹脂で形成される場合、
３×１０~6〜５×１０~6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数にな
る。
樹脂封止体６の内部において、樹脂テープ４の一表面
（半導体ペレット２の裏面に接着される表面）に接着さ
れる。樹脂テープ４は基材としての樹脂テープ本体４１
及びその少なくとも一表面上に形成された接着層４０を
主体に構成される。樹脂テープ４の樹脂テープ本体４１
は、樹脂封止体６の内部において、半導体ペレット２の
領域及び内部リード３０の領域を含む広い範囲（大きい
面積）で形成される。接着層４０は、同様に樹脂テープ
本体４１の一表面上の広い範囲で形成される。この樹脂
テープ４の樹脂テープ本体４１は、例えばポリイミド系
樹脂若しくはカプトン系樹脂が使用され、４０〜６０
〔μｍ〕程度の膜厚で構成される。接着層４０は、熱可
塑性樹脂例えばポリアミドイミド系樹脂が使用され、２
０〜３０〔μｍ〕程度の膜厚で構成される。樹脂テープ
４は、基材としての樹脂テープ本体４１の膜厚が厚いの
で、樹脂テープ本体４１の線膨張係数で全体の線膨張係
数が律則される。つまり、樹脂テープ４は、樹脂テープ
本体４１が例えばポリイミド系樹脂で形成される場合、
３×１０~6〜５×１０~6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数にな
る。
【００２７】このように構成される樹脂テープ４は、図
２に示すように、半導体ペレット２の対向する角部（本
実施例１は半導体ペレット２の４個の角部）の夫々の外
周又はその近傍であって、樹脂テープ４の周辺領域に切
欠部４２が構成される。つまり、樹脂テープ４は、平面
形状が正方形状のものを各々の角部を切欠部４２として
取り除いた、平面形状が十字形状で構成される。この樹
脂テープ４の十字の方向（中心線）は、樹脂封止体６の
中心線に実質的に一致する。
２に示すように、半導体ペレット２の対向する角部（本
実施例１は半導体ペレット２の４個の角部）の夫々の外
周又はその近傍であって、樹脂テープ４の周辺領域に切
欠部４２が構成される。つまり、樹脂テープ４は、平面
形状が正方形状のものを各々の角部を切欠部４２として
取り除いた、平面形状が十字形状で構成される。この樹
脂テープ４の十字の方向（中心線）は、樹脂封止体６の
中心線に実質的に一致する。
【００２８】前記樹脂テープ４は、切欠部４２を備える
と、結果的に、図２に示すように、樹脂封止体６の対角
線（平面形状が正方形の場合の樹脂テープ４の対角線と
一致する）と一致する半導体ペレット２の角部から樹脂
テープ４の端部までの間の寸法Ｃ１が、樹脂封止体６の
中心線と一致する半導体ペレット２の辺から樹脂テープ
４の端部までの間の寸法Ｆ１に対して小さくなる（Ｃ１
＜Ｆ１）。樹脂封止体６の対角線と一致する樹脂テープ
４の端部から樹脂封止体６の角部までの寸法Ｃ２は、樹
脂封止体６の中心線と一致する樹脂テープ４の端部から
樹脂封止体６の外周辺までの寸法Ｆ２に比べて大きくな
る（Ｃ２＞Ｆ２）。正方形状の樹脂封止体の内部に正方
形状の樹脂テープが夫々の対角線を一致した状態で配置
されると、寸法Ｃ１は寸法Ｆ１に比べて大きくなり、寸
法Ｃ２は寸法Ｆ２に比べて大きくなる（Ｃ１＞Ｆ１，Ｃ
２＞Ｆ２）。
と、結果的に、図２に示すように、樹脂封止体６の対角
線（平面形状が正方形の場合の樹脂テープ４の対角線と
一致する）と一致する半導体ペレット２の角部から樹脂
テープ４の端部までの間の寸法Ｃ１が、樹脂封止体６の
中心線と一致する半導体ペレット２の辺から樹脂テープ
４の端部までの間の寸法Ｆ１に対して小さくなる（Ｃ１
＜Ｆ１）。樹脂封止体６の対角線と一致する樹脂テープ
４の端部から樹脂封止体６の角部までの寸法Ｃ２は、樹
脂封止体６の中心線と一致する樹脂テープ４の端部から
樹脂封止体６の外周辺までの寸法Ｆ２に比べて大きくな
る（Ｃ２＞Ｆ２）。正方形状の樹脂封止体の内部に正方
形状の樹脂テープが夫々の対角線を一致した状態で配置
されると、寸法Ｃ１は寸法Ｆ１に比べて大きくなり、寸
法Ｃ２は寸法Ｆ２に比べて大きくなる（Ｃ１＞Ｆ１，Ｃ
２＞Ｆ２）。
【００２９】この樹脂テープ４の切欠部４２は、樹脂テ
ープ４の平面々積を減少する目的で構成されるととも
に、半導体ペレット２を中心として対向する位置に各々
構成される。
ープ４の平面々積を減少する目的で構成されるととも
に、半導体ペレット２を中心として対向する位置に各々
構成される。
【００３０】前記樹脂封止体６は、トランスファモール
ド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用
される。熱硬化性エポキシ系樹脂は例えば １.０×１０
~5〜２.０×１０~5〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有す
る。また、熱硬化性エポキシ系樹脂は、通常、フィラー
（酸化珪素粒）、可撓材（例えばシリコーンゴム）等が
添加され、紫外線の吸収、静電気の防止などを目的とし
てカーボン粒も併せて添加される。
ド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用
される。熱硬化性エポキシ系樹脂は例えば １.０×１０
~5〜２.０×１０~5〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有す
る。また、熱硬化性エポキシ系樹脂は、通常、フィラー
（酸化珪素粒）、可撓材（例えばシリコーンゴム）等が
添加され、紫外線の吸収、静電気の防止などを目的とし
てカーボン粒も併せて添加される。
【００３１】次に、このように構成されるＣＯＴ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置１の組立プロセスについ
て、図３（組立プロセスの工程毎に示す断面図）を使用
し、簡単に説明する。
採用する樹脂封止型半導体装置１の組立プロセスについ
て、図３（組立プロセスの工程毎に示す断面図）を使用
し、簡単に説明する。
【００３２】まず、図３（Ａ）に示すように、リード３
（リードフレーム）を用意し、このリード３の内部リー
ド３０に樹脂テープ４を貼付る。樹脂テープ４は前述の
ように樹脂テープ本体４１及び接着層４０で形成され、
樹脂テープ４は樹脂テープ本体４１に接着層４０を介在
して内部リード３０を貼付る。樹脂テープ４は、３００
〜４５０〔℃〕程度の温度で熱圧着を行い、内部リード
３０に接着する。樹脂テープ４は、複数個の樹脂封止型
半導体装置１で使用できるテープ状のもの、又は個々の
樹脂封止型半導体装置１に使用される毎葉状のもののい
ずれかが使用され、内部リード３０に貼付ける際に外径
が規定される（打抜き法等で加工する）。つまり、この
樹脂テープ４の外径が規定される際に、樹脂テープ４の
所定領域に切欠部４２が形成される。
（リードフレーム）を用意し、このリード３の内部リー
ド３０に樹脂テープ４を貼付る。樹脂テープ４は前述の
ように樹脂テープ本体４１及び接着層４０で形成され、
樹脂テープ４は樹脂テープ本体４１に接着層４０を介在
して内部リード３０を貼付る。樹脂テープ４は、３００
〜４５０〔℃〕程度の温度で熱圧着を行い、内部リード
３０に接着する。樹脂テープ４は、複数個の樹脂封止型
半導体装置１で使用できるテープ状のもの、又は個々の
樹脂封止型半導体装置１に使用される毎葉状のもののい
ずれかが使用され、内部リード３０に貼付ける際に外径
が規定される（打抜き法等で加工する）。つまり、この
樹脂テープ４の外径が規定される際に、樹脂テープ４の
所定領域に切欠部４２が形成される。
【００３３】この樹脂テープ４は、前記図２に示すよう
に、樹脂テープ４の平面々積を減少する目的で構成され
るとともに、半導体ペレット２を中心として対向する位
置に各々構成されるので、リード３に与える応力（主
に、貼付け後の樹脂テープ４の収縮に基づく引張応力）
を減少できる。
に、樹脂テープ４の平面々積を減少する目的で構成され
るとともに、半導体ペレット２を中心として対向する位
置に各々構成されるので、リード３に与える応力（主
に、貼付け後の樹脂テープ４の収縮に基づく引張応力）
を減少できる。
【００３４】次に、図３（Ｂ）に示すように、前記樹脂
テープ４の中央部分の一表面上に半導体ペレット２を接
着する。同様に、３００〜４５０〔℃〕程度の温度で熱
圧着が行われ、樹脂テープ４はその樹脂テープ本体４１
に接着層４０を介在して半導体ペレット２の裏面が接着
される。
テープ４の中央部分の一表面上に半導体ペレット２を接
着する。同様に、３００〜４５０〔℃〕程度の温度で熱
圧着が行われ、樹脂テープ４はその樹脂テープ本体４１
に接着層４０を介在して半導体ペレット２の裏面が接着
される。
【００３５】次に、図３（Ｃ）に示すように、前記樹脂
テープ４に接着された半導体ペレット２の外部端子２
０、内部リード３０の夫々をワイヤ５で電気的に接続す
る。
テープ４に接着された半導体ペレット２の外部端子２
０、内部リード３０の夫々をワイヤ５で電気的に接続す
る。
【００３６】次に、前記半導体ペレット２、内部リード
３０、ワイヤ５及び樹脂テープ４を樹脂封止体６で封止
する。この樹脂封止体６は、前述のように、トランスフ
ァモールド法で成型する。
３０、ワイヤ５及び樹脂テープ４を樹脂封止体６で封止
する。この樹脂封止体６は、前述のように、トランスフ
ァモールド法で成型する。
【００３７】次に、前記外部リード３１をリード３（リ
ードフレーム）から切断し、外部リード３１を成型する
ことにより、前述の図１及び図２に示す、ＣＯＴ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置１が完成する。
ードフレーム）から切断し、外部リード３１を成型する
ことにより、前述の図１及び図２に示す、ＣＯＴ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置１が完成する。
【００３８】なお、このＣＯＴ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置１を実装する際の半田リフロー工程は、２
００〜３００〔℃〕程度の温度で行われる。
型半導体装置１を実装する際の半田リフロー工程は、２
００〜３００〔℃〕程度の温度で行われる。
【００３９】このように、樹脂テープ４の一表面の中央
領域に平面形状が方形状を有する半導体ペレット２が接
着されるとともに、前記半導体ペレット２の少なくとも
対向する２つの辺の外周の夫々の領域であって、前記樹
脂テープ４の一表面の周辺領域にリード３の内部リード
３０が接着され、前記樹脂テープ４、半導体ペレット２
及び内部リード３０が樹脂封止体６で封止される、ＣＯ
Ｔ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１において、前
記樹脂テープ４が、前記半導体ペレット２の少なくとも
一部を接着する領域及びリード３の内部リード３０の少
なくとも一部を接着する領域を備えるとともに、この樹
脂テープ４が、前記半導体ペレット２の少なくとも対向
する２つの角部の外周の夫々の領域に切欠部４２を備え
る。また、前記ＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体
装置１は、前記樹脂封止体６の平面形状が方形状で構成
され、この樹脂封止体６の方形状の対角線と一致する前
記半導体ペレット２の角部から樹脂テープ４の端部まで
の間の寸法Ｃ１に対して前記樹脂封止体６の方形状の中
心線と一致する前記半導体ペレット２の一辺から樹脂テ
ープ４の端部までの間の寸法Ｆ１が大きく構成される。
領域に平面形状が方形状を有する半導体ペレット２が接
着されるとともに、前記半導体ペレット２の少なくとも
対向する２つの辺の外周の夫々の領域であって、前記樹
脂テープ４の一表面の周辺領域にリード３の内部リード
３０が接着され、前記樹脂テープ４、半導体ペレット２
及び内部リード３０が樹脂封止体６で封止される、ＣＯ
Ｔ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１において、前
記樹脂テープ４が、前記半導体ペレット２の少なくとも
一部を接着する領域及びリード３の内部リード３０の少
なくとも一部を接着する領域を備えるとともに、この樹
脂テープ４が、前記半導体ペレット２の少なくとも対向
する２つの角部の外周の夫々の領域に切欠部４２を備え
る。また、前記ＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体
装置１は、前記樹脂封止体６の平面形状が方形状で構成
され、この樹脂封止体６の方形状の対角線と一致する前
記半導体ペレット２の角部から樹脂テープ４の端部まで
の間の寸法Ｃ１に対して前記樹脂封止体６の方形状の中
心線と一致する前記半導体ペレット２の一辺から樹脂テ
ープ４の端部までの間の寸法Ｆ１が大きく構成される。
【００４０】この構成により、前記ＣＯＴ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１において、以下の作用効果が
得られる。（Ａ）前記樹脂テープ４の一部分に切欠部４
２を構成し、樹脂テープ４の面積を縮小できるので、樹
脂テープ４が内部リード３０に与える応力を減少し、内
部リード３０（リードフレーム）に発生する反りを低減
できる。（Ｂ）前記樹脂テープ４の半導体ペレット２を
中心とする対向する領域の夫々に切欠部４２を構成し、
同様に、半導体ペレット２を中心とする対向する領域の
夫々に配置される内部リード３０の夫々に、樹脂テープ
４が与える応力の方向と大きさを揃え（応力の方向は相
殺する方向に揃え、応力の大きさは同等に揃え）たの
で、内部リード３０に発生する反りを低減できる。
（Ｃ）前記作用効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づ
き、樹脂テープ４の歪（ゆが）みが減少できるので、樹
脂テープ４の一表面への半導体ペレット２のボンディン
グ不良を低減できる。また、半導体ペレット２の外部端
子２０と内部リード３０との間を電気的に接続するワイ
ヤ５のボンディング不良を低減できる。（Ｄ）前記作用
効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づき、前記内部リー
ド３０の反りが減少し、前記内部リード３０を押え、前
記ワイヤ５のボンディングを行った後に、前記内部リー
ド３０の押えを解除する、ワイヤボンディング工程にお
いて、内部リード３０の押えの解除で内部リード３０の
反りが戻る現象が低減できるので、ワイヤ５の変形や断
線を防止できる。（Ｅ）前記作用効果（Ａ）又は作用効
果（Ｂ）に基づき、前記内部リード３０の反りが減少で
きるので、組立プロセス中のリード３の搬送時の搬送不
良（所謂、ジャム）を防止できる。
る樹脂封止型半導体装置１において、以下の作用効果が
得られる。（Ａ）前記樹脂テープ４の一部分に切欠部４
２を構成し、樹脂テープ４の面積を縮小できるので、樹
脂テープ４が内部リード３０に与える応力を減少し、内
部リード３０（リードフレーム）に発生する反りを低減
できる。（Ｂ）前記樹脂テープ４の半導体ペレット２を
中心とする対向する領域の夫々に切欠部４２を構成し、
同様に、半導体ペレット２を中心とする対向する領域の
夫々に配置される内部リード３０の夫々に、樹脂テープ
４が与える応力の方向と大きさを揃え（応力の方向は相
殺する方向に揃え、応力の大きさは同等に揃え）たの
で、内部リード３０に発生する反りを低減できる。
（Ｃ）前記作用効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づ
き、樹脂テープ４の歪（ゆが）みが減少できるので、樹
脂テープ４の一表面への半導体ペレット２のボンディン
グ不良を低減できる。また、半導体ペレット２の外部端
子２０と内部リード３０との間を電気的に接続するワイ
ヤ５のボンディング不良を低減できる。（Ｄ）前記作用
効果（Ａ）又は作用効果（Ｂ）に基づき、前記内部リー
ド３０の反りが減少し、前記内部リード３０を押え、前
記ワイヤ５のボンディングを行った後に、前記内部リー
ド３０の押えを解除する、ワイヤボンディング工程にお
いて、内部リード３０の押えの解除で内部リード３０の
反りが戻る現象が低減できるので、ワイヤ５の変形や断
線を防止できる。（Ｅ）前記作用効果（Ａ）又は作用効
果（Ｂ）に基づき、前記内部リード３０の反りが減少で
きるので、組立プロセス中のリード３の搬送時の搬送不
良（所謂、ジャム）を防止できる。
【００４１】（実 施 例 ２）本実施例２は、前述のＣ
ＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、樹
脂テープに形成される切欠部の形状を変えた、本発明の
第２実施例である。
ＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、樹
脂テープに形成される切欠部の形状を変えた、本発明の
第２実施例である。
【００４２】本発明の実施例２であるＣＯＴ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の構成を図４乃至図６（平面
図）で示す。
する樹脂封止型半導体装置の構成を図４乃至図６（平面
図）で示す。
【００４３】本実施例２のＣＯＴ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置１は、図４に示すように、樹脂テープ４
が、半導体ペレット２の対向する辺（本実施例２は半導
体ペレット２の４個の辺）の夫々の外周又はその近傍で
あって、周辺領域に切欠部４３が構成される。つまり、
樹脂テープ４は平面形状が十字形状で構成され、この樹
脂テープ４の十字の方向（中心線）は樹脂封止体６の対
角線に実質的に一致する。
止型半導体装置１は、図４に示すように、樹脂テープ４
が、半導体ペレット２の対向する辺（本実施例２は半導
体ペレット２の４個の辺）の夫々の外周又はその近傍で
あって、周辺領域に切欠部４３が構成される。つまり、
樹脂テープ４は平面形状が十字形状で構成され、この樹
脂テープ４の十字の方向（中心線）は樹脂封止体６の対
角線に実質的に一致する。
【００４４】前記樹脂テープ４に切欠部４３を備える
と、結果的に、樹脂封止体６の対角線と一致する樹脂テ
ープ４の端部から樹脂封止体６の角部までの寸法Ｃ２
が、樹脂封止体６の中心線と一致する樹脂テープ４の端
部から樹脂封止体６の外周辺までの寸法Ｆ２に比べて小
さくなる（Ｃ２＜Ｆ２）。樹脂封止体６の対角線と一致
する半導体ペレット２の角部から樹脂テープ４の端部ま
での間の寸法Ｃ１は、樹脂封止体６の中心線と一致する
半導体ペレット２の辺から樹脂テープ４の端部までの間
の寸法Ｆ１に対して大きくなる（Ｃ１＞Ｆ１）。
と、結果的に、樹脂封止体６の対角線と一致する樹脂テ
ープ４の端部から樹脂封止体６の角部までの寸法Ｃ２
が、樹脂封止体６の中心線と一致する樹脂テープ４の端
部から樹脂封止体６の外周辺までの寸法Ｆ２に比べて小
さくなる（Ｃ２＜Ｆ２）。樹脂封止体６の対角線と一致
する半導体ペレット２の角部から樹脂テープ４の端部ま
での間の寸法Ｃ１は、樹脂封止体６の中心線と一致する
半導体ペレット２の辺から樹脂テープ４の端部までの間
の寸法Ｆ１に対して大きくなる（Ｃ１＞Ｆ１）。
【００４５】また、本実施例２のＣＯＴ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１は、図５に示すように、樹脂テ
ープ４が、半導体ペレット２の対向する角部の夫々の外
周又はその近傍であって、周辺領域に切欠部４４が構成
される。切欠部４４は、隣接する他の切欠部４４に接触
する程度に、約４５度の角度をもって切り落されてお
り、見方を変えれば、樹脂テープ４は平面形状がほぼ正
方形状で構成され、この樹脂テープ４の中心線は樹脂封
止体６の対角線に実質的に一致する。
樹脂封止型半導体装置１は、図５に示すように、樹脂テ
ープ４が、半導体ペレット２の対向する角部の夫々の外
周又はその近傍であって、周辺領域に切欠部４４が構成
される。切欠部４４は、隣接する他の切欠部４４に接触
する程度に、約４５度の角度をもって切り落されてお
り、見方を変えれば、樹脂テープ４は平面形状がほぼ正
方形状で構成され、この樹脂テープ４の中心線は樹脂封
止体６の対角線に実質的に一致する。
【００４６】前記樹脂テープ４に切欠部４４を備える
と、結果的に、樹脂封止体６の対角線と一致する半導体
ペレット２の角部から樹脂テープ４の端部までの間の寸
法Ｃ１は、樹脂封止体６の中心線と一致する半導体ペレ
ット２の辺から樹脂テープ４の端部までの間の寸法Ｆ１
に対して小さくなる（Ｃ１＜Ｆ１）。樹脂封止体６の対
角線と一致する樹脂テープ４の端部から樹脂封止体６の
角部までの寸法Ｃ２は、樹脂封止体６の中心線と一致す
る樹脂テープ４の端部から樹脂封止体６の外周辺までの
寸法Ｆ２に比べて大きくなる（Ｃ２＞Ｆ２）。
と、結果的に、樹脂封止体６の対角線と一致する半導体
ペレット２の角部から樹脂テープ４の端部までの間の寸
法Ｃ１は、樹脂封止体６の中心線と一致する半導体ペレ
ット２の辺から樹脂テープ４の端部までの間の寸法Ｆ１
に対して小さくなる（Ｃ１＜Ｆ１）。樹脂封止体６の対
角線と一致する樹脂テープ４の端部から樹脂封止体６の
角部までの寸法Ｃ２は、樹脂封止体６の中心線と一致す
る樹脂テープ４の端部から樹脂封止体６の外周辺までの
寸法Ｆ２に比べて大きくなる（Ｃ２＞Ｆ２）。
【００４７】また、本実施例２のＣＯＴ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１は、図６に示すように、樹脂テ
ープ４が、半導体ペレット２の対向する辺の夫々の外周
又はその近傍であって、周辺領域に切欠部４５が構成さ
れる。つまり、樹脂テープ４は平面形状が十字形状で構
成され、この樹脂テープ４の十字の方向（中心線）は樹
脂封止体６の対角線に実質的に一致する。
樹脂封止型半導体装置１は、図６に示すように、樹脂テ
ープ４が、半導体ペレット２の対向する辺の夫々の外周
又はその近傍であって、周辺領域に切欠部４５が構成さ
れる。つまり、樹脂テープ４は平面形状が十字形状で構
成され、この樹脂テープ４の十字の方向（中心線）は樹
脂封止体６の対角線に実質的に一致する。
【００４８】前記樹脂テープ４に切欠部４５を備える
と、結果的に、樹脂封止体６の対角線と一致する樹脂テ
ープ４の端部から樹脂封止体６の角部までの寸法Ｃ２
が、樹脂封止体６の中心線と一致する樹脂テープ４の端
部から樹脂封止体６の外周辺までの寸法Ｆ２に比べて小
さくなる（Ｃ２＜Ｆ２）。樹脂封止体６の対角線と一致
する半導体ペレット２の角部から樹脂テープ４の端部ま
での間の寸法Ｃ１は、樹脂封止体６の中心線と一致する
半導体ペレット２の辺から樹脂テープ４の端部までの間
の寸法Ｆ１に対して大きくなる（Ｃ１＞Ｆ１）。
と、結果的に、樹脂封止体６の対角線と一致する樹脂テ
ープ４の端部から樹脂封止体６の角部までの寸法Ｃ２
が、樹脂封止体６の中心線と一致する樹脂テープ４の端
部から樹脂封止体６の外周辺までの寸法Ｆ２に比べて小
さくなる（Ｃ２＜Ｆ２）。樹脂封止体６の対角線と一致
する半導体ペレット２の角部から樹脂テープ４の端部ま
での間の寸法Ｃ１は、樹脂封止体６の中心線と一致する
半導体ペレット２の辺から樹脂テープ４の端部までの間
の寸法Ｆ１に対して大きくなる（Ｃ１＞Ｆ１）。
【００４９】このように、本実施例２のＣＯＴ構造を採
用する樹脂封止型半導体装置１によれば、前記実施例１
と同様の効果が得られる。
用する樹脂封止型半導体装置１によれば、前記実施例１
と同様の効果が得られる。
【００５０】（実 施 例 ３）本実施例３は、前述のＣ
ＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、樹
脂テープの一表面、裏面の夫々に夫々半導体ペレットを
実装した、本発明の第３実施例である。
ＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、樹
脂テープの一表面、裏面の夫々に夫々半導体ペレットを
実装した、本発明の第３実施例である。
【００５１】本発明の実施例３であるＣＯＴ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の構成を図７（断面図）で示
す。
する樹脂封止型半導体装置の構成を図７（断面図）で示
す。
【００５２】本実施例３のＣＯＴ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置１は、図７に示すように、樹脂テープ４
の一表面（図７中、上側表面）に半導体ペレット２が接
着されるとともに、裏面（図７中、下側表面）に半導体
ペレット７が接着される。樹脂テープ４の樹脂テープ本
体４１の裏面には一表面と同様に熱可塑性樹脂で形成さ
れた接着層４６が構成され、樹脂テープ本体４１の裏面
にこの接着層４６を介在して半導体ペレット７が接着さ
れる。半導体ペレット７の外部端子７０は内部リード３
０にワイヤ５を通して電気的に接続される。この半導体
ペレット７は樹脂封止体６で封止される。
止型半導体装置１は、図７に示すように、樹脂テープ４
の一表面（図７中、上側表面）に半導体ペレット２が接
着されるとともに、裏面（図７中、下側表面）に半導体
ペレット７が接着される。樹脂テープ４の樹脂テープ本
体４１の裏面には一表面と同様に熱可塑性樹脂で形成さ
れた接着層４６が構成され、樹脂テープ本体４１の裏面
にこの接着層４６を介在して半導体ペレット７が接着さ
れる。半導体ペレット７の外部端子７０は内部リード３
０にワイヤ５を通して電気的に接続される。この半導体
ペレット７は樹脂封止体６で封止される。
【００５３】このように構成されるＣＯＴ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１によれば、前記実施例１の効
果の他に、樹脂テープの表面、裏面の夫々に複数個の半
導体ペレット２及び７を配置するので、半導体ペレット
の実装率を向上できる。
る樹脂封止型半導体装置１によれば、前記実施例１の効
果の他に、樹脂テープの表面、裏面の夫々に複数個の半
導体ペレット２及び７を配置するので、半導体ペレット
の実装率を向上できる。
【００５４】（実 施 例 ４）本実施例４は、前述のＣ
ＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、樹
脂テープの裏面に放熱板（又は電源板）を構成した、本
発明の第４実施例である。
ＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、樹
脂テープの裏面に放熱板（又は電源板）を構成した、本
発明の第４実施例である。
【００５５】本発明の実施例４であるＣＯＴ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の構成を図７（断面図）で示
す。
する樹脂封止型半導体装置の構成を図７（断面図）で示
す。
【００５６】本実施例４のＣＯＴ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置１は、図８に示すように、樹脂封止体６
の内部において、樹脂テープ４の裏面に放熱板（ヒート
スプレッダ）８が構成される。放熱板８は例えばリード
３と同一材料又はＣｕ等の熱伝導性が高い材料で構成さ
れる。この放熱板８は、半導体ペレット２に搭載された
回路システムの回路動作で発生する熱が、樹脂封止体６
を通して外部に放出される際の熱伝達経路の熱抵抗を下
げる作用がある。
止型半導体装置１は、図８に示すように、樹脂封止体６
の内部において、樹脂テープ４の裏面に放熱板（ヒート
スプレッダ）８が構成される。放熱板８は例えばリード
３と同一材料又はＣｕ等の熱伝導性が高い材料で構成さ
れる。この放熱板８は、半導体ペレット２に搭載された
回路システムの回路動作で発生する熱が、樹脂封止体６
を通して外部に放出される際の熱伝達経路の熱抵抗を下
げる作用がある。
【００５７】また、前記放熱板８は、半導体ペレット２
の回路システムの電源（電源電圧、接地電源の少なくと
も一方）に短絡され、電源プレーンとして構成してもよ
い。
の回路システムの電源（電源電圧、接地電源の少なくと
も一方）に短絡され、電源プレーンとして構成してもよ
い。
【００５８】このように構成されるＣＯＴ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１によれば、前記実施例１の効
果の他に、特に、放熱板（又は電源プレーン）８で樹脂
テープの収縮を抑制できるので、リード３の反りの発生
を低減できる。
る樹脂封止型半導体装置１によれば、前記実施例１の効
果の他に、特に、放熱板（又は電源プレーン）８で樹脂
テープの収縮を抑制できるので、リード３の反りの発生
を低減できる。
【００５９】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００６０】例えば、本発明は、前述のＣＯＴ構造を採
用する樹脂封止型半導体装置において、樹脂テープの平
面形状を円形状や楕円形状に構成してもよい。
用する樹脂封止型半導体装置において、樹脂テープの平
面形状を円形状や楕円形状に構成してもよい。
【００６１】また、本発明は、２方向リード配列構造を
もつＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置に適用
してもよい。
もつＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装置に適用
してもよい。
【００６２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００６３】ＣＯＴ構造を採用する樹脂封止型半導体装
置において、樹脂テープの収縮に起因するリードの反り
を防止できる。
置において、樹脂テープの収縮に起因するリードの反り
を防止できる。
【図１】 本発明の実施例１である樹脂封止型半導体装
置の断面図。
置の断面図。
【図２】 前記樹脂封止型半導体装置の平面図。
【図３】 （Ａ）はリードボンディング工程での断面
図、（Ｂ）はペレットボンディング工程での断面図、
（Ｃ）はワイヤボンディング工程での断面図。
図、（Ｂ）はペレットボンディング工程での断面図、
（Ｃ）はワイヤボンディング工程での断面図。
【図４】 本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装
置の平面図。
置の平面図。
【図５】 他の樹脂封止型半導体装置の平面図。
【図６】 他の樹脂封止型半導体装置の平面図。
【図７】 本発明の実施例３である樹脂封止型半導体装
置の断面図。
置の断面図。
【図８】 本発明の実施例４である樹脂封止型半導体装
置の断面図。
置の断面図。
１…樹脂封止型半導体装置、２，７…半導体ペレット、
２０，７０…外部端子、３…リード、３０…内部リー
ド、３１…外部リード、４…樹脂テープ、４１…樹脂テ
ープ本体、４０，４６…接着層、４２〜４５…切欠部、
５…ワイヤ、６…樹脂封止体、８…放熱板。
２０，７０…外部端子、３…リード、３０…内部リー
ド、３１…外部リード、４…樹脂テープ、４１…樹脂テ
ープ本体、４０，４６…接着層、４２〜４５…切欠部、
５…ワイヤ、６…樹脂封止体、８…放熱板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一谷 昌弘 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所 武蔵工場内 (56)参考文献 実開 平３−95638（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 21/60 311 H01L 23/12 H01L 23/50
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂テープにより半導体ペレット及び前
記半導体ペレットと電気的に接続される内部リードを支
持し、前記樹脂テープ、前記半導体ペレット及び内部リ
ードを樹脂封止体によって封止した半導体装置であっ
て、前記樹脂封止体の平面形状が略正方形であり、前記
樹脂テープは前記樹脂封止体の直交する２本の中心線の
各々に対して対称の形状を有し、前記樹脂テープには樹
脂封止体の各角部或いは各辺に対向させて切欠部が設け
られていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 樹脂テープにより半導体ペレット及び前
記半導体ペレットと電気的に接続される内部リードを支
持し、前記樹脂テープ、前記半導体ペレット及び内部リ
ードを樹脂封止体によって封止した半導体装置であっ
て、前記樹脂封止体の平面形状が略正方形であり、前記
樹脂テープは前記樹脂封止体の直交する２本の中心線の
各々に対して対称の方形状を有し、前記樹脂テープの辺
部が封止体の各角部と対向し、樹脂テープの角部が封止
体の各辺に対して対向していることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項３】 前記半導体ペレットは略正方形であり、
前記半導体ペレットの対角線と前記樹脂封止体の対角線
は略一致しており、前記対角線に沿った半導体ペレット
角部から前記樹脂テープ端部までの距離は、前記対角線
に沿った樹脂テープ端部から樹脂封止体角部までの距離
よりも短いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5764692A JP3004798B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5764692A JP3004798B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259204A JPH05259204A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3004798B2 true JP3004798B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=13061665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5764692A Expired - Fee Related JP3004798B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3004798B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5764692A patent/JP3004798B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05259204A (ja) | 1993-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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