JPH05279878A - プラズマエッチング処理装置 - Google Patents

プラズマエッチング処理装置

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JPH05279878A
JPH05279878A JP7647192A JP7647192A JPH05279878A JP H05279878 A JPH05279878 A JP H05279878A JP 7647192 A JP7647192 A JP 7647192A JP 7647192 A JP7647192 A JP 7647192A JP H05279878 A JPH05279878 A JP H05279878A
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spare
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JP7647192A
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Hiroshi Hayata
博 早田
Takamoto Makino
隆元 牧野
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 遮光窓の交換が自由なプラズマエッチング処
理装置を提供する。 【構成】 プラズマエッチング処理を行う処理部8aを
有する真空処理室8と、前記処理部8aでの発光スペク
トルを測光窓5aを通して光学的にモニタリングする検
出器7とを備え、前記モニタリングの結果に基づきプラ
ズマエッチング処理の終点を検出する装置において、予
備の測光窓5aを多数備え、これら予備の測光窓5aが
使用ずみの測光窓5aと順次交換できるようになってい
ることを特徴とするプラズマエッチング処理装置であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】プラズマエッチングにおけるエッ
チング終了点を検出する手段を備えたプラズマエッチン
グ処理装置において、特に繰り返しエッチングを行うこ
とが可能なプラズマエッチング処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、プラズマエッチング処理装置での
処理の終点は、図5に示すように、プラズマ光の発光ス
ペクトルを真空処理室3外に取り付けられた検出器1で
測光窓2を介してモニタリングすることにより検出する
ようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、測光窓2は真
空処理室3内に露出しており、その中の雰囲気にさらさ
れているため、繰り返し処理を行うと、この測光窓2に
反応生成物が付着し、必要とする発光スペクトルの透過
率が変化することにより、正確なモニタリングを行うこ
とができないという問題があった。
【0004】この問題は、従来、上記透過率の変化をハ
ードウェアやソフトウェアで補正することによって解決
しようとしてきたが、この方法では、そのハードウェア
やソフトウェアからノイズが乗り、やはり正確なモニタ
リングが行えない。
【0005】そこで、本発明は、測光窓に反応物が付着
すれば新しい測光窓と交換すれば良いので、このような
交換が容易に行えるようにしたプラズマエッチング処理
装置を提供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】予備の測光窓を多数備
え、これら予備の測光窓を使用ずみの測光窓と順次交換
できるようにして、処理毎等適宜の時期に測光窓を交換
するようにする。
【0007】
【作用】このようにすると、繰り返し処理を行っても、
測光窓に反応生成物が付着したときに、この使用ずみの
測光窓を予備の新しい測光窓と交換すれば、信号の変化
が生じない。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【0009】(実施例1)図1は本発明にかかる実施例
1を示す。図1にみるように、このプラズマエッチング
処理装置は、真空処理室8内が遮蔽板4によって、その
内部が二つに仕切られ、その一方側が対向する電極9、
9を有してプラズマエッチング処理を行う処理部8aと
なり、他方側が検出器7を有して測定部8bとなってい
る。遮蔽板4と検出器7の間には遮蔽板4と平行を保っ
た状態で回転可能な回転板5が設けられ、この回転板5
はモータ6の働きで回転するようになっている。回転板
5は図2の右に示すように、その回転中心Oを中心とす
る円周上に、ガラス窓からなる予備の測光窓5aを多数
持っている。他方、図2の左に示すように、遮蔽板4
は、その外周部に1つの貫通孔4aを持っている。そし
て、検出器7は、この測光用の貫通孔4aに向かい合っ
ている。回転板5の回転中心5aは遮蔽板4の貫通孔4
aから離れた位置にあり、回転板5の多数の予備測光窓
5a…は、遮蔽板4の貫通孔4aに対応する位置にあっ
て、回転板5の回転により順次貫通孔4の位置にくる。
このようにして、検出器7と回転板5の測光窓5aと遮
蔽板4の貫通孔4aの光軸は一致している。回転板5と
遮蔽板4の間隔は十分狭くとってあるので、処理中に反
応生成物が検出器7の光軸上にない予備の測光窓5aに
付着することはない。処理毎にモータ6により回転板5
を回転させて検出器7の光軸上の使用ずみの測光窓5a
を順次交換していくので、常に処理室8内の状態を正確
にモニタリングでき、安定して終点検出ができる。
【0010】(実施例2)図3は本発明の実施例2を示
す。
【0011】図にみるように、この実施例では、真空処
理室12は平面楕円形となっており、その内部は環状の
遮蔽板10で仕切られて内周側が処理部12a、外周側
が測定部12bとなっている。測定部12bに設けられ
た検出器13は遮蔽板10に形成された測光用の貫通孔
10aに向かい合っている。遮蔽板10と検出器13の
間には、環状の遮蔽板10の中心を回転中心として回転
可能な環状体11が設けられており、この環状体11は
モータ14で回転されるようになっている。環状体11
の貫通孔10aに対応する位置には、その周方向にガラ
ス窓からなる予備の測光窓11aが多数設けられてお
り、これら予備の測光窓11a…は環状体11の回転に
より順次貫通孔10aに臨むようになっている。この実
施例でも、測光窓11aと遮蔽板10の間隔は十分狭く
とってあるので、処理中に反応生成物が検出器13の光
軸上にない予備の測光窓11a……に付着することはな
い。処理毎にモーター14により環状体11を回転させ
て検出器13の光軸上の測光窓11aを交換していくの
で、常に処理室12内の状態を正確にモニタリングでき
安定した終点検出ができる。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、使用ず
みの測光窓を予備の測光窓と交換することにより、繰り
返し処理を行っても測光窓に反応生成物が付着すること
による信号の変化がなく、処理毎に正確なモニタリング
が可能で安定した終点検出を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1を示す縦断面図
【図2】実施例1における遮蔽板と回転板の正面図
【図3】本発明の実施例2を上からみた横断面図
【図4】実施例2における環状体と遮蔽板の斜視図
【図5】従来の終点検出方法を示す縦断面図
【符号の説明】
5 回転板 6 モータ 7 検出器

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラズマエッチング処理を行う処理部を
    有する真空処理室と、前記処理部での発光スペクトルを
    測光窓を通して光学的にモニタリングする検出器とを備
    え、前記モニタリングの結果に基づきプラズマエッチン
    グ処理の終点を検出する装置において、予備の測光窓を
    多数備え、これら予備の測光窓が使用ずみの測光窓と順
    次交換できるようになっていることを特徴とするプラズ
    マエッチング処理装置。
  2. 【請求項2】 真空処理室内には、その内部を、一方側
    が処理部となり他方側が測定部となるよう仕切る遮蔽板
    が設けられていて、この遮蔽板には測光用の貫通孔が形
    成されており、前記測光部には、前記貫通孔と向かい合
    うようにして検出器が設けられているとともに、前記遮
    蔽板と検出器の間に、前記貫通孔から離れた位置に回転
    中心を有して前記遮蔽板とは平行を保った状態で回転可
    能となっている回転板が設けられており、この回転板に
    は、その回転中心を中心とする円周上の前記貫通孔に対
    応する位置に予備の測光窓が多数設けられていて、この
    回転板の回転により、これら予備の測光窓が使用ずみの
    測光窓と順次交換できるようになっている請求項1記載
    のプラズマエッチング処理装置。
  3. 【請求項3】 真空処理室内には、その内部を、内周側
    が処理部となり外周側が測定部となるよう仕切る環状の
    遮蔽板が設けられていて、この遮蔽板には測光用の貫通
    孔が形成されており、前記測光部には、前記貫通孔と向
    かい合うようにして検出器が設けられているとともに、
    前記遮蔽板と検出器の間に、前記遮蔽板の中心を回転中
    心として回転可能となっている環状体が設けられてお
    り、この環状体には、その周方向の前記貫通孔に対応す
    る位置に予備の測光窓が多数設けられていて、この環状
    体の回転により、これら予備の測光窓が使用ずみの測光
    窓と順次交換できるようになっている請求項1記載のプ
    ラズマエッチング処理装置。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100292053B1 (ko) * 1998-03-30 2001-11-30 김영환 반도체제조용식각장치의엔드포인트윈도우
US6784445B2 (en) 1999-06-28 2004-08-31 Raunhofer-Gesellschaft Zur Foederung Der Angewandten Forschung E.V. Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method
US20180166301A1 (en) * 2016-12-13 2018-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor manufacturing system

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