KR950010198B1 - 레이저빔을사용한웨이퍼의시브이디(cvd)및식각방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래 시브이디(CVD) 및 에치 공정에 설명하기 위한 도면.
제2도는 종래 레이저빔을 사용하여 시브이디(CVD) 및 에치 공정을 수행하는 장치의 구성도.
제3도는 본 발명의 레이저빔을 사용하여 시브이디(CVD) 및 에치공정을 수행하는 장치의 구성도.
제4도는 본 발명의 마스크를 이용한 시브이디(CVD)를 설명하기 위한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 익사이머 레이저 쳄버 11 : 웨이퍼
12 : 홀더 13 : 축
14 : 윈도우 15 : 레이저빔
16 : 마스크
본 발명은 레이저빔(Beam)을 사용한 웨이퍼의 시브이디(CVD : 화학기상증착) 및 식각 방법에 관한 것으로 특히 모든 공정에 레이저빔을 사용하지 않고 플라즈마 공정을 먼저 실시한 후 나머지 공정에서 레이저빔을 사용하므로 웨이퍼 전 부분에서 양호한 시브이디(CVD) 및 식각 특성을 얻을 수 있게 한 것이다.
종래 웨이퍼의 시브이디(CVD) 및 식각 공정에서 레이저빔을 사용하는 공정은 제1a도에 도시된 바와같이 기판(1)을 고정시킨 상태에서 레이저를 기판 표면에 인접시켜 레이저빔(3)을 평행하게 조사하거나 제1b도와 같이 레이저빔을 기판(1)에서 수직하게 조사하여 포토더멀(Photothermal) 효과가 추가된 시브이디(CVD) 및 식각공정을 진행시켰다.
이를 더욱 상세하게 설명하면 제2도와 같이 익사이머 레이저(Excimer Caser) (4)로부터 나오는 빔을 렌즈(5)를 통해 접속시킨 후 쳄버(6)에 레이저 에너지가 전달되게 하므로 화학적 반응이 일어나게 하였으며 이때 가스의 종류와 압력 및 온도에 따라 시브이디(CVD) 및 식각 공정이 진행되었다.
그러나 상기와 같은 종래 기술에 있어서는 쳄버(6) 내부에 웨이퍼 홀더(7)가 고정된 상태에서 처음부터 레이저빔을 사용하므로 사용자가 원하는 위치에서 효과적으로 익사이머 레이저를 이용하지 못했으며, 이에 따라 웨이퍼(8)의 중심부분과 주변부분이 골고루 시브이디(CVD)되지 못하거나 식각되지 못하여 웨이퍼의 시브이디(CVD) 및 식각이 불균일하게 이루어지는 결점이 있다.
본 발명은 이와같은 종래의 결점을 해결하기 위한 것으로 레이저빔을 부분적으로 사용하고 웨이퍼를 회전시키면서 상하 혹은 좌우로 이동시켜 식각하므로 웨이퍼를 균일하게 식각할 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 시브이디(CVD) 및 식각 공정의 90%는 기존 플라즈마 공정에 의해 진행하고 쳄버를 별도로 구성하여 나머지 10%는 익사이머 레이저광을 이용할 수 있도록 함을 특징으로 한다.
이하에서 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 발명의 식각 방법을 실시하기 위한 익사이머 레이저 쳄버(10)내의 장치를 나타낸 것으로 웨이퍼(11)가 놓여지는 홀더(12) 밑부분에 웨이퍼 축(13)이 상하 좌우로 이동가능하게 구성되어 있으며 윈도우(14)를 통하여 레이저빔(15)이 수평으로 조사되게 이루어져 있다.
이와같은 장치를 이용하여 웨이퍼를 시브이디(CVD) 및 식각하는 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명에서는 웨이퍼의 식각 공정을 전부 레이저광을 이용하여 실시하지 않고 시브이디(CVD) 및 식각 공정의 90%는 기존 플라즈마 공정에 의해 기존 플라즈마 쳄버에서 진행한다.
이어서 웨이퍼(11)를 쳄버(10) 내부로 이동시켜 나머지 10%의 공정을 익사이머 레이저빔을 이용하여 진행한다.
즉, 이 10%의 레이저빔을 이용한 시브이디(CVD) 및 식각 공정에서는 기존 90%의 공정에서 취약했던 부분을 레이저빔을 많이 조사시키므로 더욱 많은 화학 반응이 일어나게 하고 또한 취약하지 않은 부분은 레이저빔을 조금 조사시키므로 결국 웨이퍼(11)의 전부분이 균일한 시브이디(CVD) 및 식각 특성을 얻게 한다.
이는 통상의 ECR(Electron Cyclotron Resnonace) 식각 공정에서 웨이퍼(11)의 중앙부분과 주변부분의 식각율을 비교할 때 중앙부분이 주변부분보다 빠른편이기 때문에 웨이퍼 중앙과 주변부분의 균일성은 10%내외로 매우 불균일하게 되는데 이러한 현상은 웨이퍼(11)의 직경이 클수록 더욱 심해진다.
그러나, 상술한 바와같은 레이저 공정을 추가하여 주변부분에 식각 반응을 많이 시키면 중앙과 주변사이의 균일성이 1% 내외까지 줄어들 수 있다.
또한, 상기 쳄버(10)내에서의 레이저빔을 이용한 식각 공정은 레이저빔을 윈도우(14)를 통하여 웨이퍼(11) 쪽으로 수평하게 조사시킨 상태에서 각 축(X,Y,Z)으로의 이동을 가능하게 하는 컴퓨터 제어에 의해 조정되는 모터에 의해 웨이퍼가 이동될 수 있어 취약한 부분의 식각이 이루어진다.
한편, 시브이디(CVD) 공정에서 중앙과 주변사이의 균일성은 5% 이내에서 양호한 편이나 중앙에 어떤 웨이퍼는 주변에 증착되는 것이 빠른 경우가 있다.
만일, 주변의 증착 속도가 느릴 경우에는 웨이퍼측(13)과 회전속도를 조정하여 주변에서의 증착속도를 보상해 줄 수 있으나 중앙의 증착속도가 느릴 경우에는 제4도와 같이 웨이퍼(11)와 레이저빔(15) 사이에 마스크(16)를 준비하여 중앙에서의 증착속도를 보상해 줄 수 있다.
이상에서 설명한 바와같은 본 발명은 기존의 플라즈마 장비에 레이저 공정을 추가하여 기존 공정의 고속으로 큰 면적을 최대한 이용함과 아울러 국부적인 위치의 공정을 병합하여 고 신뢰성의 시브이디(CVD) 및 식각 특성을 얻을 수 있는 효과가 있다.
Claims (2)
- 플라즈마 쳄버와 익사이머 레이저 쳄버를 각각 구비하여 상기 플라즈마 쳄버에서 플라즈마 공정에 의해 웨이퍼의 시브이디(CVD) 및 식각 공정을 진행한 후 상기 익사이머 레이저 쳄버에서 윈도우(14)를 통하여 레이저빔을 수평으로 조사하고 있는 상태에서 웨이퍼 축(13)을 각 축(X,Y,Z)으로 이동시켜 웨이퍼(11)의 취약부분을 식각함을 특징으로 하는 레이저빔을 사용한 웨이퍼의 시브이디(CVD) 및 식각 방법.
- 제1항에 있어서, 웨이퍼 중앙의 시브이디(CVD) 속도가 느릴때 중앙부분을 제외한 부분에 마스크를 형성하여 중앙에서의 증착 속도를 보상해주게 함을 특징으로 하는 레이저빔을 사용한 웨이퍼의 시브이디(CVD) 및 식각 방법.
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| KR1019920015303A KR950010198B1 (ko) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 레이저빔을사용한웨이퍼의시브이디(cvd)및식각방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100324499B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2002-02-16 | 김종일 | 레이저 애블레이션법, 고전압 방전 플라즈마 ｃｖｄ법과 두 방법의 혼합방식에 의한 박막 형성방법 |
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1992
- 1992-08-25 KR KR1019920015303A patent/KR950010198B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR940004713A (ko) | 1994-03-15 |
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