JPH05279034A - 磁気浮上力の大きい酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents

磁気浮上力の大きい酸化物超電導体の製造方法

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JPH05279034A
JPH05279034A JP4101954A JP10195492A JPH05279034A JP H05279034 A JPH05279034 A JP H05279034A JP 4101954 A JP4101954 A JP 4101954A JP 10195492 A JP10195492 A JP 10195492A JP H05279034 A JPH05279034 A JP H05279034A
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市 浩 高
Naoki Koshizuka
塚 直 己 腰
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な手法で超電導結晶を大型化して、その
磁気浮上力を向上させ得る、磁気浮上力の大きい酸化物
超電導体の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 REBaCuO系酸化物超電導体(REは
Y、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Ybからな
る群から選ばれた希土類元素)の製造方法において出発
物質として原料混合体を用い、これを加熱して部分溶融
した後、冷却、凝固し、これを粉砕し、得られた粉砕粉
を混合し、成型し得られた成型体の表面に造核粒子を置
くか、または埋め込みこれを加熱して部分溶融し、つい
でほぼ超電導相が生成しはじめる温度まで冷却した後徐
冷して、そこから超電導相を優先的に生成、成長させる
ことを特徴とする、磁気浮上力の大きい酸化物超電導体
の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なREBaCuO系
酸化物超電導体の製造方法、特に磁気浮上によるフライ
ホール、磁気軸受、搬送装置等への利用を目的とした、
磁気浮上力の大きい酸化物超電導体の製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来技術と発明が解決しようとする課題】近年、磁気
浮上によるフライホール等への利用を目的とし、REB
aCuO系酸化物超電導体が用いられ始めている。この
超電導体は例えばMPMG(MeltPowder Melt Growth)
法(H.FujimotoらProc.of ISS'89 Springer-Verlag 199
0P285)で製造されている。
【0003】この方法で製造する一例を以下に示す。ま
ず原料粉、例えばY、BaCO、CuOを所定
の割合に混合する。これを仮焼・粉砕してもよい。さら
にこの粉体をRE相と液相が共存する温度、例え
ば1400℃に加熱し、部分溶融(M)させる。さら
に、冷却することにより凝固させる。その後粉砕(P)
・混合し成型する。成型体をREBaCuO相(以
下単に211相という)と液相が共存する温度、例えば
1100℃まで加熱し、部分溶融(M)させる。その
後、超電導相であるREBaCu相(以下単に
123相という)が生成する温度まで冷却し、その温度
より例えば1℃/hで徐冷することにより123相を生
成・成長(G)させることにより超電導体を製造する。
【0004】この方法を用いて製造された超電導体は高
い臨界電流密度を示す。しかし、この超電導体の磁気浮
上力を向上させるには、臨界電流密度を向上させるのみ
ならず、超電導結晶をも大きくする必要がある(M.Mura
kamiらJapanese Journal ofApplied Physics Vol.29 N
o.11 1990 L1991)。超電導結晶を大きくするためには結
晶生成・成長に対する制御を行う必要があるが、従来は
その制御ができなかったので、超電導結晶が大きく、磁
気浮上力の大きい超電導体を製造するには難点があっ
た。
【0005】前記超電導体の他の製造方法として、QM
G(Quench and Melt Growth)法(M.MurakamiらJapane
se Journal of Applied Physics Vol.28 No.7 1989 P11
89)がある。この方法で製造する一例を以下に示す。ま
ず原料粉、例えばY、BaCO、CuOを所定
の割合に混合した後、RE相と液相が共存する温
度、例えば1400℃に加熱し、混合粉を部分溶融さ
せ、クエンチ(Q)すなわち急冷することにより凝固さ
せる。この急冷凝固体の組織は、凝固した液相中にRE
相が分散している。この急冷凝固体を211相と
液相が共存する温度、例えば1100℃まで加熱し、部
分溶融(M)させる。その後、123相が生成する温度
まで冷却し、その温度より例えば1℃/hで徐冷するこ
とにより123相を生成・成長(G)させることにより
超電導体を製造する。この方法はいわば前記MPMG法
において、凝固体の粉砕・混合および成型工程がない方
法といえる。この方法を用いて製造された超電導体も局
所的には高い臨界電流密度を示す。
【0006】しかし、前記急冷凝固体の厚さは一回の単
純なクエンチでは高々5mm程度であり、QMG法で製造
した超電導体は厚いものができなかった。その欠点を解
消するために重ねクエンチ法が開発された(M.Moritaら
Proc.of ISS'90 Springer-Verlag 1991 P733)。この方
法では一応厚い超電導体を製造することが可能であるが
以下に示す問題点が残されている。 急冷凝固体を任意の形状に成型するには、機械加工
が必要である。しかし、急冷凝固体は非常に脆く機械加
工が困難であることにより、任意の形状に成型するのが
困難となる。 重ねクエンチ法では、既にクエンチされた凝固体は
後にクエンチされる部分溶融体より熱履歴を受けること
が避けられない。 重ねクエンチで厚い凝固体を作製するには、何回も
クエンチする必要があり、労力がかかる。 クエンチした凝固体中に分散しているRE
のサイズは比較的大きく、このままでは望ましい超電導
組織を得にくい(藤本ら低温工学Vol.25 No.2 1990 P7
7)。
【0007】また、MPMG法では凝固体を粉砕・混合
後に成型するので、以下に示すメリットがあり、MPM
G法は非常に優れた方法であると考えられる。 任意の形状に成型できる。 凝固粉砕粉の混合工程で有用な添加物、例えば酸化
銀を添加することが可能である。 凝固体を粉砕・混合することにより凝固体に分散し
ているRE相も粉砕・混合され、微細・均一なR
相が得られる(藤本ら低温工学Vol.25No.2 199
0 P77)。
【0008】最近、超電導結晶を大きくする一手法とし
て、QMG法において、種としての、QMG法で製造
し、へき開したSmBaCuの単結晶体をYb
1-x BaCuの組成でYb−Yの組成勾配
をつけた成型体に1030℃前後(QMG法のMG部に
おいて、部分溶融した後、超電導相を生成・成長させる
ための徐冷を開始するまでの冷却中)で、置くことによ
り結晶の大型化に成功した例(M.MoritaらProc.of ISS'
90 Springer-Verlag 1991 P733)がある。またこの方法
に関する特許も公開されている(国際公開番号WO91
/19029)。しかしこれらの手法を用いると組成勾
配のついた前記成型体の製造およびに前記種の製造や置
く作業に労力がかかり、大量生産には向かない。
【0009】一方、MPMG法において、前記凝固粉砕
粉に銀あるいは酸化銀を添加すると、製造した超電導体
内のクラックが減少し、磁気浮上力が向上したという報
告がある(M.MurakamiらJapanese Journal of Applied
Physics Vol.29 No.11 1990L1991)。これらの添加剤を
添加する場合でも、添加しない場合同様、超電導結晶を
大きくし、磁気浮上力を向上させるための、結晶生成・
成長に対する制御を行う必要がある。
【0010】また、本発明法を用いずに製造した超電導
結晶が小さく磁気浮上力が低い超電導体に対して、再製
造を行うことにより結晶を大きくする必要があるにもか
かわらず、それを行う方法がなかった。
【0011】本発明はこのような難点を解決するため、
MPMG法において、簡単な手法で超電導結晶を大型化
し、その磁気浮上力を向上させ得る、磁気浮上力の大き
い酸化物超電導体の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】かくて本発明はREBa
CuO系酸化物超電導体(REはY、Sm、Eu、G
d、Dy、Ho、Er、Ybからなる群から選ばれた希
土類元素)の製造方法において出発物質として原料混合
体を用い、これを加熱して部分溶融した後、冷却するこ
とにより、凝固させ、これを粉砕し、得られた粉砕粉を
充分に混合し、成型し得られた成型体に造核粒子を置く
か、または埋め込みこれを加熱して部分溶融し、ついで
ほぼ超電導相が生成しはじめる温度まで冷却した後徐冷
して、そこから超電導相を優先的に生成、成長させるこ
とを特徴とする、磁気浮上力の大きい酸化物超電導体の
製造方法を提供するものである。
【0013】本発明は基本的には、出発物質として原料
混合粉あるいは原料仮焼粉砕粉を用い、これを部分溶融
した後、冷却することにより凝固させ、それを粉砕・混
合し、さらに成型する。この成型体を部分溶融させ、超
電導相である123相が生成する温度まで冷却し、その
温度より徐冷することにより123相を生成・成長させ
る製造方法、すなわち前記MPMG法において、成型体
表面に成型後より123相結晶成長のための徐冷開始直
前までに造核粒子として粉体あるいは単結晶体を置くか
または埋め込み、そこから超電導相を優先的に生成・成
長させることを特徴とするREBaCuO系超電導体の
製造方法である。
【0014】本発明により、簡単な手法により超電導相
である123相の結晶を大きくすることが可能となり、
磁気浮上力を向上させることができた。また、本発明
は、前記銀あるいは酸化銀が添加された場合でも、前記
効果が認められた。
【0015】さらに、本発明は従来法で一旦製造された
が超電導結晶が小さく磁気浮上力が低い超電導体に対し
て、超電導体表面に造核粒子の粉体または単結晶体を置
くかまたは埋め込み、部分溶融させることにより前記2
11相と液相に分解させた後、そこから超電導相を優先
的に生成・成長させる再製造を行うことにより前記結晶
を大きくすることができた。
【0016】以下、本発明について詳しく説明する。
【0017】本発明に係る超電導体の製造方法の手順の
一例について以下に示す。これに、沿って本発明を詳し
く説明する。 (工程)まずREBaCuO系超電導体の部分溶融前
の出発物質を製造する。REとしてはY、Sm、Eu、
Gd、Dy、Ho、Er、Ybから少なくとも1種類が
選択される。原料粉として、例えばY、BaCO
、CuOを所定の割合に混合し、REBaCuOから
なる混合粉を作製する。ただし、BaCOはこの後部
分溶融させるときに、炭酸化物を酸化物に分解させるこ
とが可能なので、使用可能である。
【0018】また、この混合粉を仮焼し、粉砕したもの
を前記出発物質とすることも可能である。 (工程)前記出発物質を950〜1500℃の温度範
囲で1〜60分間保持してRE相と液相(Ba、
Cuの酸化物で構成されている)あるいは211相と液
相を生成させる、すなわち部分溶融させる。 (工程)前の工程で得られた部分溶融体を空冷、ある
いは空冷と同等以上の冷却速度で冷却し、凝固させる。 (工程)こうして得られた凝固体を粉砕することによ
り粒径が0.1〜50μmの範囲の粉砕粉にする。さら
に、工程での部分溶融時に、211相と液相の各成分
が均一に分散するように粉砕粉を充分に混合し、均一な
混合粉を作製する。この混合過程で有用な添加剤、例え
ば前記銀あるいは酸化銀等を添加することが可能であ
る。
【0019】さらに、この粉体を所望の形状に成型し、
成型体を作製する。 (工程)ここで、造核粒子としての粉体あるいは単結
晶体を前記成型体の所望の場所に置くかまたは埋め込
む。埋め込む場合には、成型体の任意の場所に埋め込む
ことが可能である。この操作は、工程の徐冷開始直前
までに行えば良いが、この操作をここで行えば、作業が
簡単であり、労力もかからない。
【0020】一方、前記粉体の量は高々10mg程度で、
単結晶体の場合は1mm角程度で十分な効果を示す。造核
粒子は、希土類元素を含む酸化物たとえばY、N
、Sm、Eu、La、Gd
、Dy、Ho、Er、Yb
、YBaCuO、SmBaCuO、Eu
BaCuO、GdBaCuO、DyBaCuO
、HoBaCuO、ErBaCuO、Yb
BaCuO、YBaCu、SmBaCu
、NdBaCu、EuBaCu
LaBaCu、GdBaCu、DyB
Cu、HoBaCu、ErBa
、YbBaCuを用いることができ、
この外CeO、ZrO、BaSnO、BaZrO
、MgO、SrTiOおよび白金族金属すなわちP
t、Pd、Rh、Ir、Os、Ruからなる群から少な
くとも1種類を用いることができる。前記造核粒子とし
て前記酸化物又は金属の粉体の外に前記の酸化物の単結
晶体を用いても同様の効果が得られる。 (工程)この成型体を前記211相が生成する950
〜1250℃の範囲に加熱し、部分溶融させその温度に
15〜90分間保持し、その温度から前記211相と前
記液相から前記123相が生成し始める温度より若干高
い温度、例えばREがYで空気中の場合1000℃より
若干高い温度まで10〜1000℃/hの冷却速度で冷
却する。さらに、この温度から850〜950℃まで
0.2〜20℃/hの冷却速度で徐冷する。前記温度よ
り徐冷する理由は、この温度が低いと、123相の発生
が任意の場所でおこる可能性が高くなるからである。前
記徐冷時に温度勾配下で徐冷する方が好ましい。その際
成型体の造核粒子を置くか埋め込んだ場所が最も温度が
低くなるようにその周囲に1℃/cm以上の温度勾配を設
けるとよい。
【0021】この工程において、従来は成型体を支持す
る基台からの超電導体への汚染を最小限にするために高
価な白金製の基台を用いていたが、前記基台は前記液相
との濡れ性が高く、液相が流出する量が多かった。液相
が流出すると組成ズレが生じ、超電導相が最後まで成長
することができなくなり、結局超電導結晶が小さくな
る。従って、超電導結晶を大きくするためには、液相の
流出を最小限にする必要がある。本発明者等はアルミナ
製、ムライト製、マグネシア製あるいは部分安定化ジル
コニア製の基台を使用すれば、白金製の基台よりも液相
との濡れ性が低く、液相流出が少ないことを見いだし
た。
【0022】さらに、前記基台からの汚染防止と、成型
部分溶融体と前記基台との接触面より超電導相が優先的
に生成しないように、基台と成型体との間にバッファを
配置することも可能である。バッファの材質としては基
本的には成型体の123相のREよりも211相と液相
から123相を生成する温度が高いRE組成を有する1
23相で前記目的を達成し得る。
【0023】しかし、123相のみでは、前記部分溶融
温度では柔らかく、容易に変形するため、あまり実用的
ではない。その粘性を向上させたバッファとして211
相を123相に微細に分散させたもの、あるいはその出
発物質が適していることを見いだした。その例として、
MPMG法で製造する211相を123相に微細に分散
させた超電導体、あるいはその出発物質となる、前記凝
固体等が挙げられる。 (工程)その後、850〜950℃から室温までは任
意の冷却速度で冷却することが可能である。
【0024】必要に応じて、製造した超電導体への酸素
を十分に付加させるために酸素富化雰囲気において65
0〜300℃の温度範囲で2〜500時間保持するか、
もしくは最高650℃、最低300℃の温度範囲を2〜
500時間かけて冷却する。その後は任意の冷却速度で
冷却することが可能である。
【0025】一方、一旦従来法で製造された超電導結晶
が小さく磁気浮上力が低い超電導体に対して、超電導体
表面に造核粒子として粉体または単結晶体を置くかまた
は埋め込み、前記工程からまでの手順で再製造する
と前記結晶を大きくすることができる。
【0026】このように本発明によれば造核粒子を用い
て、磁気浮上力の大きいREBaCuO系酸化物超電導
体を製造することができる。
【0027】以下に実施例をあげる。
【0028】
【実施例】
実施例1 Y、BaCO、CuO粉をY:Ba:Cuの比
が1.8:2.4:3.4になるように混合する。その
後1400℃で20分加熱し、冷却する。それを粉砕・
混合し、円盤状に成型する。成型体の上面中央に造核粒
子としてNd、Sm、Eu、La
、Gd、Y、SmBaCuO、E
BaCuO、SmBaCu、NdBa
Cu、EuBaCu、CeO、ZrO
、BaSnO、BaZrO、MgO、SrTiO
、Pt、Pd、Rh、Ir、Ruの粉をそれぞれ約1
0mg埋め込む。さらに、1100℃で30分加熱し、前
記211相と前記液相にした後、1010℃まで10分
で冷却する(123相の生成温度は大気中で約1000
℃)。その後、900℃まで1℃/hの割合で徐冷し、
その後炉冷する。さらに、1気圧の酸素気流中で600
℃で1h加熱後炉冷することにより超電導体ペレットを
製造した。このペレットサイズは直径約26mm、高さ約
6mmである。比較材として粉を置かない超電導体ペレッ
トも製造した。
【0029】表1に示すように、粉を埋め込まなかった
超電導体ペレットの上面からみた結晶サイズは0.6cm
2 であるのに対し、粉を埋め込んだ場合には結晶サイズ
は1.0cm2 以上に大きくなった。図1にZrOを埋
め込んだときの超電導結晶写真、図2に粉を埋め込まな
かった時の超電導結晶写真を示す。これらを比較するこ
とにより本発明によればサイズの大きな結晶が得られる
ことが明らかであろう。 実施例2 実施例1で用いた粉を埋め込んだ場合と埋め込まない場
合それぞれについて、超電導体ペレットを実施例1と同
様な方法で製造した。ペレットサイズは実施例1と同様
である。これらのペレットを、直径32mm、表面磁束密
度0.4T(テスラ)の永久磁石を用いて測定した磁気
浮上力は、表1に示すように、粉を埋め込まなかった場
合には、1.4Kgf であったが粉を埋め込んだ場合には
それぞれ1.7Kgf 以上に向上した。 実施例3 超電導体製造のための出発原料をYの代わりにR
を用いて、実施例1と同様な方法で超電導ペレ
ットを製造した。ただし、成型体の上面中央に造核粒子
としてPt粉を約10mg置いて製造した。表2にこれら
のペレットそれぞれについて、実施例2と同様な方法で
測定した磁気浮上力を示すように、すべてのRE系でP
t粉を置いた効果が認められた。 実施例4 Yb、BaO、CuO粉をYb:Ba:Cuの
比が1.8:2.4:3.4になるように混合する。そ
の後1400℃で20分加熱し、冷却する。それを粉砕
・混合し、円盤状に成型する。成型体の上面中央に造核
粒子としてYb、Er、YbBaCuO
、ErBaCuO、YbBaCu、Er
BaCuの粉をそれぞれ約10mg置く。さら
に、1060℃で30分加熱し、211相と液相にした
後、960℃まで10分で冷却する。その後、850℃
まで1℃/hの割合で徐冷し、その後炉冷する。さら
に、1気圧の酸素気流中で600℃で1h加熱後炉冷す
ることにより超電導体ペレットを製造した。このペレッ
トサイズは直径約26mm、高さ約6mmである。比較材と
して粉を置かない超電導体ペレットも製造した。
【0030】表3に示すように、粉を置かなかった超電
導体ペレットの実施例2と同様な方法で測定した磁気浮
上力は1.0Kgf であるのに対し、粉を置いた場合には
磁気浮上力がそれぞれ1.3Kgf 以上と高くなった。 実施例5 Y、BaCO、CuO粉をY:Ba:Cuの比
が1.8:2.4:3.4になるように混合する。その
後1400℃で20分加熱し、冷却する。それを粉砕・
混合し、円盤状に成型する。次に、成型体の側面で高さ
が中央の部分1か所に造核粒子としてNd粉を約
10mg埋め込む。さらに、1100℃で30分加熱し、
211相と液相にした後、1040℃まで10分で冷却
する。その後、粉を埋めた面が最も温度が低くなるよう
に2℃/cm、6℃/cmおよび10℃/cmそれぞれの温度
勾配下で850℃まで1℃/hの割合で徐冷し、その後
炉冷する。この時に、基台の材質としてアルミナを用
い、さらに直径30mm、高さ3mmのYbCuBaO
相を分散させたYbBaCu円盤状バルクを成
型体と基台とのバッファとして用いた。さらに、1気圧
の酸素気流中で600℃で1h加熱後炉冷することによ
り超電導体ペレットを製造した。このペレットサイズは
直径約36mm、高さ約12mmである。比較材として粉を
埋め込まなかった超電導体ペレットも製造した。
【0031】これらの超電導体ペレットの磁気浮上力を
実施例2と同様な方法で測定した。その結果、表4に示
すように、各温度勾配下の徐冷で超電導体を製造した場
合、Nd粉を埋め込んだ効果が認められた。 実施例6 Y、BaCuO、CuO粉をY:Ba:Cuの
比が1.8:2.4:3.4になるように混合する。そ
の後1400℃で20分加熱し、冷却する。それを粉砕
する。AgO粉を粉砕粉に対し1重量%、5重量%、
10重量%、15重量%、20重量%および25重量%
それぞれ添加し、十分に混合する。さらに、円盤状に成
型する。成型体の上面中央に造核粒子としてNd
粉をそれぞれ約10mg埋め込む。さらに、1100℃で
30分加熱し、211相と液相にした後、1010℃ま
で10分で冷却する。その後、900℃まで1℃/hの
割合で徐冷し、その後炉冷する。さらに、1気圧の酸素
気流中で600℃で1h加熱後炉冷することにより超電
導体ペレットを製造した。このペレットサイズは直径約
26mm、高さ約6mmである。比較材として粉を埋め込ま
ない超電導体ペレットも製造した。これらの超電導体ペ
レットを実施例2と同様な方法で磁気浮上力を測定し
た。
【0032】その結果、表5に示すようにそれぞれのA
O添加量で、Nd粉を埋め込んだ効果が認め
られた。 実施例7 YBaCu、YCuBaO粉をY:Ba:
Cuの比が1.8:2.4:3.4になるように混合す
る。その後1400℃で20分加熱し、冷却する。それ
を粉砕・混合し、円盤状に成型する。成型体の下面中央
に造核粒子としてSm、Nd粉をそれぞれ
約10mg埋め込む。さらに、1100℃で30分加熱
し、211相と液相にした後、1010℃まで10分で
冷却する。その後、下面が最も低くなるように1℃/cm
の温度勾配下で880℃まで1℃/hの割合で徐冷し、
その後炉冷する。この時に基台の材質としてアルミナを
用いた。さらに、1気圧の酸素気流中で600℃で1h
加熱後炉冷することにより超電導体ペレットを製造し
た。このペレットサイズは直径約36mm、高さ約12mm
である。比較材として粉を埋め込まない超電導体ペレッ
トも製造した。これらの超電導体ペレットを実施例2と
同様な方法で磁気浮上力を測定した。
【0033】その結果、表6に示すようにSm
よびNd粉を埋め込んだ効果がそれぞれ認められ
た。 実施例8 YCuBaO、BaCuO、CuO粉をY:B
a:Cuの比が1.8:2.4:3.4になるように混
合する。その後1400℃で20分加熱し、冷却する。
それを粉砕・混合し、円盤状に成型する。成型体の上面
中央に単結晶体として2mm角のSmBaCu
MgO、SrTiOを置く。さらに、1100℃で3
0分加熱し、211相と液相にした後、1010℃まで
10分で冷却する。その後、880℃まで1℃/hの割
合で徐冷し、その後炉冷する。さらに、1気圧の酸素気
流中で600℃で1h加熱後炉冷することにより超電導
体ペレットを製造した。比較材として単結晶体を置かな
い超電導体ペレットも製造した。ペレットサイズは直径
約26mm、高さ約6mmである。これらの超電導体ペレッ
トを実施例2と同様な方法で磁気浮上力を測定した。
【0034】その結果、表7に示すようにSmBa
、MgOおよびSrTiO単結晶体を置いた
効果がそれぞれ認められた。 実施例9 Y、BaCO、CuO粉をY:Ba:Cuの比
が1.8:2.4:3.4になるように混合する。その
後1400℃で20分加熱し、冷却する。それを粉砕・
混合し、円盤状に成型する。さらに、1100℃で30
分加熱し、211相と液相にした後、1000℃まで1
0分で冷却する。その後、900℃まで1℃/hの割合
で徐冷し、その後炉冷する。さらに、1気圧の酸素気流
中で600℃で1h加熱後炉冷することにより超電導体
ペレットを製造した。このペレットサイズは直径約36
mm、高さ約13mmである。このペレットを実施例2と同
様な方法で磁気浮上力を測定したところ、3.5Kgf し
か示さなかった。
【0035】このペレットの上面中央に造核粒子として
Smを約10mg置いて、再び1100℃で30分
加熱し、1010℃まで10分で冷却する。その後、9
00℃まで1℃/hの割合で徐冷し、その後炉冷する。
さらに、1気圧の酸素気流中で600℃で1h加熱後炉
冷することにより超電導体ペレットを再製造した。
【0036】このペレットを再び実施例2と同様な方法
で磁気浮上力測定したところ、4.5Kgf に向上した。
【0037】 表1 埋め込んだ物質と結晶サイズおよび磁気浮上力 埋め込んだ物質 結晶サイズ 磁気浮上力 (上面)(cm2 ) (kgf) なし 0.6 1.4 Sm 4.8 2.7 Nd 4.6 2.8 Eu 4.8 2.6 La 2.0 1.7 Gd 2.9 2.3 Y 1.5 1.7 SmBaCuO 3.5 2.4 EuBaCuO 2.8 2.0 SmBaCu 3.0 2.2 NdBaCu 2.4 3.2 EuBaCu 2.1 1.9 CeO 1.5 2.0 ZrO 4.8 2.9 BaSnO 1.1 1.8 BaZrO 1.2 1.7 MgO 1.5 1.8 SrTiO 1.4 1.9 Pt 3.0 2.6 Pd 4.4 2.0 Rh 2.6 2.9 Ir 1.3 1.7 Ru 2.9 2.0 Os 2.0 3.7
【0038】 表2 置換物質と磁気浮上力 Yと置換する物質 磁気浮上力(kgf) Sm 2.2 Eu 2.4 Gd 2.2 Dy 2.3 Ho 2.1 Er 2.5 Yb 2.1 表3 埋め込んだ物質と磁気浮上力 埋め込んだ物質 磁気浮上力(kgf) なし 1.0 Yb 1.5 Er 1.7 YbBaCuO 1.3 ErBaCuO 1.5 YbBaCu 1.4 ErBaCu 1.6
【0039】 表4 各温度勾配下での磁気浮上力 温度勾配 Nd粉を埋め込まな Nd粉を埋め込ん (℃/cm) いときの磁気浮上力(kgf) だときの磁気浮上力(kgf) 2 5.4 8.5 6 5.1 8.1 10 5.0 8.0 表5 各酸化銀添加量で製造したペレットの磁気浮上力 酸化銀添加量 Nd粉を埋め込ま Nd粉を埋め込 (重量%) ないときの磁気浮上力 んだときの磁気浮上力 1 1.2 2.4 5 1.5 2.6 10 1.4 2.6 15 1.1 2.0 20 1.3 1.7 25 1.1 1.5 表6 埋め込んだ物質と磁気浮上力 埋め込んだ物質 磁気浮上力(kgf) なし 5.5 Sm 8.5 Nd 8.1
【0040】 表7 置いた物質 磁気浮上力(Kgf) な し 1.4 SmBaCu 2.7 MgO 2.0 SrTiO 1.9
【0041】
【発明の効果】このように本発明によればREBaCu
O系酸化物超電導結晶を大きくし、磁気浮上力を向上さ
せることができるが、複雑な装置や操作を要せずその手
法は簡単であり大量生産に好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によって造核粒子を用いてえら
れた超電導結晶の顕微鏡写真
【図2】造核粒子を用いずにえられた超電導結晶の顕微
鏡写真
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 39/24 ZAA Z 8728−4M (71)出願人 000180368 四国電力株式会社 香川県高松市丸の内2番5号 (72)発明者 近 藤 章 弘 東京都江東区東雲1−14−3 財団法人国 際超電導産業技術研究センター 超電導工 学研究所内 (72)発明者 村 上 雅 人 東京都江東区東雲1−14−3 財団法人国 際超電導産業技術研究センター 超電導工 学研究所内 (72)発明者 高 市 浩 東京都江東区東雲1−14−3 財団法人国 際超電導産業技術研究センター 超電導工 学研究所内 (72)発明者 腰 塚 直 己 東京都江東区東雲1−14−3 財団法人国 際超電導産業技術研究センター 超電導工 学研究所内 (72)発明者 田 中 昭 二 東京都江東区東雲1−14−3 財団法人国 際超電導産業技術研究センター 超電導工 学研究所内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】REBaCuO系酸化物超電導体(REは
    Y、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Ybからな
    る群から選ばれた希土類元素)の製造方法において出発
    物質として原料混合体を用い、これを加熱して部分溶融
    した後、冷却、凝固し、これを粉砕し、得られた粉砕粉
    を混合し、成型し得られた成型体に造核粒子を置くか、
    または埋め込みこれを加熱して部分溶融し、ついでほぼ
    超電導相が生成しはじめる温度まで冷却した後徐冷し
    て、そこから超電導相を生成、成長させることを特徴と
    する、磁気浮上力の大きい酸化物超電導体の製造方法。
  2. 【請求項2】前記出発物質として、原料混合体を仮焼
    し、さらに粉砕したものを用いる請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】成型後より超電導相成長のための徐冷開始
    直前までに前記造核粒子を置くかまたは埋め込む請求項
    1記載の方法。
  4. 【請求項4】前記造核粒子は、Y、Nd
    Sm、Eu、La、Gd、D
    、Ho、Er、Yb、Y
    BaCuO、SmBaCuO、EuBaCuO
    、GdBaCuO、DyBaCuO、Ho
    BaCuO、ErBaCuO、YbBaCuO
    、YBaCu、SmBaCu、Nd
    BaCu、EuBaCu、LaBa
    Cu、GdBaCu、DyBaCu
    、HoBaCu、ErBaCu
    YbBaCuからなる群より選ばれる、希土類
    元素を含む酸化物である請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】前記造核粒子は、CeO、ZrO、B
    aSnO、BaZrO、MgO、SrTiOから
    なる群より選ばれる請求項1記載の方法。
  6. 【請求項6】前記造核粒子は、Pt、Pd、Rh、I
    r、Os、Ruからなる群より選ばれる白金族金属であ
    る請求項1記載の方法。
  7. 【請求項7】造核粒子として粉体または単結晶体を用い
    る請求項1記載の方法。
  8. 【請求項8】前記粉砕粉に銀あるいは酸化銀を粉砕粉に
    対し、1〜25重量%添加・混合した後、前記成型を実
    施する請求項1記載の方法。
  9. 【請求項9】前記徐冷は部分溶融したときに共存するR
    BaCuO相と液相からREBaCuOx相
    が生成する温度より若干高い温度から開始する請求項1
    記載の方法。
  10. 【請求項10】前記成型体の部分溶融温度が950〜1
    250℃である請求項1記載の方法。
  11. 【請求項11】前記徐冷速度が0.2〜20℃/hであ
    る請求項1記載の方法。
  12. 【請求項12】前記出発物質の部分溶融温度が950〜
    1500℃である請求項1記載の方法。
  13. 【請求項13】出発物質を部分溶融した後空冷以上の速
    度で冷却する請求項1記載の方法。
  14. 【請求項14】1℃/cm以上の温度勾配下で、前記徐冷
    を実施する請求項1記載の方法。
  15. 【請求項15】成型後の部分溶融結晶成長工程で、成型
    体と成型体を置くための基台との間にバッファとして、
    当該成型体よりもREBaCu相の生成温度が
    低いRE組成を有するバルクまたは成型体を用いる請求
    項1記載の方法。
  16. 【請求項16】前記基台として前記液相との濡れ性が低
    い基台を用いる請求項1記載の方法。
  17. 【請求項17】前記徐冷により超電導相を成長させた
    後、酸素富化雰囲気において650〜300℃の温度範
    囲で2〜500時間保持するか、もしくは最高650
    ℃、最低300℃の温度範囲を2〜500時間かけて冷
    却することにより、超電導相に酸素を付加する請求項1
    記載の方法。
  18. 【請求項18】成型体の代わりに、超電導体に加熱前よ
    り超電導相結晶成長のための徐冷開始直前までに造核粒
    子を置くかまたは埋め込み、部分溶融させることにより
    前記REBaCuO相と液相に分解した後、そこから
    超電導相を生成・成長させる請求項1記載の方法。
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