JPH05275568A - 多層配線回路板及びその製法 - Google Patents
多層配線回路板及びその製法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高密度，高精度の電子装置用の多層配線回路板
の提供。 【構成】 第１配線層が形成された絶縁基板と、該配線
層上に接着層を介して第２配線層が形成された多層配線
回路板であって、前記接着層が一般式〔１〕（但し、式
中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の芳香族基、Ｒ1は水素ま
たは炭素数１〜３０のアルキル基，芳香族基、ｎは６０
〜３００の整数）で示されるポリアミド酸及び／または
ポリアミド酸エステルと、一般式〔２〕（但し、式中ｐ
は２〜３の整数、Ｒ2は炭素数１〜１００の芳香族基，
アルキル基）で示されるマレイミド基を有する化合物と
を含む硬化物からなる多層配線回路板。 【化２２】 【効果】平坦性に優れた接着剤を用いているので、高ア
スペクト比の配線でもボイドレスに積層され、接着層の
信頼性が高い。
の提供。 【構成】 第１配線層が形成された絶縁基板と、該配線
層上に接着層を介して第２配線層が形成された多層配線
回路板であって、前記接着層が一般式〔１〕（但し、式
中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の芳香族基、Ｒ1は水素ま
たは炭素数１〜３０のアルキル基，芳香族基、ｎは６０
〜３００の整数）で示されるポリアミド酸及び／または
ポリアミド酸エステルと、一般式〔２〕（但し、式中ｐ
は２〜３の整数、Ｒ2は炭素数１〜１００の芳香族基，
アルキル基）で示されるマレイミド基を有する化合物と
を含む硬化物からなる多層配線回路板。 【化２２】 【効果】平坦性に優れた接着剤を用いているので、高ア
スペクト比の配線でもボイドレスに積層され、接着層の
信頼性が高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子計算機等に使用され
るＬＳＩ等の搭載が可能な多層配線回路板の製法及びそ
れを用いて製造した多層配線回路板に関する。
るＬＳＩ等の搭載が可能な多層配線回路板の製法及びそ
れを用いて製造した多層配線回路板に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線回路板は計算機等の配線に広く
用いられており、計算機の高性能化に伴い低抵抗金属配
線と低誘電率絶縁層から形成された高密度配線が必要と
なっている。ポリイミドは有望な層間絶縁層であるがプ
ロセッサビリティに問題がある。
用いられており、計算機の高性能化に伴い低抵抗金属配
線と低誘電率絶縁層から形成された高密度配線が必要と
なっている。ポリイミドは有望な層間絶縁層であるがプ
ロセッサビリティに問題がある。
【０００３】こうしたポリイミドを用いたものとして
は、配線層と絶縁層を交互に一層ずつ積み重ねる逐次積
層法（特開昭６０−１４３６４９号公報、特開昭６３−
２６８２９５号公報）や、ポリイミドフィルム上に回路
が形成された配線シ−トで接着フィルムを挟んで接着し
多層化する接着法（特開平３−２４７６８０号公報）等
が提案されている。
は、配線層と絶縁層を交互に一層ずつ積み重ねる逐次積
層法（特開昭６０−１４３６４９号公報、特開昭６３−
２６８２９５号公報）や、ポリイミドフィルム上に回路
が形成された配線シ−トで接着フィルムを挟んで接着し
多層化する接着法（特開平３−２４７６８０号公報）等
が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】銅／ポリイミド配線に
関する技術としては、特開平２−９２５３５号公報に開
示されている。銅配線上にポリアミド酸エステルを塗布
後、硬化してポリイミドとした後、ポリイミドを研磨し
配線を露出させ、更に、上層の配線を積層して行く方法
がある。しかし、この方法は銅配線形成とポリイミド層
の研磨に多くの時間を要するために生産性が低い。
関する技術としては、特開平２−９２５３５号公報に開
示されている。銅配線上にポリアミド酸エステルを塗布
後、硬化してポリイミドとした後、ポリイミドを研磨し
配線を露出させ、更に、上層の配線を積層して行く方法
がある。しかし、この方法は銅配線形成とポリイミド層
の研磨に多くの時間を要するために生産性が低い。
【０００５】他の方法としては、熱硬化性成分を含む接
着フィルムを用いる方法がある。接着フィルムを配線シ
ート間に挾んで加圧下、加熱硬化させ配線を多層化して
行く。特開平３−１２５９２号公報には熱硬化性成分と
してマレイミドを用いた接着フィルムに関する技術が開
示されている。しかし、接着フィルムによる方法は、接
着フィルムを高圧下で強制的に変形させて銅回路部の凹
凸による穴を埋めて接着させるために、配線パターンの
破壊や穴の埋め残しを生じ易く、特に、微細パターンを
形成したものには適さないと云う問題があった。
着フィルムを用いる方法がある。接着フィルムを配線シ
ート間に挾んで加圧下、加熱硬化させ配線を多層化して
行く。特開平３−１２５９２号公報には熱硬化性成分と
してマレイミドを用いた接着フィルムに関する技術が開
示されている。しかし、接着フィルムによる方法は、接
着フィルムを高圧下で強制的に変形させて銅回路部の凹
凸による穴を埋めて接着させるために、配線パターンの
破壊や穴の埋め残しを生じ易く、特に、微細パターンを
形成したものには適さないと云う問題があった。
【０００６】本発明の目的は、上記のような微細パター
ンをを有する配線基板を多層に積層接着する場合でも問
題なく穴埋めができ、絶縁層をボイドレスに形成する高
信頼性の多層配線回路板の製法を提供することにある。
ンをを有する配線基板を多層に積層接着する場合でも問
題なく穴埋めができ、絶縁層をボイドレスに形成する高
信頼性の多層配線回路板の製法を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、上記の方法により形
成された多層配線回路板を提供することにある。
成された多層配線回路板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の要旨は、次のとおりである。
明の要旨は、次のとおりである。
【０００９】（１） 半導体素子搭載用の薄膜多層配線
回路板の製法であって、（ａ） 有機高分子材料の基板
上に第１の配線を形成した配線シートを形成する工程、
（ｂ） 前記基板と配線間および配線上に、溶剤に可溶
性のポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体と熱硬
化性化合物およびこれらの溶媒とからなる液状ワニスを
被覆し接着層を形成する工程、（ｃ） 前記接着層を乾
燥する工程、（ｄ） 前記接着層を介して第２の配線シ
ートを積層する工程、（ｅ） 前記積層した配線シート
を加圧，加熱して接着層を硬化し、前記第１の配線と第
２の配線を接続する工程、を含むことを特徴とする多層
配線回路板の製法。
回路板の製法であって、（ａ） 有機高分子材料の基板
上に第１の配線を形成した配線シートを形成する工程、
（ｂ） 前記基板と配線間および配線上に、溶剤に可溶
性のポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体と熱硬
化性化合物およびこれらの溶媒とからなる液状ワニスを
被覆し接着層を形成する工程、（ｃ） 前記接着層を乾
燥する工程、（ｄ） 前記接着層を介して第２の配線シ
ートを積層する工程、（ｅ） 前記積層した配線シート
を加圧，加熱して接着層を硬化し、前記第１の配線と第
２の配線を接続する工程、を含むことを特徴とする多層
配線回路板の製法。
【００１０】（２） 半導体素子搭載用の多層配線回路
板であって、該回路板は配線回路を有する高分子フィル
ムの基板が接着層を介して多層積層され、該積層体はセ
ラミック回路板上に接着されており、前記高分子フィル
ムの各基板間の接着層およびセラミック回路板との接着
層は熱硬化性ポリイミドを含み、前記各層の配線回路お
よびセラミック回路板の配線回路は所定の個所でスルー
ホールを介して電気的に接続されており、前記接着層
は、ポリアミック酸またはポリアミック酸エステルをイ
ミド化温度以上に加熱したポリイミドと、熱硬化性化合
物との硬化物からなることを特徴とする多層配線回路
板。
板であって、該回路板は配線回路を有する高分子フィル
ムの基板が接着層を介して多層積層され、該積層体はセ
ラミック回路板上に接着されており、前記高分子フィル
ムの各基板間の接着層およびセラミック回路板との接着
層は熱硬化性ポリイミドを含み、前記各層の配線回路お
よびセラミック回路板の配線回路は所定の個所でスルー
ホールを介して電気的に接続されており、前記接着層
は、ポリアミック酸またはポリアミック酸エステルをイ
ミド化温度以上に加熱したポリイミドと、熱硬化性化合
物との硬化物からなることを特徴とする多層配線回路
板。
【００１１】本発明によれば、ポリイミド前駆体または
可溶性ポリイミドと熱硬化性化合物を含む接着ワニス
を、配線シート上に塗布し、その上に積層する配線シー
トと接着することにより多層化するものである。接着ワ
ニスを塗布し、乾燥した配線シートはその上に積層する
配線シートと重ねて位置合わせを行い、加圧条件下で熱
硬化性成分を重合架橋させて両者を接着するものであ
る。
可溶性ポリイミドと熱硬化性化合物を含む接着ワニス
を、配線シート上に塗布し、その上に積層する配線シー
トと接着することにより多層化するものである。接着ワ
ニスを塗布し、乾燥した配線シートはその上に積層する
配線シートと重ねて位置合わせを行い、加圧条件下で熱
硬化性成分を重合架橋させて両者を接着するものであ
る。
【００１２】上記のように、接着層はワニス状態で配線
パターン上に適用されるために、高密度配線特有の微細
で高アスペクト比の配線の空隙も容易に埋め込むことが
でき、配線による基板との段差を平坦化することができ
る。
パターン上に適用されるために、高密度配線特有の微細
で高アスペクト比の配線の空隙も容易に埋め込むことが
でき、配線による基板との段差を平坦化することができ
る。
【００１３】上記接着ワニスはポリイミド前駆体および
／または可溶性ポリイミドを含む。ポリイミド前駆体と
してはポリアミド酸，ポリアミド酸エステルが挙げられ
る。ポリアミド酸エステルを用いた場合はポリアミド酸
を用いた場合に比べて、同一濃度では粘度が低くなると
云う特徴がある。従って、ポリアミド酸エステルを用い
た接着ワニスは高濃度化が可能となり、高アスペクト比
の配線上に用いた場合により平坦な表面を得られること
になり、配線シートの接着にもより有利となる。 実用
上、接着ワニスは２０〜９５重量％の溶媒を含み、好ま
しくは３０〜９０重量％、さらにより好ましくは３５〜
７０重量％の溶媒を含むことになる。
／または可溶性ポリイミドを含む。ポリイミド前駆体と
してはポリアミド酸，ポリアミド酸エステルが挙げられ
る。ポリアミド酸エステルを用いた場合はポリアミド酸
を用いた場合に比べて、同一濃度では粘度が低くなると
云う特徴がある。従って、ポリアミド酸エステルを用い
た接着ワニスは高濃度化が可能となり、高アスペクト比
の配線上に用いた場合により平坦な表面を得られること
になり、配線シートの接着にもより有利となる。 実用
上、接着ワニスは２０〜９５重量％の溶媒を含み、好ま
しくは３０〜９０重量％、さらにより好ましくは３５〜
７０重量％の溶媒を含むことになる。
【００１４】ポリイミド前駆体は一般式〔１〕で示さ
れ、
れ、
【００１５】
【化１６】
【００１６】Ｘは炭素数１〜１００の有機基であり、一
般的にはポリイミド前駆体を合成する際の酸二無水物に
由来する。酸二無水物は本分野では広く知られているも
のであり、これら通常知られているものが用いられる。
通常、Ｘの炭素数は４〜１００、更に一般的には６〜５
０である。また、酸二無水物は通常１またはそれ以上の
芳香環を含むことが多い。
般的にはポリイミド前駆体を合成する際の酸二無水物に
由来する。酸二無水物は本分野では広く知られているも
のであり、これら通常知られているものが用いられる。
通常、Ｘの炭素数は４〜１００、更に一般的には６〜５
０である。また、酸二無水物は通常１またはそれ以上の
芳香環を含むことが多い。
【００１７】酸二無水物としては、ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホン−３,３',
４,４'−テトラカルボン酸二無水物、２,２−ビス(４−
無水フタル酸)プロパン、ナフタレン−２,３,６,７−テ
トラカルボン酸二無水物、オキシ−ビス(４−無水フタ
ル酸)、２,２−ビス〔４−(３,４−ジカルボキシフェノ
キシ)フェニル〕ヘキサフルオロジプロパンテトラカル
ボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３,３',４,
４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３,３”,
４,４”−ターフェニルテトラカルボン酸二無水物、１,
２,４,５−ピロメリット酸二無水物等があり、これらの
１種以上を用いることができる。
ラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホン−３,３',
４,４'−テトラカルボン酸二無水物、２,２−ビス(４−
無水フタル酸)プロパン、ナフタレン−２,３,６,７−テ
トラカルボン酸二無水物、オキシ−ビス(４−無水フタ
ル酸)、２,２−ビス〔４−(３,４−ジカルボキシフェノ
キシ)フェニル〕ヘキサフルオロジプロパンテトラカル
ボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３,３',４,
４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３,３”,
４,４”−ターフェニルテトラカルボン酸二無水物、１,
２,４,５−ピロメリット酸二無水物等があり、これらの
１種以上を用いることができる。
【００１８】Ｙは炭素数１〜１００の有機基である。一
般的にはポリイミド前駆体を合成する際のジアミン成分
に相当する。これらのジアミンは本分野では広く知られ
ているものであり、これら通常知られているものが用い
られる。通常、Ｙの炭素数は２〜１００、更に一般的に
は６〜５０である。また、ジアミンは通常１またはそれ
以上の芳香環を含むことが多い。
般的にはポリイミド前駆体を合成する際のジアミン成分
に相当する。これらのジアミンは本分野では広く知られ
ているものであり、これら通常知られているものが用い
られる。通常、Ｙの炭素数は２〜１００、更に一般的に
は６〜５０である。また、ジアミンは通常１またはそれ
以上の芳香環を含むことが多い。
【００１９】ジアミンとしてはｐ−フェニレンジアミ
ン、ｐ,ｐ”−ジアミノターフェニル、ビス〔４−(３−
アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、２,４−ジアミ
ノトルエン、ｍ,ｍ'−ジアミノベゾフェノン、ｍ−フェ
ニレンジアミン、２,２'−ビス〔４−(ｐ−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、ビス−４−アミノフェノ
キシ−４−フェニルスルホン、３,３'−ジアミノベンゾ
フェノン、２,２−ビス〔４−(３−アミノフェノキシ)
フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス〔４
−(４−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、１,３−ビス(３−アミノフェニキシ)ベンゼ
ン、２,２−ビス(３−アミノフェノキシ)フェニル)プロ
パン等や、一般式〔３〕
ン、ｐ,ｐ”−ジアミノターフェニル、ビス〔４−(３−
アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、２,４−ジアミ
ノトルエン、ｍ,ｍ'−ジアミノベゾフェノン、ｍ−フェ
ニレンジアミン、２,２'−ビス〔４−(ｐ−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、ビス−４−アミノフェノ
キシ−４−フェニルスルホン、３,３'−ジアミノベンゾ
フェノン、２,２−ビス〔４−(３−アミノフェノキシ)
フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス〔４
−(４−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、１,３−ビス(３−アミノフェニキシ)ベンゼ
ン、２,２−ビス(３−アミノフェノキシ)フェニル)プロ
パン等や、一般式〔３〕
【００２０】
【化１７】
【００２１】で表わされる（Ｒは２価の炭化水素基、
Ｒ’は１価の炭化水素基であり、これらＲ，Ｒ’は互い
に異なっていてもよい。ｐは１以上の整数である）ジア
ミノシロキサン系化合物があり、例えば
Ｒ’は１価の炭化水素基であり、これらＲ，Ｒ’は互い
に異なっていてもよい。ｐは１以上の整数である）ジア
ミノシロキサン系化合物があり、例えば
【００２２】
【化１８】
【００２３】
【化１９】
【００２４】
【化２０】
【００２５】等の１種以上を用いることができる。
【００２６】Ｒ1は水素、またはカルボキシル基を含ま
ない有機基であり、１〜３０の炭素原子を含む。該有機
基は通常ポリアミド酸エステルを合成する際に用いるア
ルコール成分に対応するものである。Ｒ1の構造につい
てはイミド化時に容易に離脱するものが望ましい。Ｒ1
の選択は本分野の技術者にとっては容易に成し得るもの
である。また、Ｒ1は不飽和基，ヘテロ環を含む構造も
可能であり、一般的には炭素数１〜８の炭化水素である
ことが多い。なお、式中ｎは一般的には６〜３００であ
る。
ない有機基であり、１〜３０の炭素原子を含む。該有機
基は通常ポリアミド酸エステルを合成する際に用いるア
ルコール成分に対応するものである。Ｒ1の構造につい
てはイミド化時に容易に離脱するものが望ましい。Ｒ1
の選択は本分野の技術者にとっては容易に成し得るもの
である。また、Ｒ1は不飽和基，ヘテロ環を含む構造も
可能であり、一般的には炭素数１〜８の炭化水素である
ことが多い。なお、式中ｎは一般的には６〜３００であ
る。
【００２７】可溶性ポリイミドとは溶媒に可溶なポリイ
ミドを指し、通常、酸二無水物とジアミンとを実質的に
当量反応して得たポリアミド酸を熱的あるいは化学的に
イミド化して得たものである。
ミドを指し、通常、酸二無水物とジアミンとを実質的に
当量反応して得たポリアミド酸を熱的あるいは化学的に
イミド化して得たものである。
【００２８】可溶性ポリイミドを得るに好適な酸二無水
物の例としては、３,３',４,４'−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物がある。また、ジア
ミンの例としては、４−メチル−３,４'−ジアミノジフ
ェニレン、２,４−ジアミノトルエン、１,４−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−（４'−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホン、２,２−ビス〔４−
（４'−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンが挙げ
られる。これらのモノマから得られたポリイミドはＮ−
メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解する。
物の例としては、３,３',４,４'−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物がある。また、ジア
ミンの例としては、４−メチル−３,４'−ジアミノジフ
ェニレン、２,４−ジアミノトルエン、１,４−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−（４'−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホン、２,２−ビス〔４−
（４'−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンが挙げ
られる。これらのモノマから得られたポリイミドはＮ−
メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解する。
【００２９】熱硬化性化合物としては、ビニレン基、エ
チニル基、ビフェニレン基、ベンゾシクロブテン基など
を含む化合物が挙げられる。これらの化合物はワニスを
塗布した後の乾燥条件では実質的に重合／架橋しないこ
とが望ましい。すなわち、接着ワニスを配線上に塗布し
た後の乾燥温度よりも高温度であることが重要である。
チニル基、ビフェニレン基、ベンゾシクロブテン基など
を含む化合物が挙げられる。これらの化合物はワニスを
塗布した後の乾燥条件では実質的に重合／架橋しないこ
とが望ましい。すなわち、接着ワニスを配線上に塗布し
た後の乾燥温度よりも高温度であることが重要である。
【００３０】望ましい熱硬化性化合物としては、下記一
般式〔２〕で示すマレイミド構造を有する化合物があ
る。
般式〔２〕で示すマレイミド構造を有する化合物があ
る。
【００３１】
【化２１】
【００３２】一般式〔２〕のｐは２または３で、Ｒ2は
１〜１００の炭素を有する有機基であり通常は２〜５０
であることが望ましい。マレイミド化合物については特
開平３−１２５９２号公報に開示されている。市販のマ
レイミド化合物は、一般に、Ｒ2としてフェニレン基ま
たは１以上の酸素原子、硫黄原子またはメチレン基を含
む。
１〜１００の炭素を有する有機基であり通常は２〜５０
であることが望ましい。マレイミド化合物については特
開平３−１２５９２号公報に開示されている。市販のマ
レイミド化合物は、一般に、Ｒ2としてフェニレン基ま
たは１以上の酸素原子、硫黄原子またはメチレン基を含
む。
【００３３】このようなマレイミド化合物の例として
は、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタン)ビスマレイミ
ド、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルオキシ)ビスマレイミ
ド、Ｎ,Ｎ'−フェニレンビスマレイミド、Ｎ,Ｎ'−ｍ−
フェニレンビスマレイミド、Ｎ,Ｎ'−２,４−トリレン
ビスマレイミド、Ｎ,Ｎ'−２,６−トリレンビスマレイ
ミド、Ｎ,Ｎ'−エチレンビスマレイミド、Ｎ,Ｎ'−ヘキ
サメチレンビスマレイミド、２,２−ビス〔４−(４−Ｎ
−フェノキシマレイミド)フェニル〕−プロパン、２,２
−ビス〔４−(４−Ｎ−フェノキシマレイミド)フェニ
ル〕−ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス〔４−(２
−トリフルオロメチル−４−Ｎ−フェノキシマレイミ
ド)フェニル〕−ヘキサフルオロプロパン、１,３,５−
トリス(Ｎ−マレイミド)−ベンゼン、Ｎ,Ｎ',Ｎ”−
(４,２',４'−ジフェニルメタン)−トリスマレイミド等
が挙げられ、これらの１種以上が用いられる。
は、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタン)ビスマレイミ
ド、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルオキシ)ビスマレイミ
ド、Ｎ,Ｎ'−フェニレンビスマレイミド、Ｎ,Ｎ'−ｍ−
フェニレンビスマレイミド、Ｎ,Ｎ'−２,４−トリレン
ビスマレイミド、Ｎ,Ｎ'−２,６−トリレンビスマレイ
ミド、Ｎ,Ｎ'−エチレンビスマレイミド、Ｎ,Ｎ'−ヘキ
サメチレンビスマレイミド、２,２−ビス〔４−(４−Ｎ
−フェノキシマレイミド)フェニル〕−プロパン、２,２
−ビス〔４−(４−Ｎ−フェノキシマレイミド)フェニ
ル〕−ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス〔４−(２
−トリフルオロメチル−４−Ｎ−フェノキシマレイミ
ド)フェニル〕−ヘキサフルオロプロパン、１,３,５−
トリス(Ｎ−マレイミド)−ベンゼン、Ｎ,Ｎ',Ｎ”−
(４,２',４'−ジフェニルメタン)−トリスマレイミド等
が挙げられ、これらの１種以上が用いられる。
【００３４】ポリイミド前駆体または可溶性ポリイミド
を上記熱硬化性化合物と共に適当な溶媒に溶解して接着
ワニスを得る。該溶媒の例としては、ＮＭＰ、ジメチル
アセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）、ジグライム、フェノール、トルエン等が挙げら
れ、これらの１種以上を用いることができる。
を上記熱硬化性化合物と共に適当な溶媒に溶解して接着
ワニスを得る。該溶媒の例としては、ＮＭＰ、ジメチル
アセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）、ジグライム、フェノール、トルエン等が挙げら
れ、これらの１種以上を用いることができる。
【００３５】通常、接着ワニス中のポリイミド前駆体お
よび／または可溶性ポリイミドと、熱硬化性化合物との
比率は、１０：９０〜９０：１０であり、より好ましく
は２０：８０〜７０：３０である。熱硬化性化合物が多
すぎると接着層が脆くなり、少なすぎると接着力が不十
分となる。
よび／または可溶性ポリイミドと、熱硬化性化合物との
比率は、１０：９０〜９０：１０であり、より好ましく
は２０：８０〜７０：３０である。熱硬化性化合物が多
すぎると接着層が脆くなり、少なすぎると接着力が不十
分となる。
【００３６】上記接着ワニスを用いて絶縁層を形成する
には、前記各工程の温度および時間を、ポリイミド前駆
体の化学構造、溶媒の種類、熱硬化性化合物の反応性に
合わせて適当に設定する必要がある。典型的な条件とし
ては、塗布後６０〜１５０℃で１０〜１００分間乾燥し
て溶媒を除去し、１５０〜２５０℃、１０〜１００分
間、より一般的には３０〜６０分間加熱してポリイミド
前駆体をイミド化する。可溶性ポリイミドを用いた場合
はイミド化工程が不要なことは云うまでもない。この際
の温度、時間は前記熱硬化性化合物が実質的に反応しな
い条件にする必要がある。
には、前記各工程の温度および時間を、ポリイミド前駆
体の化学構造、溶媒の種類、熱硬化性化合物の反応性に
合わせて適当に設定する必要がある。典型的な条件とし
ては、塗布後６０〜１５０℃で１０〜１００分間乾燥し
て溶媒を除去し、１５０〜２５０℃、１０〜１００分
間、より一般的には３０〜６０分間加熱してポリイミド
前駆体をイミド化する。可溶性ポリイミドを用いた場合
はイミド化工程が不要なことは云うまでもない。この際
の温度、時間は前記熱硬化性化合物が実質的に反応しな
い条件にする必要がある。
【００３７】加圧積層時の圧力は３〜６０ｋｇ／ｃｍ2
が好ましい。他の条件については、熱硬化性化合物に左
右され、熱硬化性化合物にマレイミド化合物を用いた場
合には、２００〜３００℃で１０〜１２０分、通常は２
０〜９０分反応させるのが一般的である。
が好ましい。他の条件については、熱硬化性化合物に左
右され、熱硬化性化合物にマレイミド化合物を用いた場
合には、２００〜３００℃で１０〜１２０分、通常は２
０〜９０分反応させるのが一般的である。
【００３８】接着ワニスは、下層の配線シートの配線面
や、セラミック等の基板の上に塗布され、接着絶縁層を
形成する。配線金属としては比抵抗の小さい銅が高密度
配線には有利である。接着ワニス中にカルボキシル基が
存在する場合には、銅配線を保護するためにＣｒ，Ｎ
ｉ，Ｔｉ等の保護膜を接着ワニスと接する面に形成する
ことが望ましい。
や、セラミック等の基板の上に塗布され、接着絶縁層を
形成する。配線金属としては比抵抗の小さい銅が高密度
配線には有利である。接着ワニス中にカルボキシル基が
存在する場合には、銅配線を保護するためにＣｒ，Ｎ
ｉ，Ｔｉ等の保護膜を接着ワニスと接する面に形成する
ことが望ましい。
【００３９】前記本発明の製造工程を繰返し、配線シー
トを多層化することにより多層配線回路板を得ることが
できる。各配線シートの配線回路はポリイミド等のフィ
ルム上に形成したもので供されることが好ましい。
トを多層化することにより多層配線回路板を得ることが
できる。各配線シートの配線回路はポリイミド等のフィ
ルム上に形成したもので供されることが好ましい。
【００４０】各配線シートを積層した後の配線層間の電
気的接続はスルーホールまたはビアホール（Ｖｉａ−ｈ
ｏｌｅ）を通じて行われる。これらはドリル等による機
械加工またはレーザーアブレーションで形成され、公知
の選択めっき等によりメタライズされることにより上下
両層を導通させる。
気的接続はスルーホールまたはビアホール（Ｖｉａ−ｈ
ｏｌｅ）を通じて行われる。これらはドリル等による機
械加工またはレーザーアブレーションで形成され、公知
の選択めっき等によりメタライズされることにより上下
両層を導通させる。
【００４１】
【作用】本発明の多層配線回路板は、耐熱性に優れたポ
リイミドを含む接着剤を直接配線回路面に塗布し、乾
燥、イミド化し、加圧積層して作製することができるの
で、高アスペクト比の配線回路でもボイドレスに積層可
能である。
リイミドを含む接着剤を直接配線回路面に塗布し、乾
燥、イミド化し、加圧積層して作製することができるの
で、高アスペクト比の配線回路でもボイドレスに積層可
能である。
【００４２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。
【００４３】〔実施例 １〕図１は本発明の多層配線回
路板の各製造工程における模式断面図である。
路板の各製造工程における模式断面図である。
【００４４】（ａ）はセラミック基板４上に本発明の接
着剤を塗布して接着層３を形成し、１００℃／１時間〜
１５０℃／２０分で上記接着剤を乾燥させたセラミック
基板の模式断面図である。該セラミック基板上の接着層
３は、１５０℃／２時間〜２５０℃／１０分加熱してポ
リイミド前駆体をイミド化させる。
着剤を塗布して接着層３を形成し、１００℃／１時間〜
１５０℃／２０分で上記接着剤を乾燥させたセラミック
基板の模式断面図である。該セラミック基板上の接着層
３は、１５０℃／２時間〜２５０℃／１０分加熱してポ
リイミド前駆体をイミド化させる。
【００４５】（ｂ）は前記（ａ）のセラミック基板上
に、銅貼り積層板（Ｍetal Ｃlad Ｆilm、銅膜１の厚さ
１８μｍ、ポリイミド２の厚さ２０μｍ）をレジストパ
ターニングしエッチングで銅配線１（配線幅及びスペー
スの幅が各２０μｍ）を形成した配線シートを載せて加
圧加熱（３〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2、２７０℃／１時間）
して接着層３を重合架橋した、配線シートを一層有する
積層板の模式断面図である。なお、配線シートのセラミ
ック基板４と接着させるポリイミド２の接着面は、接着
性向上のためにプラズマ処理した。
に、銅貼り積層板（Ｍetal Ｃlad Ｆilm、銅膜１の厚さ
１８μｍ、ポリイミド２の厚さ２０μｍ）をレジストパ
ターニングしエッチングで銅配線１（配線幅及びスペー
スの幅が各２０μｍ）を形成した配線シートを載せて加
圧加熱（３〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2、２７０℃／１時間）
して接着層３を重合架橋した、配線シートを一層有する
積層板の模式断面図である。なお、配線シートのセラミ
ック基板４と接着させるポリイミド２の接着面は、接着
性向上のためにプラズマ処理した。
【００４６】（ｃ）はドリル（またはレーザー光）によ
りスルーホール５（直径２０μｍ）を形成した積層板の
模式断面図である。
りスルーホール５（直径２０μｍ）を形成した積層板の
模式断面図である。
【００４７】（ｄ）は上記（ｃ）の積層板のスルーホー
ル５を化学銅めっきし、導通部に銅めっき６を形成した
ものの模式断面図である。
ル５を化学銅めっきし、導通部に銅めっき６を形成した
ものの模式断面図である。
【００４８】（ｅ）は上記（ｄ）の配線上に前記接着剤
をスピンコートして接着層３を形成し、これを前記
（ａ）と同じ条件で乾燥後イミド化し、この上に（ｂ）
と同様に配線シートを載せて加圧，加熱し接着した積層
板の模式断面図である。
をスピンコートして接着層３を形成し、これを前記
（ａ）と同じ条件で乾燥後イミド化し、この上に（ｂ）
と同様に配線シートを載せて加圧，加熱し接着した積層
板の模式断面図である。
【００４９】（ｆ）は上記（ｂ）〜（ｅ）工程を繰り返
すことによって得た３層の多層配線回路板の模式断面図
である。なお、上記（ｂ）〜（ｅ）工程を繰り返すこと
によって任意の層数の多層配線回路板を得ることができ
ることは云うまでもない。
すことによって得た３層の多層配線回路板の模式断面図
である。なお、上記（ｂ）〜（ｅ）工程を繰り返すこと
によって任意の層数の多層配線回路板を得ることができ
ることは云うまでもない。
【００５０】次に、本発明の多層配線回路板の製造に必
要な接着剤の製法の一例を示す。
要な接着剤の製法の一例を示す。
【００５１】３,３',４,４'−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物５０ｇ（０.１３モル）に乾燥したエ
チルアルコール約３００ｇを加え５時間還流する。その
後、過剰のエチルアルコールを除き、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸ジエチルエステル（異性体を含む）の淡
い茶色の結晶を得た。
ルボン酸二無水物５０ｇ（０.１３モル）に乾燥したエ
チルアルコール約３００ｇを加え５時間還流する。その
後、過剰のエチルアルコールを除き、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸ジエチルエステル（異性体を含む）の淡
い茶色の結晶を得た。
【００５２】続いて、撹拌装置、温度計、窒素ガス導入
管、塩化カルシウム管付き冷却管を備えた４つ口フラス
コに上記ジエチルエステル１０ｇ（０.０２６モル）と
塩化チオニル２０ｇ（０.１７モル）を加え、約０.５時
間還流する。過剰の塩化チオニルを留去して透明で褐色
の高粘稠な酸塩化物（異性体を含む）を得た。
管、塩化カルシウム管付き冷却管を備えた４つ口フラス
コに上記ジエチルエステル１０ｇ（０.０２６モル）と
塩化チオニル２０ｇ（０.１７モル）を加え、約０.５時
間還流する。過剰の塩化チオニルを留去して透明で褐色
の高粘稠な酸塩化物（異性体を含む）を得た。
【００５３】次に、撹拌装置、温度計、窒素ガス導入
管、塩化カルシウム管の付いた冷却管を備えた４つ口フ
ラスコに上記酸塩化物１０ｇ（０.０２４モル）とＮＭ
Ｐ８３．５ｇ（以後の実施例及び比較例の溶媒はＮＭＰ
を使用）と、２，２−ビス〔４−(４−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン２３ｇ（０.０７モル）を加え、
そのまま３時間撹拌を続ける。その後、反応液を水沈さ
せ、これを濾過して繊維状のポリマを得た。これを濾
別、乾燥してポリアミド酸エステルを得た。
管、塩化カルシウム管の付いた冷却管を備えた４つ口フ
ラスコに上記酸塩化物１０ｇ（０.０２４モル）とＮＭ
Ｐ８３．５ｇ（以後の実施例及び比較例の溶媒はＮＭＰ
を使用）と、２，２−ビス〔４−(４−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン２３ｇ（０.０７モル）を加え、
そのまま３時間撹拌を続ける。その後、反応液を水沈さ
せ、これを濾過して繊維状のポリマを得た。これを濾
別、乾燥してポリアミド酸エステルを得た。
【００５４】上記のポリアミド酸エステル７０ｇ、Ｎ,
Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタン)ビスマレイミド３０
ｇ、ＮＭＰを加えて溶解し、穴径５μｍのフィルターを
通して樹脂分濃度４０重量％の接着剤を得た。
Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタン)ビスマレイミド３０
ｇ、ＮＭＰを加えて溶解し、穴径５μｍのフィルターを
通して樹脂分濃度４０重量％の接着剤を得た。
【００５５】上記接着剤の特性は次の様にして測定し
た。
た。
【００５６】（１）熱膨張係数とガラス転移温度 熱膨張係数（以下、αと云う）は、熱物理試験機（ＴＭ
Ａ−３０００型、真空理工社製）を用いて測定した。厚
さ２０μｍで幅６ｍｍに成形した接着剤フィルムを熱物
理試験機にセットし、膜厚１μｍ当たり０.３ｇの荷重
を加え、昇温速度５℃／分の条件でフィルムの伸びを測
定した。αは伸びの温度曲線において１００〜２５０℃
の伸び率より算出した。また、伸びの温度曲線の接線の
傾斜が大きく異なる点の２本の接線の交点をガラス転移
温度（以下、Ｔｇと云う）とした。
Ａ−３０００型、真空理工社製）を用いて測定した。厚
さ２０μｍで幅６ｍｍに成形した接着剤フィルムを熱物
理試験機にセットし、膜厚１μｍ当たり０.３ｇの荷重
を加え、昇温速度５℃／分の条件でフィルムの伸びを測
定した。αは伸びの温度曲線において１００〜２５０℃
の伸び率より算出した。また、伸びの温度曲線の接線の
傾斜が大きく異なる点の２本の接線の交点をガラス転移
温度（以下、Ｔｇと云う）とした。
【００５７】（２）接着剤と銅とのピール強さと引張り
強さ 接着剤と銅とのピール強さは、銅箔（厚さ２０μｍ）の
上に接着剤をスピンコート（硬化後の厚さ約２０μｍ）
し、乾燥後、イミド化及び架橋させたものを１ｃｍ幅の
短冊状に成形してピール試験片とし、これを万能引張り
試験機（東洋ボールドウィン社製）を用い引張り角度９
０度、引張り速度０.５ｍｍ／分で測定した。
強さ 接着剤と銅とのピール強さは、銅箔（厚さ２０μｍ）の
上に接着剤をスピンコート（硬化後の厚さ約２０μｍ）
し、乾燥後、イミド化及び架橋させたものを１ｃｍ幅の
短冊状に成形してピール試験片とし、これを万能引張り
試験機（東洋ボールドウィン社製）を用い引張り角度９
０度、引張り速度０.５ｍｍ／分で測定した。
【００５８】引張り強さは、シリコンウエハ上に接着剤
をスピンコートし、乾燥、イミド化及び架橋させて、厚
さ約２０μｍの接着剤フィルムを形成し、これをシリコ
ンウエハから剥がした後、乾燥させて１ｃｍ幅の短冊状
に成形したフィルムを試験片とした。これを前記万能引
張り試験機を用い引張り速度０.５ｍｍ／分で測定し
た。
をスピンコートし、乾燥、イミド化及び架橋させて、厚
さ約２０μｍの接着剤フィルムを形成し、これをシリコ
ンウエハから剥がした後、乾燥させて１ｃｍ幅の短冊状
に成形したフィルムを試験片とした。これを前記万能引
張り試験機を用い引張り速度０.５ｍｍ／分で測定し
た。
【００５９】（３）平坦性（平坦化度） 配線幅と配線間スペースが各２０μｍ、高さ２０μｍの
ガラス製模擬配線パターンに接着剤を塗布し、前記の方
法で乾燥，硬化した。接着剤の断面の厚さを測定し、次
式から接着剤の厚さ２３±２μｍにおける平坦化度を求
め接着剤の平坦性を評価した。平坦化度は１に近いほど
平坦性に優れている。
ガラス製模擬配線パターンに接着剤を塗布し、前記の方
法で乾燥，硬化した。接着剤の断面の厚さを測定し、次
式から接着剤の厚さ２３±２μｍにおける平坦化度を求
め接着剤の平坦性を評価した。平坦化度は１に近いほど
平坦性に優れている。
【００６０】
【数１】平坦化度＝１−（Ｈ／ｈ0） 〔但し、Ｈ＝接着層の段差（μｍ）、ｈ0＝配線高さ
（２０μｍ）〕 （４）はんだ耐熱性 図１（ｆ）に示すような３層構造の配線基板を３３０℃
のはんだ浴上に５分間放置してふくれや剥がれ発生の有
無を観察し評価した。
（２０μｍ）〕 （４）はんだ耐熱性 図１（ｆ）に示すような３層構造の配線基板を３３０℃
のはんだ浴上に５分間放置してふくれや剥がれ発生の有
無を観察し評価した。
【００６１】その結果、本実施例の接着剤は、Ｔｇは２
２０℃、αは４.８×１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピ
ール強さは５５０ｇｆ／ｃｍ、引張り強さは１２ｋｇｆ
／ｍｍ2、破断伸び１０％と優れた値を示す。原子吸光
分析によって測定したＣｕ含有量は０.００１重量％以
下であった。はんだ耐熱性もふくれや剥がれの発生が無
く優れていた。接着層の外観もシリコーンウエハ上に形
成したものと同様であった。
２０℃、αは４.８×１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピ
ール強さは５５０ｇｆ／ｃｍ、引張り強さは１２ｋｇｆ
／ｍｍ2、破断伸び１０％と優れた値を示す。原子吸光
分析によって測定したＣｕ含有量は０.００１重量％以
下であった。はんだ耐熱性もふくれや剥がれの発生が無
く優れていた。接着層の外観もシリコーンウエハ上に形
成したものと同様であった。
【００６２】〔実施例 ２〕実施例１のポリアミド酸エ
ステル６重量部に、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタ
ン)ビスマレイミド４重量部配合し、ＮＭＰを溶媒とし
て樹脂分濃度４０重量％の接着剤を作製した。
ステル６重量部に、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタ
ン)ビスマレイミド４重量部配合し、ＮＭＰを溶媒とし
て樹脂分濃度４０重量％の接着剤を作製した。
【００６３】該接着剤のＴｇは２２０℃、αは４.９×
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは５８０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１２ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
９％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれ
や剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中の
Ｃｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは５８０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１２ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
９％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれ
や剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中の
Ｃｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
【００６４】〔実施例 ３〕実施例１のポリアミド酸エ
ステル５重量部に、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタ
ン)ビスマレイミド５重量部配合し、ＮＭＰを溶媒とし
て樹脂分濃度４５重量％の接着剤を作製した。
ステル５重量部に、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタ
ン)ビスマレイミド５重量部配合し、ＮＭＰを溶媒とし
て樹脂分濃度４５重量％の接着剤を作製した。
【００６５】該接着剤のＴｇは２４０℃、αは４.９×
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピール強さは６３０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１１ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
７％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれ
や剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中の
Ｃｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピール強さは６３０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１１ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
７％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれ
や剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中の
Ｃｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
【００６６】〔実施例 ４〕実施例１のポリアミド酸エ
ステル４重量部に、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタ
ン)ビスマレイミドの配合量を６０重量部配合し、ＮＭ
Ｐを溶媒として樹脂分濃度４０重量％の接着剤を作製し
た。
ステル４重量部に、Ｎ,Ｎ'−(４,４'−ジフェニルメタ
ン)ビスマレイミドの配合量を６０重量部配合し、ＮＭ
Ｐを溶媒として樹脂分濃度４０重量％の接着剤を作製し
た。
【００６７】該接着剤のＴｇは２９５℃、αは４.３×
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピール強さは６５０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１０ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
３％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれ
や剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中の
Ｃｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピール強さは６５０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１０ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
３％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれ
や剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中の
Ｃｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
【００６８】〔実施例 ５〕実施例１のポリアミド酸エ
ステル４０ｇに対し１,３,５−トリス（Ｎ−マレイミ
ド）ベンゼン６０ｇとし、ＮＭＰを溶媒として樹脂分濃
度４０重量％の接着剤を作製した。
ステル４０ｇに対し１,３,５−トリス（Ｎ−マレイミ
ド）ベンゼン６０ｇとし、ＮＭＰを溶媒として樹脂分濃
度４０重量％の接着剤を作製した。
【００６９】該接着剤のＴｇは３１０℃、αは４.０×
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは７６０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは９ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び３
％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれや
剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中のＣ
ｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは７６０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは９ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び３
％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれや
剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中のＣ
ｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
【００７０】〔実施例 ６〕実施例１のポリアミド酸エ
ステル６０ｇに対し２,２−ビス〔４−(４−Ｎ−フェノ
キシマレイミド)フェニル〕プロパン４０ｇとし、ＮＭ
Ｐを溶媒として樹脂分濃度４０重量％の接着剤を作製し
た。
ステル６０ｇに対し２,２−ビス〔４−(４−Ｎ−フェノ
キシマレイミド)フェニル〕プロパン４０ｇとし、ＮＭ
Ｐを溶媒として樹脂分濃度４０重量％の接着剤を作製し
た。
【００７１】該接着剤のＴｇは２２０℃、αは４.２×
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは８９０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは９ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び６
％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれや
剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中のＣ
ｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは８９０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは９ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び６
％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれや
剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中のＣ
ｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
【００７２】〔実施例 ７〕実施例１に準じて３,３',
４,４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、エタノ
ール、ｐ−ジアミノジフェニルエーテルから得たポリア
ミド酸エステル６０ｇに対し、２,２−ビス〔４−(４−
Ｎ−フェノキシマレイミド)フェニル〕−フェノキシプ
ロパン３５ｇとし、ＮＭＰを溶媒として樹脂分濃度４０
重量％の接着剤を作製した。
４,４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、エタノ
ール、ｐ−ジアミノジフェニルエーテルから得たポリア
ミド酸エステル６０ｇに対し、２,２−ビス〔４−(４−
Ｎ−フェノキシマレイミド)フェニル〕−フェノキシプ
ロパン３５ｇとし、ＮＭＰを溶媒として樹脂分濃度４０
重量％の接着剤を作製した。
【００７３】該接着剤のＴｇは３３５℃、αは３.６×
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは６００ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１２ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
５％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれ
や剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中の
Ｃｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは６００ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１２ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
５％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふくれ
や剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中の
Ｃｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
【００７４】〔実施例 ８〕実施例１に準じて１,２,
４,５−ピロメリット酸二無水物とメタノール、ｐ−ジ
アミノジフェニルエーテルから得たポリアミド酸エステ
ルと、３,３',４,４'−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物とメタノール、ｐ−ジアミノジフェニルエー
テルから得たポリアミド酸エステルの等モル配合したも
の６０ｇに対し、２.２−ビス〔４−(４−マレイミドフ
ェノキシ)フェニル〕−１,１,１,３,３,３−ヘキサフル
オロプロパン４０ｇ配合し、ＮＭＰを溶媒として樹脂分
濃度４０重量％の接着剤を作製した。
４,５−ピロメリット酸二無水物とメタノール、ｐ−ジ
アミノジフェニルエーテルから得たポリアミド酸エステ
ルと、３,３',４,４'−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物とメタノール、ｐ−ジアミノジフェニルエー
テルから得たポリアミド酸エステルの等モル配合したも
の６０ｇに対し、２.２−ビス〔４−(４−マレイミドフ
ェノキシ)フェニル〕−１,１,１,３,３,３−ヘキサフル
オロプロパン４０ｇ配合し、ＮＭＰを溶媒として樹脂分
濃度４０重量％の接着剤を作製した。
【００７５】該接着剤のＴｇは３０５℃、αは４.２×
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピール強さは１０８０
ｇｆ／ｃｍ、引張り強さは１６ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸
び１２％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふ
くれや剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層
中のＣｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピール強さは１０８０
ｇｆ／ｃｍ、引張り強さは１６ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸
び１２％と優れた値を示した。また、はんだ耐熱性もふ
くれや剥がれの発生が無く優れていた。硬化後の接着層
中のＣｕ含有量は０.００１重量％以下であった。
【００７６】〔実施例 ９〕実施例８で用いた混合ポリ
アミド酸エステル６０ｇに対し、２,２−ビス〔４−(２
−トリフルオロメチル−４−マレイミドフェノキシ)フ
ェニル〕−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパ
ン４０ｇ配合し、ＮＭＰを溶媒として樹脂分濃度４０重
量％の接着剤を作製した。
アミド酸エステル６０ｇに対し、２,２−ビス〔４−(２
−トリフルオロメチル−４−マレイミドフェノキシ)フ
ェニル〕−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパ
ン４０ｇ配合し、ＮＭＰを溶媒として樹脂分濃度４０重
量％の接着剤を作製した。
【００７７】該接着剤のＴｇは３００℃、αは４.２×
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピール強さは９８０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１５ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
１２％と優れた値を示した。この絶縁層の銅含有量は
０.００１％以下で、色も黄橙色であった。また、はん
だ耐熱性もふくれや剥がれの発生が無く優れていた。
１０~5／Ｋ、平坦化度は０.９、ピール強さは９８０ｇ
ｆ／ｃｍ、引張り強さは１５ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び
１２％と優れた値を示した。この絶縁層の銅含有量は
０.００１％以下で、色も黄橙色であった。また、はん
だ耐熱性もふくれや剥がれの発生が無く優れていた。
【００７８】〔実施例 １０〕撹拌装置,温度計、窒素
ガス導入管、塩化カルシウム管の付いた冷却管を備えた
４つ口フラスコに乾燥した３,３',４,４'−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物３２.２ｇ、２,２−ビス
〔４−(４−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン４
１.０ｇ、ＮＭＰ４１５ｇを加え、窒素ガスを導入しな
がら、６５℃以下に保持して８時間撹拌しポリアミド酸
を得た。このポリアミド酸６５ｇに対しＮ,Ｎ'−(４,
４'−ジフェニルメタン)ビスマレイミド３５ｇとＮＭＰ
を加え樹脂分濃度２０重量％の接着剤を作製した。
ガス導入管、塩化カルシウム管の付いた冷却管を備えた
４つ口フラスコに乾燥した３,３',４,４'−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物３２.２ｇ、２,２−ビス
〔４−(４−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン４
１.０ｇ、ＮＭＰ４１５ｇを加え、窒素ガスを導入しな
がら、６５℃以下に保持して８時間撹拌しポリアミド酸
を得た。このポリアミド酸６５ｇに対しＮ,Ｎ'−(４,
４'−ジフェニルメタン)ビスマレイミド３５ｇとＮＭＰ
を加え樹脂分濃度２０重量％の接着剤を作製した。
【００７９】これを用い実施例１に準じて多層配線回路
板を作製した。なお、配線基板の銅表面は厚さ約１００
ÅのＮｉで保護されたものを用いた。
板を作製した。なお、配線基板の銅表面は厚さ約１００
ÅのＮｉで保護されたものを用いた。
【００８０】上記接着剤のＴｇは２２０℃、αは５.０
×１０~5／Ｋ（平坦化度は０.４と低かったので二度塗
りを行った）。ピール強さは７８０ｇｆ／ｃｍ、引張り
強さは１５ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び１０％であった。
また、はんだ耐熱性もふくれや剥がれの発生が無く優れ
ていた。この絶縁層の銅含有量は０.００１％以下であ
った。
×１０~5／Ｋ（平坦化度は０.４と低かったので二度塗
りを行った）。ピール強さは７８０ｇｆ／ｃｍ、引張り
強さは１５ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び１０％であった。
また、はんだ耐熱性もふくれや剥がれの発生が無く優れ
ていた。この絶縁層の銅含有量は０.００１％以下であ
った。
【００８１】〔実施例 １１〕３,３',４,４'−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物（０.５モル）と１,
２,４,５−ピロメリット酸二無水物（０.５モル）とｐ
−ジアミノジフェニルエーテル（１モル）から実施例１
０に準じてポリアミド酸を作製し、これに２.２−ビス
〔４−(４−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−１,１,
１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパン４０重量％とＮ
ＭＰを加え樹脂分濃度２５重量％の接着剤を作製した。
フェノンテトラカルボン酸二無水物（０.５モル）と１,
２,４,５−ピロメリット酸二無水物（０.５モル）とｐ
−ジアミノジフェニルエーテル（１モル）から実施例１
０に準じてポリアミド酸を作製し、これに２.２−ビス
〔４−(４−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−１,１,
１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパン４０重量％とＮ
ＭＰを加え樹脂分濃度２５重量％の接着剤を作製した。
【００８２】これを用い実施例１に準じて多層配線回路
板を作製した。なお、配線基板の銅表面は厚さ約１００
ÅのＮｉで保護されたものを用いた。
板を作製した。なお、配線基板の銅表面は厚さ約１００
ÅのＮｉで保護されたものを用いた。
【００８３】上記接着剤のＴｇは２５０℃、αは４.９
×１０~5／Ｋ、平坦化度は０.６と低いので同じ条件で
二度塗りを行った。ピール強さは５８０ｇｆ／ｃｍ、引
張り強さは１２ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び１１％であっ
た。また、はんだ耐熱性もふくれや剥がれの発生が無く
優れていた。この絶縁層の銅含有量は０.００１％以下
であった。
×１０~5／Ｋ、平坦化度は０.６と低いので同じ条件で
二度塗りを行った。ピール強さは５８０ｇｆ／ｃｍ、引
張り強さは１２ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び１１％であっ
た。また、はんだ耐熱性もふくれや剥がれの発生が無く
優れていた。この絶縁層の銅含有量は０.００１％以下
であった。
【００８４】〔実施例 １２〕ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物と２,２−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキ）フェニル〕プロパンとＮＭＰから実施例１０に
準じてポリアミド酸を作製し、これを１００℃／１時間
と２５０℃／１時間の加熱条件でイミド化した。このポ
リイミドをＮＭＰに溶解し、更に２.２−ビス〔４−(４
−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−１,１,１,３,３,
３−ヘキサフルオロプロパン４０重量％とＮＭＰを加え
て樹脂分濃度４５重量％の接着剤を作製した。これを用
い実施例１に準じて多層配線回路板を作製した。
ルボン酸二無水物と２,２−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキ）フェニル〕プロパンとＮＭＰから実施例１０に
準じてポリアミド酸を作製し、これを１００℃／１時間
と２５０℃／１時間の加熱条件でイミド化した。このポ
リイミドをＮＭＰに溶解し、更に２.２−ビス〔４−(４
−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−１,１,１,３,３,
３−ヘキサフルオロプロパン４０重量％とＮＭＰを加え
て樹脂分濃度４５重量％の接着剤を作製した。これを用
い実施例１に準じて多層配線回路板を作製した。
【００８５】上記接着剤のＴｇは２２０℃、αは６.７
×１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは８７０
ｇｆ／ｃｍ、引張り強さは１０ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸
び１０％であった。また、はんだ耐熱性もふくれや剥が
れの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中のＣｕ含
有量は０.００１重量％以下であった。
×１０~5／Ｋ、平坦化度は０.８、ピール強さは８７０
ｇｆ／ｃｍ、引張り強さは１０ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸
び１０％であった。また、はんだ耐熱性もふくれや剥が
れの発生が無く優れていた。硬化後の接着層中のＣｕ含
有量は０.００１重量％以下であった。
【００８６】〔比較例 １〕図１（ａ）のセラミック基
板上に接着剤で固定した配線シート上に、他の配線シー
トを、次に示す接着フィルムを介在させ減圧下（０.１
ｍｍＨｇ）で加圧（４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2）しなが
ら２５０℃／３０分加熱して積層基板を作製した。
板上に接着剤で固定した配線シート上に、他の配線シー
トを、次に示す接着フィルムを介在させ減圧下（０.１
ｍｍＨｇ）で加圧（４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2）しなが
ら２５０℃／３０分加熱して積層基板を作製した。
【００８７】２,２−ビス〔４−(４−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパンをＮＭＰに溶解した後、ジアミ
ンと等モルの３,３',４,４'−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物を加え、全体の樹脂分含量が３０重量
％になるようにした。更に、室温で攪拌して高分子量化
したポリアミド酸を得た。
シ)フェニル〕プロパンをＮＭＰに溶解した後、ジアミ
ンと等モルの３,３',４,４'−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物を加え、全体の樹脂分含量が３０重量
％になるようにした。更に、室温で攪拌して高分子量化
したポリアミド酸を得た。
【００８８】次に、上記のポリアミド酸に対し４０重量
％のビス(４−フェニルマレイミド）−メタンを加え、
室温で溶解し、接着剤を作製した。これをユーピレック
スフィルム（宇部興産商品名）上に均一に塗布し、１０
０℃／６０分乾燥、更に２００℃／３０分でイミド化さ
せて膜厚２５μｍの接着剤フィルムを得た。
％のビス(４−フェニルマレイミド）−メタンを加え、
室温で溶解し、接着剤を作製した。これをユーピレック
スフィルム（宇部興産商品名）上に均一に塗布し、１０
０℃／６０分乾燥、更に２００℃／３０分でイミド化さ
せて膜厚２５μｍの接着剤フィルムを得た。
【００８９】該接着剤フィルムの硬化後のＴｇは２４０
℃、αは４．９×１０~5／Ｋ、ピール強さは６９０ｇｆ
／ｃｍ、引張り強さは８ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び６％
であった。
℃、αは４．９×１０~5／Ｋ、ピール強さは６９０ｇｆ
／ｃｍ、引張り強さは８ｋｇｆ／ｍｍ2、破断伸び６％
であった。
【００９０】しかし、接着剤フィルムは流動性が十分得
られないために配線と接着剤との界面の一部に、埋込不
十分な部分（ボイド）が発生した。そのためにはんだ耐
熱試験では、約３０秒〜１分で接着剤と配線界面から剥
離やふくれが発生した。
られないために配線と接着剤との界面の一部に、埋込不
十分な部分（ボイド）が発生した。そのためにはんだ耐
熱試験では、約３０秒〜１分で接着剤と配線界面から剥
離やふくれが発生した。
【００９１】
【発明の効果】本発明の多層配線回路板は、平坦性に優
れた接着剤を塗布し、乾燥、イミド化後に配線シートを
重ねて加圧，加熱することにより多層積層化することが
できるので、高精度であり、また、接着作業が容易で、
その工程も短かく量産性に優れている。
れた接着剤を塗布し、乾燥、イミド化後に配線シートを
重ねて加圧，加熱することにより多層積層化することが
できるので、高精度であり、また、接着作業が容易で、
その工程も短かく量産性に優れている。
【図１】本発明の一実施例の多層配線回路板の製造工程
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
１…銅配線、２…ポリイミド、３…接着層（絶縁層）、
４…セラミック基板、５スルーホール、６…銅めっき。
４…セラミック基板、５スルーホール、６…銅めっき。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ 6921−4Ｅ // Ｃ０８Ｇ 73/12 ＮＴＨ 9285−4Ｊ Ｃ０９Ｊ 179/08 ＪＧＥ Ａ 9285−4Ｊ (72)発明者 池田 孝栄 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 三輪 崇夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 片桐 純一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (31)
- 【請求項１】 半導体素子搭載用の薄膜多層配線回路板
の製法であって、 （ａ） 有機高分子材料の基板上に第１の配線を形成し
た配線シートを形成する工程、 （ｂ） 前記基板と配線間および配線上に、溶剤に可溶
性のポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体と熱硬
化性化合物およびこれらの溶媒とからなる液状ワニスを
被覆し接着層を形成する工程、 （ｃ） 前記接着層を乾燥する工程、 （ｄ） 前記接着層を介して第２の配線シートを積層す
る工程、 （ｅ） 前記積層した配線シートを加圧，加熱して接着
層を硬化し、前記第１の配線と第２の配線を接続する工
程、 を含むことを特徴とする多層配線回路板の製法。 - 【請求項２】 前記ポリイミド前駆体が下記一般式
〔１〕 【化１】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は水素または炭素数１〜３０のカルボキシル基を含まな
い有機基、ｎは整数を示す）で示される請求項１に記載
の多層配線回路板の製法。 - 【請求項３】 前記熱硬化性化合物が下記一般式〔２〕 【化２】 （但し、式中ｐは２〜３の整数、Ｒ2は炭素数１〜１０
０の有機基）で示される請求項１に記載の多層配線回路
板の製法。 - 【請求項４】 半導体素子搭載用の薄膜多層配線回路板
の製法であって、 （ａ） 有機高分子材料の基板上に第１の配線を形成し
た配線シートを形成する工程、 （ｂ） 前記基板と配線間および配線上に、ポリイミド
および／またはポリイミド前駆体と熱硬化性化合物およ
びこれらの溶媒とからなる液状ワニスを被覆し接着層を
形成する工程、 （ｃ） 前記接着層を乾燥することによりポリイミドお
よび／またはポリイミド前駆体と熱硬化性化合物の硬化
可能な層を形成する工程、 （ｄ） 前記接着層を介して第２の配線シートを重ねる
工程、 （ｅ） 前記積層した配線シートを加圧，加熱して接着
層を硬化し、前記第１の配線と第２の配線を接続する工
程、 を含むことを特徴とする多層配線回路板の製法。 - 【請求項５】 前記ポリイミド前駆体が溶剤に可溶なポ
リアミック酸エステルである請求項４に記載の多層配線
回路板の製法。 - 【請求項６】 前記ポリアミック酸エステルは下記一般
式〔１〕 【化３】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は炭素数１〜３０のカルボキシル基を含まない有機基、
ｎは整数を示す）で示される請求項５に記載の多層配線
回路板の製法。 - 【請求項７】 前記熱硬化性化合物が下記一般式〔２〕 【化４】 （但し、式中ｐは２〜３の整数、Ｒ2は炭素数１〜１０
０の有機基）で示される請求項４に記載の多層配線回路
板の製法。 - 【請求項８】 半導体素子搭載用の薄膜多層配線回路板
の製法であって、 （ａ） 配線を形成したセラミック配線回路板の基板上
と配線間および配線上に、溶媒に可溶性のポリイミドお
よび／またはポリイミド前駆体と熱硬化性化合物および
これらの有機溶媒とを含む液状ワニスを被覆し接着層を
形成する工程、 （ｂ） 前記接着層を乾燥する工程、 （ｃ）前記接着層の形成面に、有機高分子材料の基板上
に第２の配線を形成した配線シートを積層する工程、 （ｄ） セラミック配線板と前記配線シートとの積層体
を加圧する工程、 （ｅ） 前記接着層を硬化し、前記セラミック配線板の
配線と前記配線シートの配線とを接続する工程、 を含むことを特徴とする多層配線回路板の製法。 - 【請求項９】 前記ポリイミド前駆体が溶剤に可溶なポ
リアミック酸エステルで、前記ポリイミドに変換し得る
ものである請求項８に記載の多層配線回路板の製法。 - 【請求項１０】 前記ポリアミック酸エステルは下記一
般式〔１〕 【化５】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は炭素数１〜３０のカルボキシル基を含まない有機基、
ｎは整数を示す）で示される請求項９に記載の多層配線
回路板の製法。 - 【請求項１１】 前記熱硬化性化合物が下記一般式
〔２〕 【化６】 （但し、式中ｐは２〜３の整数、Ｒ2は炭素数１〜１０
０の有機基）で示される請求項８に記載の多層配線回路
板の製法。 - 【請求項１２】 前記ポリイミド前駆体が溶剤に可溶な
ポリアミック酸で前記ポリイミドに変換し得るものであ
る請求項８に記載の多層配線回路板の製法。 - 【請求項１３】 前記ポリアミック酸は下記一般式
〔１〕 【化７】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は水素、ｎは整数を示す）で示される請求項８に記載の
多層配線回路板の製法。 - 【請求項１４】 前記液状ワニスがイミド化温度以上に
加熱することによりポリイミドに変換するポリイミドま
たはポリイミド前駆体と、前記イミド化温度よりも高温
度で架橋重合する熱硬化性化合物と、前記ポリイミドの
溶媒からなる請求項８に記載の多層配線回路板の製法。 - 【請求項１５】 前記ポリイミド前駆体が溶剤に可溶な
ポリアミック酸エステルで、ポリイミドに変換し得るも
のである請求項１４に記載の多層配線回路板の製法。 - 【請求項１６】 前記ポリアミック酸エステルは下記一
般式〔１〕 【化８】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は炭素数１〜３０のカルボキシル基を含まない有機基、
ｎは整数を示す）で示される請求項１５に記載の多層配
線回路板の製法。 - 【請求項１７】 前記ポリイミド前駆体が溶剤に可溶な
ポリアミック酸で、ポリイミドに変換し得るものである
請求項１５に記載の多層配線回路板の製法。 - 【請求項１８】 前記ポリアミック酸は下記一般式
〔１〕 【化９】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は水素、ｎは整数を示す）で示される請求項１７に記載
の多層配線回路板の製法。 - 【請求項１９】 半導体素子搭載用の薄膜多層配線回路
板の製法であって、 （ａ） 有機高分子材料の基板上に第１の配線を形成し
た配線シートを形成する工程、 （ｂ） 前記基板と配線間および配線上に、ポリイミド
および／またはポリイミド前駆体と熱硬化性化合物およ
びこれらの溶媒とからなる液状ワニスを被覆し接着層を
形成する工程、 （ｃ） 前記接着層を乾燥することによりポリイミドお
よび／またはポリイミド前駆体と熱硬化性化合物の硬化
可能な層を形成する工程、 （ｄ） 前記接着層を介して第２の配線シートを積層す
る工程、 （ｆ） 前記接着層を硬化し、第２の配線シートの配線
部，基板および前記接着層の所定の個所にこれらを貫通
するスルーホールを形成する工程、 （ｇ） 第１の配線シートの配線と第２の配線シートの
配線とを前記スルーホールを介して電気的に接続する工
程、 （ｈ） 所定の積層数に応じて前記工程（ｂ）〜（ｇ）
を繰り返す工程、 を含むことを特徴とする多層配線回路板の製法。 - 【請求項２０】 前記ポリイミド前駆体が溶剤に可溶な
ポリアミック酸エステルでポリイミドに変換し得るもの
である請求項１９に記載の多層配線回路板の製法。 - 【請求項２１】 前記ポリアミック酸エステルは下記一
般式〔１〕 【化１０】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は炭素数１〜３０のカルボキシル基を含まない有機基、
ｎは整数を示す）で示される請求項２０に記載の多層配
線回路板の製法。 - 【請求項２２】 前記ポリイミド前駆体が溶剤に可溶な
ポリアミック酸でポリイミドに変換し得るものである請
求項１９に記載の多層配線回路板の製法。 - 【請求項２３】 前記ポリアミック酸は下記一般式
〔１〕 【化１１】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は水素、ｎは整数を示す）で示される請求項２２に記載
の多層配線回路板の製法。 - 【請求項２４】 前記熱硬化性化合物が下記一般式
〔２〕 【化１２】 （但し、式中ｐは２〜３の整数、Ｒ2は炭素数１〜１０
０の有機基）で示される請求項１９に記載の多層配線回
路板の製法。 - 【請求項２５】 前記第１の配線シートの背面にポリイ
ミドを含む接着層を介してセラミック配線板に接着する
請求項１９に記載の多層配線回路板の製法。 - 【請求項２６】 半導体素子搭載用の多層配線回路板で
あって、該回路板は配線回路を有する高分子フィルムの
基板が接着層を介して多層積層され、該積層体はセラミ
ック回路板上に接着されており、 前記高分子フィルムの各基板間の接着層およびセラミッ
ク回路板との接着層は熱硬化性ポリイミドを含み、 前記各層の配線回路およびセラミック回路板の配線回路
は所定の個所でスルーホールを介して電気的に接続され
ており、 前記接着層は、ポリアミック酸またはポリアミック酸エ
ステルをイミド化温度以上に加熱したポリイミドと、熱
硬化性化合物との硬化物からなることを特徴とする多層
配線回路板。 - 【請求項２７】 前記ポリイミド前駆体は溶剤に可溶な
ポリアミック酸エステルで、ポリイミドに変換したもの
である請求項２６に記載の多層配線回路板。 - 【請求項２８】 前記ポリアミック酸エステルは下記一
般式〔１〕 【化１３】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は炭素数１〜３０のカルボキシル基を含まない有機基、
ｎは整数を示す）で示される請求項２７に記載の多層配
線回路板。 - 【請求項２９】 前記ポリイミド前駆体は溶剤に可溶な
ポリアミック酸で、ポリイミドに変換したものである請
求項２６に記載の多層配線回路板。 - 【請求項３０】 前記ポリアミック酸は下記一般式
〔１〕 【化１４】 （但し、式中Ｘ，Ｙは炭素数１〜１００の有機基、Ｒ1
は水素、ｎは整数を示す）で示される請求項２９に記載
の多層配線回路板。 - 【請求項３１】 前記熱硬化性化合物が下記一般式
〔２〕 【化１５】 （但し、式中ｐは２〜３の整数、Ｒ2は炭素数１〜１０
０の有機基）で示される請求項２６に記載の多層配線回
路板。
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Cited By (2)
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-
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- 1993-01-22 DE DE1993620498 patent/DE69320498T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-01-22 EP EP19930300488 patent/EP0552984B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0913001A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-14 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子部品用液状接着剤および電子部品用接着テープ |
| JP2006160910A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体チップ用接着材組成物 |
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| DE69320498D1 (de) | 1998-10-01 |
| EP0552984A3 (ja) | 1994-01-19 |
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