JPH05275361A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH05275361A JPH05275361A JP10222792A JP10222792A JPH05275361A JP H05275361 A JPH05275361 A JP H05275361A JP 10222792 A JP10222792 A JP 10222792A JP 10222792 A JP10222792 A JP 10222792A JP H05275361 A JPH05275361 A JP H05275361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- furnace
- heat treatment
- furnace body
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、炉体内に余分な空気が侵入するの
を防止することができる熱処理装置を提供する。 【構成】 本発明は、架台２と、この架台上に配置した
熱処理用の炉体３と、炉体３の下方位置から炉体下部に
設けた装着穴４に亘って上下動自在な半導体載置手段５
とを具備し、半導体を半導体載置手段５上に移送し装着
穴４を経て炉体３内に搬送して熱処理を行う熱処理装置
において、半導体載置手段５の周辺領域に設けられた、
装着穴４を介して炉体３に連通する密閉室６と、密閉室
６に設けた半導体を導入する導入口７と、導入口７を開
閉する開閉手段８と、密閉室６内を非酸化雰囲気に置換
する置換手段９とを設けたものである。半導体を半導体
載置手段５に載置した後、置換手段９により密閉室６を
非酸化雰囲気に置換した後、炉体３内に半導体を搬送す
る。
を防止することができる熱処理装置を提供する。 【構成】 本発明は、架台２と、この架台上に配置した
熱処理用の炉体３と、炉体３の下方位置から炉体下部に
設けた装着穴４に亘って上下動自在な半導体載置手段５
とを具備し、半導体を半導体載置手段５上に移送し装着
穴４を経て炉体３内に搬送して熱処理を行う熱処理装置
において、半導体載置手段５の周辺領域に設けられた、
装着穴４を介して炉体３に連通する密閉室６と、密閉室
６に設けた半導体を導入する導入口７と、導入口７を開
閉する開閉手段８と、密閉室６内を非酸化雰囲気に置換
する置換手段９とを設けたものである。半導体を半導体
載置手段５に載置した後、置換手段９により密閉室６を
非酸化雰囲気に置換した後、炉体３内に半導体を搬送す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置に関し、よ
り詳しくは、半導体製造の技術分野において用いられる
熱処理装置に関する。
り詳しくは、半導体製造の技術分野において用いられる
熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程では、半導体を加熱し
て所定の処理をするために、酸化炉、拡散炉、ＬＰＣＶ
Ｄ炉等の各種の熱処理装置が使用されている。
て所定の処理をするために、酸化炉、拡散炉、ＬＰＣＶ
Ｄ炉等の各種の熱処理装置が使用されている。
【０００３】図２は従来の熱処理装置の概略構成図であ
る。図２に示す従来の熱処理装置３０は、箱形状の架台
３１と、架台３１の上部に配置され、摂氏１０００度程
度の熱処理雰囲気を形成する炉体３２と、架台３１の左
端部上に配置され、ウェハを所定数収納するカセット３
３と、ウェハＷを炉体３２の下面側から炉体に出し入れ
するウェハ載置板３４と、カセット３３からウェハＷを
ウェハ載置板３４上に搬送する図示しないロボット装置
とを備えて構成される。
る。図２に示す従来の熱処理装置３０は、箱形状の架台
３１と、架台３１の上部に配置され、摂氏１０００度程
度の熱処理雰囲気を形成する炉体３２と、架台３１の左
端部上に配置され、ウェハを所定数収納するカセット３
３と、ウェハＷを炉体３２の下面側から炉体に出し入れ
するウェハ載置板３４と、カセット３３からウェハＷを
ウェハ載置板３４上に搬送する図示しないロボット装置
とを備えて構成される。
【０００４】カセット３３に収納されたウェハは、図示
しないロボット装置によりウェハ載置板３４上に搬送さ
れる。ウェハ載置板３４は、そのウェハＷを載せたまま
上昇して炉体３２の下面に設けられた装着穴３２ａに装
着される。これにより、ウェハＷを炉体３２内に搬送す
る。そして、炉体３２内においてウェハＷを加熱して所
定の処理を施す。
しないロボット装置によりウェハ載置板３４上に搬送さ
れる。ウェハ載置板３４は、そのウェハＷを載せたまま
上昇して炉体３２の下面に設けられた装着穴３２ａに装
着される。これにより、ウェハＷを炉体３２内に搬送す
る。そして、炉体３２内においてウェハＷを加熱して所
定の処理を施す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
熱処理装置３０では、ウェハ載置板３４を炉体３２の下
部に形成した装着穴３２ａに装着する際、架台３１内に
図２に示す点線の経路でクリーンエアを導入しつつ行う
ので、ウェハ載置板３４の装着穴３２ａへの上昇時に、
この装着穴３２ａから炉体３２内へエアが侵入してしま
い、炉体３２内における各ウェハＷの熱処理時に各ウェ
ハＷの表面に好ましくない反応（酸化）が生じ、ウェハ
Ｗを汚染してしまうという問題がある。
熱処理装置３０では、ウェハ載置板３４を炉体３２の下
部に形成した装着穴３２ａに装着する際、架台３１内に
図２に示す点線の経路でクリーンエアを導入しつつ行う
ので、ウェハ載置板３４の装着穴３２ａへの上昇時に、
この装着穴３２ａから炉体３２内へエアが侵入してしま
い、炉体３２内における各ウェハＷの熱処理時に各ウェ
ハＷの表面に好ましくない反応（酸化）が生じ、ウェハ
Ｗを汚染してしまうという問題がある。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、炉体内に余分な空気が侵入するのを防止すること
ができる熱処理装置を提供することを目的とするもので
ある。
あり、炉体内に余分な空気が侵入するのを防止すること
ができる熱処理装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する
め、本発明の熱処理装置は、架台と、この架台上に配置
した熱処理用の炉体と、前記炉体の下方位置から炉体下
部に設けた装着穴に亘って上下動自在な半導体載置手段
とを具備し、半導体を前記半導体載置手段上に移送し前
記装着穴を経て前記炉体内に搬送して熱処理を行う熱処
理装置において、前記半導体載置手段の周辺領域に設け
られた、前記装着穴を介して前記炉体に連通する密閉室
と、前記密閉室に設けられ半導体を導入する導入口と、
前記導入口を開閉する開閉手段と、前記密閉室内を非酸
化雰囲気に置換する置換手段とを設けたことを特徴とす
るものである。
め、本発明の熱処理装置は、架台と、この架台上に配置
した熱処理用の炉体と、前記炉体の下方位置から炉体下
部に設けた装着穴に亘って上下動自在な半導体載置手段
とを具備し、半導体を前記半導体載置手段上に移送し前
記装着穴を経て前記炉体内に搬送して熱処理を行う熱処
理装置において、前記半導体載置手段の周辺領域に設け
られた、前記装着穴を介して前記炉体に連通する密閉室
と、前記密閉室に設けられ半導体を導入する導入口と、
前記導入口を開閉する開閉手段と、前記密閉室内を非酸
化雰囲気に置換する置換手段とを設けたことを特徴とす
るものである。
【０００８】
【作用】上記のように構成した本発明の熱処理装置の作
用について以下に説明する。この熱処理装置により半導
体に対する熱処理を行うために、密閉室内の半導体載置
手段に対しクリーンエアの下で半導体を載置した後、開
閉手段により導入口を閉じる。次に密閉室内を非酸化雰
囲気、例えば窒素ガス雰囲気に置換する。そして、半導
体載置手段を上昇させて半導体を装着穴を経て炉体内に
搬入する。これにより、装着穴から炉体内に余分な空気
が侵入するのを防止する。
用について以下に説明する。この熱処理装置により半導
体に対する熱処理を行うために、密閉室内の半導体載置
手段に対しクリーンエアの下で半導体を載置した後、開
閉手段により導入口を閉じる。次に密閉室内を非酸化雰
囲気、例えば窒素ガス雰囲気に置換する。そして、半導
体載置手段を上昇させて半導体を装着穴を経て炉体内に
搬入する。これにより、装着穴から炉体内に余分な空気
が侵入するのを防止する。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の一実施例である熱処理装置
について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実
施例である熱処理装置の概略構成図である。図１に示す
熱処理装置１は、箱形状の架台２と、架台２の上部に配
置され、摂氏１０００度程度の熱処理雰囲気を形成する
炉体３と、架台２の左端部上に配置された、ウェハＷを
所定数収納するカセット３３と、ウェハＷを炉体３の下
面側に設けた装着穴４から出し入れする半導体載置手段
としてのウェハ載置板５と、カセット３３に収納された
ウェハＷをウェハ載置板５に搬送する図示しないロボッ
ト装置と、ウェハ載置板の周辺領域に設けられた、装着
穴４を介して炉体３に連通する密閉室６と、密閉室６内
をクリーンエアから非酸化雰囲気に置換する置換手段９
とを備えて構成される。
について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実
施例である熱処理装置の概略構成図である。図１に示す
熱処理装置１は、箱形状の架台２と、架台２の上部に配
置され、摂氏１０００度程度の熱処理雰囲気を形成する
炉体３と、架台２の左端部上に配置された、ウェハＷを
所定数収納するカセット３３と、ウェハＷを炉体３の下
面側に設けた装着穴４から出し入れする半導体載置手段
としてのウェハ載置板５と、カセット３３に収納された
ウェハＷをウェハ載置板５に搬送する図示しないロボッ
ト装置と、ウェハ載置板の周辺領域に設けられた、装着
穴４を介して炉体３に連通する密閉室６と、密閉室６内
をクリーンエアから非酸化雰囲気に置換する置換手段９
とを備えて構成される。
【００１０】密閉室６には、クリーンエアの下でウェハ
Ｗを導入する導入口７と、導入口７を開閉する開閉手段
としてのシャッタ８とが設けられている。置換手段９
は、密閉室６の上方から密閉室６内に導入した導入パイ
プ１０と、密閉室６の下側から外部に導出した導出パイ
プ１１と、導入パイプ１０を経て密閉室６内へ非酸化雰
囲気を形成する窒素ガスを圧送するとともに、密閉室６
内の窒素ガスを前記導出パイプ１１を経て外部へ排出す
る窒素ガス処理手段１２とを具備している。
Ｗを導入する導入口７と、導入口７を開閉する開閉手段
としてのシャッタ８とが設けられている。置換手段９
は、密閉室６の上方から密閉室６内に導入した導入パイ
プ１０と、密閉室６の下側から外部に導出した導出パイ
プ１１と、導入パイプ１０を経て密閉室６内へ非酸化雰
囲気を形成する窒素ガスを圧送するとともに、密閉室６
内の窒素ガスを前記導出パイプ１１を経て外部へ排出す
る窒素ガス処理手段１２とを具備している。
【００１１】次に、本実施例の熱処理装置１の動作につ
いて説明する。この熱処理装置１により、ウェハＷに対
する熱処理を行うために、先ずシャッタ８を開いて、ロ
ボット装置によりカセット３３からウェハＷを、クリー
ンエアの下で、導入口７を介してウェハ載置板５に載置
する。そして、シャッタ８により導入口７を閉じる。次
に、窒素ガス処理手段１２により、密閉室６内に導入パ
イプ１０を介して窒素ガスを圧送してこの密閉室６内
（必要に応じて炉体３内をも）を窒素ガスで置換する。
その後、ウェハＷが載置されたウェハ載置板５を上昇さ
せてウェハ載置板５を炉体３の装着穴４に装着すること
により、各ウェハＷを炉体３内に搬送する。
いて説明する。この熱処理装置１により、ウェハＷに対
する熱処理を行うために、先ずシャッタ８を開いて、ロ
ボット装置によりカセット３３からウェハＷを、クリー
ンエアの下で、導入口７を介してウェハ載置板５に載置
する。そして、シャッタ８により導入口７を閉じる。次
に、窒素ガス処理手段１２により、密閉室６内に導入パ
イプ１０を介して窒素ガスを圧送してこの密閉室６内
（必要に応じて炉体３内をも）を窒素ガスで置換する。
その後、ウェハＷが載置されたウェハ載置板５を上昇さ
せてウェハ載置板５を炉体３の装着穴４に装着すること
により、各ウェハＷを炉体３内に搬送する。
【００１２】上記の本実施例装置によれば、予め密閉室
６内を窒素ガスで置換した後に、ウェハＷを炉体３内に
搬送するので、装着穴４から炉体３内に余分な空気が侵
入することは皆無となり、ウェハＷの汚染を防止しつつ
炉体３内において各ウェハＷに対し、例えば酸素導入に
よる所定の酸化処理等を実行できる。
６内を窒素ガスで置換した後に、ウェハＷを炉体３内に
搬送するので、装着穴４から炉体３内に余分な空気が侵
入することは皆無となり、ウェハＷの汚染を防止しつつ
炉体３内において各ウェハＷに対し、例えば酸素導入に
よる所定の酸化処理等を実行できる。
【００１３】本発明は、上述した実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体載置手段の周辺領域に設けられた、装着穴を介して
炉体に連通する密閉室と、密閉室に設けた半導体の導入
口と、導入口を開閉する開閉手段と、密閉室内を非酸化
雰囲気に置換する置換手段とを設けたことにより、炉体
内に余分な空気を導入する虞れが無くなり、したがって
半導体の汚染を無くすことができる熱処理装置を提供す
ることができる。
導体載置手段の周辺領域に設けられた、装着穴を介して
炉体に連通する密閉室と、密閉室に設けた半導体の導入
口と、導入口を開閉する開閉手段と、密閉室内を非酸化
雰囲気に置換する置換手段とを設けたことにより、炉体
内に余分な空気を導入する虞れが無くなり、したがって
半導体の汚染を無くすことができる熱処理装置を提供す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例である熱処理装置を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】従来の熱処理装置を示す概略構成図である。
１ 熱処理装置 ２ 架台 ３ 炉体 ４ 装着穴 ５ ウェハ載置板 ６ 密閉室 ７ 導入口 ８ シャッタ ９ 置換手段 １０ 窒素ガス導入パイプ １１ 窒素ガス導出パイプ １２ 窒素ガス処理手段 Ｗ ウェハ
Claims (1)
- 【請求項１】 架台と、この架台上に配置した熱処理用
の炉体と、前記炉体の下方位置から炉体下部に設けた装
着穴に亘って上下動自在な半導体載置手段とを具備し、
半導体を前記半導体載置手段上に移送し前記装着穴を経
て前記炉体内に搬送して熱処理を行う熱処理装置におい
て、前記半導体載置手段の周辺領域に設けられた、前記
装着穴を介して前記炉体に連通する密閉室と、前記密閉
室に設けられ半導体を導入する導入口と、前記導入口を
開閉する開閉手段と、前記密閉室内を非酸化雰囲気に置
換する置換手段とを設けたことを特徴とする熱処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10222792A JPH05275361A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10222792A JPH05275361A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275361A true JPH05275361A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14321774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10222792A Withdrawn JPH05275361A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100773265B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-11-05 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 평판표시소자 제조장치 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP10222792A patent/JPH05275361A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100773265B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-11-05 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 평판표시소자 제조장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |