JPH05259703A - 高周波用ローパスフィルタ - Google Patents
高周波用ローパスフィルタInfo
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- JPH05259703A JPH05259703A JP4091663A JP9166392A JPH05259703A JP H05259703 A JPH05259703 A JP H05259703A JP 4091663 A JP4091663 A JP 4091663A JP 9166392 A JP9166392 A JP 9166392A JP H05259703 A JPH05259703 A JP H05259703A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で、通過帯域付近の周波数で減衰量を確
保することができる、高周波用ローパスフィルタを得
る。 【構成】 １００μｍ以上の厚みを有する第１の誘電体
層１２上に、アース電極１４を形成する。アース電極１
４上に、３つのコンデンサ電極２０，２２，２４を形成
した第２の誘電体層１８を配置する。コンデンサ電極２
０，２２，２４とアース電極１４との間に、静電容量が
形成される。コンデンサ電極２０，２２，２４上に、２
つのコイル電極２８，３０を形成した第３の誘電体層２
６を配置する。コイル電極２８，３０上に、シールド電
極３４を形成した第４の誘電体層３２を配置する。シー
ルド電極３４上に、第５の誘電体層３８を配置する。外
部電極によって、コイル電極２８をコンデンサ電極２
０，２２に接続し、コイル電極３０をコンデンサ電極２
０，２４に接続する。また、アース電極１４とシールド
電極３４とを接続する。
保することができる、高周波用ローパスフィルタを得
る。 【構成】 １００μｍ以上の厚みを有する第１の誘電体
層１２上に、アース電極１４を形成する。アース電極１
４上に、３つのコンデンサ電極２０，２２，２４を形成
した第２の誘電体層１８を配置する。コンデンサ電極２
０，２２，２４とアース電極１４との間に、静電容量が
形成される。コンデンサ電極２０，２２，２４上に、２
つのコイル電極２８，３０を形成した第３の誘電体層２
６を配置する。コイル電極２８，３０上に、シールド電
極３４を形成した第４の誘電体層３２を配置する。シー
ルド電極３４上に、第５の誘電体層３８を配置する。外
部電極によって、コイル電極２８をコンデンサ電極２
０，２２に接続し、コイル電極３０をコンデンサ電極２
０，２４に接続する。また、アース電極１４とシールド
電極３４とを接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高周波用ローパスフィ
ルタに関し、特にたとえば、電極パターンを形成した層
を積層することによって、インダクタとコンデンサとを
π型接続した回路を形成した、高周波用ローパスフィル
タに関する。
ルタに関し、特にたとえば、電極パターンを形成した層
を積層することによって、インダクタとコンデンサとを
π型接続した回路を形成した、高周波用ローパスフィル
タに関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波用ローパスフィルタとしては、た
とえばアース電極，コンデンサ電極，コイル電極などを
形成した誘電体層を積層し、その積層体の側面に外部電
極を形成したものがあった。この外部電極によって、積
層体内に形成された電極の中の必要なものが接続され
る。
とえばアース電極，コンデンサ電極，コイル電極などを
形成した誘電体層を積層し、その積層体の側面に外部電
極を形成したものがあった。この外部電極によって、積
層体内に形成された電極の中の必要なものが接続され
る。
【０００３】図８および図９は、通常ローパスフィルタ
として用いられている回路である。図８に示す回路は、
インダクタンスＬ1 ，Ｌ2 と静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12
とをπ型に接続した回路である。また、図９に示す回路
は、インダクタＬ1 と静電容量Ｃ1 との並列回路および
インダクタＬ2 と静電容量Ｃ2 との並列回路を接続し、
さらに静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12を用いて、π型接続し
た回路である。
として用いられている回路である。図８に示す回路は、
インダクタンスＬ1 ，Ｌ2 と静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12
とをπ型に接続した回路である。また、図９に示す回路
は、インダクタＬ1 と静電容量Ｃ1 との並列回路および
インダクタＬ2 と静電容量Ｃ2 との並列回路を接続し、
さらに静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12を用いて、π型接続し
た回路である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８に示す高周波用ロ
ーパスフィルタでは、その周波数特性において、極を持
たず、スプリアス特性に優れている。ところが、通過帯
域付近の周波数で減衰量を確保するためには、インダク
タンスを大きくしなければならず、そのためにはコイル
電極を長くし、占有面積を大きくする必要があり、小型
化が困難である。図９に示す高周波用ローパスフィルタ
では、その周波数特性において、極を持ち、通過帯域付
近の周波数で減衰量を確保することができる。ところ
が、このような回路の高周波用ローパスフィルタでは、
スプリアス特性がよくない。
ーパスフィルタでは、その周波数特性において、極を持
たず、スプリアス特性に優れている。ところが、通過帯
域付近の周波数で減衰量を確保するためには、インダク
タンスを大きくしなければならず、そのためにはコイル
電極を長くし、占有面積を大きくする必要があり、小型
化が困難である。図９に示す高周波用ローパスフィルタ
では、その周波数特性において、極を持ち、通過帯域付
近の周波数で減衰量を確保することができる。ところ
が、このような回路の高周波用ローパスフィルタでは、
スプリアス特性がよくない。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型で、通過帯域付近の周波数で減衰量を確保することが
できる、高周波用ローパスフィルタを提供することであ
る。
型で、通過帯域付近の周波数で減衰量を確保することが
できる、高周波用ローパスフィルタを提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、積層体と、
積層体の側面において積層体の積層面に交わる向きに延
びる複数の外部電極とを含む高周波用ローパスフィルタ
であって、積層体は、アース電極と、誘電体層を挟んで
アース電極に対向することにより、アース電極との間に
静電容量を形成するコンデンサ電極と、誘電体層を挟ん
でコンデンサ電極およびアース電極と間隔を隔てて形成
され、かつコンデンサ電極に接続されるコイル電極と、
コンデンサ電極およびコイル電極が存在する側と反対側
のアース電極上に形成される１００μｍ以上の厚みを有
する誘電体層とを含み、複数の外部電極はアース電極，
コンデンサ電極およびコイル電極に接続される、高周波
用ローパスフィルタである。
積層体の側面において積層体の積層面に交わる向きに延
びる複数の外部電極とを含む高周波用ローパスフィルタ
であって、積層体は、アース電極と、誘電体層を挟んで
アース電極に対向することにより、アース電極との間に
静電容量を形成するコンデンサ電極と、誘電体層を挟ん
でコンデンサ電極およびアース電極と間隔を隔てて形成
され、かつコンデンサ電極に接続されるコイル電極と、
コンデンサ電極およびコイル電極が存在する側と反対側
のアース電極上に形成される１００μｍ以上の厚みを有
する誘電体層とを含み、複数の外部電極はアース電極，
コンデンサ電極およびコイル電極に接続される、高周波
用ローパスフィルタである。
【０００７】
【作用】アース電極とコンデンサ電極との間に静電容量
が形成され、コイル電極によってインダクタが形成され
る。これらのインダクタと静電容量とで、高周波用ロー
パスフィルタが形成される。この高周波用ローパスフィ
ルタにおいて、アース電極上に１００μｍ以上の厚みを
有する誘電体層が形成されることにより、外部電極の長
さを大きくすることができ、外部電極部分に生じるイン
ダクタンスが大きくなる。
が形成され、コイル電極によってインダクタが形成され
る。これらのインダクタと静電容量とで、高周波用ロー
パスフィルタが形成される。この高周波用ローパスフィ
ルタにおいて、アース電極上に１００μｍ以上の厚みを
有する誘電体層が形成されることにより、外部電極の長
さを大きくすることができ、外部電極部分に生じるイン
ダクタンスが大きくなる。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、外部電極部分に生じ
るインダクタンスにより、減衰量の極周波数を設計する
ことができる。したがって、通過帯域付近の周波数で減
衰量を確保することができる。しかも、外部電極部分に
生じるインダクタンスを利用しているため、内部に形成
されるコイル電極を大きくする必要がなく、小型の高周
波用ローパスフィルタを得ることができる。
るインダクタンスにより、減衰量の極周波数を設計する
ことができる。したがって、通過帯域付近の周波数で減
衰量を確保することができる。しかも、外部電極部分に
生じるインダクタンスを利用しているため、内部に形成
されるコイル電極を大きくする必要がなく、小型の高周
波用ローパスフィルタを得ることができる。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
る。この高周波用ローパスフィルタ１０は、積層体１１
を含む。積層体１１は、図２に示すように、第１の誘電
体層１２を含む。この第１の誘電体層１２の厚みは、１
００μｍ以上に設定される。第１の誘電体層１２上に
は、その周辺部を除く全面にアース電極１４が形成され
る。アース電極１４から第１の誘電体層１２の端部に向
かって、４つの引出端子１６ａ，１６ｂ，１６ｃおよび
１６ｄが形成される。２つの引出端子１６ａ，１６ｂ
は、第１の誘電体層１２の一端側に向かって形成され、
互いに間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子１
６ｃ，１６ｄは、第１の誘電体層１２の他端側に向かっ
て形成され、その中央付近で近接した位置に形成され
る。
る。この高周波用ローパスフィルタ１０は、積層体１１
を含む。積層体１１は、図２に示すように、第１の誘電
体層１２を含む。この第１の誘電体層１２の厚みは、１
００μｍ以上に設定される。第１の誘電体層１２上に
は、その周辺部を除く全面にアース電極１４が形成され
る。アース電極１４から第１の誘電体層１２の端部に向
かって、４つの引出端子１６ａ，１６ｂ，１６ｃおよび
１６ｄが形成される。２つの引出端子１６ａ，１６ｂ
は、第１の誘電体層１２の一端側に向かって形成され、
互いに間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子１
６ｃ，１６ｄは、第１の誘電体層１２の他端側に向かっ
て形成され、その中央付近で近接した位置に形成され
る。
【００１１】アース電極１４上には、第２の誘電体層１
８が配置される。第２の誘電体層１８上には、３つのコ
ンデンサ電極２０，２２および２４が形成される。コン
デンサ電極２０は、第２の誘電体層１８の一端寄りにお
いて、ほぼ中央付近に形成される。また、コンデンサ電
極２２，２４は、第２の誘電体層１８の他端寄りにおい
て、両側に間隔を隔てて形成される。コンデンサ電極２
０から第２の誘電体層１８の一端に向かって、接続端子
２０ａおよび２０ｂが形成される。これらの接続端子２
０ａ，２０ｂは、第２の誘電体層１８の一端側の中央部
付近で、互いに近接して形成される。また、コンデンサ
電極２２，２４から第２の誘電体層１８の他端に向かっ
て、それぞれ接続端子２２ａ，２４ａが形成される。こ
れらの接続端子２２ａ，２４ａは、互いに間隔を隔てて
形成される。これらのコンデンサ電極２０，２２，２４
は、アース電極１４に対向するように形成される。
８が配置される。第２の誘電体層１８上には、３つのコ
ンデンサ電極２０，２２および２４が形成される。コン
デンサ電極２０は、第２の誘電体層１８の一端寄りにお
いて、ほぼ中央付近に形成される。また、コンデンサ電
極２２，２４は、第２の誘電体層１８の他端寄りにおい
て、両側に間隔を隔てて形成される。コンデンサ電極２
０から第２の誘電体層１８の一端に向かって、接続端子
２０ａおよび２０ｂが形成される。これらの接続端子２
０ａ，２０ｂは、第２の誘電体層１８の一端側の中央部
付近で、互いに近接して形成される。また、コンデンサ
電極２２，２４から第２の誘電体層１８の他端に向かっ
て、それぞれ接続端子２２ａ，２４ａが形成される。こ
れらの接続端子２２ａ，２４ａは、互いに間隔を隔てて
形成される。これらのコンデンサ電極２０，２２，２４
は、アース電極１４に対向するように形成される。
【００１２】コンデンサ電極２０，２２，２４上には、
第３の誘電体層２６が配置される。第３の誘電体層２６
上には、２つのコイル電極２８および３０が形成され
る。これらのコイル電極２８，３０は、第３の誘電体層
２６の一端から他端に向かって蛇行するミアンダライン
として形成される。コイル電極２８の一端部２８ａはコ
ンデンサ電極２０の接続端子２０ａに対応する位置に配
置され、他端部２８ｂはコンデンサ電極２２の接続端子
２２ａに対応する位置に配置される。また、コイル電極
３０の一端部３０ａはコンデンサ電極２０の接続端子２
０ｂに対応する位置に配置され、他端部３０ｂはコンデ
ンサ電極２４の接続端子２４ａに対応する位置に配置さ
れる。
第３の誘電体層２６が配置される。第３の誘電体層２６
上には、２つのコイル電極２８および３０が形成され
る。これらのコイル電極２８，３０は、第３の誘電体層
２６の一端から他端に向かって蛇行するミアンダライン
として形成される。コイル電極２８の一端部２８ａはコ
ンデンサ電極２０の接続端子２０ａに対応する位置に配
置され、他端部２８ｂはコンデンサ電極２２の接続端子
２２ａに対応する位置に配置される。また、コイル電極
３０の一端部３０ａはコンデンサ電極２０の接続端子２
０ｂに対応する位置に配置され、他端部３０ｂはコンデ
ンサ電極２４の接続端子２４ａに対応する位置に配置さ
れる。
【００１３】コイル電極２８，３０上には、第４の誘電
体層３２が配置される。第４の誘電体層３２上には、そ
の周辺部を除く全面に、シールド電極３４が形成され
る。シールド電極３４から第４の誘電体層３２の端部に
向かって、４つの引出端子３６ａ，３６ｂ，３６ｃおよ
び３６ｄが形成される。２つの引出端子３６ａ，３６ｂ
は、第４の誘電体層３２の一端側に向かって形成され、
互いに間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子３
６ｃ，３６ｄは、第４の誘電体層３２の他端側に向かっ
て形成され、その中央付近で近接した位置に形成され
る。さらに、シールド電極３４上には、第５の誘電体層
３８が配置される。
体層３２が配置される。第４の誘電体層３２上には、そ
の周辺部を除く全面に、シールド電極３４が形成され
る。シールド電極３４から第４の誘電体層３２の端部に
向かって、４つの引出端子３６ａ，３６ｂ，３６ｃおよ
び３６ｄが形成される。２つの引出端子３６ａ，３６ｂ
は、第４の誘電体層３２の一端側に向かって形成され、
互いに間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子３
６ｃ，３６ｄは、第４の誘電体層３２の他端側に向かっ
て形成され、その中央付近で近接した位置に形成され
る。さらに、シールド電極３４上には、第５の誘電体層
３８が配置される。
【００１４】各電極が形成された誘電体層が積層され
て、積層体１１が形成される。この積層体１１の側面に
は、８つの外部電極４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，
４０ｅ，４０ｆ，４０ｇおよび４０ｈが形成される。こ
れらの外部電極４０ａ〜４０ｈのうち、４つの外部電極
４０ａ〜４０ｄは積層体１１の一端側に形成され、他の
４つの外部電極４０ｅ〜４０ｈは積層体１１の他端側に
形成される。これらの外部電極４０ａ〜４０ｈは、積層
体１１の上面から側面を経て、下面に達するように形成
される。
て、積層体１１が形成される。この積層体１１の側面に
は、８つの外部電極４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，
４０ｅ，４０ｆ，４０ｇおよび４０ｈが形成される。こ
れらの外部電極４０ａ〜４０ｈのうち、４つの外部電極
４０ａ〜４０ｄは積層体１１の一端側に形成され、他の
４つの外部電極４０ｅ〜４０ｈは積層体１１の他端側に
形成される。これらの外部電極４０ａ〜４０ｈは、積層
体１１の上面から側面を経て、下面に達するように形成
される。
【００１５】外部電極４０ａ，４０ｄ，４０ｆおよび４
０ｇは、それぞれアース電極１４の引出端子１６ａ，１
６ｂ，１６ｃおよび１６ｄに接続される。同時に、外部
電極４０ａ，４０ｄ，４０ｆおよび４０ｇは、それぞれ
シールド電極３４の引出端子３６ａ，３６ｂ，３６ｃお
よび３６ｄに接続される。また、外部電極４０ｂは、コ
イル電極２８の一端部２８ａとコンデンサ電極２０の接
続端子２０ａとに接続される。さらに、外部電極４０ｅ
は、コイル電極２８の他端部２８ｂとコンデンサ電極２
２の接続端子２２ａとに接続される。また、外部電極４
０ｃは、コイル電極３０の一端部３０ａとコンデンサ電
極２０の接続端子２０ｂとに接続される。さらに、外部
電極４０ｈは、コイル電極３０の他端部３０ｂとコンデ
ンサ電極２４の接続端子２４ａとに接続される。
０ｇは、それぞれアース電極１４の引出端子１６ａ，１
６ｂ，１６ｃおよび１６ｄに接続される。同時に、外部
電極４０ａ，４０ｄ，４０ｆおよび４０ｇは、それぞれ
シールド電極３４の引出端子３６ａ，３６ｂ，３６ｃお
よび３６ｄに接続される。また、外部電極４０ｂは、コ
イル電極２８の一端部２８ａとコンデンサ電極２０の接
続端子２０ａとに接続される。さらに、外部電極４０ｅ
は、コイル電極２８の他端部２８ｂとコンデンサ電極２
２の接続端子２２ａとに接続される。また、外部電極４
０ｃは、コイル電極３０の一端部３０ａとコンデンサ電
極２０の接続端子２０ｂとに接続される。さらに、外部
電極４０ｈは、コイル電極３０の他端部３０ｂとコンデ
ンサ電極２４の接続端子２４ａとに接続される。
【００１６】この高周波用ローパスフィルタ１０は、た
とえば誘電体セラミックグリーンシート上に各電極の形
状に電極ペーストを塗布し、積層して焼成することによ
り形成される。このとき、各誘電体層の厚みにしたがっ
て、積層するセラミックグリーンシートの枚数が調整さ
れる。なお、外部電極を形成するには、積層体を焼成す
る前に電極ペーストを塗布し、一体的に焼成してもよい
し、積層体を焼成した後に電極ペーストを塗布して焼き
付けてもよい。
とえば誘電体セラミックグリーンシート上に各電極の形
状に電極ペーストを塗布し、積層して焼成することによ
り形成される。このとき、各誘電体層の厚みにしたがっ
て、積層するセラミックグリーンシートの枚数が調整さ
れる。なお、外部電極を形成するには、積層体を焼成す
る前に電極ペーストを塗布し、一体的に焼成してもよい
し、積層体を焼成した後に電極ペーストを塗布して焼き
付けてもよい。
【００１７】この高周波用ローパスフィルタ１０は、図
３に示すように、インダクタンスＬ 1 ，Ｌ2 と静電容量
Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12とがπ型接続された等価回路を有す
る。この高周波用ローパスフィルタ１０では、たとえば
１．６ＧＨｚ以下に通過帯域を有するフィルタを得るこ
とができる。この高周波用ローパスフィルタ１０では、
第１の誘電体層１２の厚みを変えることによって、外部
電極４０ａ〜４０ｈの長さが変わる。それによって、外
部電極４０ａ〜４０ｈ部分で生じるインダクタンスが変
わる。この部分で生じるインダクタンスは、図３の回路
において、静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12とアースとの間の
インダクタンスＬ10，Ｌ11，Ｌ12となる。これらのイン
ダクタンスＬ10，Ｌ11，Ｌ12を調整することによって、
周波数特性における極の位置を変えることができる。
３に示すように、インダクタンスＬ 1 ，Ｌ2 と静電容量
Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12とがπ型接続された等価回路を有す
る。この高周波用ローパスフィルタ１０では、たとえば
１．６ＧＨｚ以下に通過帯域を有するフィルタを得るこ
とができる。この高周波用ローパスフィルタ１０では、
第１の誘電体層１２の厚みを変えることによって、外部
電極４０ａ〜４０ｈの長さが変わる。それによって、外
部電極４０ａ〜４０ｈ部分で生じるインダクタンスが変
わる。この部分で生じるインダクタンスは、図３の回路
において、静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12とアースとの間の
インダクタンスＬ10，Ｌ11，Ｌ12となる。これらのイン
ダクタンスＬ10，Ｌ11，Ｌ12を調整することによって、
周波数特性における極の位置を変えることができる。
【００１８】実験例として、第１の誘電体層１２の厚み
が５０μｍ，１００μｍ，１５０μｍ，２００μｍの高
周波用ローパスフィルタの減衰量と反射損失とを測定し
た。そして、その周波数特性を図４，図５，図６および
図７に示した。これらの図において、三角形で示す番号
１は１．６５ＧＨｚ，番号２は３．３ＧＨｚ，番号３は
４．９５ＧＨｚ，番号４は６．６ＧＨｚ，番号５は８．
２５ＧＨｚの点を示す。
が５０μｍ，１００μｍ，１５０μｍ，２００μｍの高
周波用ローパスフィルタの減衰量と反射損失とを測定し
た。そして、その周波数特性を図４，図５，図６および
図７に示した。これらの図において、三角形で示す番号
１は１．６５ＧＨｚ，番号２は３．３ＧＨｚ，番号３は
４．９５ＧＨｚ，番号４は６．６ＧＨｚ，番号５は８．
２５ＧＨｚの点を示す。
【００１９】図４では減衰の極周波数が約３．４５ＧＨ
ｚのところに存在するが、第１の誘電体層１２の厚みが
大きくなるにしたがって極周波数が下がり、図７では減
衰の極周波数が３．３ＧＨｚのところに存在する。そし
て、第１の誘電体層１２の厚みが１００μｍの高周波用
ローパスフィルタでは、減衰の極周波数が約３．４ＧＨ
ｚのところにあり、これより極周波数が低ければ、この
発明の目的が達成できたと言うことができる。
ｚのところに存在するが、第１の誘電体層１２の厚みが
大きくなるにしたがって極周波数が下がり、図７では減
衰の極周波数が３．３ＧＨｚのところに存在する。そし
て、第１の誘電体層１２の厚みが１００μｍの高周波用
ローパスフィルタでは、減衰の極周波数が約３．４ＧＨ
ｚのところにあり、これより極周波数が低ければ、この
発明の目的が達成できたと言うことができる。
【００２０】このように、第１の誘電体層１２の厚みを
１００μｍ以上にすることによって、通過帯域付近に減
衰量を確保することができ、しかもスプリアス特性を劣
化させることがない。また、この発明によれば、通過帯
域付近に減衰量を確保するために、コイル電極２８，３
０部分のインダクタンスＬ1 ，Ｌ2 を大きくする必要が
なく、５．７×５．０×２．０ｍｍという超小型の高周
波用ローパスフィルタを得ることができる。
１００μｍ以上にすることによって、通過帯域付近に減
衰量を確保することができ、しかもスプリアス特性を劣
化させることがない。また、この発明によれば、通過帯
域付近に減衰量を確保するために、コイル電極２８，３
０部分のインダクタンスＬ1 ，Ｌ2 を大きくする必要が
なく、５．７×５．０×２．０ｍｍという超小型の高周
波用ローパスフィルタを得ることができる。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す高周波用ローパスフィルタの積層体
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図３】図１に示す高周波用ローパスフィルタの等価回
路図である。
路図である。
【図４】第１の誘電体層の厚みを５０μｍにしたときの
高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフで
ある。
高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフで
ある。
【図５】第１の誘電体層の厚みを１００μｍにしたとき
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。
【図６】第１の誘電体層の厚みを１５０μｍにしたとき
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。
【図７】第１の誘電体層の厚みを２００μｍにしたとき
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。
【図８】従来の高周波用ローパスフィルタの一例を示す
等価回路図である。
等価回路図である。
【図９】従来の高周波用ローパスフィルタの他の例を示
す等価回路図である。
す等価回路図である。
１０ 高周波用ローパスフィルタ １１ 積層体 １２ 第１の誘電体層 １４ アース電極 １８ 第２の誘電体層 ２０，２２，２４ コンデンサ電極 ２６ 第３の誘電体層 ２８，３０ コイル電極 ３２ 第４の誘電体層 ３４ シールド電極 ３８ 第５の誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 7/075 Ａ 8321−5Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】 積層体と、前記積層体の側面において前
記積層体の積層面に交わる向きに延びる複数の外部電極
とを含む高周波用ローパスフィルタであって、 前記積層体は、 アース電極、 誘電体層を挟んで前記アース電極に対向することによ
り、前記アース電極との間に静電容量を形成するコンデ
ンサ電極、 誘電体層を挟んで前記コンデンサ電極および前記アース
電極と間隔を隔てて形成され、かつ前記コンデンサ電極
に接続されるコイル電極、および前記コンデンサ電極お
よび前記コイル電極が存在する側と反対側の前記アース
電極上に形成される１００μｍ以上の厚みを有する誘電
体層を含み、 複数の前記外部電極は前記アース電極，前記コンデンサ
電極および前記コイル電極に接続される、高周波用ロー
パスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091663A JP2920715B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 高周波用ローパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091663A JP2920715B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 高周波用ローパスフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259703A true JPH05259703A (ja) | 1993-10-08 |
| JP2920715B2 JP2920715B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=14032729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4091663A Expired - Lifetime JP2920715B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 高周波用ローパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920715B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006262349A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 共振回路、フィルタ回路、多層基板並びに回路モジュール |
| US7982557B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-07-19 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles |
| US7999634B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-08-16 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter having a conducting portion that connects a grounding conductor layer to a grounding terminal |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5739124U (ja) * | 1980-08-15 | 1982-03-02 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4091663A patent/JP2920715B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5739124U (ja) * | 1980-08-15 | 1982-03-02 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006262349A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 共振回路、フィルタ回路、多層基板並びに回路モジュール |
| JP4669722B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-04-13 | 太陽誘電株式会社 | 共振回路、フィルタ回路、多層基板並びに回路モジュール |
| US7982557B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-07-19 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles |
| US7999634B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-08-16 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter having a conducting portion that connects a grounding conductor layer to a grounding terminal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2920715B2 (ja) | 1999-07-19 |
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