JPH05259703A - High frequency low pass filter - Google Patents
High frequency low pass filterInfo
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- JPH05259703A JPH05259703A JP4091663A JP9166392A JPH05259703A JP H05259703 A JPH05259703 A JP H05259703A JP 4091663 A JP4091663 A JP 4091663A JP 9166392 A JP9166392 A JP 9166392A JP H05259703 A JPH05259703 A JP H05259703A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は高周波用ローパスフィ
ルタに関し、特にたとえば、電極パターンを形成した層
を積層することによって、インダクタとコンデンサとを
π型接続した回路を形成した、高周波用ローパスフィル
タに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency low-pass filter, and more particularly to, for example, a high-frequency low-pass filter in which a circuit in which an inductor and a capacitor are connected in a π type is formed by laminating layers having electrode patterns. ..
【０００２】[0002]
【従来の技術】高周波用ローパスフィルタとしては、た
とえばアース電極，コンデンサ電極，コイル電極などを
形成した誘電体層を積層し、その積層体の側面に外部電
極を形成したものがあった。この外部電極によって、積
層体内に形成された電極の中の必要なものが接続され
る。2. Description of the Related Art As a high-frequency low-pass filter, there has been one in which dielectric layers having ground electrodes, capacitor electrodes, coil electrodes and the like are laminated, and external electrodes are formed on the side surfaces of the laminated body. The external electrodes connect the necessary ones of the electrodes formed in the laminate.
【０００３】図８および図９は、通常ローパスフィルタ
として用いられている回路である。図８に示す回路は、
インダクタンスＬ1 ，Ｌ2 と静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12
とをπ型に接続した回路である。また、図９に示す回路
は、インダクタＬ1 と静電容量Ｃ1 との並列回路および
インダクタＬ2 と静電容量Ｃ2 との並列回路を接続し、
さらに静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12を用いて、π型接続し
た回路である。FIG. 8 and FIG. 9 show circuits normally used as a low pass filter. The circuit shown in FIG.
Inductances L 1 and L 2 and electrostatic capacitances C 10 , C 11 and C 12
This is a circuit in which and are connected in a π type. In the circuit shown in FIG. 9, the inductor L 1 and the capacitance C 1 are connected in parallel, and the inductor L 2 and the capacitance C 2 are connected in parallel.
Further, it is a π-type connected circuit using capacitances C 10 , C 11 , and C 12 .
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図８に示す高周波用ロ
ーパスフィルタでは、その周波数特性において、極を持
たず、スプリアス特性に優れている。ところが、通過帯
域付近の周波数で減衰量を確保するためには、インダク
タンスを大きくしなければならず、そのためにはコイル
電極を長くし、占有面積を大きくする必要があり、小型
化が困難である。図９に示す高周波用ローパスフィルタ
では、その周波数特性において、極を持ち、通過帯域付
近の周波数で減衰量を確保することができる。ところ
が、このような回路の高周波用ローパスフィルタでは、
スプリアス特性がよくない。The high-frequency low-pass filter shown in FIG. 8 has no pole in frequency characteristics and is excellent in spurious characteristics. However, in order to secure the amount of attenuation at frequencies near the pass band, it is necessary to increase the inductance. For that purpose, it is necessary to lengthen the coil electrode and increase the occupied area, which makes it difficult to reduce the size. .. The high-frequency low-pass filter shown in FIG. 9 has a pole in its frequency characteristic and can secure the amount of attenuation at frequencies near the pass band. However, in the high-frequency low-pass filter of such a circuit,
Poor spurious characteristics.
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型で、通過帯域付近の周波数で減衰量を確保することが
できる、高周波用ローパスフィルタを提供することであ
る。Therefore, a main object of the present invention is to provide a high-frequency low-pass filter which is small in size and can secure the amount of attenuation at frequencies near the pass band.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明は、積層体と、
積層体の側面において積層体の積層面に交わる向きに延
びる複数の外部電極とを含む高周波用ローパスフィルタ
であって、積層体は、アース電極と、誘電体層を挟んで
アース電極に対向することにより、アース電極との間に
静電容量を形成するコンデンサ電極と、誘電体層を挟ん
でコンデンサ電極およびアース電極と間隔を隔てて形成
され、かつコンデンサ電極に接続されるコイル電極と、
コンデンサ電極およびコイル電極が存在する側と反対側
のアース電極上に形成される１００μｍ以上の厚みを有
する誘電体層とを含み、複数の外部電極はアース電極，
コンデンサ電極およびコイル電極に接続される、高周波
用ローパスフィルタである。The present invention is directed to a laminate,
A low-pass filter for high frequency, comprising: a plurality of external electrodes extending in a direction crossing a stacking surface of the stack on a side surface of the stack, wherein the stack faces a ground electrode and a ground electrode across a dielectric layer. A capacitor electrode that forms a capacitance with the ground electrode, and a coil electrode that is formed at a distance from the capacitor electrode and the ground electrode with the dielectric layer in between and that is connected to the capacitor electrode.
A dielectric layer having a thickness of 100 μm or more formed on a ground electrode opposite to the side where the capacitor electrode and the coil electrode are present, and the plurality of external electrodes are ground electrodes,
It is a high-frequency low-pass filter connected to a capacitor electrode and a coil electrode.
【０００７】[0007]
【作用】アース電極とコンデンサ電極との間に静電容量
が形成され、コイル電極によってインダクタが形成され
る。これらのインダクタと静電容量とで、高周波用ロー
パスフィルタが形成される。この高周波用ローパスフィ
ルタにおいて、アース電極上に１００μｍ以上の厚みを
有する誘電体層が形成されることにより、外部電極の長
さを大きくすることができ、外部電極部分に生じるイン
ダクタンスが大きくなる。A capacitance is formed between the ground electrode and the capacitor electrode, and the coil electrode forms an inductor. A high-frequency low-pass filter is formed by the inductor and the capacitance. In this high-frequency low-pass filter, the length of the external electrode can be increased by forming the dielectric layer having a thickness of 100 μm or more on the ground electrode, and the inductance generated in the external electrode portion increases.
【０００８】[0008]
【発明の効果】この発明によれば、外部電極部分に生じ
るインダクタンスにより、減衰量の極周波数を設計する
ことができる。したがって、通過帯域付近の周波数で減
衰量を確保することができる。しかも、外部電極部分に
生じるインダクタンスを利用しているため、内部に形成
されるコイル電極を大きくする必要がなく、小型の高周
波用ローパスフィルタを得ることができる。According to the present invention, the pole frequency of the attenuation amount can be designed by the inductance generated in the external electrode portion. Therefore, the amount of attenuation can be secured at frequencies near the pass band. Moreover, since the inductance generated in the external electrode portion is used, it is not necessary to enlarge the coil electrode formed inside, and a small high-frequency low-pass filter can be obtained.
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.
【００１０】[0010]
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
る。この高周波用ローパスフィルタ１０は、積層体１１
を含む。積層体１１は、図２に示すように、第１の誘電
体層１２を含む。この第１の誘電体層１２の厚みは、１
００μｍ以上に設定される。第１の誘電体層１２上に
は、その周辺部を除く全面にアース電極１４が形成され
る。アース電極１４から第１の誘電体層１２の端部に向
かって、４つの引出端子１６ａ，１６ｂ，１６ｃおよび
１６ｄが形成される。２つの引出端子１６ａ，１６ｂ
は、第１の誘電体層１２の一端側に向かって形成され、
互いに間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子１
６ｃ，１６ｄは、第１の誘電体層１２の他端側に向かっ
て形成され、その中央付近で近接した位置に形成され
る。1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention. This high-frequency low-pass filter 10 has a laminated body 11
including. The laminated body 11 includes a first dielectric layer 12 as shown in FIG. 2. The thickness of this first dielectric layer 12 is 1
It is set to 00 μm or more. The ground electrode 14 is formed on the entire surface of the first dielectric layer 12 except its peripheral portion. Four lead-out terminals 16a, 16b, 16c and 16d are formed from the ground electrode 14 toward the end of the first dielectric layer 12. Two lead terminals 16a, 16b
Is formed toward one end side of the first dielectric layer 12,
It is formed to be spaced apart from each other. Another two lead terminals 1
6c and 16d are formed toward the other end side of the first dielectric layer 12, and are formed at positions close to each other near the center thereof.
【００１１】アース電極１４上には、第２の誘電体層１
８が配置される。第２の誘電体層１８上には、３つのコ
ンデンサ電極２０，２２および２４が形成される。コン
デンサ電極２０は、第２の誘電体層１８の一端寄りにお
いて、ほぼ中央付近に形成される。また、コンデンサ電
極２２，２４は、第２の誘電体層１８の他端寄りにおい
て、両側に間隔を隔てて形成される。コンデンサ電極２
０から第２の誘電体層１８の一端に向かって、接続端子
２０ａおよび２０ｂが形成される。これらの接続端子２
０ａ，２０ｂは、第２の誘電体層１８の一端側の中央部
付近で、互いに近接して形成される。また、コンデンサ
電極２２，２４から第２の誘電体層１８の他端に向かっ
て、それぞれ接続端子２２ａ，２４ａが形成される。こ
れらの接続端子２２ａ，２４ａは、互いに間隔を隔てて
形成される。これらのコンデンサ電極２０，２２，２４
は、アース電極１４に対向するように形成される。The second dielectric layer 1 is formed on the ground electrode 14.
8 are arranged. Three capacitor electrodes 20, 22 and 24 are formed on the second dielectric layer 18. The capacitor electrode 20 is formed in the vicinity of one end of the second dielectric layer 18 and near the center thereof. Further, the capacitor electrodes 22 and 24 are formed on both sides of the second dielectric layer 18 near the other end thereof with a space therebetween. Capacitor electrode 2
The connection terminals 20a and 20b are formed from 0 to one end of the second dielectric layer 18. These connection terminals 2
0a and 20b are formed close to each other in the vicinity of the central portion on one end side of the second dielectric layer 18. Further, connection terminals 22a and 24a are formed from the capacitor electrodes 22 and 24 toward the other end of the second dielectric layer 18, respectively. These connection terminals 22a and 24a are formed at intervals. These capacitor electrodes 20, 22, 24
Are formed so as to face the ground electrode 14.
【００１２】コンデンサ電極２０，２２，２４上には、
第３の誘電体層２６が配置される。第３の誘電体層２６
上には、２つのコイル電極２８および３０が形成され
る。これらのコイル電極２８，３０は、第３の誘電体層
２６の一端から他端に向かって蛇行するミアンダライン
として形成される。コイル電極２８の一端部２８ａはコ
ンデンサ電極２０の接続端子２０ａに対応する位置に配
置され、他端部２８ｂはコンデンサ電極２２の接続端子
２２ａに対応する位置に配置される。また、コイル電極
３０の一端部３０ａはコンデンサ電極２０の接続端子２
０ｂに対応する位置に配置され、他端部３０ｂはコンデ
ンサ電極２４の接続端子２４ａに対応する位置に配置さ
れる。On the capacitor electrodes 20, 22, 24,
A third dielectric layer 26 is arranged. Third dielectric layer 26
Two coil electrodes 28 and 30 are formed on the top. These coil electrodes 28 and 30 are formed as meander lines meandering from one end to the other end of the third dielectric layer 26. One end 28a of the coil electrode 28 is arranged at a position corresponding to the connection terminal 20a of the capacitor electrode 20, and the other end 28b is arranged at a position corresponding to the connection terminal 22a of the capacitor electrode 22. Further, one end 30a of the coil electrode 30 is connected to the connection terminal 2 of the capacitor electrode 20.
0b, and the other end 30b is arranged at a position corresponding to the connection terminal 24a of the capacitor electrode 24.
【００１３】コイル電極２８，３０上には、第４の誘電
体層３２が配置される。第４の誘電体層３２上には、そ
の周辺部を除く全面に、シールド電極３４が形成され
る。シールド電極３４から第４の誘電体層３２の端部に
向かって、４つの引出端子３６ａ，３６ｂ，３６ｃおよ
び３６ｄが形成される。２つの引出端子３６ａ，３６ｂ
は、第４の誘電体層３２の一端側に向かって形成され、
互いに間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子３
６ｃ，３６ｄは、第４の誘電体層３２の他端側に向かっ
て形成され、その中央付近で近接した位置に形成され
る。さらに、シールド電極３４上には、第５の誘電体層
３８が配置される。A fourth dielectric layer 32 is disposed on the coil electrodes 28 and 30. A shield electrode 34 is formed on the entire surface of the fourth dielectric layer 32 except its peripheral portion. Four lead terminals 36a, 36b, 36c and 36d are formed from the shield electrode 34 toward the end of the fourth dielectric layer 32. Two lead terminals 36a, 36b
Is formed toward one end side of the fourth dielectric layer 32,
It is formed to be spaced apart from each other. Another two lead terminals 3
6c and 36d are formed toward the other end side of the fourth dielectric layer 32, and are formed close to each other near the center thereof. Further, a fifth dielectric layer 38 is arranged on the shield electrode 34.
【００１４】各電極が形成された誘電体層が積層され
て、積層体１１が形成される。この積層体１１の側面に
は、８つの外部電極４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，
４０ｅ，４０ｆ，４０ｇおよび４０ｈが形成される。こ
れらの外部電極４０ａ〜４０ｈのうち、４つの外部電極
４０ａ〜４０ｄは積層体１１の一端側に形成され、他の
４つの外部電極４０ｅ〜４０ｈは積層体１１の他端側に
形成される。これらの外部電極４０ａ〜４０ｈは、積層
体１１の上面から側面を経て、下面に達するように形成
される。Dielectric layers having the respective electrodes formed thereon are laminated to form a laminated body 11. On the side surface of the laminated body 11, eight external electrodes 40a, 40b, 40c, 40d,
40e, 40f, 40g and 40h are formed. Of these external electrodes 40a to 40h, the four external electrodes 40a to 40d are formed on one end side of the laminated body 11, and the other four external electrodes 40e to 40h are formed on the other end side of the laminated body 11. These external electrodes 40a to 40h are formed so as to reach the lower surface from the upper surface of the stacked body 11 through the side surfaces.
【００１５】外部電極４０ａ，４０ｄ，４０ｆおよび４
０ｇは、それぞれアース電極１４の引出端子１６ａ，１
６ｂ，１６ｃおよび１６ｄに接続される。同時に、外部
電極４０ａ，４０ｄ，４０ｆおよび４０ｇは、それぞれ
シールド電極３４の引出端子３６ａ，３６ｂ，３６ｃお
よび３６ｄに接続される。また、外部電極４０ｂは、コ
イル電極２８の一端部２８ａとコンデンサ電極２０の接
続端子２０ａとに接続される。さらに、外部電極４０ｅ
は、コイル電極２８の他端部２８ｂとコンデンサ電極２
２の接続端子２２ａとに接続される。また、外部電極４
０ｃは、コイル電極３０の一端部３０ａとコンデンサ電
極２０の接続端子２０ｂとに接続される。さらに、外部
電極４０ｈは、コイル電極３０の他端部３０ｂとコンデ
ンサ電極２４の接続端子２４ａとに接続される。External electrodes 40a, 40d, 40f and 4
0g is the lead-out terminals 16a, 1 of the ground electrode 14, respectively.
6b, 16c and 16d. At the same time, the external electrodes 40a, 40d, 40f and 40g are connected to the lead terminals 36a, 36b, 36c and 36d of the shield electrode 34, respectively. The external electrode 40b is connected to the one end 28a of the coil electrode 28 and the connection terminal 20a of the capacitor electrode 20. Furthermore, the external electrode 40e
Is the other end 28b of the coil electrode 28 and the capacitor electrode 2
It is connected to the second connection terminal 22a. In addition, the external electrode 4
0c is connected to one end 30a of the coil electrode 30 and the connection terminal 20b of the capacitor electrode 20. Further, the external electrode 40h is connected to the other end 30b of the coil electrode 30 and the connection terminal 24a of the capacitor electrode 24.
【００１６】この高周波用ローパスフィルタ１０は、た
とえば誘電体セラミックグリーンシート上に各電極の形
状に電極ペーストを塗布し、積層して焼成することによ
り形成される。このとき、各誘電体層の厚みにしたがっ
て、積層するセラミックグリーンシートの枚数が調整さ
れる。なお、外部電極を形成するには、積層体を焼成す
る前に電極ペーストを塗布し、一体的に焼成してもよい
し、積層体を焼成した後に電極ペーストを塗布して焼き
付けてもよい。The high-frequency low-pass filter 10 is formed, for example, by applying an electrode paste in the shape of each electrode on a dielectric ceramic green sheet, laminating and firing it. At this time, the number of laminated ceramic green sheets is adjusted according to the thickness of each dielectric layer. To form the external electrodes, the electrode paste may be applied and fired integrally before firing the laminate, or the electrode paste may be applied and fired after firing the laminate.
【００１７】この高周波用ローパスフィルタ１０は、図
３に示すように、インダクタンスＬ 1 ，Ｌ2 と静電容量
Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12とがπ型接続された等価回路を有す
る。この高周波用ローパスフィルタ１０では、たとえば
１．６ＧＨｚ以下に通過帯域を有するフィルタを得るこ
とができる。この高周波用ローパスフィルタ１０では、
第１の誘電体層１２の厚みを変えることによって、外部
電極４０ａ〜４０ｈの長さが変わる。それによって、外
部電極４０ａ〜４０ｈ部分で生じるインダクタンスが変
わる。この部分で生じるインダクタンスは、図３の回路
において、静電容量Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12とアースとの間の
インダクタンスＬ10，Ｌ11，Ｌ12となる。これらのイン
ダクタンスＬ10，Ｌ11，Ｌ12を調整することによって、
周波数特性における極の位置を変えることができる。This high-frequency low-pass filter 10 is shown in FIG.
As shown in 3, the inductance L 1, L2And capacitance
CTen, C11, C12Has an equivalent circuit in which and are π-connected
It In this high frequency low pass filter 10, for example,
To obtain a filter with a pass band below 1.6 GHz
You can With this high-frequency low-pass filter 10,
By changing the thickness of the first dielectric layer 12,
The length of the electrodes 40a-40h changes. Thereby, outside
The inductance generated in the sub electrodes 40a to 40h is changed.
Wow The inductance generated in this part is
At capacitance CTen, C11, C12Between and
Inductance LTen, L11, L12Becomes These ins
Dactance LTen, L11, L12By adjusting
The position of the pole in the frequency characteristic can be changed.
【００１８】実験例として、第１の誘電体層１２の厚み
が５０μｍ，１００μｍ，１５０μｍ，２００μｍの高
周波用ローパスフィルタの減衰量と反射損失とを測定し
た。そして、その周波数特性を図４，図５，図６および
図７に示した。これらの図において、三角形で示す番号
１は１．６５ＧＨｚ，番号２は３．３ＧＨｚ，番号３は
４．９５ＧＨｚ，番号４は６．６ＧＨｚ，番号５は８．
２５ＧＨｚの点を示す。As an experimental example, the attenuation amount and the reflection loss of a high-frequency low-pass filter in which the thickness of the first dielectric layer 12 is 50 μm, 100 μm, 150 μm, and 200 μm were measured. The frequency characteristics are shown in FIGS. 4, 5, 6 and 7. In these figures, the number 1 shown by a triangle is 1.65 GHz, the number 2 is 3.3 GHz, the number 3 is 4.95 GHz, the number 4 is 6.6 GHz, and the number 5 is 8.
Points at 25 GHz are shown.
【００１９】図４では減衰の極周波数が約３．４５ＧＨ
ｚのところに存在するが、第１の誘電体層１２の厚みが
大きくなるにしたがって極周波数が下がり、図７では減
衰の極周波数が３．３ＧＨｚのところに存在する。そし
て、第１の誘電体層１２の厚みが１００μｍの高周波用
ローパスフィルタでは、減衰の極周波数が約３．４ＧＨ
ｚのところにあり、これより極周波数が低ければ、この
発明の目的が達成できたと言うことができる。In FIG. 4, the pole frequency of attenuation is about 3.45 GH.
Although it exists at z, the pole frequency decreases as the thickness of the first dielectric layer 12 increases, and in FIG. 7, the attenuation pole frequency exists at 3.3 GHz. In the high-frequency low-pass filter having the thickness of the first dielectric layer 12 of 100 μm, the pole frequency of attenuation is about 3.4 GH.
It can be said that the object of the present invention has been achieved if it is at z and the pole frequency is lower than this.
【００２０】このように、第１の誘電体層１２の厚みを
１００μｍ以上にすることによって、通過帯域付近に減
衰量を確保することができ、しかもスプリアス特性を劣
化させることがない。また、この発明によれば、通過帯
域付近に減衰量を確保するために、コイル電極２８，３
０部分のインダクタンスＬ1 ，Ｌ2 を大きくする必要が
なく、５．７×５．０×２．０ｍｍという超小型の高周
波用ローパスフィルタを得ることができる。As described above, by setting the thickness of the first dielectric layer 12 to 100 μm or more, the amount of attenuation can be secured in the vicinity of the pass band, and the spurious characteristics are not deteriorated. Further, according to the present invention, in order to secure the amount of attenuation near the pass band, the coil electrodes 28, 3
It is not necessary to increase the inductances L 1 and L 2 in the 0 portion, and a micro-frequency low-pass filter of 5.7 × 5.0 × 2.0 mm can be obtained.
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す高周波用ローパスフィルタの積層体
の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a laminated body of the high-frequency low-pass filter shown in FIG.
【図３】図１に示す高周波用ローパスフィルタの等価回
路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the high-frequency low-pass filter shown in FIG.
【図４】第１の誘電体層の厚みを５０μｍにしたときの
高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフで
ある。FIG. 4 is a graph showing frequency characteristics of a high-frequency low-pass filter when the thickness of the first dielectric layer is 50 μm.
【図５】第１の誘電体層の厚みを１００μｍにしたとき
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。FIG. 5 is a graph showing frequency characteristics of the high-frequency low-pass filter when the thickness of the first dielectric layer is 100 μm.
【図６】第１の誘電体層の厚みを１５０μｍにしたとき
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。FIG. 6 is a graph showing frequency characteristics of the high-frequency low-pass filter when the thickness of the first dielectric layer is 150 μm.
【図７】第１の誘電体層の厚みを２００μｍにしたとき
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性を示すグラフ
である。FIG. 7 is a graph showing frequency characteristics of the high-frequency low-pass filter when the thickness of the first dielectric layer is 200 μm.
【図８】従来の高周波用ローパスフィルタの一例を示す
等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram showing an example of a conventional high-frequency low-pass filter.
【図９】従来の高周波用ローパスフィルタの他の例を示
す等価回路図である。FIG. 9 is an equivalent circuit diagram showing another example of a conventional high-frequency low-pass filter.
１０ 高周波用ローパスフィルタ １１ 積層体 １２ 第１の誘電体層 １４ アース電極 １８ 第２の誘電体層 ２０，２２，２４ コンデンサ電極 ２６ 第３の誘電体層 ２８，３０ コイル電極 ３２ 第４の誘電体層 ３４ シールド電極 ３８ 第５の誘電体層 10 Low Frequency Filter for High Frequency 11 Laminated Body 12 First Dielectric Layer 14 Ground Electrode 18 Second Dielectric Layer 20, 22, 24 Capacitor Electrode 26 Third Dielectric Layer 28, 30 Coil Electrode 32 Fourth Dielectric Layer 34 Shield Electrode 38 Fifth Dielectric Layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 7/075 Ａ 8321−5Ｊ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H03H 7/075 A 8321-5J
Claims (1)
記積層体の積層面に交わる向きに延びる複数の外部電極
とを含む高周波用ローパスフィルタであって、 前記積層体は、 アース電極、 誘電体層を挟んで前記アース電極に対向することによ
り、前記アース電極との間に静電容量を形成するコンデ
ンサ電極、 誘電体層を挟んで前記コンデンサ電極および前記アース
電極と間隔を隔てて形成され、かつ前記コンデンサ電極
に接続されるコイル電極、および前記コンデンサ電極お
よび前記コイル電極が存在する側と反対側の前記アース
電極上に形成される１００μｍ以上の厚みを有する誘電
体層を含み、 複数の前記外部電極は前記アース電極，前記コンデンサ
電極および前記コイル電極に接続される、高周波用ロー
パスフィルタ。1. A high-frequency low-pass filter including a laminated body and a plurality of external electrodes extending in a direction crossing the laminated surface of the laminated body on a side surface of the laminated body, wherein the laminated body is a ground electrode, a dielectric A capacitor electrode that forms a capacitance with the ground electrode by facing the ground electrode with a body layer sandwiched between the capacitor electrode and the ground electrode with a dielectric layer sandwiched therebetween. A plurality of coil electrodes connected to the capacitor electrodes, and a dielectric layer having a thickness of 100 μm or more formed on the ground electrode on the side opposite to the side where the capacitor electrodes and the coil electrodes are present, A high-frequency low-pass filter in which the external electrode is connected to the ground electrode, the capacitor electrode, and the coil electrode.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4091663A JP2920715B2 (en) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | Low pass filter for high frequency |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091663A JP2920715B2 (en) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | Low pass filter for high frequency |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259703A true JPH05259703A (en) | 1993-10-08 |
| JP2920715B2 JP2920715B2 (en) | 1999-07-19 |
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ID=14032729
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006262349A (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | Resonance circuit, filter circuit, multilayer substrate and circuit module |
| US7982557B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-07-19 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5739124U (en) * | 1980-08-15 | 1982-03-02 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4091663A patent/JP2920715B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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| JPS5739124U (en) * | 1980-08-15 | 1982-03-02 |
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| JP2006262349A (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | Resonance circuit, filter circuit, multilayer substrate and circuit module |
| JP4669722B2 (en) * | 2005-03-18 | 2011-04-13 | 太陽誘電株式会社 | Resonant circuit, filter circuit, multilayer substrate and circuit module |
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