JPH0525823U

JPH0525823U - セラミツク共振子

Info

Publication number: JPH0525823U
Application number: JP8144691U
Authority: JP
Inventors: 智明二口; 信行酒井; 武俊日野
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1991-09-10
Filing date: 1991-09-10
Publication date: 1993-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】ダンピングしてメインレスポンス内でリップ
ルが発生するのを防ぎ、性能を良くし、生産性を高める
とともに、コストを低減したセラミック共振子を提供す
る。【構成】圧電性のセラミックスからなる矩形の圧電基
板の２つの主面にそれぞれ対向して振動電極が形成さ
れ、該各振動電極にそれぞれ接続して互いに反対方向に
延びた引出し電極が形成されてなるセラミック共振子に
おいて、前記圧電基板の厚みを２００〜２５０μｍと
し、前記振動電極の少なくとも一方を約１μｍの厚みに
形成するとともに、該振動電極の表面に該振動電極と同
じ大きさ又はその縁より片側で約０．１mm小さくして樹
脂を塗布した。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、圧電性のセラミックス等からなる矩形の圧電基板によるエネルギー閉じ込め形厚み振動を利用したセラミック共振子に関し、例えば、厚み縦振動を利用して１０．７MHz 近傍の共振子、ディスクリミネータに用いるセラミック共振子に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来より、ＰＺＴ系又はチタン酸鉛系の圧電性のセラミックスからなる圧電基板を用いたエネルギー閉じ込め形厚み縦振動を利用したセラミック圧電共振子を形成する圧電素子としては、図４に示すようなものが知られている。この圧電素子２１は、矩形板状の圧電基板２２と、この圧電基板２２の一方の主面（表面）に振動電極２３を形成し、他方の主面（裏面）に振動電極２４を形成し、この振動電極２３，又は２４にそれぞれ接続して、表裏面にそれぞれ引出し電極２５，２６を形成している。これらの振動電極２３，２４及び引出し電極２５，２６は，Ａｇ，Ｃｕ材から、スパッタリング、真空蒸着等により形成している。このセラミック共振子は、小型化のために圧電素子サイズを小さくする関係から、振動電極部と圧電素子端面との距離が短くなり、カット端面からの反射波が共振周波数と反共振周波数の間のメインレスポンス上に重畳されメインレスポンス内にリップルが発生しやすくなり、発振子、ディスクリミネータとして使用する場合、性能上大きな支障になる。特に、ＦＭラジオ等に代表される周波数が約１０．７MHz 前後でセラミック製の圧電素子厚みが２００〜２５０μｍ前後の圧電共振子で発生しやすかった。そこで、カット端面からの反射波がメインレスポンス上に重畳されメインレスポンス内にリップルが発生するのを防ぐため、一方の振動電極の厚みを３μｍ以上に形成した技術が提案されている。この技術の周波数特性を、圧電基板の厚みを２２０μｍとし、振動電極の直径を１．０mmとし、その厚みを３μｍとしてインピーダンスを測定して得、その結果を図６に示した。この結果によれば、メインレスポンス内のリップルの発生をなくしている。また、振動電極の厚みを１μ ｍとした従来例のインピーダンスを測定した結果を、図５に示している。この場合には、メインレスポンス内にリップル（イ）が発生している。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、上記の提案に係るセラミック共振子は、メインレスポンス内にリップルが発生するのを防ぐことができるが、圧電基板の振動電極はＡｇ，Ｃｕ材から、片側が３μｍ以上に形成されているため、スパッタリング、真空蒸着での形成に時間がかかり、生産性が低いとともに、コストがそれだけ高くなっていた。

【０００４】本考案は、従来技術が有する上記事情に鑑みてなされたものであり、ダンピングしてメインレスポンス内にリップルが発生するのを防ぎ、性能を良くし、生産性を高めるとともに、コストを低減したセラミック共振子を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

本考案は、圧電性のセラミックスからなる矩形の圧電基板の２つの主面にそれぞれ対向して振動電極が形成され、該各振動電極にそれぞれ接続して互いに反対方向に延びた引出し電極が形成されてなるセラミック共振子において、前記圧電基板の厚みを２００〜２５０μｍとし、前記振動電極の少なくとも一方を約１μ ｍの厚みに形成するとともに、該振動電極の表面に該振動電極と同じ大きさ又はその縁より片側で約０．１mm小さくして樹脂を塗布したことを特徴とする。

【０００６】

【作用】

本考案に係るセラミック共振子によれば、圧電基板の振動電極の少なくとも一方を約１μｍの厚みに形成するとともに、厚み約１μｍの振動電極の表面に振動電極と同じ大きさ又は、その縁より片側約０．１mm小さくして樹脂を塗布したので、振動電極の形成時間と材料消費量を節減でき、ダンピングによりエネルギー閉じ込め形厚み縦振動の所要の周波数に調整できるとともに、メインレスポンス内にリップルが発生するのを防ぐことができ、又周波数特性が良好になる。

【０００７】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。図１及び図２は、本考案の一実施例によるセラミック共振子、例えば、エネルギー閉じ込め形厚み縦振動のセラミック共振子を説明する図である。図において、１はセラミック共振子を形成する圧電素子で、圧電基板２の表面に円形の振動電極３が形成され、裏面に対向して同様に円形の振動電極４が形成されて構成されている。表裏面の対向した円形の振動電極３，４にそれぞれ接続して互いに反対方向に延びた引出し電極５，６がそれぞれ表裏面に形成され、振動電極３の表面に該振動電極の縁より片側で約０．１mm小さくして中央部に２μ ｍの厚みに樹脂が塗布されている。この場合、振動電極３の厚みを１μｍに形成している。該裏面の振動電極４も、約１μｍ厚みに形成され、この振動電極４の表面に端縁から０．１mm小さく空けて中央部に２μｍの厚みに樹脂８を塗布している。さらに、表裏面の対向した円形の振動電極３，４にそれぞれ接続して互いに反対方向に延びた引出し電極５，６を形成している。

【０００８】上記圧電基板２は、従来と同様に、例えばＰＺＴ系、チタン酸鉛系等の圧電性のセラミックスから矩形状に形成され、振動電極、引出し電極は、Ａｇ，Ｃｕ材から、スパッタリング、真空蒸着等により形成されている。表裏面に塗布する樹脂としては、シリコーンゴム、エポキシ系樹脂等が用いられる。

【０００９】上記のように、振動電極の端縁に沿って０．１mm幅の樹脂が塗布されていない部分を設けたセラミック共振子のインピーダンスを調べたところ、図３に示すようになった。この場合の圧電基板はＰＺＴ、その厚み２２０μｍ、振動電極の直径は１．０mmであった。この測定結果によれば、本実施例ではメインレスポンス内にリップルが発生するのを防ぐのみでなく、振動電極の厚みを３μｍとした図６の結果に比べ、主振動を含み全体的にダンピングされている。本考案に係るセラミック共振子によれば、メインレスポンス内にリップルが発生するのを防ぐことができ、共振子、ディスクリミネータとして特性の優れたものとなる。

【００１０】

【考案の効果】

上述のように本考案に係るセラミック共振子によれば、メインレスポンス内にリップルが発生するのを防ぐことができ、主振動を含んで全体的にダンピングすることができ、共振子又はディスクリミネータとして特性の優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係るセラミック共振子の一実施例の平
面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線の部分拡大断面図である。

【図３】本実施例の周波数特性を示す図である。

【図４】従来のセラミック共振子の断面図である。

【図５】従来例の周波数特性を示す図である。

【図６】従来例の周波数特性を示す図である。

【符号の説明】

１圧電素子２圧電基板３，４振動電極５，６引出し電極７，８樹脂

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】圧電性のセラミックスからなる矩形の圧
電基板の２つの主面にそれぞれ対向して振動電極が形成
され、該各振動電極にそれぞれ接続して互いに反対方向
に延びた引出し電極が形成されてなるセラミック共振子
において、前記圧電基板の厚みを２００〜２５０μｍと
し、前記振動電極の少なくとも一方を約１μｍの厚みに
形成するとともに、該振動電極の表面に該振動電極と同
じ大きさ又はその縁より片側で約０．１mm小さくして樹
脂を塗布したことを特徴とするセラミック共振子。