JPH0525244Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0525244Y2 JPH0525244Y2 JP1987183042U JP18304287U JPH0525244Y2 JP H0525244 Y2 JPH0525244 Y2 JP H0525244Y2 JP 1987183042 U JP1987183042 U JP 1987183042U JP 18304287 U JP18304287 U JP 18304287U JP H0525244 Y2 JPH0525244 Y2 JP H0525244Y2
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- JP
- Japan
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- heat
- semiconductor element
- transferred
- fin
- chip
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔概要〕
フインを半導体素子に係止することによつて冷
却を行う冷却構造に関し、 半導体素子に対する冷却効率の向上を図ること
を目的とし、 リード端子に所定箇所が当接さる複数の放熱片
と、該放熱片のそれぞれを櫛状に連結する絶縁部
材とによつてフインを構成する。
却を行う冷却構造に関し、 半導体素子に対する冷却効率の向上を図ること
を目的とし、 リード端子に所定箇所が当接さる複数の放熱片
と、該放熱片のそれぞれを櫛状に連結する絶縁部
材とによつてフインを構成する。
本考案はフインを半導体素子に係止することに
よつて冷却を行う冷却構造に関する。
よつて冷却を行う冷却構造に関する。
半導体素子の高密度実装化、高速化に伴い、最
近では半導体素子の発熱量が増加する傾向にあ
る。
近では半導体素子の発熱量が増加する傾向にあ
る。
そこで、多くの半導体素子が用いられることで
構成される電子装置では、一般的に、このような
発熱量を冷却し、半導体素子が安定して駆動され
るように形成されている。
構成される電子装置では、一般的に、このような
発熱量を冷却し、半導体素子が安定して駆動され
るように形成されている。
したがつて、このような半導体素子の冷却は冷
却効率が良く、しかも経済的であることが望まれ
る。
却効率が良く、しかも経済的であることが望まれ
る。
従来は第３図の従来の説明図に示すように構成
されていた。第３図のａは正面図、ｂは側面図で
ある。
されていた。第３図のａは正面図、ｂは側面図で
ある。
第３図のａに示すように、絶縁部材より成るマ
ウント１Ｃにチツプ１Ａを埋設し、マウント１Ｃ
の両側にはワイヤ１Ｂによつてチツプ１Ａに接続
されたリード端子３が突出されるように形成され
た半導体素子１は、リード端子３がプリント基板
２のパツド２Ａに半田などによつて接合されるこ
とで実装されている。
ウント１Ｃにチツプ１Ａを埋設し、マウント１Ｃ
の両側にはワイヤ１Ｂによつてチツプ１Ａに接続
されたリード端子３が突出されるように形成され
た半導体素子１は、リード端子３がプリント基板
２のパツド２Ａに半田などによつて接合されるこ
とで実装されている。
このマウント１Ｃの背面１Ｄにはアルミ材など
によつて櫛状に形成されたフイン７が接着剤など
によつて固着され、チツプ１Ａの発熱が背面１Ｄ
よりフイン７に熱移送されるように形成されてい
た。
によつて櫛状に形成されたフイン７が接着剤など
によつて固着され、チツプ１Ａの発熱が背面１Ｄ
よりフイン７に熱移送されるように形成されてい
た。
したがつて、ｂに示すようにチツプ１Ａの発熱
はフイン７に移送され、更に、フイン７の各羽根
より矢印のように放熱が行われることでチツプ１
Ａの冷却が行われるように構成されていた。
はフイン７に移送され、更に、フイン７の各羽根
より矢印のように放熱が行われることでチツプ１
Ａの冷却が行われるように構成されていた。
このような構成では、チツプ１Ａの発熱がマウ
ント１Ｃの背面１Ｄに熱移送される場合の熱抵抗
が大きくなり、背面１Ｄよりフイン７に熱移送さ
れる熱量が少くなくなる。
ント１Ｃの背面１Ｄに熱移送される場合の熱抵抗
が大きくなり、背面１Ｄよりフイン７に熱移送さ
れる熱量が少くなくなる。
したがつて、実際には、フイン７より放熱され
る熱量が小さくなり、特に、発熱量の多いチツプ
１Ａが埋設された半導体素子１の場合は冷却効率
が悪いため、加熱されることになる問題を有して
いた。
る熱量が小さくなり、特に、発熱量の多いチツプ
１Ａが埋設された半導体素子１の場合は冷却効率
が悪いため、加熱されることになる問題を有して
いた。
そこで、本考案では、半導体素子に対する冷却
効率の向上を図ることを目的とする。
効率の向上を図ることを目的とする。
第１図は本考案の原理説明図である。
第１図に示すように、リード端子に所定箇所が
当接さる複数の放熱片と、該放熱片のそれぞれを
櫛状に連結する絶縁部材とによつてフインを構成
する。
当接さる複数の放熱片と、該放熱片のそれぞれを
櫛状に連結する絶縁部材とによつてフインを構成
する。
このように構成することによつて前述の問題点
は解決される。
は解決される。
即ち、複数の放熱片を絶縁部材によつて櫛状に
形成することで放熱片がそれぞれのリード端子に
接触されるように形成したものである。
形成することで放熱片がそれぞれのリード端子に
接触されるように形成したものである。
したがつて、チツプからの発熱はワイヤとリー
ド端子とを介して放熱片に熱移送されることにな
り熱抵抗の減少となり、チツプからの放熱片に対
する熱移送量が増加され、冷却効率の向上を図る
ことができる。
ド端子とを介して放熱片に熱移送されることにな
り熱抵抗の減少となり、チツプからの放熱片に対
する熱移送量が増加され、冷却効率の向上を図る
ことができる。
以下本考案を第２図を参考に詳細に説明する。
第２図は本考案による一実施例の説明図で、ａは
正面図、ｂは側面図である。全面を通じて、同一
符号は同一対称物を示す。
第２図は本考案による一実施例の説明図で、ａは
正面図、ｂは側面図である。全面を通じて、同一
符号は同一対称物を示す。
第２図のａに示すように、マウント１Ｃより両
側に突出された端子３に所定箇所が当接される放
熱片４を備えたフイン６が設けられるように構成
したものである。
側に突出された端子３に所定箇所が当接される放
熱片４を備えたフイン６が設けられるように構成
したものである。
また、放熱片４はアルミ材などの良熱伝導材に
よつて形成され、ｂに示すようにリード端子３に
対応して設けられるように合成樹脂材などの絶縁
部材５によつて連結され、櫛状に形成されてい
る。
よつて形成され、ｂに示すようにリード端子３に
対応して設けられるように合成樹脂材などの絶縁
部材５によつて連結され、櫛状に形成されてい
る。
この場合、それぞれの放熱片４がリード端子３
に接触されても、放熱片４が絶縁部材５によつて
連結されているため、リード端子３間が短絡され
ることがないようにすることができる。
に接触されても、放熱片４が絶縁部材５によつて
連結されているため、リード端子３間が短絡され
ることがないようにすることができる。
したがつて、チツプ１Ａからの発熱は、マウン
ト１Ｃの背面１Ｄより放熱片４に熱移送される矢
印Ａに示す移送だけでなく、チツプ１Ａとリード
端子３と間に接続されたワイヤ１Ｂを介して、リ
ード端子３より矢印Ｂに示すように熱移送が行わ
れるようにすることができる。
ト１Ｃの背面１Ｄより放熱片４に熱移送される矢
印Ａに示す移送だけでなく、チツプ１Ａとリード
端子３と間に接続されたワイヤ１Ｂを介して、リ
ード端子３より矢印Ｂに示すように熱移送が行わ
れるようにすることができる。
このようなリード端子３からの熱移送はワイヤ
１Ｂの金属材によつて行われるため、熱抵抗が小
さくなり、背面１Ｄからの熱移送に比較して多く
の熱量の移送が可能となる。
１Ｂの金属材によつて行われるため、熱抵抗が小
さくなり、背面１Ｄからの熱移送に比較して多く
の熱量の移送が可能となる。
また、ｂに示すように、櫛状に形成された両端
にはフツク５Ａを設け、半導体素子１に爪が引つ
掛けられるように構成すれば、フイン６の装置は
半導体素子１に冠着させることで脱落することの
ないように容易に係止させることができる。
にはフツク５Ａを設け、半導体素子１に爪が引つ
掛けられるように構成すれば、フイン６の装置は
半導体素子１に冠着させることで脱落することの
ないように容易に係止させることができる。
以上説明したように、本考案によれば、チツプ
からの発熱は、ワイヤとリード端子とを介して放
熱片に熱移送されることになる。
からの発熱は、ワイヤとリード端子とを介して放
熱片に熱移送されることになる。
したがつて、従来のマウントの背面を介して熱
移送される場合よりも熱移送による熱抵抗を小さ
くすることができ、熱移送量の増加が得られる。
移送される場合よりも熱移送による熱抵抗を小さ
くすることができ、熱移送量の増加が得られる。
したがつて、放熱片より多くの放熱を行うこと
が可能となり、冷却効率の向上を図ることがで
き、実用的効果は大である。
が可能となり、冷却効率の向上を図ることがで
き、実用的効果は大である。
第１図は本考案の原理説明図、第２図は本考案
による一実施例の説明図で、ａは正面図、ｂは側
面図、第３図は従来の説明図で、ａは正面図、ｂ
は側面図を示す。 図において、１は半導体素子、２はプリント基
板、３はリード端子、４は放熱片、５は絶縁部
材、６はフインを示す。
による一実施例の説明図で、ａは正面図、ｂは側
面図、第３図は従来の説明図で、ａは正面図、ｂ
は側面図を示す。 図において、１は半導体素子、２はプリント基
板、３はリード端子、４は放熱片、５は絶縁部
材、６はフインを示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 リード端子３がプリント基板２に固着される半
導体素子１と、該半導体素子１に係止されるフイ
ン６とを備え、該半導体素子１の発熱が該フイン
６によつて放熱されるように形成される冷却構造
において、 前記リード端子３に所定箇所が当接さる複数の
放熱片４と、該放熱片４のそれぞれを櫛状に連結
する絶縁部材５とによつて前記フイン６を構成す
ることを特徴とする冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987183042U JPH0525244Y2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987183042U JPH0525244Y2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0187552U JPH0187552U (ja) | 1989-06-09 |
| JPH0525244Y2 true JPH0525244Y2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=31474475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987183042U Expired - Lifetime JPH0525244Y2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525244Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP1987183042U patent/JPH0525244Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0187552U (ja) | 1989-06-09 |
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