JPH05251512A - エリアテープ上への金属バンプの形成方法 - Google Patents
エリアテープ上への金属バンプの形成方法Info
- Publication number
- JPH05251512A JPH05251512A JP34709991A JP34709991A JPH05251512A JP H05251512 A JPH05251512 A JP H05251512A JP 34709991 A JP34709991 A JP 34709991A JP 34709991 A JP34709991 A JP 34709991A JP H05251512 A JPH05251512 A JP H05251512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- area tape
- tape
- area
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はエリアテープ上への金属バンプの形
成方法に関し、エリアテープとバンプを有しないＩＣチ
ップとの容易な接続を可能とするエリアテープ上への金
属バンプの形成方法を実現することを目的とする。 【構成】 誘電体フィルムよりなる基材上に複数の金属
配線を有し、且つ該基材に金属配線に通ずるビアホール
が形成されて成るエリアテープの、該ビアホール１５内
に少なくとも１個の金属ボール１８を挿入し、該エリア
テープ１６と金属ボール１８を加熱手段により加熱する
ことにより前記金属配線１４に金属ボール１８を接合し
てバンプ１９を形成するように構成する。
成方法に関し、エリアテープとバンプを有しないＩＣチ
ップとの容易な接続を可能とするエリアテープ上への金
属バンプの形成方法を実現することを目的とする。 【構成】 誘電体フィルムよりなる基材上に複数の金属
配線を有し、且つ該基材に金属配線に通ずるビアホール
が形成されて成るエリアテープの、該ビアホール１５内
に少なくとも１個の金属ボール１８を挿入し、該エリア
テープ１６と金属ボール１８を加熱手段により加熱する
ことにより前記金属配線１４に金属ボール１８を接合し
てバンプ１９を形成するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエリアテープ上への金属
バンプの形成方法に関する。近年ＩＣチップの高集積化
により高密度接続が可能なＴＡＢ(Tape AutomaitedBond
ing) 方式による半導体装置の組立が注目されている。
このＴＡＢ方式はポリイミド又はポリエステル等のフィ
ルムに銅箔をはりつけ、それをホトリソグラフィ技術に
よりエッチングして金属配線を形成し、その金属配線に
ＩＣチップの電極をボンディングするものである。この
後、このフィルムにボンディングされたＩＣはプリント
配線板あるいはパッケージに搭載されて用いられる。
バンプの形成方法に関する。近年ＩＣチップの高集積化
により高密度接続が可能なＴＡＢ(Tape AutomaitedBond
ing) 方式による半導体装置の組立が注目されている。
このＴＡＢ方式はポリイミド又はポリエステル等のフィ
ルムに銅箔をはりつけ、それをホトリソグラフィ技術に
よりエッチングして金属配線を形成し、その金属配線に
ＩＣチップの電極をボンディングするものである。この
後、このフィルムにボンディングされたＩＣはプリント
配線板あるいはパッケージに搭載されて用いられる。
【０００２】上記のＴＡＢ方式の応用製品の一つとし
て、高密度接続を行うためチップの周辺部のみならず中
央部にも電極を有するＩＣに対して用いることができる
エリアテープが開発されている。
て、高密度接続を行うためチップの周辺部のみならず中
央部にも電極を有するＩＣに対して用いることができる
エリアテープが開発されている。
【０００３】図５は従来のエリアテープを示す図で、同
図(a) は平面図、同図(b) は (a)図のｂ−ｂ線における
断面図である。同図において、１はエリアテープであ
る。２はパーフォレーション３を有するポリイミド又は
ポリエステル等の誘電体からなるフィルムであり、ＩＣ
搭載部４の周囲には窓５が設けられている。またＩＣ搭
載部４には複数のビアホール６が穿設されており、該ビ
アホール６から窓５をまたいで金属配線７が設けられて
いる。なお窓５はＩＣチップをプリント配線板又はパッ
ケージに搭載する場合に金属配線を切断し易くするため
のものである。
図(a) は平面図、同図(b) は (a)図のｂ−ｂ線における
断面図である。同図において、１はエリアテープであ
る。２はパーフォレーション３を有するポリイミド又は
ポリエステル等の誘電体からなるフィルムであり、ＩＣ
搭載部４の周囲には窓５が設けられている。またＩＣ搭
載部４には複数のビアホール６が穿設されており、該ビ
アホール６から窓５をまたいで金属配線７が設けられて
いる。なお窓５はＩＣチップをプリント配線板又はパッ
ケージに搭載する場合に金属配線を切断し易くするため
のものである。
【０００４】
【従来の技術】図６に従来技術である半田バンプ付きＩ
Ｃとエリアテープの接続例を示す。この半田バンプ付き
ＩＣとエリアテープの接続工程は、予め電極部に半田バ
ンプ８が形成されたＩＣチップ９をエリアテープ１の上
にフェースダウンで位置合わせし、バンプ８がビアホー
ル６に挿入されるようにして載置する。次いで、エリア
テープ１もしくはＩＣチップ９を加熱することによりビ
アホール６内に半田バンプ８を溶融し、金属配線７に接
合させるのである。このようにしてＩＣチップ９の電極
とエリアテープ１の金属配線７との接続を行うことがで
きる。
Ｃとエリアテープの接続例を示す。この半田バンプ付き
ＩＣとエリアテープの接続工程は、予め電極部に半田バ
ンプ８が形成されたＩＣチップ９をエリアテープ１の上
にフェースダウンで位置合わせし、バンプ８がビアホー
ル６に挿入されるようにして載置する。次いで、エリア
テープ１もしくはＩＣチップ９を加熱することによりビ
アホール６内に半田バンプ８を溶融し、金属配線７に接
合させるのである。このようにしてＩＣチップ９の電極
とエリアテープ１の金属配線７との接続を行うことがで
きる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＩＣチップ
とエリアテープの接続方法では、ＩＣチップ上に必ず半
田バンプを形成する事が必要である。このため、ユーザ
ーにおいて、半田バンプを形成する能力が無い場合、あ
るいはバンプ付きのチップの供給を受けられない場合に
はエリアテープの使用は不可能となるという問題があっ
た。また、通常のメッキ法でバンプを形成することもで
きるがコストが高いばかりでなく、メッキ液によりＩＣ
チップが汚染され、腐食や誤動作を引き起こしやすいと
いう問題があった。
とエリアテープの接続方法では、ＩＣチップ上に必ず半
田バンプを形成する事が必要である。このため、ユーザ
ーにおいて、半田バンプを形成する能力が無い場合、あ
るいはバンプ付きのチップの供給を受けられない場合に
はエリアテープの使用は不可能となるという問題があっ
た。また、通常のメッキ法でバンプを形成することもで
きるがコストが高いばかりでなく、メッキ液によりＩＣ
チップが汚染され、腐食や誤動作を引き起こしやすいと
いう問題があった。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑み、エリアテー
プとバンプを有しないＩＣチップとの容易な接続を可能
とするエリアテープ上への金属バンプの形成方法を実現
しようとする。
プとバンプを有しないＩＣチップとの容易な接続を可能
とするエリアテープ上への金属バンプの形成方法を実現
しようとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のエリアテープ上
への金属バンプの形成方法に於いては、誘電体フィルム
よりなる基材上に複数の金属配線を有し、且つ該基材に
金属配線に通ずるビアホールが形成されて成るエリアテ
ープの、該ビアホール内に少なくとも１個の金属ボール
を挿入し、該エリアテープと金属ボールを加熱手段によ
り加熱することにより前記金属配線に金属ボールを接合
してバンプを形成することを特徴とする。この構成を採
ることにより、エリアテープとバンプを有しないＩＣチ
ップとの容易な接続を可能とするエリアテープ上への金
属バンプの形成方法が得られる。なお、本発明におい
て、金属ボールのビアホールへの挿入方法としては、特
に限定されるものではないが、エリアテープの上からふ
りかけて、余計な金属ボールを払いおとす方法、金属ボ
ールをふりかけた後、エリアテープの反対面より吸引す
る方法、金属ボールと有機バインダーあるいは溶剤を混
ぜ合わせ、ペースト状態にして、スクリーン印刷する方
法等が好ましい。
への金属バンプの形成方法に於いては、誘電体フィルム
よりなる基材上に複数の金属配線を有し、且つ該基材に
金属配線に通ずるビアホールが形成されて成るエリアテ
ープの、該ビアホール内に少なくとも１個の金属ボール
を挿入し、該エリアテープと金属ボールを加熱手段によ
り加熱することにより前記金属配線に金属ボールを接合
してバンプを形成することを特徴とする。この構成を採
ることにより、エリアテープとバンプを有しないＩＣチ
ップとの容易な接続を可能とするエリアテープ上への金
属バンプの形成方法が得られる。なお、本発明におい
て、金属ボールのビアホールへの挿入方法としては、特
に限定されるものではないが、エリアテープの上からふ
りかけて、余計な金属ボールを払いおとす方法、金属ボ
ールをふりかけた後、エリアテープの反対面より吸引す
る方法、金属ボールと有機バインダーあるいは溶剤を混
ぜ合わせ、ペースト状態にして、スクリーン印刷する方
法等が好ましい。
【０００８】
【作用】予め金属配線とビアホールが形成されたエリア
テープの、該ビアホールに金属ボールを挿入し、加熱す
ることにより、金属ボールは溶融又は拡散して金属配線
に接合し、該ビアホール内にバンプを形成する。
テープの、該ビアホールに金属ボールを挿入し、加熱す
ることにより、金属ボールは溶融又は拡散して金属配線
に接合し、該ビアホール内にバンプを形成する。
【０００９】
【実施例】本実施例のエリアテープ上への金属バンプの
形成方法は、先ず図１に示す工程でエリアテープを作成
する。この工程は、先ず図１(a) の如くポリイミド等の
誘電体フィルムよりなる基材１０の一方の面にフラッシ
ュメッキ１１を施す。次いで図１(b) の如く両面にフォ
トレジストのドライフィルム１２，１２′をラミネート
する。次いで図１(c)の如くガラスマスク１３，１３′
を用いて露光、現像して図１(d) の如くレジストパター
ンを形成する。
形成方法は、先ず図１に示す工程でエリアテープを作成
する。この工程は、先ず図１(a) の如くポリイミド等の
誘電体フィルムよりなる基材１０の一方の面にフラッシ
ュメッキ１１を施す。次いで図１(b) の如く両面にフォ
トレジストのドライフィルム１２，１２′をラミネート
する。次いで図１(c)の如くガラスマスク１３，１３′
を用いて露光、現像して図１(d) の如くレジストパター
ンを形成する。
【００１０】次いで図１(e) の如くフラッシュメッキ１
１が露出している部分に銅メッキして金属配線１４を形
成し、他方の面は基体１０をエッチングしてビアホール
１５を形成する。次いでレジストフィルム１２，１２′
及び余分なフラッシュメッキを除去して図１(f) の如く
エリアテープ１６を完成する。なおビアホール１５の形
状は図２の如く漏斗状をなしその最小径部分は２０μm
以上で、角θは２０〜８０°であることが好ましい。
１が露出している部分に銅メッキして金属配線１４を形
成し、他方の面は基体１０をエッチングしてビアホール
１５を形成する。次いでレジストフィルム１２，１２′
及び余分なフラッシュメッキを除去して図１(f) の如く
エリアテープ１６を完成する。なおビアホール１５の形
状は図２の如く漏斗状をなしその最小径部分は２０μm
以上で、角θは２０〜８０°であることが好ましい。
【００１１】次に、このように形成されたエリアテープ
に図３の如くにしてバンプを形成する。先ず、図３(a)
の如くエリアテープ１６を、その金属配線１４が下にな
るようにしてステージヒータ１７上に載置し、各ビアホ
ール１５にそれぞれ金属ボール１８を挿入する。ここ
で、金属ボールは、エリアテープの反対面より吸引しな
がら、エリアテープ上にふりかけて行った。そして、そ
の後余分な金属ボールをスキージーでそぎとった。な
お、金属ボールがビアホールに確実に挿入されたか否
か、あるいはビアホール以外の部分に金属ボールが存在
しないかどうかの確認は、顕微鏡により行った。金属ボ
ール１８としては、ハンダ等の低融点金属の単体や合
金、および金，銅等の高融点金属の単体または合金を用
いることができる。また金属ボール１８の大きさは、１
つのビアホール１５に対して金属ボール１個の場合はビ
アホールの大きさに合わせた大きさのボールを用い、金
属ボール１８が小さい場合（パウダーを含む）は複数個
用い、全ボールの体積がビアホールの容積の５０〜２０
０％となる様にすることが適当である。
に図３の如くにしてバンプを形成する。先ず、図３(a)
の如くエリアテープ１６を、その金属配線１４が下にな
るようにしてステージヒータ１７上に載置し、各ビアホ
ール１５にそれぞれ金属ボール１８を挿入する。ここ
で、金属ボールは、エリアテープの反対面より吸引しな
がら、エリアテープ上にふりかけて行った。そして、そ
の後余分な金属ボールをスキージーでそぎとった。な
お、金属ボールがビアホールに確実に挿入されたか否
か、あるいはビアホール以外の部分に金属ボールが存在
しないかどうかの確認は、顕微鏡により行った。金属ボ
ール１８としては、ハンダ等の低融点金属の単体や合
金、および金，銅等の高融点金属の単体または合金を用
いることができる。また金属ボール１８の大きさは、１
つのビアホール１５に対して金属ボール１個の場合はビ
アホールの大きさに合わせた大きさのボールを用い、金
属ボール１８が小さい場合（パウダーを含む）は複数個
用い、全ボールの体積がビアホールの容積の５０〜２０
０％となる様にすることが適当である。
【００１２】次いで、図３(b) の如くステージヒータ１
７によりエリアテープ１６及び金属ボール１８を加熱し
て、該金属ボール１８をエリアテープ１６の金属配線１
４に接合させ、バンプ１９を形成するのである。この場
合、金属ボール１８が半田等の低融点金属の単体または
合金である場合、例えば 6：4 ハンダであれば１９０°
〜２５０℃程度に加熱して溶融させ金属配線に接続す
る。加熱手段はステージヒータのほかにリフローでも良
い。
７によりエリアテープ１６及び金属ボール１８を加熱し
て、該金属ボール１８をエリアテープ１６の金属配線１
４に接合させ、バンプ１９を形成するのである。この場
合、金属ボール１８が半田等の低融点金属の単体または
合金である場合、例えば 6：4 ハンダであれば１９０°
〜２５０℃程度に加熱して溶融させ金属配線に接続す
る。加熱手段はステージヒータのほかにリフローでも良
い。
【００１３】また金属ボール１８が金，銅等の高融点金
属の単体または合金の場合は、５００℃程度に加熱した
ツールで圧力を金属ボールに加えて接続するか、或いは
室温〜３００℃に加熱したツールで圧力と超音波を金属
ボール１８又は金属配線１４に加えることで接続するこ
とができる。
属の単体または合金の場合は、５００℃程度に加熱した
ツールで圧力を金属ボールに加えて接続するか、或いは
室温〜３００℃に加熱したツールで圧力と超音波を金属
ボール１８又は金属配線１４に加えることで接続するこ
とができる。
【００１４】本実施例方法によりバンプが形成されたエ
リアテープは図４の如くにしてＩＣチップを搭載するこ
とができる。即ち、図４の如くＩＣチップ２０のアルミ
電極部分２１とエリアテープ１６のバンプ１９の位置を
合わせ、ボンディングツール２２を用いてエリアテープ
１６を加熱加圧することによりバンプ１９をＩＣチップ
２０の電極２１に接続することができる。この場合、バ
ンプ１９が半田等の低融点金属の単体または合金である
場合は溶融して接続し、金，銅等の高融点金属の単体お
よび合金の場合は拡散により接続する。このようにし
て、ＩＣチップがバンプを有していない場合でも極めて
容易にエリアテープに接続することができる。
リアテープは図４の如くにしてＩＣチップを搭載するこ
とができる。即ち、図４の如くＩＣチップ２０のアルミ
電極部分２１とエリアテープ１６のバンプ１９の位置を
合わせ、ボンディングツール２２を用いてエリアテープ
１６を加熱加圧することによりバンプ１９をＩＣチップ
２０の電極２１に接続することができる。この場合、バ
ンプ１９が半田等の低融点金属の単体または合金である
場合は溶融して接続し、金，銅等の高融点金属の単体お
よび合金の場合は拡散により接続する。このようにし
て、ＩＣチップがバンプを有していない場合でも極めて
容易にエリアテープに接続することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明に依れば、エ
リアテープにバンプを設けることにより、従来不可能で
あったバンプを有しないアルミ電極付きＩＣチップとエ
リアテープとの容易な接続が可能となり、エリアテープ
の応用範囲の拡大に寄与することができる。
リアテープにバンプを設けることにより、従来不可能で
あったバンプを有しないアルミ電極付きＩＣチップとエ
リアテープとの容易な接続が可能となり、エリアテープ
の応用範囲の拡大に寄与することができる。
【図１】本発明の実施例におけるエリアテープの製造工
程を説明するための図である。
程を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例におけるエリアテープのビアホ
ールの形状を示す図である。
ールの形状を示す図である。
【図３】本発明の実施例におけるエリアテープにバンプ
を形成する工程を説明するための図である。
を形成する工程を説明するための図である。
【図４】本発明方法により形成されたバンプ付きエリア
テープとアルミ電極付きＩＣチップとの接続方法を説明
するための図である。
テープとアルミ電極付きＩＣチップとの接続方法を説明
するための図である。
【図５】従来のエリアテープを示す図で、(a) は平面
図、(b) は (a)図のｂ−ｂ線における断面図である。
図、(b) は (a)図のｂ−ｂ線における断面図である。
【図６】従来技術によるエリアテープとバンプ付きＩＣ
チップとの接続方法を説明するための図である。
チップとの接続方法を説明するための図である。
１０…基材 １１…フラッシュメッキ １２，１２′…ドライフィルム １３，１３′…ガラスマスク １４…金属配線 １５…ビアホール １６…エリアテープ １７…ステージヒータ １８…金属ボール １９…バンプ ２０…ＩＣチップ ２１…アルミ電極 ２２…ボンディングツール
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体フィルムよりなる基材上に複数の
金属配線を有し、且つ該基材に金属配線に通ずるビアホ
ールが形成されて成るエリアテープの、該ビアホール内
に少なくとも１個の金属ボールを挿入し、該エリアテー
プと金属ボールを加熱手段により加熱することにより前
記金属配線に金属ボールを接合してバンプを形成するこ
とを特徴とするエリアテープ上への金属バンプの形成方
法。 - 【請求項２】 前記ビアホールが漏斗形状であることを
特徴とする請求項１記載のエリアテープ上への金属バン
プの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34709991A JPH05251512A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エリアテープ上への金属バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34709991A JPH05251512A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エリアテープ上への金属バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251512A true JPH05251512A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=18387905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34709991A Pending JPH05251512A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エリアテープ上への金属バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251512A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148603A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Kyushu Ltd | ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法 |
| JPH1117323A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ボールのリフロー装置 |
| WO2001082666A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Hitachi, Ltd. | Circuit board and production method therefor |
| JP2007019430A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JP2007157620A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | D D K Ltd | 電気接点構造 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34709991A patent/JPH05251512A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148603A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Kyushu Ltd | ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法 |
| JPH1117323A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ボールのリフロー装置 |
| WO2001082666A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Hitachi, Ltd. | Circuit board and production method therefor |
| JP2007019430A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JP4680703B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2011-05-11 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP2007157620A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | D D K Ltd | 電気接点構造 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3131379B2 (ja) | はんだマスクの窓内に多数のはんだダムを備える電子モジュール | |
| JP2753746B2 (ja) | Ｉｃ搭載用可撓性回路基板及びその製造法 | |
| JPH07183333A (ja) | 電子パッケージおよびその作製方法 | |
| JPH06103703B2 (ja) | 半田付け方法 | |
| JPH1032224A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03504064A (ja) | 高密度ソルダ・バンプの製造方法と高密度ソルダ・バンプ用基板ソケット | |
| US4238527A (en) | Method of providing metal bumps on an apertured substrate | |
| JPH05251512A (ja) | エリアテープ上への金属バンプの形成方法 | |
| US6763585B2 (en) | Method for producing micro bump | |
| US5918796A (en) | Method of fabricating package for housing semiconductor element | |
| JPH11297890A (ja) | はんだバンプの形成方法 | |
| JPH0357617B2 (ja) | ||
| JPH06168982A (ja) | フリップチップ実装構造 | |
| JPH05251505A (ja) | Ｉｃチップのエリアテープへの接続方法 | |
| JPH11135567A (ja) | 異方性導電膜、半導体装置の製造方法 | |
| JP3350454B2 (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法並びに製造装置 | |
| JPH0436574B2 (ja) | ||
| JP3207266B2 (ja) | 回路部品搭載用端子を備えた回路配線基板の製造法 | |
| JPS63174337A (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
| JP2705653B2 (ja) | 電子デバイス組立体およびその製造方法 | |
| JP3308951B2 (ja) | 多層フレキシブル配線板 | |
| JP3331146B2 (ja) | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 | |
| JP2000208544A (ja) | ベアｉｃチップおよび半導体装置 | |
| JPS6030195A (ja) | リ−ド接続方法 | |
| JPH11168171A (ja) | 混成集積回路装置及びその製造方法 |