JPH05251512A - エリアテープ上への金属バンプの形成方法 - Google Patents
エリアテープ上への金属バンプの形成方法Info
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- JPH05251512A JPH05251512A JP34709991A JP34709991A JPH05251512A JP H05251512 A JPH05251512 A JP H05251512A JP 34709991 A JP34709991 A JP 34709991A JP 34709991 A JP34709991 A JP 34709991A JP H05251512 A JPH05251512 A JP H05251512A
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- Japan
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- area tape
- tape
- area
- chip
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はエリアテープ上への金属バンプの形
成方法に関し、エリアテープとバンプを有しないICチ
ップとの容易な接続を可能とするエリアテープ上への金
属バンプの形成方法を実現することを目的とする。 【構成】 誘電体フィルムよりなる基材上に複数の金属
配線を有し、且つ該基材に金属配線に通ずるビアホール
が形成されて成るエリアテープの、該ビアホール15内
に少なくとも1個の金属ボール18を挿入し、該エリア
テープ16と金属ボール18を加熱手段により加熱する
ことにより前記金属配線14に金属ボール18を接合し
てバンプ19を形成するように構成する。
成方法に関し、エリアテープとバンプを有しないICチ
ップとの容易な接続を可能とするエリアテープ上への金
属バンプの形成方法を実現することを目的とする。 【構成】 誘電体フィルムよりなる基材上に複数の金属
配線を有し、且つ該基材に金属配線に通ずるビアホール
が形成されて成るエリアテープの、該ビアホール15内
に少なくとも1個の金属ボール18を挿入し、該エリア
テープ16と金属ボール18を加熱手段により加熱する
ことにより前記金属配線14に金属ボール18を接合し
てバンプ19を形成するように構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はエリアテープ上への金属
バンプの形成方法に関する。近年ICチップの高集積化
により高密度接続が可能なTAB(Tape AutomaitedBond
ing) 方式による半導体装置の組立が注目されている。
このTAB方式はポリイミド又はポリエステル等のフィ
ルムに銅箔をはりつけ、それをホトリソグラフィ技術に
よりエッチングして金属配線を形成し、その金属配線に
ICチップの電極をボンディングするものである。この
後、このフィルムにボンディングされたICはプリント
配線板あるいはパッケージに搭載されて用いられる。
バンプの形成方法に関する。近年ICチップの高集積化
により高密度接続が可能なTAB(Tape AutomaitedBond
ing) 方式による半導体装置の組立が注目されている。
このTAB方式はポリイミド又はポリエステル等のフィ
ルムに銅箔をはりつけ、それをホトリソグラフィ技術に
よりエッチングして金属配線を形成し、その金属配線に
ICチップの電極をボンディングするものである。この
後、このフィルムにボンディングされたICはプリント
配線板あるいはパッケージに搭載されて用いられる。
【0002】上記のTAB方式の応用製品の一つとし
て、高密度接続を行うためチップの周辺部のみならず中
央部にも電極を有するICに対して用いることができる
エリアテープが開発されている。
て、高密度接続を行うためチップの周辺部のみならず中
央部にも電極を有するICに対して用いることができる
エリアテープが開発されている。
【0003】図5は従来のエリアテープを示す図で、同
図(a) は平面図、同図(b) は (a)図のb−b線における
断面図である。同図において、1はエリアテープであ
る。2はパーフォレーション3を有するポリイミド又は
ポリエステル等の誘電体からなるフィルムであり、IC
搭載部4の周囲には窓5が設けられている。またIC搭
載部4には複数のビアホール6が穿設されており、該ビ
アホール6から窓5をまたいで金属配線7が設けられて
いる。なお窓5はICチップをプリント配線板又はパッ
ケージに搭載する場合に金属配線を切断し易くするため
のものである。
図(a) は平面図、同図(b) は (a)図のb−b線における
断面図である。同図において、1はエリアテープであ
る。2はパーフォレーション3を有するポリイミド又は
ポリエステル等の誘電体からなるフィルムであり、IC
搭載部4の周囲には窓5が設けられている。またIC搭
載部4には複数のビアホール6が穿設されており、該ビ
アホール6から窓5をまたいで金属配線7が設けられて
いる。なお窓5はICチップをプリント配線板又はパッ
ケージに搭載する場合に金属配線を切断し易くするため
のものである。
【0004】
【従来の技術】図6に従来技術である半田バンプ付きI
Cとエリアテープの接続例を示す。この半田バンプ付き
ICとエリアテープの接続工程は、予め電極部に半田バ
ンプ8が形成されたICチップ9をエリアテープ1の上
にフェースダウンで位置合わせし、バンプ8がビアホー
ル6に挿入されるようにして載置する。次いで、エリア
テープ1もしくはICチップ9を加熱することによりビ
アホール6内に半田バンプ8を溶融し、金属配線7に接
合させるのである。このようにしてICチップ9の電極
とエリアテープ1の金属配線7との接続を行うことがで
きる。
Cとエリアテープの接続例を示す。この半田バンプ付き
ICとエリアテープの接続工程は、予め電極部に半田バ
ンプ8が形成されたICチップ9をエリアテープ1の上
にフェースダウンで位置合わせし、バンプ8がビアホー
ル6に挿入されるようにして載置する。次いで、エリア
テープ1もしくはICチップ9を加熱することによりビ
アホール6内に半田バンプ8を溶融し、金属配線7に接
合させるのである。このようにしてICチップ9の電極
とエリアテープ1の金属配線7との接続を行うことがで
きる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のICチップ
とエリアテープの接続方法では、ICチップ上に必ず半
田バンプを形成する事が必要である。このため、ユーザ
ーにおいて、半田バンプを形成する能力が無い場合、あ
るいはバンプ付きのチップの供給を受けられない場合に
はエリアテープの使用は不可能となるという問題があっ
た。また、通常のメッキ法でバンプを形成することもで
きるがコストが高いばかりでなく、メッキ液によりIC
チップが汚染され、腐食や誤動作を引き起こしやすいと
いう問題があった。
とエリアテープの接続方法では、ICチップ上に必ず半
田バンプを形成する事が必要である。このため、ユーザ
ーにおいて、半田バンプを形成する能力が無い場合、あ
るいはバンプ付きのチップの供給を受けられない場合に
はエリアテープの使用は不可能となるという問題があっ
た。また、通常のメッキ法でバンプを形成することもで
きるがコストが高いばかりでなく、メッキ液によりIC
チップが汚染され、腐食や誤動作を引き起こしやすいと
いう問題があった。
【0006】本発明は、上記問題点に鑑み、エリアテー
プとバンプを有しないICチップとの容易な接続を可能
とするエリアテープ上への金属バンプの形成方法を実現
しようとする。
プとバンプを有しないICチップとの容易な接続を可能
とするエリアテープ上への金属バンプの形成方法を実現
しようとする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のエリアテープ上
への金属バンプの形成方法に於いては、誘電体フィルム
よりなる基材上に複数の金属配線を有し、且つ該基材に
金属配線に通ずるビアホールが形成されて成るエリアテ
ープの、該ビアホール内に少なくとも1個の金属ボール
を挿入し、該エリアテープと金属ボールを加熱手段によ
り加熱することにより前記金属配線に金属ボールを接合
してバンプを形成することを特徴とする。この構成を採
ることにより、エリアテープとバンプを有しないICチ
ップとの容易な接続を可能とするエリアテープ上への金
属バンプの形成方法が得られる。なお、本発明におい
て、金属ボールのビアホールへの挿入方法としては、特
に限定されるものではないが、エリアテープの上からふ
りかけて、余計な金属ボールを払いおとす方法、金属ボ
ールをふりかけた後、エリアテープの反対面より吸引す
る方法、金属ボールと有機バインダーあるいは溶剤を混
ぜ合わせ、ペースト状態にして、スクリーン印刷する方
法等が好ましい。
への金属バンプの形成方法に於いては、誘電体フィルム
よりなる基材上に複数の金属配線を有し、且つ該基材に
金属配線に通ずるビアホールが形成されて成るエリアテ
ープの、該ビアホール内に少なくとも1個の金属ボール
を挿入し、該エリアテープと金属ボールを加熱手段によ
り加熱することにより前記金属配線に金属ボールを接合
してバンプを形成することを特徴とする。この構成を採
ることにより、エリアテープとバンプを有しないICチ
ップとの容易な接続を可能とするエリアテープ上への金
属バンプの形成方法が得られる。なお、本発明におい
て、金属ボールのビアホールへの挿入方法としては、特
に限定されるものではないが、エリアテープの上からふ
りかけて、余計な金属ボールを払いおとす方法、金属ボ
ールをふりかけた後、エリアテープの反対面より吸引す
る方法、金属ボールと有機バインダーあるいは溶剤を混
ぜ合わせ、ペースト状態にして、スクリーン印刷する方
法等が好ましい。
【0008】
【作用】予め金属配線とビアホールが形成されたエリア
テープの、該ビアホールに金属ボールを挿入し、加熱す
ることにより、金属ボールは溶融又は拡散して金属配線
に接合し、該ビアホール内にバンプを形成する。
テープの、該ビアホールに金属ボールを挿入し、加熱す
ることにより、金属ボールは溶融又は拡散して金属配線
に接合し、該ビアホール内にバンプを形成する。
【0009】
【実施例】本実施例のエリアテープ上への金属バンプの
形成方法は、先ず図1に示す工程でエリアテープを作成
する。この工程は、先ず図1(a) の如くポリイミド等の
誘電体フィルムよりなる基材10の一方の面にフラッシ
ュメッキ11を施す。次いで図1(b) の如く両面にフォ
トレジストのドライフィルム12,12′をラミネート
する。次いで図1(c)の如くガラスマスク13,13′
を用いて露光、現像して図1(d) の如くレジストパター
ンを形成する。
形成方法は、先ず図1に示す工程でエリアテープを作成
する。この工程は、先ず図1(a) の如くポリイミド等の
誘電体フィルムよりなる基材10の一方の面にフラッシ
ュメッキ11を施す。次いで図1(b) の如く両面にフォ
トレジストのドライフィルム12,12′をラミネート
する。次いで図1(c)の如くガラスマスク13,13′
を用いて露光、現像して図1(d) の如くレジストパター
ンを形成する。
【0010】次いで図1(e) の如くフラッシュメッキ1
1が露出している部分に銅メッキして金属配線14を形
成し、他方の面は基体10をエッチングしてビアホール
15を形成する。次いでレジストフィルム12,12′
及び余分なフラッシュメッキを除去して図1(f) の如く
エリアテープ16を完成する。なおビアホール15の形
状は図2の如く漏斗状をなしその最小径部分は20μm
以上で、角θは20〜80°であることが好ましい。
1が露出している部分に銅メッキして金属配線14を形
成し、他方の面は基体10をエッチングしてビアホール
15を形成する。次いでレジストフィルム12,12′
及び余分なフラッシュメッキを除去して図1(f) の如く
エリアテープ16を完成する。なおビアホール15の形
状は図2の如く漏斗状をなしその最小径部分は20μm
以上で、角θは20〜80°であることが好ましい。
【0011】次に、このように形成されたエリアテープ
に図3の如くにしてバンプを形成する。先ず、図3(a)
の如くエリアテープ16を、その金属配線14が下にな
るようにしてステージヒータ17上に載置し、各ビアホ
ール15にそれぞれ金属ボール18を挿入する。ここ
で、金属ボールは、エリアテープの反対面より吸引しな
がら、エリアテープ上にふりかけて行った。そして、そ
の後余分な金属ボールをスキージーでそぎとった。な
お、金属ボールがビアホールに確実に挿入されたか否
か、あるいはビアホール以外の部分に金属ボールが存在
しないかどうかの確認は、顕微鏡により行った。金属ボ
ール18としては、ハンダ等の低融点金属の単体や合
金、および金,銅等の高融点金属の単体または合金を用
いることができる。また金属ボール18の大きさは、1
つのビアホール15に対して金属ボール1個の場合はビ
アホールの大きさに合わせた大きさのボールを用い、金
属ボール18が小さい場合(パウダーを含む)は複数個
用い、全ボールの体積がビアホールの容積の50〜20
0%となる様にすることが適当である。
に図3の如くにしてバンプを形成する。先ず、図3(a)
の如くエリアテープ16を、その金属配線14が下にな
るようにしてステージヒータ17上に載置し、各ビアホ
ール15にそれぞれ金属ボール18を挿入する。ここ
で、金属ボールは、エリアテープの反対面より吸引しな
がら、エリアテープ上にふりかけて行った。そして、そ
の後余分な金属ボールをスキージーでそぎとった。な
お、金属ボールがビアホールに確実に挿入されたか否
か、あるいはビアホール以外の部分に金属ボールが存在
しないかどうかの確認は、顕微鏡により行った。金属ボ
ール18としては、ハンダ等の低融点金属の単体や合
金、および金,銅等の高融点金属の単体または合金を用
いることができる。また金属ボール18の大きさは、1
つのビアホール15に対して金属ボール1個の場合はビ
アホールの大きさに合わせた大きさのボールを用い、金
属ボール18が小さい場合(パウダーを含む)は複数個
用い、全ボールの体積がビアホールの容積の50〜20
0%となる様にすることが適当である。
【0012】次いで、図3(b) の如くステージヒータ1
7によりエリアテープ16及び金属ボール18を加熱し
て、該金属ボール18をエリアテープ16の金属配線1
4に接合させ、バンプ19を形成するのである。この場
合、金属ボール18が半田等の低融点金属の単体または
合金である場合、例えば 6:4 ハンダであれば190°
〜250℃程度に加熱して溶融させ金属配線に接続す
る。加熱手段はステージヒータのほかにリフローでも良
い。
7によりエリアテープ16及び金属ボール18を加熱し
て、該金属ボール18をエリアテープ16の金属配線1
4に接合させ、バンプ19を形成するのである。この場
合、金属ボール18が半田等の低融点金属の単体または
合金である場合、例えば 6:4 ハンダであれば190°
〜250℃程度に加熱して溶融させ金属配線に接続す
る。加熱手段はステージヒータのほかにリフローでも良
い。
【0013】また金属ボール18が金,銅等の高融点金
属の単体または合金の場合は、500℃程度に加熱した
ツールで圧力を金属ボールに加えて接続するか、或いは
室温〜300℃に加熱したツールで圧力と超音波を金属
ボール18又は金属配線14に加えることで接続するこ
とができる。
属の単体または合金の場合は、500℃程度に加熱した
ツールで圧力を金属ボールに加えて接続するか、或いは
室温〜300℃に加熱したツールで圧力と超音波を金属
ボール18又は金属配線14に加えることで接続するこ
とができる。
【0014】本実施例方法によりバンプが形成されたエ
リアテープは図4の如くにしてICチップを搭載するこ
とができる。即ち、図4の如くICチップ20のアルミ
電極部分21とエリアテープ16のバンプ19の位置を
合わせ、ボンディングツール22を用いてエリアテープ
16を加熱加圧することによりバンプ19をICチップ
20の電極21に接続することができる。この場合、バ
ンプ19が半田等の低融点金属の単体または合金である
場合は溶融して接続し、金,銅等の高融点金属の単体お
よび合金の場合は拡散により接続する。このようにし
て、ICチップがバンプを有していない場合でも極めて
容易にエリアテープに接続することができる。
リアテープは図4の如くにしてICチップを搭載するこ
とができる。即ち、図4の如くICチップ20のアルミ
電極部分21とエリアテープ16のバンプ19の位置を
合わせ、ボンディングツール22を用いてエリアテープ
16を加熱加圧することによりバンプ19をICチップ
20の電極21に接続することができる。この場合、バ
ンプ19が半田等の低融点金属の単体または合金である
場合は溶融して接続し、金,銅等の高融点金属の単体お
よび合金の場合は拡散により接続する。このようにし
て、ICチップがバンプを有していない場合でも極めて
容易にエリアテープに接続することができる。
【0015】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明に依れば、エ
リアテープにバンプを設けることにより、従来不可能で
あったバンプを有しないアルミ電極付きICチップとエ
リアテープとの容易な接続が可能となり、エリアテープ
の応用範囲の拡大に寄与することができる。
リアテープにバンプを設けることにより、従来不可能で
あったバンプを有しないアルミ電極付きICチップとエ
リアテープとの容易な接続が可能となり、エリアテープ
の応用範囲の拡大に寄与することができる。
【図1】本発明の実施例におけるエリアテープの製造工
程を説明するための図である。
程を説明するための図である。
【図2】本発明の実施例におけるエリアテープのビアホ
ールの形状を示す図である。
ールの形状を示す図である。
【図3】本発明の実施例におけるエリアテープにバンプ
を形成する工程を説明するための図である。
を形成する工程を説明するための図である。
【図4】本発明方法により形成されたバンプ付きエリア
テープとアルミ電極付きICチップとの接続方法を説明
するための図である。
テープとアルミ電極付きICチップとの接続方法を説明
するための図である。
【図5】従来のエリアテープを示す図で、(a) は平面
図、(b) は (a)図のb−b線における断面図である。
図、(b) は (a)図のb−b線における断面図である。
【図6】従来技術によるエリアテープとバンプ付きIC
チップとの接続方法を説明するための図である。
チップとの接続方法を説明するための図である。
10…基材 11…フラッシュメッキ 12,12′…ドライフィルム 13,13′…ガラスマスク 14…金属配線 15…ビアホール 16…エリアテープ 17…ステージヒータ 18…金属ボール 19…バンプ 20…ICチップ 21…アルミ電極 22…ボンディングツール
Claims (2)
- 【請求項1】 誘電体フィルムよりなる基材上に複数の
金属配線を有し、且つ該基材に金属配線に通ずるビアホ
ールが形成されて成るエリアテープの、該ビアホール内
に少なくとも1個の金属ボールを挿入し、該エリアテー
プと金属ボールを加熱手段により加熱することにより前
記金属配線に金属ボールを接合してバンプを形成するこ
とを特徴とするエリアテープ上への金属バンプの形成方
法。 - 【請求項2】 前記ビアホールが漏斗形状であることを
特徴とする請求項1記載のエリアテープ上への金属バン
プの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34709991A JPH05251512A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エリアテープ上への金属バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34709991A JPH05251512A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エリアテープ上への金属バンプの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05251512A true JPH05251512A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=18387905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34709991A Pending JPH05251512A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エリアテープ上への金属バンプの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05251512A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148603A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Kyushu Ltd | ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法 |
JPH1117323A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ボールのリフロー装置 |
WO2001082666A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Hitachi, Ltd. | Circuit board and production method therefor |
JP2007019430A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2007157620A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | D D K Ltd | 電気接点構造 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34709991A patent/JPH05251512A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148603A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Kyushu Ltd | ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法 |
JPH1117323A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ボールのリフロー装置 |
WO2001082666A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Hitachi, Ltd. | Circuit board and production method therefor |
JP2007019430A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP4680703B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2011-05-11 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
JP2007157620A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | D D K Ltd | 電気接点構造 |
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