JP3350454B2 - 半導体集積回路装置およびその製造方法並びに製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣチップと回
路基板上の端子電極部（電極パッド）との電気的接続に
関するものであり、特にフェースダウンしたＩＣチップ
を回路基板に接続する半導体集積回路装置の組み立て技
術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、裸のＩＣチップを回路基板上の端
子電極部（電極パッド）に直付けして実装面積の効率的
使用を図ろうとする様々な手法が開発されている。例え
ば、ワイヤボンディングを用いてバンプ電極を形成する
方法では、キャピラリの複雑な移動によりバンプを形成
するため、ファインピッチに対応した小径バンプ電極を
得るためには、小径ワイヤを用いる必要があり、材料代
が高価になる傾向があった。このため、多ピンでファイ
ンピッチのバンプ電極を形成する場合は、生産性が低
く、高コストになっていた。

【０００３】また、ペースト状のバンプ材料をマスクで
電極ランド上に印刷してバンプ電極を形成する印刷法で
は、ファインピッチに対応してマスク厚を薄くしなくて
はならなかった。さらに、良好なマスク抜け性を得るた
めには、マスク厚を厚くすることができないため、バン
プ高さに制限が生じてしまい、マスク内に十分な量のバ
ンプ材料を確保することができず、そのため所望のバン
プ体積とすることが困難であった。

【０００４】そこで、回路基板またはＩＣチップ上にフ
ォトレジストを塗布した後に、電極ランド上のみエッチ
ングで除去して開口部を設け、開口部にバンプ材を充填
するというように、レジスト材を印刷マスクの代用とし
てファインピッチのバンプを形成する様々な方法が提案
されている。

【０００５】例えば、特開平７−２７３４３９号公報に
おいては、フォトレジスト塗布とエッチングを２回繰り
返すことにより２層のレジスト層を形成した後にバンプ
材を充填している。バンプ材充填後に上層のレジスト層
をエッチングすることにより、フラックスやバンプ材の
残渣成分を除去して信頼性を向上させると共に所望のバ
ンプ体積を確保している。しかし、この方法ではウェッ
ト処理の工程が多く、その製造工程が煩雑なものとなっ
ていた。また、この方法で形成されたバンプ電極とＩＣ
チップをパッケージとして組み立てる際、下層に残った
レジスト層とＩＣチップとの間に、狭い間隙が生じ、こ
の間隙を樹脂等ですきまなく埋めることは困難であっ
た。そのため、温度変化の影響で、すきまが膨張したり
縮小したりして、接続部が破断してしまうかもしれない
という懸念があった。

【０００６】また、特開平１０−５０７０９号公報にお
いては、ＩＣチップに接着したポリイミドテープをエッ
チングして開口部を形成し、低融点金属（半田）を充填
した後、所定の厚みだけを残してポリイミド全面を再度
エッチングして半田の一部を突出させるという技術が開
示されている。

【０００７】上記の技術を図７を用いて説明する。図７
は、半導体集積回路装置を組み立てる際の工程を示す断
面図である。まず、図７（ａ）に示すように、ＩＣチッ
プ１０１に設けた導電層である配線１０２の上に、接着
剤１０３を介してポリイミドテープ１０４を接着してい
る。その後、図７（ｂ）に示すように、バンプ電極を形
成する部分のポリイミドテープ１０４および接着剤１０
３をエッチングなどにより選択的に除去し、配線１０２
に達する深さの貫通穴１０５を形成する。次に、図７
（ｃ）に示すように、半田などの低融点金属１０６をス
クリーン印刷することで貫通穴１０５内に埋め込む。そ
して、図７（ｄ）に示すように、ポリイミドテープ１０
４の厚さをエッチングして減少させることにより、ポリ
イミドテープ１０４よりも一部突出した状態の低融点金
属１０６からなるバンプ電極を形成している。そして、
同様にして開口部を設けた別のポリイミドテープを接着
した回路基板と組み立てることにより、ＩＣチップと回
路基板間の狭い間隙を２枚のポリイミドテープで埋めた
構造としている。

【０００８】しかしながら、複数回のエッチング工程が
必要であるため、その製造工程が煩雑になるという問題
があった。また、ＩＣチップと回路基板の間を２枚のポ
リイミドテープで埋めてパッケージの信頼性を向上させ
ているが、ポリイミドテープ間に界面が存在するため、
十分な信頼性を得ることはできなかった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な問題を解決するためになされたものであり、多ピンで
ファインピッチのインナーバンプ電極構造の半導体集積
回路装置について、所望のバンプ体積を確保しつつ、Ｉ
Ｃチップと回路基板間の間隙をすきまなく樹脂で埋める
ことが可能であり、かつ、高スループットで低コストに
製造することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明による半導体集
積回路装置の製造方法は、カバーフィルムと熱硬化性絶
縁フィルムとの積層構造からなるフィルムに対し、回路
基板上に形成された電極パッド相当位置に貫通穴を形成
する工程、上記フィルムの上記貫通穴と上記回路基板の
上記電極パッドとを位置合わせし、上記電極パッドが形
成された上記回路基板面に上記熱硬化性絶縁フィルム面
を貼り付ける工程、ペースト状バンプ材料を上記貫通穴
に充填する工程、加熱によって上記ペースト状バンプ材
料を上記電極パッドに被着させてバンプ電極を得る工程
を含むものである。 また、この発明による半導体集積回
路装置の製造方法は、カバーフィルムと熱硬化性絶縁フ
ィルムとの積層構造からなるフィルムに対し、回路基板
上に形成された電極パッド相当位置に貫通穴を形成する
工程、上記フィルムの上記貫通穴と上記回路基板の上記
電極パッドとを位置合わせし、上記電極パッドが形成さ
れた上記回路基板面に上記熱硬化性絶縁フィルム面を貼
り付ける工程、ペースト状バンプ材料を上記貫通穴に充
填する工程、加熱によって上記ペースト状バンプ材料を
上記電極パッドに被着させてバンプ電極を得る工程、上
記カバーフィルムを上記回路基板側から引き剥し、上記
回路基板側に上記熱硬化性絶縁フィルムを残す工程、上
記熱硬化性絶縁フィルムの上面に、上記バンプ電極とＩ
Ｃチップの表面の導電層とを位置合わせし、上記回路基
板と上記ＩＣチップを押しつけながら加熱し、上記バン
プ電極と上記ＩＣチップとを電気的に接続するとともに
上記ＩＣチップと上記回路基板とを上記熱硬化性絶縁フ
ィルムで封止する工程を含むものである。

【００１１】また、この発明による半導体集積回路装置
の製造方法は、カバーフィルムと熱硬化性絶縁フィルム
との積層構造からなるフィルムに対し、回路基板上に形
成された電極パッド相当位置に貫通穴を形成する工程、
上記フィルムの上記貫通穴とＩＣチップの表面の導電層
とを位置合わせし、上記熱硬化性絶縁フィルムと上記Ｉ
Ｃチップとを貼り付ける工程、ペースト状バンプ材料を
上記貫通穴に充填する工程、加熱によって上記ペースト
状バンプ材料を上記導電層に被着させてバンプ電極を得
る工程を含むものである。 また、この発明による半導体
集積回路装置の製造方法は、カバーフィルムと熱硬化性
絶縁フィルムとの積層構造からなるフィルムに対し、回
路基板上に形成された電極パッド相当位置に貫通穴を形
成する工程、上記フィルムの上記貫通穴とＩＣチップの
表面の導電層とを位置合わせし、上記熱硬化性絶縁フィ
ルムと上記ＩＣチップとを貼り付ける工程、ペースト状
バンプ材料を上記貫通穴に充填する工程、加熱によって
上記ペースト状バンプ材料を上記導電層に被着させてバ
ンプ電極を得る工程、上記カバーフィルムを上記ＩＣチ
ップ側から引き剥し、上記ＩＣチップ側に上記熱硬化性
絶縁フィルムを残す工程、上記熱硬化性絶縁フィルムの
上面に、上記バンプ電極と上記回路基板上の上記電極パ
ッドとを位置合わせし、上記ＩＣチップと上記回路基板
を押しつけながら上記回路基板を加熱し、上記バンプ電
極と上記回路基板とを電気的に接続するとともに、上記
ＩＣチップと上記回路基板とを上記熱硬化性絶縁フィル
ムで封止する工程を含むものである。

【００１２】さらに、この発明による半導体集積回路装
置の製造方法は、パンチを用いて、フィルムに対して貫
通穴を形成するものである。

【００１３】また、この発明による半導体集積回路装置
の製造方法は、レーザ照射によって、フィルムに対して
貫通穴を形成するものである。

【００１４】さらに、この発明による半導体集積回路装
置の製造方法は、レーザ照射を含む上記の製造方法にお
いて、貫通穴形成後にフィルムを回路基板に張り付ける
場合、上記フィルムに対するレーザ照射は熱硬化性絶縁
フィルム側から行い、上記貫通穴形成前に上記フィルム
を上記回路基板に張り付ける場合、上記フィルムに対す
るレーザ照射はカバーフィルム側から行うものである。

【００１５】また、この発明による半導体集積回路装置
の製造方法は、上記の製造方法において、カバーフィル
ムと熱硬化性絶縁フィルムとの積層構造からなるフィル
ムが、第一のリールから供給され、バンプ電極形成後
に、引き剥された上記カバーフィルムが、第二のリール
に巻き取られるものである。

【００１６】さらに、この発明による半導体集積回路装
置の製造方法は、フィルムが回路基板側に最初に接着さ
れる製造方法において、回路基板が、第三のリールから
供給され、上記回路基板上に熱硬化性絶縁フィルムを残
して、カバーフィルムを取り去った後、第四のリールに
巻き取られるものである。

【００１７】また、この発明による半導体集積回路装置
の製造方法は、裏面の所定位置に高融点半田ボールが形
成された回路基板が、第五のリールから供給され、ＩＣ
チップと上記回路基板とを熱硬化性絶縁フィルムで封止
して半導体集積回路装置を組み立て、個片化した後、上
記半導体集積回路装置として用いなかった部分の上記回
路基板は第六のリールに巻き取られるものである。

【００１８】

【００１９】また、この発明による半導体集積回路装置
は、上記のような半導体集積回路装置の製造方法によっ
て形成されたものである。

【００２０】さらに、この発明による半導体集積回路装
置の製造装置は、上記のような半導体集積回路装置の製
造方法を実施する機能を備えたものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】実施の形態１．次に、この発明の
実施の形態について図１および図２を参照して説明す
る。図１は、この発明の実施の形態によってＩＣチップ
と回路基板とを組み立てて得られた半導体集積回路装置
の断面図である。この図１において、符号１はＩＣチッ
プを示しており、回路基板２の上面に配置形成された電
極パッド３とＩＣチップ１の表面に配置された電極（導
電層）とがバンプ電極４によって電気的に接続され、ま
た、ＩＣチップ１と回路基板２との間隙は、すきまなく
一続きの熱硬化性絶縁フィルム５によって封止されてい
る。

【００２２】また、図２は、図１に示した半導体集積回
路装置の製造工程、特に組み立ての工程を示すフロー図
である。図２（ａ）に示すように、まず、組み立てに用
いるカバーフィルム６と熱硬化性絶縁フィルム５との２
層構造からなるフィルム７を形成する。この封止材とな
る熱硬化性絶縁フィルム５は、常温でも粘着力を有して
おり、加熱によって粘着力を増すという特性を持ってい
る。さらに、各フィルムの膜厚は、次工程においてフィ
ルム７に形成する穴に充填すべきペースト状バンプ材料
の量によって、また、パッケージの高さが適正となるよ
うに決定される。なお、熱硬化性絶縁フィルム５は、レ
ジストをカバーフィルム６に塗布して形成したものでも
よい。

【００２３】その後、図２（ｂ）に示すように、フィル
ム７を貫通する穴８を形成する。この穴８は、次工程に
おいてペースト状バンプ材料供給用のマスクとなるた
め、回路基板２の表面に形成された電極パッド３の位置
に対応する配置となるように配置する。穴８は、例えば
パンチによる打ち抜きによって形成することが可能であ
り、この時の打ち抜き方向には何ら制約はない。

【００２４】次に、図２（ｃ）に示すように、穴８を形
成したフィルム７の熱硬化性絶縁フィルム５側と、回路
基板２の電極パッド３が形成された側の面とが接触する
ように、かつ、穴８の位置と電極パッド３の位置とを位
置合わせして、貼り合わせる。

【００２５】その後、図２（ｄ）に示すように、スキー
ジ９を用いてペースト状バンプ材料１０をフィルム７内
の穴８に充填する。

【００２６】次に、図２（ｅ）に示すように、フィルム
７と接触していない側の回路基板２の面を加熱ステージ
１１に接触させ、回路基板２の全面を均一に加熱し、電
極パッド３にペースト状バンプ材料１０を付着させ、バ
ンプ電極４を得る。ペースト状バンプ材料１０を加熱し
た際、ペースト中のフラックス成分の一部が揮発するこ
とによって、その体積は減少し、バンプ電極４の高さ
は、フィルム７の上面よりも低くなる。

【００２７】その後、図２（ｆ）に示すように、フィル
ム７のうち、カバーフィルム６のみを引き剥し、回路基
板２側に熱硬化性絶縁フィルム５およびバンプ電極４が
残るようにする。このカバーフィルム６は、熱硬化性絶
縁フィルム５のカバーとしての役割を果たすとともに、
引き剥すことにより、同時に、ペースト状バンプ材料の
マスクとして機能したフィルム７上のフラックス等の残
留物を除去することも可能である。また、フラックス成
分の揮発によるバンプ電極４の高さの減少分よりもカバ
ーフィルム６の厚みをわずかに厚くしておくことによ
り、バンプ電極４の先端を熱硬化性絶縁フィルム５の表
面よりもわずかに突出させることができる。このとき、
バンプ電極４の突出量は、熱硬化性絶縁フィルム５およ
びカバーフィルム６の厚みの組み合わせにより調節可能
であることは言うまでもない。

【００２８】次に、図２（ｇ）に示すように、ＩＣチッ
プ１に形成された配線等の導電層の位置と回路基板２上
のバンプ電極４とが接触するように位置決めをし、押し
つけながら加熱することにより、ＩＣチップ１とバンプ
電極４とを接合しながら、熱硬化性絶縁フィルム５によ
って封止する。

【００２９】このように、熱硬化性絶縁フィルム５をバ
ンプ電極４の形成時のマスクとして用いることで、フィ
ルム７に開口した穴８からの抜け性に制限されることな
くバンプ電極４を安価なペースト状バンプ材料１０によ
って形成することが可能であるため、低コストでの生産
が可能となる。

【００３０】さらに、熱硬化性絶縁フィルム５をバンプ
電極４の形成時のマスクとして用いることで、多ピン、
ファインピッチのバンプ電極４を所望量のバンプ体積を
確保しつつ、ＩＣチップ１と回路基板２間の間隙をすき
まなく封止することができる。従って、温度変化等が生
じた場合においても、ＩＣチップと回路基板２との間
が、すきまなく封止されているために、間隙の熱膨張等
はなく、接続部の破断などの問題もない。

【００３１】さらに、フィルム７を貫通する穴８を開口
する際、ウェットな工程を用いず、パンチによる打ち抜
きで開口を実施するため、製造工程が煩雑となることは
ない。

【００３２】なお、上記の説明においては、回路基板２
側にフィルム７を貼り付けてバンプ電極４を形成する方
法について記述したが、逆に、ＩＣチップ１側にフィル
ム７を貼り付けて同様な製造工程でバンプ電極４を形成
しても良い。

【００３３】実施の形態２． 次に、この発明の実施の形態２について説明する。先述
の実施の形態１においては、パンチによる打ち抜きでフ
ィルム７を貫通する穴８を開口するという例を示した。
この実施の形態２では、レーザの照射によって穴９を開
口する例について示す。

【００３４】図３は、発明の実施の形態２による半導体
集積回路装置の製造工程、特に組み立ての工程を示すフ
ロー図である。図３（ａ）に示すように、実施の形態１
と同様に、カバーフィルム６と熱硬化性絶縁フィルム５
との２層構造からなるフィルム７を準備する。

【００３５】次に、図３（ｂ）に示すように、フィルム
７を構成する熱硬化性絶縁フィルム５側の面に対して、
レーザ１２を照射し、このフィルム７を貫通するレーザ
加工穴１３を開口する。このレーザ加工穴１３の開口位
置は、実施の形態１の穴８の場合と同様に、回路基板２
上の電極パッド３の位置に対応する箇所とする。レーザ
加工穴１３の断面は、図のように肩がだれた状態とな
り、熱硬化性絶縁フィルム５のカバーフィルム６と接し
ていない側の面で開口径が大きく、カバーフィルム６の
熱硬化性絶縁フィルム５と接していない面で、その開口
径が小さくなっている。

【００３６】その後、図３（ｃ）に示すように、レーザ
開口穴１３の位置と回路基板２上の電極パッド３との位
置を合わせて、熱硬化性絶縁フィルム５と回路基板２と
が接するように貼り合わせる。このとき、図に示すよう
に、熱硬化性絶縁フィルム５の接触面のレーザ開口穴１
３の開口径は、電極パッド３の寸法よりも大きくなって
いる。

【００３７】次に、図３（ｄ）に示すように、スキージ
９を用いて、ペースト状バンプ材料１０をレーザ加工穴
１３に充填する。さらに、図３（ｅ）に示すように、フ
ィルム７と接していない側の回路基板２の面に加熱ステ
ージ１１を接触させて回路基板２を均一に加熱し、電極
パッド３にペースト状バンプ材料１０を付着させる。こ
のとき、レーザ加工穴１３の形状の、だれた部分にペー
スト状バンプ材料１０が回り込み、電極パッド３とペー
スト状バンプ材料１０との接合強度が向上することとな
り、より良好な接続状態のバンプ電極４を得ることが可
能となる。

【００３８】その後、図３（ｆ）に示すように、実施の
形態１の場合と同様に、カバーフィルム６を引き剥し、
さらに、バンプ電極４とＩＣチップ１の表面に形成され
た配線等の導電層との位置が合致するように、接着する
ことによって、図１に示したものと同様の接続状態の半
導体集積回路装置を得ることが可能となる。

【００３９】上記のように、フィルム７に穴を形成する
場合、レーザ照射によって開口したレーザ開口穴１３を
バンプ電極４の形成に用いることで、電極パッド３の上
面および側面とペースト状バンプ材料１０とを接触させ
ることができる。このように接触面積を増大させること
によって、隣接する電極パッドとのブリッジの発生な
く、バンプ電極４の接続状態をより良好なものとするこ
とが可能となる。

【００４０】実施の形態３． 次に、この発明の実施の形態３について説明する。上述
の実施の形態１および実施の形態２では、組み立てに用
いるフィルム７に、まず、このフィルム７を貫通する穴
８（またはレーザ加工穴１３）を開けてから回路基板２
に接着するという例について説明した。この実施の形態
３では、フィルム７を回路基板２に貼り付けてから貫通
する穴を開ける場合について説明する。

【００４１】図４は、この発明の実施の形態４の半導体
集積回路装置の、特に組み立ての工程について説明す
る。まず、図４（ａ）に示すように、カバーフィルム６
と熱硬化性絶縁フィルム５との２層構造からなるフィル
ム７を準備し、図４（ｂ）に示すように回路基板２の電
極パッド３が形成された側の面に、熱硬化性絶縁フィル
ム５が接触するように貼り付けられる。

【００４２】次に、図４（ｃ）に示すように、フィルム
７のカバーフィルム６側から、電極パッド３に対応する
位置にレーザ１４を照射し、レーザ加工穴１５を形成す
る。この時、フィルム７は加工するが、電極パッド３は
加工しないエネルギー量のレーザ１４となるように調整
する。

【００４３】その後、図４（ｄ）に示すように、スキー
ジ９を用いてレーザ加工穴１５内にペースト状バンプ材
料１０を充填する。次に、図４（ｅ）に示すように、実
施の形態１および２の場合と同様に加熱ステージ１１を
用いて回路基板２側から均一な加熱を行い、ペースト状
バンプ材料１０をバンプ電極４へと変化させる。さら
に、図４（ｆ）に示すように、カバーフィルム６の剥離
を行う。その後、先述の場合と同様にＩＣチップ１を熱
硬化性絶縁フィルム５上に配置し、貼り付け、組み立て
を完了させる。

【００４４】このように、フィルム７を回路基板２に張
り付けた後に電極パッド３上にレーザ加工穴１５を形成
するため、電極パッド３とレーザ加工穴１５との位置合
わせを簡略化することができる上、アライメントのズレ
がより小さくなり、高精度な位置合わせを可能とするこ
とが可能となる。

【００４５】実施の形態４．次に、この発明の実施の形
態４について説明する。上述の実施の形態１〜３におい
ては、半導体集積回路装置の製造工程、特に組み立ての
工程について、説明した。この実施の形態４では、半導
体集積回路装置の組み立てに用いる製造装置について説
明する。

【００４６】図５は、組み立てに用いる製造装置の概略
図を示している。図において、符号１６で示すリール
は、カバーフィルム６と熱硬化性絶縁フィルム５の２層
構造からなるフィルム７を供給するものであり、１７
は、不要なカバーフィルム６を巻き取るリール、１８
は、回路基板２を供給するリール、１９は、処理後の回
路基板２を巻き取るリールである（その他、説明のため
に、前述の実施の形態において用いた符号を、ここでも
用いる。）。

【００４７】組み立ては、図５に示すように、リール１
６から供給されたフィルム７に対して、まず所定位置に
穴あけを行い、ペースト状バンプ材料１０を充填する穴
８を形成する。この所定位置とは、次工程において貼り
付けを行う回路基板２の表面に形成された電極パッド３
の配置に相当している。また、この時、図面の上側にカ
バーフィルム６が配置され、下側に熱硬化性絶縁フィル
ム５が配置されるようにすることで、後の貼り付け工程
および、カバーフィルム６の引き剥しの工程で、フィル
ム７の上面および下面を入れ換える必要が無くなる。

【００４８】その後、図５で言うところの右側方向に処
理が移り、リール１８から供給される回路基板２に位置
合わせをし、回路基板２の表面に、穴８をあけたフィル
ム７を貼り付ける。次に、ペースト状バンプ材料１０を
印刷し、これを穴８内に充填する。次に、ペースト状バ
ンプ材料１０に対して加熱処理を行い、バンプ電極４を
形成する。その後、フィルム７を構成する上側のフィル
ム、すなわちカバーフィルム６を不要な部分の熱硬化性
絶縁フィルム５とともに引き剥し、剥したものをリール
１７に巻き取る。これと平行して、バンプ電極４および
熱硬化性絶縁フィルム５が被着した回路基板２は、リー
ル１９に巻き取る。

【００４９】その後、リール１９から供給される回路基
板２に対して、位置合わせを行ってＩＣチップ１を被着
させることによって、半導体集積回路装置の組み立てが
完了する。このように、フィルム７の供給、引き剥した
カバーフィルム６の回収、回路基板２の供給、熱硬化性
絶縁フィルム５などが付着した回路基板２の収納を、そ
れぞれリール１６〜１９を用いて行い、リールからリー
ルへと被処理物が流れていく過程において製造がなされ
るため、高スループット化することができる。

【００５０】なお、フィルム７をよじって供給すること
により、穴８を開口した後に、フィルム７の表裏方向を
逆転させることも可能である。また、回路基板２にフィ
ルム７を貼り付けた後にレーザを用いて穴１５を開口
し、その後、バンプ電極４を形成することも可能である
ことは言うまでもない。

【００５１】実施の形態５．次に、この発明の実施の形
態５について説明する。図６は半導体集積回路装置の組
み立てに用いる製造装置であり、既に説明の為に用いた
符号と同一符号は同一、若しくは相当部分を示すもので
ある。図６に示すように、まず、リール１６からカバー
フィルム６の面を上にして供給された２層構造のフィル
ム７に対して穴あけを行う。

【００５２】次に、高融点半田ボールが裏面に配置形成
され、表面に電極パッド３が形成された回路基板２をリ
ール２０から供給する。その後、電極パッド３と穴との
位置合わせをした後に貼り付け、ペースト状バンプ材料
１０を印刷し、穴にこれを充填し、加熱することでバン
プ電極４を得る。次に、不要となったカバーフィルム６
を、不要な部分の熱硬化性絶縁フィルム５とともに引き
剥し、この引き剥したものをリール１７に巻き取ってい
く。

【００５３】高融点半田ボールおよびバンプ電極４が形
成された回路基板２に対し、そのバンプ電極４側の面に
位置合わせを行ってＩＣチップ１を加熱しながら貼り付
け、その後、個片化してパレットへ詰める。パレタイジ
ングを行った後に残った切りかす基板はリール２１に巻
き取る。

【００５４】このように、一連の組み立て工程をリール
を用いて行うことによって、実施の形態４において示し
た場合と同様に、高スループット化が可能となる。ま
た、上記の例においても、フィルム７に対して穴あけを
行った後、回路基板２にフィルム７を貼り付ける場合に
ついて説明したが、フィルム７を貼り合わせた後に位置
合わせをし、穴あけを行うことも可能であることは言う
までもない。

【００５５】

【発明の効果】以下に、この発明の効果について記載す
る。以上述べたように、この発明によれば、熱硬化性絶
縁フィルムをバンプ電極形成時のマスクとして用いるこ
とで、マスク穴からの抜け性に制限されることなくバン
プ電極を安価なペースト状バンプ材料で形成できるた
め、低コスト化が可能となる。

【００５６】また、熱硬化性絶縁フィルムをバンプ電極
形成時のマスクとして用いることで、多ピン、ファイン
ピッチのバンプ電極を所望量のバンプ体積を確保しつ
つ、半導体集積回路装置と回路基板間の間隙をすきまな
く封止することが可能となる。そのため、温度変化が生
じた場合においても、隙間の寸法が変化することがな
く、接続部の破断等の恐れがない。

【００５７】さらに、パンチによる打ち抜きによってフ
ィルムに対して穴あけを行うため、ウェットな工程を省
略でき、製造工程数を少なく抑制することが可能であ
る。

【００５８】また、レーザ照射による加工でフィルムに
対して穴あけを行うことによって、穴の断面形状を肩を
持つだれた状態とすることができる。これによって、だ
れた部分にペースト状バンプ材料がまわり込むこととな
り、電極パッドとバンプ電極との接合強度を向上させる
ことが可能となる。

【００５９】さらに、フィルムを回路基板に貼り付けた
後に電極パッド上に穴を形成することにより、多数の穴
をあけたフィルムを位置決めしながら貼り付ける場合よ
りも、電極パッドと穴との位置合わせを簡略化すること
もできる。

【００６０】また、ＩＣチップと回路基板との組み立て
を、リールを用いて行うことにより、必要な部材をリー
ルから連続的に供給でき、また不要になったフィルムの
一部や切りとり後の不要な回路基板をリールに巻き取っ
て回収するというように、リールからリールにと製造を
進めることができるため、高スループット化することが
可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１の説明に必要な図で
ある。

【図２】 この発明の実施の形態１の説明に必要な図で
ある。

【図３】 この発明の実施の形態２の説明に必要な図で
ある。

【図４】 この発明の実施の形態３の説明に必要な図で
ある。

【図５】 この発明の実施の形態４の説明に必要な図で
ある。

【図６】 この発明の実施の形態５の説明に必要な図で
ある。

【図７】 従来の技術の説明に必要な図である。

【符号の説明】

１ ＩＣチップ、 ２ 回路基板、 ３ 電極パッド ４ バンプ電極、 ５ 熱硬化性絶縁フィルム ６ カバーフィルム、 ７ フィルム、 ８ 穴 ９ スキージ、 １０ ペースト状バンプ材料、 １１
加熱ステージ １２、１４ レーザ、 １３、１５ レーザ加工穴 １６、１７、１８、１９、２０、２１ リール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 21/56

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 カバーフィルムと熱硬化性絶縁フィルム
   との積層構造からなるフィルムに対し、回路基板上に形
   成された電極パッド相当位置に貫通穴を形成する工程、
   上記フィルムの上記貫通穴と上記回路基板の上記電極パ
   ッドとを位置合わせし、上記電極パッドが形成された上
   記回路基板面に上記熱硬化性絶縁フィルム面を貼り付け
   る工程、ペースト状バンプ材料を上記貫通穴に充填する
   工程、加熱によって上記ペースト状バンプ材料を上記電
   極パッドに被着させてバンプ電極を得る工程を含むこと
   を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
2. 【請求項２】 カバーフィルムと熱硬化性絶縁フィルム
   との積層構造からなるフィルムに対し、回路基板上に形
   成された電極パッド相当位置に貫通穴を形成する工程、
   上記フィルムの上記貫通穴と上記回路基板の上記電極パ
   ッドとを位置合わせし、上記電極パッドが形成された上
   記回路基板面に上記熱硬化性絶縁フィルム面を貼り付け
   る工程、ペースト状バンプ材料を上記貫通穴に充填する
   工程、加熱によって上記ペースト状バンプ材料を上記電
   極パッドに被着させてバンプ電極を得る工程、上記カバ
   ーフィルムを上記回路基板側から引き剥し、上記回路基
   板側に上記熱硬化性絶縁フィルムを残す工程、上記熱硬
   化性絶縁フィルムの上面に、上記バンプ電極とＩＣチッ
   プの表面の導電層とを位置合わせし、上記回路基板と上
   記ＩＣチップを押しつけながら加熱し、上記バンプ電極
   と上記ＩＣチップとを電気的に接続するとともに上記Ｉ
   Ｃチップと上記回路基板とを上記熱硬化性絶縁フィルム
   で封止する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路
   装置の製造方法。
3. 【請求項３】 カバーフィルムと熱硬化性絶縁フィルム
   との積層構造からなるフィルムに対し、回路基板上に形
   成された電極パッド相当位置に貫通穴を形成する工程、
   上記フィルムの上記貫通穴とＩＣチップの表面の導電層
   とを位置合わせし、上記熱硬化性絶縁フィルムと上記Ｉ
   Ｃチップとを貼り付ける工程、ペースト状バンプ材料を
   上記貫通穴に充填する工程、加熱によって上記ペースト
   状バンプ材料を上記導電層に被着させてバンプ電極を得
   る工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製
   造方法。
4. 【請求項４】 カバーフィルムと熱硬化性絶縁フィルム
   との積層構造からなるフィルムに対し、回路基板上に形
   成された電極パッド相当位置に貫通穴を形成する工程、
   上記フィルムの上記貫通穴とＩＣチップの表面の導電層
   とを位置合わせし、上記熱硬化性絶縁フィルムと上記Ｉ
   Ｃチップとを貼り付ける工程、ペースト状バンプ材料を
   上記貫通穴に充填する工程、加熱によって上記ペースト
   状バンプ材料を上記導電層に被着させてバンプ電極を得
   る工程、上記カバーフィルムを上記ＩＣチップ側から引
   き剥し、上記ＩＣチップ側に上記熱硬化性絶縁フィルム
   を残す工程、上記熱硬化性絶縁フィルムの上面に、上記
   バンプ電極と上記回路基板上の上記電極パッドとを位置
   合わせし、上記ＩＣチップと上記回路基板を押しつけな
   がら上記回路基板を加熱し、上記バンプ電極と上記回路
   基板とを電気的に接続するとともに、上記ＩＣチップと
   上記回路基板とを上記熱硬化性絶縁フィルムで封止する
   工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造
   方法。
5. 【請求項５】 パンチを用いて、フィルムに対して貫通
   穴を形成することを特徴とする請求項１〜請求項４のい
   ずれか一項記載の半導体集積回路装置の製造方法。
6. 【請求項６】 レーザ照射によって、フィルムに対して
   貫通穴を形成することを特徴とする請求項１〜請求項４
   のいずれか一項記載の半導体集積回路装置の製造方法。
7. 【請求項７】 貫通穴形成後にフィルムを回路基板に貼
   り付ける場合、上記フィルムに対するレーザ照射は熱硬
   化性絶縁フィルム側から行い、上記貫通穴形成前に上記
   フィルムを上記回路基板に貼り付ける場合、上記フィル
   ムに対するレーザ照射はカバーフィルム側から行うこと
   を特徴とする請求項６記載の半導体集積回路装置の製造
   方法。
8. 【請求項８】 カバーフィルムと熱硬化性絶縁フィルム
   との積層構造からなるフィルムは、第一のリールから供
   給され、バンプ電極形成後に、引き剥された上記カバー
   フィルムは、第二のリールに巻き取られることを特徴と
   する請求項１〜請求項４のいずれか一項記載の半導体集
   積回路装置の製造方法。
9. 【請求項９】 回路基板は、第三のリールから供給さ
   れ、上記回路基板上に熱硬化性絶縁フィルムを残して、
   カバーフィルムを取り去った後、第四のリールに巻き取
   られることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
   半導体集積回路装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 裏面の所定位置に高融点半田ボールが
    形成された回路基板は、第五のリールから供給され、Ｉ
    Ｃチップと上記回路基板とを熱硬化性絶縁フィルムで封
    止して半導体集積回路装置を組み立て、個片化した後、
    上記半導体集積回路装置として用いなかった部分の上記
    回路基板は第六のリールに巻き取られることを特徴とす
    る請求項１または請求項２記載の半導体集積回路装置の
    製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか一項記載の
    半導体集積回路装置の製造方法によって形成されたこと
    を特徴とする半導体集積回路装置。
12. 【請求項１２】 請求項１〜１０のいずれか一項記載の
    半導体集積回路装置の製造方法を実施する機能を備えた
    ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造装置。