JPH05243075A - 薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
薄膜コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH05243075A JPH05243075A JP4040820A JP4082092A JPH05243075A JP H05243075 A JPH05243075 A JP H05243075A JP 4040820 A JP4040820 A JP 4040820A JP 4082092 A JP4082092 A JP 4082092A JP H05243075 A JPH05243075 A JP H05243075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- glass glaze
- insulating substrate
- capacitor
- film capacitor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜コンデンサの絶縁基板として表面粗さの
小さい、平滑な絶縁基板を活用できる製造方法を開発し
小形化、軽量化、低コスト化を図った高品質の薄膜コン
デンサの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 板状のセラミック１上にガラスグレ−ズ２を
塗布焼付して成る絶縁基板を、チップブレイクする位置
のガラスグレ−ズ２を切断刃により取り除いた後、薄膜
コンデンサ素子部４を形成し、その後チップブレイクす
るためのブレイク用溝３をレ−ザ−ビ−ムを照射して形
成する。
小さい、平滑な絶縁基板を活用できる製造方法を開発し
小形化、軽量化、低コスト化を図った高品質の薄膜コン
デンサの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 板状のセラミック１上にガラスグレ−ズ２を
塗布焼付して成る絶縁基板を、チップブレイクする位置
のガラスグレ−ズ２を切断刃により取り除いた後、薄膜
コンデンサ素子部４を形成し、その後チップブレイクす
るためのブレイク用溝３をレ−ザ−ビ−ムを照射して形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜コンデンサの製造
方法に関し、特に小形，軽量，低コスト化を図った薄膜
コンデンサの製造方法に関するものである。
方法に関し、特に小形，軽量，低コスト化を図った薄膜
コンデンサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小形・軽量化志向、高
集積回路の採用による電子回路の高密度化、あるいは自
動挿入機の普及などに伴い、電子部品に対する小形化の
要請がますます強くなってきている。その中にあって、
コンデンサも他の部品と同様に小形化への種々の研究開
発が試みられている。周知のようにコンデンサの単位体
積当たりの静電容量は、誘電体の誘電率に比例し、誘電
体の厚さの２乗に反比例する。従って、コンデンサの小
形化を図るためには、誘電体の誘電率を大きくするか、
または誘電体の厚さを薄くすることにより大幅な小形化
が可能となる。このため薄膜コンデンサについては既に
多くの検討が行われてきた。この種の薄膜コンデンサの
製造方法は、チップブレイクするためのブレイク用溝を
あらかじめ格子状に形成したセラミックグリ−ンシ−ト
を焼成してセラミック絶縁基板を作成し、その上に複数
のコンデンサ素子を誘電体層と内部電極層とを交互に真
空蒸着やスパッタリングなどの薄膜形成工法により積層
した後、個々のコンデンサにチップブレイクし、その後
引き出し端子となる外部電極を導電ペ−ストを焼き付け
するなどの方法で形成している。
集積回路の採用による電子回路の高密度化、あるいは自
動挿入機の普及などに伴い、電子部品に対する小形化の
要請がますます強くなってきている。その中にあって、
コンデンサも他の部品と同様に小形化への種々の研究開
発が試みられている。周知のようにコンデンサの単位体
積当たりの静電容量は、誘電体の誘電率に比例し、誘電
体の厚さの２乗に反比例する。従って、コンデンサの小
形化を図るためには、誘電体の誘電率を大きくするか、
または誘電体の厚さを薄くすることにより大幅な小形化
が可能となる。このため薄膜コンデンサについては既に
多くの検討が行われてきた。この種の薄膜コンデンサの
製造方法は、チップブレイクするためのブレイク用溝を
あらかじめ格子状に形成したセラミックグリ−ンシ−ト
を焼成してセラミック絶縁基板を作成し、その上に複数
のコンデンサ素子を誘電体層と内部電極層とを交互に真
空蒸着やスパッタリングなどの薄膜形成工法により積層
した後、個々のコンデンサにチップブレイクし、その後
引き出し端子となる外部電極を導電ペ−ストを焼き付け
するなどの方法で形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜コンデンサ
では、真空蒸着法、スパッタリング法などの物理的気相
成長法（ＰＶＤ法）を用いて、内部電極層および誘電体
層を形成している。このため、絶縁基板に表面粗さの小
さい、平滑な基板を用いることにより誘電体および内部
電極の大幅な薄膜化が可能となり、これによりコンデン
サの小形化が図れる。
では、真空蒸着法、スパッタリング法などの物理的気相
成長法（ＰＶＤ法）を用いて、内部電極層および誘電体
層を形成している。このため、絶縁基板に表面粗さの小
さい、平滑な基板を用いることにより誘電体および内部
電極の大幅な薄膜化が可能となり、これによりコンデン
サの小形化が図れる。
【０００４】すなわち、セラミック基板より表面粗さの
小さい、平滑なガラスグレ−ズ処理を施したセラミック
基板においては、基板表面の凹凸が小さいため、真空蒸
着法、スパッタリング法などの物理的気相成長法（ＰＶ
Ｄ法）を用いて形成される極薄の内部電極層および誘電
体層は基板表面の凹凸に十分追従することができ、内部
電極層および誘電体層ともに均一な膜厚を得ることがで
きる。これによりコンデンサとして必要な耐電圧特性を
損なうことなく薄膜積層部を形成することが可能とな
る。
小さい、平滑なガラスグレ−ズ処理を施したセラミック
基板においては、基板表面の凹凸が小さいため、真空蒸
着法、スパッタリング法などの物理的気相成長法（ＰＶ
Ｄ法）を用いて形成される極薄の内部電極層および誘電
体層は基板表面の凹凸に十分追従することができ、内部
電極層および誘電体層ともに均一な膜厚を得ることがで
きる。これによりコンデンサとして必要な耐電圧特性を
損なうことなく薄膜積層部を形成することが可能とな
る。
【０００５】しかしながら、表面粗さの小さい、平滑な
ガラスグレ−ズ処理を施したセラミック基板を使用する
にあたっては、セラミック基板にガラスグレ−ズ処理を
施す際に、チップブレイクするためのブレイク用溝にガ
ラスグレ−ズが入り込み、ガラスグレ−ズ表面の平滑性
が損なわれるとともに、チップブレイク時にうまくチッ
プブレイク出来ないという問題点がある。これを避ける
ためには、ガラスグレ−ズを島状に塗布する必要がある
が、この場合は、ガラスグレ−ズ厚みを均一に塗ること
が困難であり、有効面積が減少するという問題点があ
る。
ガラスグレ−ズ処理を施したセラミック基板を使用する
にあたっては、セラミック基板にガラスグレ−ズ処理を
施す際に、チップブレイクするためのブレイク用溝にガ
ラスグレ−ズが入り込み、ガラスグレ−ズ表面の平滑性
が損なわれるとともに、チップブレイク時にうまくチッ
プブレイク出来ないという問題点がある。これを避ける
ためには、ガラスグレ−ズを島状に塗布する必要がある
が、この場合は、ガラスグレ−ズ厚みを均一に塗ること
が困難であり、有効面積が減少するという問題点があ
る。
【０００６】また、ガラスグレ−ズ処理を施すために
は、焼成工程が必要であり、この焼成時に、チップブレ
イク用のブレイク溝を形成したセラミック基板が熱によ
る応力のためブレイク溝のところで割れるという問題点
もある。
は、焼成工程が必要であり、この焼成時に、チップブレ
イク用のブレイク溝を形成したセラミック基板が熱によ
る応力のためブレイク溝のところで割れるという問題点
もある。
【０００７】以上のようにガラスグレ−ズ処理を施した
絶縁基板を用いるには、製造上種々の問題点を残してい
たため、使用が非常に困難であった。
絶縁基板を用いるには、製造上種々の問題点を残してい
たため、使用が非常に困難であった。
【０００８】本発明は、このような従来の薄膜コンデン
サの製造方法に関わる問題点を解決するもので、コンデ
ンサの大幅な小形化、軽量化、低コスト化を図った高品
質の薄膜コンデンサの製造方法を提供することを目的と
するものである。
サの製造方法に関わる問題点を解決するもので、コンデ
ンサの大幅な小形化、軽量化、低コスト化を図った高品
質の薄膜コンデンサの製造方法を提供することを目的と
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、板状のセラミッ
ク上にガラスグレ−ズを塗布焼付して成る絶縁基板を、
チップブレイクする位置のガラスグレ−ズを切断刃によ
り取り除いた後、前記絶縁基板上に複数のコンデンサ素
子を、誘電体層と電極層を交互に薄膜形成工法により積
層して形成し、その後チップブレイクするためのブレイ
ク用溝をレ−ザ−ビ−ムを照射して形成するものであ
る。
本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、板状のセラミッ
ク上にガラスグレ−ズを塗布焼付して成る絶縁基板を、
チップブレイクする位置のガラスグレ−ズを切断刃によ
り取り除いた後、前記絶縁基板上に複数のコンデンサ素
子を、誘電体層と電極層を交互に薄膜形成工法により積
層して形成し、その後チップブレイクするためのブレイ
ク用溝をレ−ザ−ビ−ムを照射して形成するものであ
る。
【００１０】
【作用】上記構成により、ガラスグレ−ズ処理を施した
セラミック絶縁基板の有効な活用が可能となる。すなわ
ち、絶縁基板に表面粗さの小さい、平滑な基板を用いる
ことが可能となり、誘電体および内部電極の大幅な薄膜
化が可能となる。これによりコンデンサの小形化、軽量
化、低コスト化が図れる。
セラミック絶縁基板の有効な活用が可能となる。すなわ
ち、絶縁基板に表面粗さの小さい、平滑な基板を用いる
ことが可能となり、誘電体および内部電極の大幅な薄膜
化が可能となる。これによりコンデンサの小形化、軽量
化、低コスト化が図れる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の一実施例の薄膜コンデンサの
製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明す
る。
製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明す
る。
【００１２】図１において、まず、ガラスグレ−ズ塗布
焼付（工程イ）により、板状セラミック１上にガラスグ
レ−ズ２を帯状に塗布焼付し絶縁基板を得る。この絶縁
基板を図２に示す。
焼付（工程イ）により、板状セラミック１上にガラスグ
レ−ズ２を帯状に塗布焼付し絶縁基板を得る。この絶縁
基板を図２に示す。
【００１３】なお、ガラスグレ−ズ２を帯状に塗布焼成
したのは、外部電極と絶縁基板との付着力を考慮したた
めである。すなわち外部電極は、ガラスグレ−ズのよう
な表面粗さの小さい平滑な面では十分な付着力が得られ
ない可能性があるため、セラミックのような表面粗さの
大きい面に外部電極を形成するように考慮したためであ
る。よって表面粗さの小さい平滑な面でも十分な付着力
を有する外部電極であるか、ガラスグレ−ズ除去工程で
外部電極を形成する位置のガラスグレ−ズを取り除くの
であれば全面にガラスグレ−ズを塗布焼成してもかまわ
ない。
したのは、外部電極と絶縁基板との付着力を考慮したた
めである。すなわち外部電極は、ガラスグレ−ズのよう
な表面粗さの小さい平滑な面では十分な付着力が得られ
ない可能性があるため、セラミックのような表面粗さの
大きい面に外部電極を形成するように考慮したためであ
る。よって表面粗さの小さい平滑な面でも十分な付着力
を有する外部電極であるか、ガラスグレ−ズ除去工程で
外部電極を形成する位置のガラスグレ−ズを取り除くの
であれば全面にガラスグレ−ズを塗布焼成してもかまわ
ない。
【００１４】次いで、前記ガラスグレ−ズ２を塗布焼成
した絶縁基板をガラスグレ−ズ除去（工程ロ）によりチ
ップブレイクする位置３ａのガラスグレ−ズを切断刃に
より取り除く。この状態の絶縁基板を図３に示す。
した絶縁基板をガラスグレ−ズ除去（工程ロ）によりチ
ップブレイクする位置３ａのガラスグレ−ズを切断刃に
より取り除く。この状態の絶縁基板を図３に示す。
【００１５】続いて、工程ロにより隔設されたガラスグ
レ−ズ面上個々に内部電極層（工程ハ）と誘電体層（工
程ニ）を薄膜形成法を用いて交互に形成しコンデンサ素
子４を形成する。
レ−ズ面上個々に内部電極層（工程ハ）と誘電体層（工
程ニ）を薄膜形成法を用いて交互に形成しコンデンサ素
子４を形成する。
【００１６】次に、個々のコンデンサにチップブレイク
するためのブレイク用溝３をレ−ザ−ビ−ムによって形
成する。（工程ホ）この加工状態を図４に示す。
するためのブレイク用溝３をレ−ザ−ビ−ムによって形
成する。（工程ホ）この加工状態を図４に示す。
【００１７】その後、個々のコンデンサにチップブレイ
クする。（工程ヘ）最後に、電極引き出し用の外部電極
を個々のコンデンサに形成する。（工程ト） なお、前
記切断刃としては、ダイヤモンドブレ−ド、超硬刃など
が使用できる。内部電極材料としては、アルミニウム、
ニッケル、銅、錫、亜鉛、銀、金、白金、またはパラジ
ウムなどの金属材料、あるいは、これらの合金を使用す
ることができる。誘電体の材料としては、コンデンサを
表面実装する時の高温に耐えることができるものであれ
ば、無機系、有機系のいずれの材料でも利用可能であ
る。レザ−ビ−ムとしては、炭酸ガスレ−ザ−、ＹＡＧ
レ−ザ−などが利用可能である。外部電極材料として
は、内部電極材料と同様に、アルミニウム、ニッケル、
銅、錫、亜鉛、銀、金、白金、またはパラジウムなどの
金属材料、あるいは、これらの合金を使用することがで
きる。
クする。（工程ヘ）最後に、電極引き出し用の外部電極
を個々のコンデンサに形成する。（工程ト） なお、前
記切断刃としては、ダイヤモンドブレ−ド、超硬刃など
が使用できる。内部電極材料としては、アルミニウム、
ニッケル、銅、錫、亜鉛、銀、金、白金、またはパラジ
ウムなどの金属材料、あるいは、これらの合金を使用す
ることができる。誘電体の材料としては、コンデンサを
表面実装する時の高温に耐えることができるものであれ
ば、無機系、有機系のいずれの材料でも利用可能であ
る。レザ−ビ−ムとしては、炭酸ガスレ−ザ−、ＹＡＧ
レ−ザ−などが利用可能である。外部電極材料として
は、内部電極材料と同様に、アルミニウム、ニッケル、
銅、錫、亜鉛、銀、金、白金、またはパラジウムなどの
金属材料、あるいは、これらの合金を使用することがで
きる。
【００１８】なお、図１に示した工程で、板状セラミッ
クとしてアルミナ、切断刃としてダイヤモンドブレ−
ド、内部電極材料としてアルミ、誘電体材料としてポリ
ユリア、レ−ザ−ビ−ムとして炭酸ガスレ−ザ、外部電
極材料として銅を用いてコンデンサを１０００個作成し
た。このとき工程での不良は０であった。
クとしてアルミナ、切断刃としてダイヤモンドブレ−
ド、内部電極材料としてアルミ、誘電体材料としてポリ
ユリア、レ−ザ−ビ−ムとして炭酸ガスレ−ザ、外部電
極材料として銅を用いてコンデンサを１０００個作成し
た。このとき工程での不良は０であった。
【００１９】以上のように本実施例によれば、工程での
不良を心配することなしにガラスグレ−ズ処理を施した
セラミック絶縁基板を使用することが可能となる。
不良を心配することなしにガラスグレ−ズ処理を施した
セラミック絶縁基板を使用することが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明の薄膜コンデンサの製造方法によれば、板状の
セラミック上にガラスグレ−ズを塗布焼成して成る絶縁
基板を、チップブレイクする位置のガラスグレ−ズを切
断刃により取り除いた後、コンデンサ素子部を形成し、
その後チップブレイクするためのブレイク用溝をレ−ザ
−ビ−ムを照射して形成することにより従来使用してい
たセラミック絶縁基板より表面粗さの小さい、平滑なガ
ラスグレ−ズ処理を施したセラミック絶縁基板を使用す
ることが可能となる。 これにより誘電体および内部電
極の大幅な薄膜化が可能となりコンデンサの大幅な小形
化、軽量化、低コスト化が実現できるものである。
に本発明の薄膜コンデンサの製造方法によれば、板状の
セラミック上にガラスグレ−ズを塗布焼成して成る絶縁
基板を、チップブレイクする位置のガラスグレ−ズを切
断刃により取り除いた後、コンデンサ素子部を形成し、
その後チップブレイクするためのブレイク用溝をレ−ザ
−ビ−ムを照射して形成することにより従来使用してい
たセラミック絶縁基板より表面粗さの小さい、平滑なガ
ラスグレ−ズ処理を施したセラミック絶縁基板を使用す
ることが可能となる。 これにより誘電体および内部電
極の大幅な薄膜化が可能となりコンデンサの大幅な小形
化、軽量化、低コスト化が実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例の薄膜コンデンサの製造方法
を説明するための工程図
を説明するための工程図
【図２】同、図１の工程イにおける絶縁基板の加工状態
を示す斜視図
を示す斜視図
【図３】同、図１の工程ロにおける絶縁基板の加工状態
を示す斜視図
を示す斜視図
【図４】同、図１の工程ホにおける絶縁基板の加工状態
を示す斜視図
を示す斜視図
１ 板状セラミック ２ ガラスグレ−ズ ３ ブレ−ク用溝 ４ コンデンサ素子
Claims (1)
- 【請求項１】板状のセラミック上にガラスグレ−ズを塗
布焼付して成る絶縁基板を、チップブレイクする位置の
ガラスグレ−ズを切断刃により取り除いた後、前記絶縁
基板上に複数のコンデンサ素子を、誘電体層と内部電極
層を交互に薄膜形成工法により積層して形成し、その後
チップブレイクするためのブレイク用溝をレ−ザ−ビ−
ムにより照射して形成する薄膜コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040820A JPH05243075A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040820A JPH05243075A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243075A true JPH05243075A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12591301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4040820A Pending JPH05243075A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243075A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019110321A (ja) * | 2015-02-27 | 2019-07-04 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | セラミック素子およびセラミック素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4040820A patent/JPH05243075A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019110321A (ja) * | 2015-02-27 | 2019-07-04 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | セラミック素子およびセラミック素子の製造方法 |
| US10943740B2 (en) | 2015-02-27 | 2021-03-09 | Epcos Ag | Electrical connection contact for a ceramic component, a ceramic component, and a component arrangement |
| JP2021184489A (ja) * | 2015-02-27 | 2021-12-02 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag | セラミック素子およびセラミック素子の製造方法 |
| US11342126B2 (en) | 2015-02-27 | 2022-05-24 | Epcos Ag | Electrical component and a method for producing an electrical component |
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