JPH05235200A - 電子部品搭載用基板 - Google Patents
電子部品搭載用基板Info
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- JPH05235200A JPH05235200A JP3671792A JP3671792A JPH05235200A JP H05235200 A JPH05235200 A JP H05235200A JP 3671792 A JP3671792 A JP 3671792A JP 3671792 A JP3671792 A JP 3671792A JP H05235200 A JPH05235200 A JP H05235200A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング前のパターン銅メッキの線幅を広
くすることなく、ボンディングパッドの頂部の線幅をワ
イヤーボンディングに支障のない幅に形成することを容
易とする。 【構成】 銅張積層板にパネル銅メッキ３及びパターン
銅メッキ４を施した後、エッチングにより導体パターン
１を形成する電子部品搭載用基板において、パターン銅
メッキ４の厚さをパネル銅メッキ３の厚さより厚くし
た。
くすることなく、ボンディングパッドの頂部の線幅をワ
イヤーボンディングに支障のない幅に形成することを容
易とする。 【構成】 銅張積層板にパネル銅メッキ３及びパターン
銅メッキ４を施した後、エッチングにより導体パターン
１を形成する電子部品搭載用基板において、パターン銅
メッキ４の厚さをパネル銅メッキ３の厚さより厚くし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品搭載用基板に係
り、詳しくはサブトラクティブ法の一種である半田剥離
法あるいはメッキレジスト法により導体パターンが形成
される電子部品搭載用基板に関するものである。
り、詳しくはサブトラクティブ法の一種である半田剥離
法あるいはメッキレジスト法により導体パターンが形成
される電子部品搭載用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半田剥離法により形成された電子部品搭
載用基板の導体パターン１は、図５に示すように銅張積
層板の絶縁基材２ａ上に積層された銅箔２ｂ、パネル銅
メッキ３及びパターン銅メッキ４から構成されている。
そして、従来はパネル銅メッキ３の厚さがパターン銅メ
ッキ４の厚さより厚かった。各層の厚さを数値で示す
と、銅箔２ｂの厚さが１８μｍ、パネル銅メッキ３の厚
さが１５μｍ、パターン銅メッキ４の厚さが１０μｍで
あつた。
載用基板の導体パターン１は、図５に示すように銅張積
層板の絶縁基材２ａ上に積層された銅箔２ｂ、パネル銅
メッキ３及びパターン銅メッキ４から構成されている。
そして、従来はパネル銅メッキ３の厚さがパターン銅メ
ッキ４の厚さより厚かった。各層の厚さを数値で示す
と、銅箔２ｂの厚さが１８μｍ、パネル銅メッキ３の厚
さが１５μｍ、パターン銅メッキ４の厚さが１０μｍで
あつた。
【０００３】又、導体パターン１は底部の線幅Ｗｂに比
較して頂部の線幅Ｗｈがかなり小さくなり、実測値で示
すと底部の線幅Ｗｂの平均値が１４２μｍ（標準偏差σ
n-1は５μｍ）のとき頂部の線幅Ｗｈの平均値は１２３
μｍ（標準偏差σn-1 は６μｍ）であった。
較して頂部の線幅Ｗｈがかなり小さくなり、実測値で示
すと底部の線幅Ｗｂの平均値が１４２μｍ（標準偏差σ
n-1は５μｍ）のとき頂部の線幅Ｗｈの平均値は１２３
μｍ（標準偏差σn-1 は６μｍ）であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】導体パターンのうちＩ
Ｃチップ（図示せず）と金線を介して電気的に接続され
るボンディングパッドには、ニッケルメッキ及び金メッ
キが施される。そして、ボンディングパッドと金線とを
確実に接続するためには、ニッケルメッキを行う前のボ
ンディングパッドの頂部の線幅Ｗｈを１２０μｍ以上に
確保する必要がある。ところが、パネル銅メッキ３がパ
ターン銅メッキ４より厚い従来のものでは、底部の線幅
Ｗｂに比較して頂部の線幅Ｗｈがかなり小さくなるた
め、頂部の線幅を１２０μｍ以上に確保するためには、
ボンディングパッド部のパターン銅メッキ４の線幅を予
め広くする必要がある。しかし、その場合はボンディン
グパッドの底部の線幅も広くなり、電子部品搭載用基板
の高密度化を阻害するという問題がある。
Ｃチップ（図示せず）と金線を介して電気的に接続され
るボンディングパッドには、ニッケルメッキ及び金メッ
キが施される。そして、ボンディングパッドと金線とを
確実に接続するためには、ニッケルメッキを行う前のボ
ンディングパッドの頂部の線幅Ｗｈを１２０μｍ以上に
確保する必要がある。ところが、パネル銅メッキ３がパ
ターン銅メッキ４より厚い従来のものでは、底部の線幅
Ｗｂに比較して頂部の線幅Ｗｈがかなり小さくなるた
め、頂部の線幅を１２０μｍ以上に確保するためには、
ボンディングパッド部のパターン銅メッキ４の線幅を予
め広くする必要がある。しかし、その場合はボンディン
グパッドの底部の線幅も広くなり、電子部品搭載用基板
の高密度化を阻害するという問題がある。
【０００５】そのため、パターン銅メッキ４の線幅を予
め広くすることはできず、パターン銅メッキ４の頂部の
線幅の最小値が１２０μｍという規格を満たすことがで
きない場合が生じ、ワイヤーボンディングに支障を来す
場合があるという問題があった。
め広くすることはできず、パターン銅メッキ４の頂部の
線幅の最小値が１２０μｍという規格を満たすことがで
きない場合が生じ、ワイヤーボンディングに支障を来す
場合があるという問題があった。
【０００６】パターン銅メッキ４の頂部の線幅が導体パ
ターン１の底部の線幅Ｗｂに比較してかなり小さくなる
原因としては次のことが考えられる。すなわち、半田剥
離法による導体パターン１の形成方法では、銅張積層板
２の銅箔２ｂの全面にパネル銅メッキ３が施され、パネ
ル銅メッキ３上にパターン銅メッキ４が行われ、さらに
パターン銅メッキ４上に半田メッキ５が行われた状態
（図６（ａ）の状態）からエッチングが行われる。エッ
チングによりパネル銅メッキ３及び銅箔２ｂが除去され
る（図６（ｂ）の状態）。エッチング液は銅を溶かすが
半田メッキ５は溶かさないので、半田メッキ５がエッチ
ングレジストの役割を果たす。
ターン１の底部の線幅Ｗｂに比較してかなり小さくなる
原因としては次のことが考えられる。すなわち、半田剥
離法による導体パターン１の形成方法では、銅張積層板
２の銅箔２ｂの全面にパネル銅メッキ３が施され、パネ
ル銅メッキ３上にパターン銅メッキ４が行われ、さらに
パターン銅メッキ４上に半田メッキ５が行われた状態
（図６（ａ）の状態）からエッチングが行われる。エッ
チングによりパネル銅メッキ３及び銅箔２ｂが除去され
る（図６（ｂ）の状態）。エッチング液は銅を溶かすが
半田メッキ５は溶かさないので、半田メッキ５がエッチ
ングレジストの役割を果たす。
【０００７】しかし、従来方法では、エッチングで除去
すべき銅の厚さＨが、銅箔２ｂの厚さ１８μｍとパネル
銅メッキ３の厚さ１５μｍとの合計である３３μｍと厚
いため、エッチングが厚さ方向だけに進行せずに、エッ
チング液（図示せず）が半田メッキ５の下側に回り込む
ように深く入り込み、所謂アンダーカットが生じて図６
（ｂ）に示すようにパターン銅メッキ４の頂部のエッチ
ング量が多くなる。
すべき銅の厚さＨが、銅箔２ｂの厚さ１８μｍとパネル
銅メッキ３の厚さ１５μｍとの合計である３３μｍと厚
いため、エッチングが厚さ方向だけに進行せずに、エッ
チング液（図示せず）が半田メッキ５の下側に回り込む
ように深く入り込み、所謂アンダーカットが生じて図６
（ｂ）に示すようにパターン銅メッキ４の頂部のエッチ
ング量が多くなる。
【０００８】本発明は前記の問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的はエッチング前のパターン銅メッ
キの線幅を広くすることなく、ボンディングパッドの頂
部の線幅をワイヤーボンディングに支障のない幅に形成
することが容易な電子部品搭載用基板を提供することに
ある。
のであって、その目的はエッチング前のパターン銅メッ
キの線幅を広くすることなく、ボンディングパッドの頂
部の線幅をワイヤーボンディングに支障のない幅に形成
することが容易な電子部品搭載用基板を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め本発明では、銅張積層板にパネル銅メッキ及びパター
ン銅メッキを施した後、エッチングにより導体パターン
を形成する電子部品搭載用基板において、パターン銅メ
ッキの厚さをパネル銅メッキの厚さより厚くした。
め本発明では、銅張積層板にパネル銅メッキ及びパター
ン銅メッキを施した後、エッチングにより導体パターン
を形成する電子部品搭載用基板において、パターン銅メ
ッキの厚さをパネル銅メッキの厚さより厚くした。
【００１０】
【作用】本発明の電子部品搭載用基板は、導体パターン
を構成するパターン銅メッキの厚さがパネル銅メッキの
厚さより厚い。従って、導体パターンの銅の厚さが同じ
であれば、導体パターンを形成する際にエッチングによ
り除去すべき銅の厚さが、パネル銅メッキの方がパター
ン銅メッキより厚い従来のものに比較して薄くなる。そ
の結果、エッチング時にエッチング液がエッチングレジ
ストの下側に回り込むことによるアンダーカットが小さ
くなり、パターン銅メッキの線幅を広くしなくても、ボ
ンディングパッドの頂部の線幅をワイヤーボンディング
に支障を来さない状態に確保できる。
を構成するパターン銅メッキの厚さがパネル銅メッキの
厚さより厚い。従って、導体パターンの銅の厚さが同じ
であれば、導体パターンを形成する際にエッチングによ
り除去すべき銅の厚さが、パネル銅メッキの方がパター
ン銅メッキより厚い従来のものに比較して薄くなる。そ
の結果、エッチング時にエッチング液がエッチングレジ
ストの下側に回り込むことによるアンダーカットが小さ
くなり、パターン銅メッキの線幅を広くしなくても、ボ
ンディングパッドの頂部の線幅をワイヤーボンディング
に支障を来さない状態に確保できる。
【００１１】
【実施例】（実施例１）以下、本発明を具体化した第１
実施例を図１〜図４に従って説明する。なお、電子部品
搭載用基板の構成は基本的には従来のものと同様であ
り、同一部分には同一符号を付して説明する。
実施例を図１〜図４に従って説明する。なお、電子部品
搭載用基板の構成は基本的には従来のものと同様であ
り、同一部分には同一符号を付して説明する。
【００１２】図１に示すように電子部品搭載用基板Ｂは
絶縁基材２ａの両面に導体パターン１が形成され、表裏
両面の導体パターン１を導通するスルーホール６を備え
ている。電子部品搭載用基板Ｂの表面には電子部品とし
てのＩＣチップ（図示せず）を搭載するための電子部品
搭載用凹部７が形成され、その周囲にはＩＣチップと金
線を介して電気的に接続されるボンディングパッド８と
しての導体パターンが形成されている。導体パターン１
（ボンディングパッド８）は、厚さ１８μｍの銅箔２ｂ
と、厚さ１０μｍのパネル銅メッキ３と、厚さ１５μｍ
のパターン銅メッキ４とで構成されている。すなわち、
導体パターン１を構成する全体の銅の厚さは従来と同様
に４３μｍであるが、パターン銅メッキ４の厚さがパネ
ル銅メッキ３の厚さより厚く形成されている。なお、ボ
ンディングパッド８はその表面にニッケルメッキ９（厚
さ５μｍ）及び金メッキ１０（厚さ０．５μｍ）が施さ
れる（図４（ｃ）にのみ図示）。又、電子部品搭載用基
板Ｂの表面にはソルダレジスト（図示せず）が印刷され
る。
絶縁基材２ａの両面に導体パターン１が形成され、表裏
両面の導体パターン１を導通するスルーホール６を備え
ている。電子部品搭載用基板Ｂの表面には電子部品とし
てのＩＣチップ（図示せず）を搭載するための電子部品
搭載用凹部７が形成され、その周囲にはＩＣチップと金
線を介して電気的に接続されるボンディングパッド８と
しての導体パターンが形成されている。導体パターン１
（ボンディングパッド８）は、厚さ１８μｍの銅箔２ｂ
と、厚さ１０μｍのパネル銅メッキ３と、厚さ１５μｍ
のパターン銅メッキ４とで構成されている。すなわち、
導体パターン１を構成する全体の銅の厚さは従来と同様
に４３μｍであるが、パターン銅メッキ４の厚さがパネ
ル銅メッキ３の厚さより厚く形成されている。なお、ボ
ンディングパッド８はその表面にニッケルメッキ９（厚
さ５μｍ）及び金メッキ１０（厚さ０．５μｍ）が施さ
れる（図４（ｃ）にのみ図示）。又、電子部品搭載用基
板Ｂの表面にはソルダレジスト（図示せず）が印刷され
る。
【００１３】図２はボンディングパッド８をその長手方
向（図１の左右方向）と直交する方向に切断した状態を
示している。ボンディングパッド８の頂部の線幅Ｗｈ
は、底部の線幅Ｗｂの平均値が１４２μｍ（標準偏差σ
n-1 は５μｍ）の場合、平均値が１３０μｍ（標準偏差
σn-1 は３．９μｍ）の値となっている。頂部の線幅Ｗ
ｈが従来の１２３μｍ（標準偏差σn-1 は６．０μｍ）
から１３０μｍ（標準偏差σn-1 は３．９μｍ）に改善
された理由は、パターン銅メッキ４の厚さが１５μｍと
従来の厚さ１０μｍに比較して厚いため、エッチング液
のはね返りが少なく、パターンの頂部付近までエッチン
グされ難くなるためと考えられる。その結果、線幅が改
善されるだけなく、標準偏差σn-1 も３．９μｍと減少
する。
向（図１の左右方向）と直交する方向に切断した状態を
示している。ボンディングパッド８の頂部の線幅Ｗｈ
は、底部の線幅Ｗｂの平均値が１４２μｍ（標準偏差σ
n-1 は５μｍ）の場合、平均値が１３０μｍ（標準偏差
σn-1 は３．９μｍ）の値となっている。頂部の線幅Ｗ
ｈが従来の１２３μｍ（標準偏差σn-1 は６．０μｍ）
から１３０μｍ（標準偏差σn-1 は３．９μｍ）に改善
された理由は、パターン銅メッキ４の厚さが１５μｍと
従来の厚さ１０μｍに比較して厚いため、エッチング液
のはね返りが少なく、パターンの頂部付近までエッチン
グされ難くなるためと考えられる。その結果、線幅が改
善されるだけなく、標準偏差σn-1 も３．９μｍと減少
する。
【００１４】すなわち、従来のものでは頂部の線幅Ｗｈ
を常に１２０μｍ以上に確保することが難しかった底部
の線幅Ｗｂの平均値が１４２μｍの場合でも、頂部の線
幅Ｗｈを常に１２０μｍ以上に確保することができる。
従って、ＩＣチップを実装する際のワイヤーボンディン
グが確実に行われるとともに、配線の高密度化を阻害す
ることもない。
を常に１２０μｍ以上に確保することが難しかった底部
の線幅Ｗｂの平均値が１４２μｍの場合でも、頂部の線
幅Ｗｈを常に１２０μｍ以上に確保することができる。
従って、ＩＣチップを実装する際のワイヤーボンディン
グが確実に行われるとともに、配線の高密度化を阻害す
ることもない。
【００１５】次に電子部品搭載用基板Ｂの製造方法を図
３及び図４に従って説明する。まず、銅張積層板２にス
ルーホール（図示せず）用の穴を開けた後、厚さ１８μ
ｍの銅箔２ｂの全面にパネル銅メッキ３を厚さ１０μｍ
に施した。次にメッキレジスト１１をパネル銅メッキ３
上にラミネートした（図３（ａ）の状態）。この状態で
パターン銅メッキ４を厚さ１５μｍに施し、その上に厚
さ５μｍの半田メッキ５を施した（図３（ｂ）の状
態）。そして、剥離液（水酸化カリウム水溶液）により
メッキレジスト１１を剥離した後（図４（ａ）の状
態）、エッチングを行ってパターン銅メッキ４と対応す
る箇所以外のパネル銅メッキ３及び銅箔２ｂを除去した
（図４（ｂ）の状態）。その後、銅を侵さない剥離液で
半田メッキ５を剥離し、導体パターン１を形成した。そ
して、導体パターン１のうちＩＣチップ（図示せず）と
金線を介して電気的に接続されるボンディングパッド８
には、図４（ｃ）に示すようにニッケルメッキ９及び金
メッキ１０を施した。
３及び図４に従って説明する。まず、銅張積層板２にス
ルーホール（図示せず）用の穴を開けた後、厚さ１８μ
ｍの銅箔２ｂの全面にパネル銅メッキ３を厚さ１０μｍ
に施した。次にメッキレジスト１１をパネル銅メッキ３
上にラミネートした（図３（ａ）の状態）。この状態で
パターン銅メッキ４を厚さ１５μｍに施し、その上に厚
さ５μｍの半田メッキ５を施した（図３（ｂ）の状
態）。そして、剥離液（水酸化カリウム水溶液）により
メッキレジスト１１を剥離した後（図４（ａ）の状
態）、エッチングを行ってパターン銅メッキ４と対応す
る箇所以外のパネル銅メッキ３及び銅箔２ｂを除去した
（図４（ｂ）の状態）。その後、銅を侵さない剥離液で
半田メッキ５を剥離し、導体パターン１を形成した。そ
して、導体パターン１のうちＩＣチップ（図示せず）と
金線を介して電気的に接続されるボンディングパッド８
には、図４（ｃ）に示すようにニッケルメッキ９及び金
メッキ１０を施した。
【００１６】この実施例では導体パターン１（ボンディ
ングパッド８）を構成する銅の厚さ、すなわち銅箔２
ｂ、パネル銅メッキ３及びパターン銅メッキ４の厚さの
合計は従来と同様に４３μｍである。しかし、エッチン
グにより除去すべき銅の厚さＨ、すなわち銅箔２ｂ及び
パネル銅メッキ３の厚さの合計は２８μｍとなり、従来
の値３３μｍより薄くなる。このため、エッチング時に
エッチング液が半田メッキ５の下側に回り込むように深
く入り込むことが少なくなり、パターン銅メッキ４の頂
部のエッチング量が少なくなる。
ングパッド８）を構成する銅の厚さ、すなわち銅箔２
ｂ、パネル銅メッキ３及びパターン銅メッキ４の厚さの
合計は従来と同様に４３μｍである。しかし、エッチン
グにより除去すべき銅の厚さＨ、すなわち銅箔２ｂ及び
パネル銅メッキ３の厚さの合計は２８μｍとなり、従来
の値３３μｍより薄くなる。このため、エッチング時に
エッチング液が半田メッキ５の下側に回り込むように深
く入り込むことが少なくなり、パターン銅メッキ４の頂
部のエッチング量が少なくなる。
【００１７】そして、ボンディングパッド８の底部の線
幅Ｗｂの平均値が１４２μｍ（標準偏差σn-1 は５μ
ｍ）の場合、ボンディングパッド８の頂部の線幅Ｗｈ
は、平均値が１３０μｍ（標準偏差σn-1 は３．９μ
ｍ）の値となった。すなわち、従来のものでは頂部の線
幅Ｗｈを常に１２０μｍ以上に確保することはできなか
った底部の線幅Ｗｂを有するボンディングパッド８であ
っても、頂部の線幅Ｗｈを常に１２０μｍ以上に確保す
ることができた。
幅Ｗｂの平均値が１４２μｍ（標準偏差σn-1 は５μ
ｍ）の場合、ボンディングパッド８の頂部の線幅Ｗｈ
は、平均値が１３０μｍ（標準偏差σn-1 は３．９μ
ｍ）の値となった。すなわち、従来のものでは頂部の線
幅Ｗｈを常に１２０μｍ以上に確保することはできなか
った底部の線幅Ｗｂを有するボンディングパッド８であ
っても、頂部の線幅Ｗｈを常に１２０μｍ以上に確保す
ることができた。
【００１８】（実施例２）次に第２実施例を説明する。
この実施例は銅箔２ｂの厚さを９μｍとした点が前記実
施例と異なっている。すなわち、この実施例では導体パ
ターン１（ボンディングパッド８）を構成する銅の厚さ
が４３μｍから３４μｍへと薄くなっているとともに、
エッチングにより除去すべき銅の厚さＨが前記実施例で
の値２８μｍから１９μｍへと薄くなっている。電子部
品搭載用基板Ｂの素材の銅張積層板２は前記実施例と同
様に厚さ１８μｍの銅箔２ｂを有するものを使用する。
そして、１８μｍの銅箔２ｂをハーフエッチングにより
９μｍに仕上げ、その上に前記実施例と同様にして導体
パターンを形成した。
この実施例は銅箔２ｂの厚さを９μｍとした点が前記実
施例と異なっている。すなわち、この実施例では導体パ
ターン１（ボンディングパッド８）を構成する銅の厚さ
が４３μｍから３４μｍへと薄くなっているとともに、
エッチングにより除去すべき銅の厚さＨが前記実施例で
の値２８μｍから１９μｍへと薄くなっている。電子部
品搭載用基板Ｂの素材の銅張積層板２は前記実施例と同
様に厚さ１８μｍの銅箔２ｂを有するものを使用する。
そして、１８μｍの銅箔２ｂをハーフエッチングにより
９μｍに仕上げ、その上に前記実施例と同様にして導体
パターンを形成した。
【００１９】この実施例で得られたボンディングパッド
の頂部の線幅Ｗｈは１３５μｍで、底部の線幅Ｗｂは１
４２μｍであった。 （実施例３）次に第３実施例を説明する。この実施例は
銅箔２ｂの厚さを９μｍとし、導体パターン１（ボンデ
ィングパッド８）を構成する銅の厚さが３４μｍと薄く
なっている点は第２実施例と同じであるが、パネル銅メ
ッキ３の厚さを５μｍと薄くし、パターン銅メッキ４の
厚さを２０μｍと厚くした点が第２実施例と異なってい
る。従って、この実施例では導体パターン１（ボンディ
ングパッド８）を形成する際、エッチングにより除去す
べき銅の厚さＨが前記実施例での値１９μｍから１４μ
ｍへとさらに薄くなっている。
の頂部の線幅Ｗｈは１３５μｍで、底部の線幅Ｗｂは１
４２μｍであった。 （実施例３）次に第３実施例を説明する。この実施例は
銅箔２ｂの厚さを９μｍとし、導体パターン１（ボンデ
ィングパッド８）を構成する銅の厚さが３４μｍと薄く
なっている点は第２実施例と同じであるが、パネル銅メ
ッキ３の厚さを５μｍと薄くし、パターン銅メッキ４の
厚さを２０μｍと厚くした点が第２実施例と異なってい
る。従って、この実施例では導体パターン１（ボンディ
ングパッド８）を形成する際、エッチングにより除去す
べき銅の厚さＨが前記実施例での値１９μｍから１４μ
ｍへとさらに薄くなっている。
【００２０】この実施例で得られたボンディングパッド
の頂部の線幅Ｗｈは１３８μｍで、底部の線幅Ｗｂは１
４２μｍであった。なお、本発明は前記各実施例に限定
されるものではなく、パターン銅メッキ４の厚さがパネ
ル銅メッキ３の厚さより厚く、銅箔２ｂの厚さとパネル
銅メッキ３の厚さとの和が従来のものより薄いという条
件を満足する範囲で銅箔２ｂ、パネル銅メッキ及びパタ
ーン銅メッキ４の厚さを適宜変更してもよい。又、半田
剥離法以外にパターン銅メッキ４の上に金メッキを施
し、金メッキをエッチングレジストとして使用するメッ
キレジスト法に適用してもよい。
の頂部の線幅Ｗｈは１３８μｍで、底部の線幅Ｗｂは１
４２μｍであった。なお、本発明は前記各実施例に限定
されるものではなく、パターン銅メッキ４の厚さがパネ
ル銅メッキ３の厚さより厚く、銅箔２ｂの厚さとパネル
銅メッキ３の厚さとの和が従来のものより薄いという条
件を満足する範囲で銅箔２ｂ、パネル銅メッキ及びパタ
ーン銅メッキ４の厚さを適宜変更してもよい。又、半田
剥離法以外にパターン銅メッキ４の上に金メッキを施
し、金メッキをエッチングレジストとして使用するメッ
キレジスト法に適用してもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の電子部品搭
載用基板は、導体パターンを構成するパターン銅メッキ
の厚さがパネル銅メッキの厚さより厚いので、導体パタ
ーン全体の銅の厚さを変更せず、しかもエッチング前の
パターン銅メッキの線幅を広くすることなく、ボンディ
ングパッドの頂部の線幅をワイヤーボンディングに支障
のない幅に形成することが容易となり、電子部品搭載用
基板上に実装されるＩＣチップとの電気的接続を確実に
することができる。
載用基板は、導体パターンを構成するパターン銅メッキ
の厚さがパネル銅メッキの厚さより厚いので、導体パタ
ーン全体の銅の厚さを変更せず、しかもエッチング前の
パターン銅メッキの線幅を広くすることなく、ボンディ
ングパッドの頂部の線幅をワイヤーボンディングに支障
のない幅に形成することが容易となり、電子部品搭載用
基板上に実装されるＩＣチップとの電気的接続を確実に
することができる。
【図１】第１実施例の電子部品搭載用基板の模式断面図
である。
である。
【図２】ボンディングパッド部の模式断面図である。
【図３】導体パターンの製造工程を示す模式断面図であ
る。
る。
【図４】導体パターンの製造工程を示す模式断面図であ
る。
る。
【図５】従来の電子部品搭載用基板の導体パターンを示
す模式断面図である。
す模式断面図である。
【図６】従来の電子部品搭載用基板の導体パターンの製
造工程（エッチング工程）を示す模式断面図である。
造工程（エッチング工程）を示す模式断面図である。
１…導体パターン、２…銅張積層板、２ｂ…銅箔、３…
パネル銅メッキ、４…パターン銅メッキ、８…ボンディ
ングパッド、Ｂ…電子部品搭載用基板、Ｗｈ…ボンディ
ングパッドの頂部の線幅、Ｗｂ…ボンディングパッドの
底部の線幅。
パネル銅メッキ、４…パターン銅メッキ、８…ボンディ
ングパッド、Ｂ…電子部品搭載用基板、Ｗｈ…ボンディ
ングパッドの頂部の線幅、Ｗｂ…ボンディングパッドの
底部の線幅。
Claims (1)
- 【請求項１】 銅張積層板にパネル銅メッキ及びパター
ン銅メッキを施した後、エッチングにより導体パターン
を形成する電子部品搭載用基板において、パターン銅メ
ッキの厚さをパネル銅メッキの厚さより厚くしたことを
特徴とする電子部品搭載用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3671792A JP3095857B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 電子部品搭載用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3671792A JP3095857B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 電子部品搭載用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235200A true JPH05235200A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3095857B2 JP3095857B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=12477505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3671792A Expired - Lifetime JP3095857B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 電子部品搭載用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3095857B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005199701A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド用基板、該液体吐出ヘッド用基板を用いた液体吐出ヘッドおよびそれらの製造方法 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP3671792A patent/JP3095857B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005199701A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド用基板、該液体吐出ヘッド用基板を用いた液体吐出ヘッドおよびそれらの製造方法 |
| JP4617145B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2011-01-19 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3095857B2 (ja) | 2000-10-10 |
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