JPH05234894A - カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法および製造装置 - Google Patents
カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法および製造装置Info
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- JPH05234894A JPH05234894A JP4168032A JP16803292A JPH05234894A JP H05234894 A JPH05234894 A JP H05234894A JP 4168032 A JP4168032 A JP 4168032A JP 16803292 A JP16803292 A JP 16803292A JP H05234894 A JPH05234894 A JP H05234894A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Abstract
(57)【要約】
【目的】カルコパイライト型化合物、例えばCuInSe2 薄
膜をスパッタで形成するとき、InSe化合物が脱離しない
ようにして高抵抗率の膜を得る。 【構成】基板上にＸ元素ターゲツトを用いてのスパッタ
によりＸ膜を形成したのち、その上にInＹ化合物ターゲ
ツトを用いてのスパッタによりInSe化合物を成膜する
と、InＹ化合物の脱離を防止してカルコパイライト構造
を持つＸInＹ化合物の薄膜が形成できる。そしてＸ膜成
膜時には基板を加熱しないでおくと、スパッタ装置内に
付着したＹ元素、例えばSeの再蒸発を防止でき、Ｘ膜に
Ｙ元素が混入しないので粒径の大きい化合物膜が得られ
る。また、スパッタ装置に冷却されるＹ元素トラップ体
を備えることも有効である。
膜をスパッタで形成するとき、InSe化合物が脱離しない
ようにして高抵抗率の膜を得る。 【構成】基板上にＸ元素ターゲツトを用いてのスパッタ
によりＸ膜を形成したのち、その上にInＹ化合物ターゲ
ツトを用いてのスパッタによりInSe化合物を成膜する
と、InＹ化合物の脱離を防止してカルコパイライト構造
を持つＸInＹ化合物の薄膜が形成できる。そしてＸ膜成
膜時には基板を加熱しないでおくと、スパッタ装置内に
付着したＹ元素、例えばSeの再蒸発を防止でき、Ｘ膜に
Ｙ元素が混入しないので粒径の大きい化合物膜が得られ
る。また、スパッタ装置に冷却されるＹ元素トラップ体
を備えることも有効である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽光等の光エネルギ
ーを半導体接合により電気的エネルギーに変換する薄膜
太陽電池の光電変換層などに用いられるカルコパイライ
ト型化合物薄膜の製造方法および製造装置に関する。
ーを半導体接合により電気的エネルギーに変換する薄膜
太陽電池の光電変換層などに用いられるカルコパイライ
ト型化合物薄膜の製造方法および製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｉ−III −VI2 族カルコパイライト型三
元系化合物、特にCuInSe2 、CuInＳ2、AgInSe2 、AgIn
Ｓ2 は、光学ギャップが1.０〜1.８eVの範囲にあり、光
学変換素子としての利用の期待される。近年、これらの
材料の薄膜形成技術の進展により、薄膜太陽電池素子材
料としてのこれらの物質は、一層注目され、多くの研究
機関で研究が行われている。1974年にS.Wagnerは、単結
晶CuInSe2 と薄膜CdＳとの接合で12％の変換効率を得て
いる。また、CuInSe2 薄膜を用いた太陽電池では、K.Mi
tchellらが、Proc. 20th IEEE Photovolt. Special Con
f.(1988)、p1384に3.５cm2 で14.1％の変換効率を報告
している。
元系化合物、特にCuInSe2 、CuInＳ2、AgInSe2 、AgIn
Ｓ2 は、光学ギャップが1.０〜1.８eVの範囲にあり、光
学変換素子としての利用の期待される。近年、これらの
材料の薄膜形成技術の進展により、薄膜太陽電池素子材
料としてのこれらの物質は、一層注目され、多くの研究
機関で研究が行われている。1974年にS.Wagnerは、単結
晶CuInSe2 と薄膜CdＳとの接合で12％の変換効率を得て
いる。また、CuInSe2 薄膜を用いた太陽電池では、K.Mi
tchellらが、Proc. 20th IEEE Photovolt. Special Con
f.(1988)、p1384に3.５cm2 で14.1％の変換効率を報告
している。
【０００３】カルコパイライト型化合物薄膜を形成する
方法は、同時蒸着法やセレン化 (硫化) 等が知られてい
るが、スパッタリング法は大面積化が比較的容易であ
り、放電電力により制御が容易にできる。そのため将来
工業化を考えた場合、スパッタリング法はカルコパイラ
イト型化合物薄膜を形成する方法として非常に有効と考
えられる。スパッタリング法によるカルコパイライト型
化合物薄膜の作製には、単一ターゲツト法、２ターゲツ
ト法、３ターゲツト法などが試みられている。
方法は、同時蒸着法やセレン化 (硫化) 等が知られてい
るが、スパッタリング法は大面積化が比較的容易であ
り、放電電力により制御が容易にできる。そのため将来
工業化を考えた場合、スパッタリング法はカルコパイラ
イト型化合物薄膜を形成する方法として非常に有効と考
えられる。スパッタリング法によるカルコパイライト型
化合物薄膜の作製には、単一ターゲツト法、２ターゲツ
ト法、３ターゲツト法などが試みられている。
【０００４】J.A.Thorntonらは、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ法において、CuとInをターゲツトに用い、Ｈ2 Seを
導入した室内でスパッタする反応性スパッタ法によりCu
InSe 2 膜を作製し、CdＳとの接合により6.０％の変換効
率を得たことを "Proc.19thＩＥＥＥ Photovolt. Speci
al. Conf."(1987) p1285 に報告している。また、第１
層成膜時の基板温度を300 ℃、第２層成膜時の基板温度
を400 ℃としたｐ+ ／ｐ２層構造にすることによりCu24
％、In24.5％、Se51.5％の組成比の膜が得られたことを
"Solar Cells" 24(1989) p1〜９に報告している。さら
に、中田らがCu、In、Se−Cu(20 重量％) の三つのター
ゲツトを用いたスパッタ法でCuInSe2 薄膜を作製し、基
板温度300 ℃でCu／In比が0.７から1.１まで制御可能で
あることをＰＶＳＥＣ−４(1989)pp371 に報告してお
り、小長井らは、Cu、In、SeまたはSe−Cu(20 重量％)
の三つのターゲツトを用いたＲＦスパッタ法でCuInSe2
薄膜を作製し、基板温度300 ℃でCu／In比が0.８から1.
６までの膜が作製可能であることを "Proc. of Worksho
p on High Eff. Solar Cells" (1989) p73に報告してい
る。
ッタ法において、CuとInをターゲツトに用い、Ｈ2 Seを
導入した室内でスパッタする反応性スパッタ法によりCu
InSe 2 膜を作製し、CdＳとの接合により6.０％の変換効
率を得たことを "Proc.19thＩＥＥＥ Photovolt. Speci
al. Conf."(1987) p1285 に報告している。また、第１
層成膜時の基板温度を300 ℃、第２層成膜時の基板温度
を400 ℃としたｐ+ ／ｐ２層構造にすることによりCu24
％、In24.5％、Se51.5％の組成比の膜が得られたことを
"Solar Cells" 24(1989) p1〜９に報告している。さら
に、中田らがCu、In、Se−Cu(20 重量％) の三つのター
ゲツトを用いたスパッタ法でCuInSe2 薄膜を作製し、基
板温度300 ℃でCu／In比が0.７から1.１まで制御可能で
あることをＰＶＳＥＣ−４(1989)pp371 に報告してお
り、小長井らは、Cu、In、SeまたはSe−Cu(20 重量％)
の三つのターゲツトを用いたＲＦスパッタ法でCuInSe2
薄膜を作製し、基板温度300 ℃でCu／In比が0.８から1.
６までの膜が作製可能であることを "Proc. of Worksho
p on High Eff. Solar Cells" (1989) p73に報告してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のカ
ルコパイライト型化合物薄膜を形成するには、300 ℃以
上の基板温度が必要である。しかし、例えばCuInSe2 薄
膜形成の場合、基板温度が400 ℃以上になると抵抗率の
高いIn過剰 (CuとInの組成比Cu／In＜１) の膜が得られ
ないという問題点があり、その原因として膜成長表面か
らのInSe化合物 (InySe 、０＜ｙ) の脱離などの機構が
考えられている。
ルコパイライト型化合物薄膜を形成するには、300 ℃以
上の基板温度が必要である。しかし、例えばCuInSe2 薄
膜形成の場合、基板温度が400 ℃以上になると抵抗率の
高いIn過剰 (CuとInの組成比Cu／In＜１) の膜が得られ
ないという問題点があり、その原因として膜成長表面か
らのInSe化合物 (InySe 、０＜ｙ) の脱離などの機構が
考えられている。
【０００６】本発明の目的は、上記の問題を解決し、II
I 族元素を過剰に含んだものも形成可能なカルコパイラ
イト型化合物薄膜の製造方法および製造装置を提供する
ことにある。
I 族元素を過剰に含んだものも形成可能なカルコパイラ
イト型化合物薄膜の製造方法および製造装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のカルコパイライト型化合物薄膜の製造方
法は、ＸInＹ2 なる化学式をもち、Ｘ元素がAgあるいは
Cuであり、Ｙ元素がSeあるいはＳであるカルコパイライ
ト型化合物からなる薄膜の製造方法において、基板上に
Ｘ元素からなる膜を成膜し、その膜上にInＹ化合物から
なる膜を成膜するものとする。そして、Ｘ元素からなる
膜の成膜をＸ元素からなるターゲツトを用いたスパッタ
により行い、InＹ化合物からなる膜の成膜をInＹ化合物
からなるターゲツトを用いたスパッタにより行うことが
有効である。その場合、Ｘ元素からなるターゲツトを用
いたスパッタとInＹ化合物からなるターゲツトを用いた
スパッタを同一スパッタ装置で連続して行い、Ｘ元素か
らなるターゲツトを用いたスパッタの際のみ基板を加熱
しないことが有効である。さらに、Ｘ元素の成膜とInＹ
化合物の成膜を複数回繰り返して積層することも有効で
ある。以上の発明の対象となるカルコパイライト型化合
物は、例えばＸがCu、ＹがSeのCuInSe2 である。
めに、本発明のカルコパイライト型化合物薄膜の製造方
法は、ＸInＹ2 なる化学式をもち、Ｘ元素がAgあるいは
Cuであり、Ｙ元素がSeあるいはＳであるカルコパイライ
ト型化合物からなる薄膜の製造方法において、基板上に
Ｘ元素からなる膜を成膜し、その膜上にInＹ化合物から
なる膜を成膜するものとする。そして、Ｘ元素からなる
膜の成膜をＸ元素からなるターゲツトを用いたスパッタ
により行い、InＹ化合物からなる膜の成膜をInＹ化合物
からなるターゲツトを用いたスパッタにより行うことが
有効である。その場合、Ｘ元素からなるターゲツトを用
いたスパッタとInＹ化合物からなるターゲツトを用いた
スパッタを同一スパッタ装置で連続して行い、Ｘ元素か
らなるターゲツトを用いたスパッタの際のみ基板を加熱
しないことが有効である。さらに、Ｘ元素の成膜とInＹ
化合物の成膜を複数回繰り返して積層することも有効で
ある。以上の発明の対象となるカルコパイライト型化合
物は、例えばＸがCu、ＹがSeのCuInSe2 である。
【０００８】本発明のカルコパイライト型化合物薄膜の
製造装置は、同一基板に対してＸ元素からなるターゲツ
トを用いたスパッタとInＹ化合物からなるターゲツトを
用いたスパッタの双方を同一真空槽内で行うスパッタ装
置であって、基板近傍と放電発生領域近傍に冷却可能の
過剰Ｙ元素トラップ体を備えたものとする。
製造装置は、同一基板に対してＸ元素からなるターゲツ
トを用いたスパッタとInＹ化合物からなるターゲツトを
用いたスパッタの双方を同一真空槽内で行うスパッタ装
置であって、基板近傍と放電発生領域近傍に冷却可能の
過剰Ｙ元素トラップ体を備えたものとする。
【０００９】
【作用】Ｘ膜上にInＹ化合物を成膜することにより、各
元素のターゲツトを用いたスパッタ法による場合問題と
なったInＹ化合物の膜成長表面からの脱離を防ぎながら
ＸInＹ2 化合物の薄膜が形成でき、基板温度が高温でも
In過剰の抵抗率の高いＸInＹ2 カルコパイライト型化合
物薄膜の製造を可能にする。しかし、同一スパッタ装置
でＸの成膜とInＹ化合物の成膜を行う場合、Ｘ成膜時の
基板温度が高いと装置の真空槽内に既に付着しているＹ
元素の再蒸発が起こってＸ薄膜中に混入し、そのモフォ
ロジーにより決まるＸInＹ2 薄膜の粒径が小さくなって
太陽電池の効率が低くなる。そこで、Ｘ成膜時に基板を
加熱しないでおくとＸ薄膜へのＹ元素の混入が防止さ
れ、ＸInＹ2 薄膜の粒径を大きくすることができる。同
様に、Ｘ成膜とInＹ2 化合物成膜の双方を行うスパッタ
装置の真空室内に、InＹ2 化合物成膜時の過剰のＹ元素
を付着させるが冷却によりその再蒸発を防ぐＹ元素トラ
ップ体を設けることにより、Ｙ元素の再蒸発によるＸ薄
膜への混入を防止できる。
元素のターゲツトを用いたスパッタ法による場合問題と
なったInＹ化合物の膜成長表面からの脱離を防ぎながら
ＸInＹ2 化合物の薄膜が形成でき、基板温度が高温でも
In過剰の抵抗率の高いＸInＹ2 カルコパイライト型化合
物薄膜の製造を可能にする。しかし、同一スパッタ装置
でＸの成膜とInＹ化合物の成膜を行う場合、Ｘ成膜時の
基板温度が高いと装置の真空槽内に既に付着しているＹ
元素の再蒸発が起こってＸ薄膜中に混入し、そのモフォ
ロジーにより決まるＸInＹ2 薄膜の粒径が小さくなって
太陽電池の効率が低くなる。そこで、Ｘ成膜時に基板を
加熱しないでおくとＸ薄膜へのＹ元素の混入が防止さ
れ、ＸInＹ2 薄膜の粒径を大きくすることができる。同
様に、Ｘ成膜とInＹ2 化合物成膜の双方を行うスパッタ
装置の真空室内に、InＹ2 化合物成膜時の過剰のＹ元素
を付着させるが冷却によりその再蒸発を防ぐＹ元素トラ
ップ体を設けることにより、Ｙ元素の再蒸発によるＸ薄
膜への混入を防止できる。
【００１０】
【実施例】以下、ＸInＹ2 カルコパイライト型化合物の
一例のCuInSe2 についての実施例を図を引用して説明す
る。図１(a) 〜(e) は本発明の一実施例のCuInSe2 薄膜
形成工程を示す。図１(a)においてガラス基板１上に図
１(b) に示すように金属電極としてのMo膜２を１μｍ〜
２μｍの厚さに形成し〔図１(b) 〕、その基板上に、図
１(c) において基板温度を400 ℃に設定し、Cuターゲツ
トを用いたスパッタによりCu膜３を120nm の厚さに形成
し、図１(d) においてその上に同一基板温度で市販のIn
2 Se3 ターゲツトを用いたスパッタによりIn2 Se3 膜４
を880nm の厚さに成膜したところ、図１(e) に示すよう
にカルコパイライト構造を持ちIn過剰のCuInSe2 薄膜５
を得た。
一例のCuInSe2 についての実施例を図を引用して説明す
る。図１(a) 〜(e) は本発明の一実施例のCuInSe2 薄膜
形成工程を示す。図１(a)においてガラス基板１上に図
１(b) に示すように金属電極としてのMo膜２を１μｍ〜
２μｍの厚さに形成し〔図１(b) 〕、その基板上に、図
１(c) において基板温度を400 ℃に設定し、Cuターゲツ
トを用いたスパッタによりCu膜３を120nm の厚さに形成
し、図１(d) においてその上に同一基板温度で市販のIn
2 Se3 ターゲツトを用いたスパッタによりIn2 Se3 膜４
を880nm の厚さに成膜したところ、図１(e) に示すよう
にカルコパイライト構造を持ちIn過剰のCuInSe2 薄膜５
を得た。
【００１１】上の実施例では、基板のCuInSe2 化合物の
形成に必要な300 ℃以上の温度への加熱をすでに図１
(c) におけるCu成膜時から行っていた。しかし、本発明
の別の実施例では、図１(c) におけるCu成膜時には基板
１の温度を室温にした。これにより、Cu成膜とIn2 Se3
成膜の双方を行うスパッタリング装置におけるCu成膜時
のSeの再蒸発を防止でき、Seの混入がなくなるため緻密
なCu膜３を形成することが可能となり、Cu膜３のモフォ
ロジーの影響を受けず、形成されたCuInSe2 膜５の粒径
が0.５〜１μｍと大きくなる。
形成に必要な300 ℃以上の温度への加熱をすでに図１
(c) におけるCu成膜時から行っていた。しかし、本発明
の別の実施例では、図１(c) におけるCu成膜時には基板
１の温度を室温にした。これにより、Cu成膜とIn2 Se3
成膜の双方を行うスパッタリング装置におけるCu成膜時
のSeの再蒸発を防止でき、Seの混入がなくなるため緻密
なCu膜３を形成することが可能となり、Cu膜３のモフォ
ロジーの影響を受けず、形成されたCuInSe2 膜５の粒径
が0.５〜１μｍと大きくなる。
【００１２】図１と共通の部分に同一の符号を付した図
２(a) 〜(c) に示す実施例では、図２(a) において図１
(b) と同様にガラス基板１上にMo膜２を１μｍの厚さに
形成した基板上に、図２(b) において加熱しない基板上
に、スパッタによりCu膜３を12nmの厚さに形成し、その
上に同一基板温度でIn2 Se3 ターゲツトからのスパッタ
によりIn2 Se3 膜４を88nmの厚さに形成し、さらにこの
Cu膜３およびIn2 Se3膜４の成膜を12回繰り返したとこ
ろ、図２(c) のようにカルコパイライト構造を持ちIn過
剰のCuInSe2 薄膜５を得た。このように薄いCu膜３とIn
2 Se3 膜４の積層を繰り返すことにより、得られたCuIn
Se2 薄膜５の均一性が向上した。このCuInSe2 膜は厚さ
0.５μｍ〜１μｍ程度で、ｎ型CdＳ薄膜と接合させた太
陽電池を作製した場合、その変換効率が10％程度と従来
の方法と比較して向上した。なお、積層するCu膜３とIn
Se2 膜の膜厚比を制御することにより、例えばｐ+ ／ｐ
のような組成の異なるCuInSe2 膜の２層構造をもつ太陽
電池も容易に製造できる。
２(a) 〜(c) に示す実施例では、図２(a) において図１
(b) と同様にガラス基板１上にMo膜２を１μｍの厚さに
形成した基板上に、図２(b) において加熱しない基板上
に、スパッタによりCu膜３を12nmの厚さに形成し、その
上に同一基板温度でIn2 Se3 ターゲツトからのスパッタ
によりIn2 Se3 膜４を88nmの厚さに形成し、さらにこの
Cu膜３およびIn2 Se3膜４の成膜を12回繰り返したとこ
ろ、図２(c) のようにカルコパイライト構造を持ちIn過
剰のCuInSe2 薄膜５を得た。このように薄いCu膜３とIn
2 Se3 膜４の積層を繰り返すことにより、得られたCuIn
Se2 薄膜５の均一性が向上した。このCuInSe2 膜は厚さ
0.５μｍ〜１μｍ程度で、ｎ型CdＳ薄膜と接合させた太
陽電池を作製した場合、その変換効率が10％程度と従来
の方法と比較して向上した。なお、積層するCu膜３とIn
Se2 膜の膜厚比を制御することにより、例えばｐ+ ／ｐ
のような組成の異なるCuInSe2 膜の２層構造をもつ太陽
電池も容易に製造できる。
【００１３】図３は図２に示した実施例を用いたスパッ
タ装置を示す。図において、真空槽１１内には回転円板
１２上に固定された基板１に対向できるようにCuターゲ
ツト２１とIn2 Se3 ターゲツト２２が設置されている。
回転円板１２の基板１と反対側にはシースヒータ１３が
備えられている。また基板１３の近傍には、ターゲツト
側に開口部を持つSeトラップ体３１が設置され、また、
円板１２とターゲツト２１あるいは２２との間に電圧を
印加して発生するグロー放電領域を囲んで二つのSeトラ
ップ体３２、３３が設置されている。各トラップ体３
１、３２、３３はSeを付着させると共にSeの再蒸発を防
ぐために水冷または液体窒素などの冷媒により冷却され
る。この装置を用いて、基板１を加熱しないでCuターゲ
ツト２１を用いてCu薄膜を形成し、次いで円板１２を回
転してシースヒータ１３により加熱した基板１をIn2 Se
3 ターゲツト２２と対向させてIn2 Se3 薄膜を形成し、
これを繰り返してCuInSe2 膜を形成することができる。
しかし、Cu成膜時にも基板１をシースヒータ１３により
加熱してもよい。
タ装置を示す。図において、真空槽１１内には回転円板
１２上に固定された基板１に対向できるようにCuターゲ
ツト２１とIn2 Se3 ターゲツト２２が設置されている。
回転円板１２の基板１と反対側にはシースヒータ１３が
備えられている。また基板１３の近傍には、ターゲツト
側に開口部を持つSeトラップ体３１が設置され、また、
円板１２とターゲツト２１あるいは２２との間に電圧を
印加して発生するグロー放電領域を囲んで二つのSeトラ
ップ体３２、３３が設置されている。各トラップ体３
１、３２、３３はSeを付着させると共にSeの再蒸発を防
ぐために水冷または液体窒素などの冷媒により冷却され
る。この装置を用いて、基板１を加熱しないでCuターゲ
ツト２１を用いてCu薄膜を形成し、次いで円板１２を回
転してシースヒータ１３により加熱した基板１をIn2 Se
3 ターゲツト２２と対向させてIn2 Se3 薄膜を形成し、
これを繰り返してCuInSe2 膜を形成することができる。
しかし、Cu成膜時にも基板１をシースヒータ１３により
加熱してもよい。
【００１４】以上の実施例でIn2 Se3 ターゲツトにGaを
添加しておけば、CuIn1-x Gax Se膜を形成することもで
きる。また、Cu膜、In2 Se3 膜の成膜をスパッタ法以外
の方法で形成してもよい。
添加しておけば、CuIn1-x Gax Se膜を形成することもで
きる。また、Cu膜、In2 Se3 膜の成膜をスパッタ法以外
の方法で形成してもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ元素薄膜とInＹ化合
物薄膜を形成してＸInＹ2 化合物薄膜を形成することに
より、高い基板温度でInＹ2 化合物の膜成長表面の脱離
を防いでカルコパイライト構造をもつＸInＹ2 化合物、
例えばIn過剰のCuInSe2 薄膜を成膜することが可能とな
った。さらに、Ｘ薄膜成膜時に基板を加熱しないことに
より、ＸInＹ2 化合物薄膜の粒径を大きくすることがで
きるので、このようにして作製したｐ型CuInSe2 薄膜を
用い、ｎ型CdＳ薄膜と接合させた太陽電池の特性を向上
させることができた。
物薄膜を形成してＸInＹ2 化合物薄膜を形成することに
より、高い基板温度でInＹ2 化合物の膜成長表面の脱離
を防いでカルコパイライト構造をもつＸInＹ2 化合物、
例えばIn過剰のCuInSe2 薄膜を成膜することが可能とな
った。さらに、Ｘ薄膜成膜時に基板を加熱しないことに
より、ＸInＹ2 化合物薄膜の粒径を大きくすることがで
きるので、このようにして作製したｐ型CuInSe2 薄膜を
用い、ｎ型CdＳ薄膜と接合させた太陽電池の特性を向上
させることができた。
【図１】本発明の一実施例のCuInSe2 薄膜作製工程を
(a) 〜(e) の順に示す断面図
(a) 〜(e) の順に示す断面図
【図２】本発明の別の実施例のCuInSe2 薄膜作製工程を
(a) 〜(c) の順に示す断面図
(a) 〜(c) の順に示す断面図
【図３】本発明の一実施例のCuInSe2 薄膜製造装置の断
面図
面図
１ ガラス基板 ２ Mo膜 ３ Cu膜 ４ In2 Se3 膜 ５ CuInSe2 膜 １１ 真空槽 １２ 回転円板 １３ シースヒータ ２１ Cuターゲツト ２２ In2 Se3 ターゲツト ３１ Seトラップ体 ３２ Seトラップ体 ３３ Seトラップ体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 29/40 Ｚ 7821−4Ｇ Ｈ０１Ｌ 31/04
Claims (6)
- 【請求項１】ＸInＹ2 なる化学式をもち、Ｘ元素が銀あ
るいは銅であり、Ｙ元素がセレンあるいは硫黄であるカ
ルコパイライト型化合物薄膜の製造方法において、基板
上にＸ元素からなる膜を成膜し、その膜上にInＹ化合物
からなる膜を成膜することを特徴とするカルコパイライ
ト型化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項２】Ｘ元素からなる膜の成膜をＸ元素からなる
ターゲツトを用いたスパッタにより行い、InＹ化合物か
らなる膜の成膜をInＹ化合物からなるターゲツトを用い
たスパッタにより行う請求項１記載のカルコパイライト
型化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項３】Ｘ元素からなるターゲツトを用いたスパッ
タとInＹ化合物からなるターゲツトを用いたスパッタを
同一スパッタ装置で連続して行い、Ｘ元素からなるター
ゲツトを用いたスパッタの際のみ基板を加熱しない請求
項２記載のカルコパイライト型化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項４】Ｘ元素の成膜とInＹ化合物の成膜を複数回
繰り返して積層する請求項１、２あるいは３記載のカル
コパイライト型化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項５】Ｘが銅、Ｙがセレンである請求項１、２、
３あるいは４記載のカルコパイライト型化合物薄膜の製
造方法。 - 【請求項６】同一基板に対してＸ元素からなるターゲツ
トを用いたスパッタとInＹ化合物からなるターゲツトを
用いたスパッタの双方を同一真空槽内で行うスパッタ装
置であって、基板近傍と放電発生領域近傍に冷却可能の
過剰Ｙ元素トラップ体を備えたことを特徴とするカルコ
パイライト型化合物薄膜の製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34374691 | 1991-12-26 | ||
| JP3-343746 | 1991-12-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234894A true JPH05234894A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=18363923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4168032A Pending JPH05234894A (ja) | 1991-12-26 | 1992-06-26 | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234894A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797213A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｉｎ化合物およびその製造方法 |
| DE4447866B4 (de) * | 1994-11-16 | 2005-05-25 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiter-Dünnschichtsolarzelle |
| US6899954B2 (en) | 2001-08-22 | 2005-05-31 | Schott Ag | Cadmium-free optical steep edge filters |
| JP2010192690A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tdk Corp | 太陽電池の製造方法 |
| US7960306B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-06-14 | Industrial Technology Research Institute | Photo-energy transformation catalysts and methods for fabricating the same |
| JP2013522159A (ja) * | 2010-03-17 | 2013-06-13 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | カルコゲニド系材料及びかかる材料の改良製造方法 |
| CN109187686A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-11 | 南昌航空大学 | 一种电极修饰材料二硫铟化银/还原氧化石墨烯的制备方法及其检测环丙沙星的应用 |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP4168032A patent/JPH05234894A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797213A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｉｎ化合物およびその製造方法 |
| DE4447866B4 (de) * | 1994-11-16 | 2005-05-25 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiter-Dünnschichtsolarzelle |
| US6899954B2 (en) | 2001-08-22 | 2005-05-31 | Schott Ag | Cadmium-free optical steep edge filters |
| US7960306B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-06-14 | Industrial Technology Research Institute | Photo-energy transformation catalysts and methods for fabricating the same |
| JP2010192690A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tdk Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP2013522159A (ja) * | 2010-03-17 | 2013-06-13 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | カルコゲニド系材料及びかかる材料の改良製造方法 |
| CN109187686A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-11 | 南昌航空大学 | 一种电极修饰材料二硫铟化银/还原氧化石墨烯的制备方法及其检测环丙沙星的应用 |
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