JPH0797213A - Ｉｎ化合物およびその製造方法 - Google Patents
Ｉｎ化合物およびその製造方法Info
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- JPH0797213A JPH0797213A JP5264174A JP26417493A JPH0797213A JP H0797213 A JPH0797213 A JP H0797213A JP 5264174 A JP5264174 A JP 5264174A JP 26417493 A JP26417493 A JP 26417493A JP H0797213 A JPH0797213 A JP H0797213A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- present
- irradiated
- vacuum
- raman scattering
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規な構造のＩｎ化合物を得て、新しい電気
材料とする。 【構成】 Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物に、真
空中または不活性ガス中において、４×１０4 Ｗ／ｃｍ
2 以上のエネルギー線を所要時間照射して得られたこと
を特徴としている。
材料とする。 【構成】 Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物に、真
空中または不活性ガス中において、４×１０4 Ｗ／ｃｍ
2 以上のエネルギー線を所要時間照射して得られたこと
を特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な構造のＩｎ化合
物と、その製造方法に関するものである。
物と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来からＩｎ化合物としてＣｕＩｎＳｅ
2 （以下、ＣＩＳと略称する）、ＣｕＧａＳｅ2 ，Ｃｕ
Ｇａx Ｉｎ1-x Ｓｅ2 などのようなカルコパイライト型
化合物などカルコゲン（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）を含む化合物
は公知であり、太陽電池などの電気材料として利用され
ている。
2 （以下、ＣＩＳと略称する）、ＣｕＧａＳｅ2 ，Ｃｕ
Ｇａx Ｉｎ1-x Ｓｅ2 などのようなカルコパイライト型
化合物などカルコゲン（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）を含む化合物
は公知であり、太陽電池などの電気材料として利用され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記カルコ
パイライト型化合物のうち、Ｉｎを含むものから新規な
構成のＩｎ化合物を得ることを目的とする。これによっ
て新規な電気材料が得られ、太陽電池の電極材料などへ
の応用が可能である。
パイライト型化合物のうち、Ｉｎを含むものから新規な
構成のＩｎ化合物を得ることを目的とする。これによっ
て新規な電気材料が得られ、太陽電池の電極材料などへ
の応用が可能である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるＩｎ化合
物は、Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物に、真空中
または不活性ガス中において、４×１０4 Ｗ／ｃｍ2 以
上のエネルギー線を所要時間照射して得られたものであ
る。
物は、Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物に、真空中
または不活性ガス中において、４×１０4 Ｗ／ｃｍ2 以
上のエネルギー線を所要時間照射して得られたものであ
る。
【０００５】また、本発明にかかるＩｎ化合物の製造方
法は、Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物を真空中ま
たは不活性ガス中におき、４×１０4 Ｗ／ｃｍ2 以上の
エネルギー線を所要時間照射することによりＩｎ化合物
を得るものである。
法は、Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物を真空中ま
たは不活性ガス中におき、４×１０4 Ｗ／ｃｍ2 以上の
エネルギー線を所要時間照射することによりＩｎ化合物
を得るものである。
【０００６】そして、エネルギー線としては、例えば波
長が３００〜１０００ｎｍのレーザ光が用いられる。
長が３００〜１０００ｎｍのレーザ光が用いられる。
【０００７】
【作用】本発明のＩｎ化合物は、従来の構造と異なる全
く新規な物質である。
く新規な物質である。
【０００８】また、本発明のＩｎ化合物の製造方法によ
れば、上記の全く新規なＩｎ化合物を得ることができ
る。
れば、上記の全く新規なＩｎ化合物を得ることができ
る。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明のＣｕｘＩｎとＣＩＳ化合物
の製造使用されるＣＩＳの結晶構造を示す図で、カルコ
パイライト型化合物に共通な正方晶形の構造で、このよ
うな結晶構造を有するＣＩＳ化合物に強力なレーザ光を
照射することによりＣｕxＩｎ（ｘ〜０）の新しい構造
を有するＩｎ化合物を製造することができる。
の製造使用されるＣＩＳの結晶構造を示す図で、カルコ
パイライト型化合物に共通な正方晶形の構造で、このよ
うな結晶構造を有するＣＩＳ化合物に強力なレーザ光を
照射することによりＣｕxＩｎ（ｘ〜０）の新しい構造
を有するＩｎ化合物を製造することができる。
【００１０】図中、ａ，ｂ，ｃは、この結晶のそれぞれ
ａ方向，ｂ方向，ｃ方向の格子定数の方向を表す。この
結晶は正方晶形であるので、ｂはａに等しい。１１２は
結晶の成長面（自然面）である（１１２）面を表す。
ａ方向，ｂ方向，ｃ方向の格子定数の方向を表す。この
結晶は正方晶形であるので、ｂはａに等しい。１１２は
結晶の成長面（自然面）である（１１２）面を表す。
【００１１】図２は、本発明のＣｕx ＩｎとＣＩＳのラ
マン散乱スペクトルを示す図で、曲線（Ａ1 ）〜（Ｃ
1 ）はＣＩＳに５１５ｎｍのＡｒレーザ光を４×１０4
Ｗ／ｃｍ2 の強度で３６０秒，２４０秒，１２０秒間照
射したときにできたＣｕ×Ｉｎのラマン散乱スペクトル
である。曲線（Ｄ1 ）はＣＩＳに４×１０4 Ｗ／ｃｍ2
以下の強度で（あるいは照射なしで）照射したときのラ
マン散乱スペクトルであり、このように４×１０4 Ｗ／
ｃｍ2 以下の場合には、新しい構造を有するＩｎ化合物
は発現しない。曲線（Ａ1 ）〜（Ｃ1 ）では、ＣＩＳが
完全に消失し、全く新しい物質Ｃｕx Ｉｎが生成されて
いることがわかる。
マン散乱スペクトルを示す図で、曲線（Ａ1 ）〜（Ｃ
1 ）はＣＩＳに５１５ｎｍのＡｒレーザ光を４×１０4
Ｗ／ｃｍ2 の強度で３６０秒，２４０秒，１２０秒間照
射したときにできたＣｕ×Ｉｎのラマン散乱スペクトル
である。曲線（Ｄ1 ）はＣＩＳに４×１０4 Ｗ／ｃｍ2
以下の強度で（あるいは照射なしで）照射したときのラ
マン散乱スペクトルであり、このように４×１０4 Ｗ／
ｃｍ2 以下の場合には、新しい構造を有するＩｎ化合物
は発現しない。曲線（Ａ1 ）〜（Ｃ1 ）では、ＣＩＳが
完全に消失し、全く新しい物質Ｃｕx Ｉｎが生成されて
いることがわかる。
【００１２】図３は、Ｉｎを含む各種カルコパイライト
型化合物に強いレーザ光を照射したときにできる物質の
ラマン散乱スペクトルを示す図で、曲線（Ａ2 ）はＡｇ
ＩｎＳｅ2 に６×１０4 Ｗ／ｃｍ2 、曲線（Ｂ2 ）はＣ
ｕＩｎＴｅ2 に５×１０4 Ｗ／ｃｍ2 、曲線（Ｃ2 ）は
ＣｕＩｎＳ2 に５×１０4 Ｗ／ｃｍ2 、曲線（Ｄ2 ）は
ＣｕＩｎＳｅ2 に４×１０4 Ｗ／ｃｍ2 とそれぞれ強い
レーザ光を照射した場合を示す。このように、ＡｇＩｎ
Ｓｅ2 ，ＣｕＩｎＴｅ2 ，ＣｕＩｎＳ2 ，ＣｕＩｎＳｅ
2 にレーザ光を強く照射したときには図３に示すような
波形が共通して観測されるが、ＣｕＧａＳｅ2 やＡｇＧ
ａＳｅ2 のようにＩｎを含まないものにレーザ光を照射
したときには観測されない。したがって、このようなラ
マンスペクトルはＩｎを含むカルコパイライト型化合物
において共通に観測されることが推測される。すなわ
ち、これらのラマンスペクトルを共通に示すＡｇＩｎＳ
ｅ2，ＣｕＩｎＴｅ2 ，ＣｕＩｎＳ2 ，ＣｕＩｎＳｅ2
に共有する元素はＩｎだけであり、ＣｕＧａＳｅ2 ，Ａ
ｇＧａＳｅ2 に共有されない元素はＩｎだけだからであ
る。ところが、金属ＩｎやＣｕ−Ｉｎ合金には強力なレ
ーザ光線の照射を行ってもラマンスペクトルは観測され
ない。一方、得られたラマンスペクトルを示す物質はＡ
ｒガス中または真空中で照射しているので、酸素や窒素
の混入はあり得ず、したがって、これまでに知られてい
ないＩｎ単体またはＩｎ化合物である。
型化合物に強いレーザ光を照射したときにできる物質の
ラマン散乱スペクトルを示す図で、曲線（Ａ2 ）はＡｇ
ＩｎＳｅ2 に６×１０4 Ｗ／ｃｍ2 、曲線（Ｂ2 ）はＣ
ｕＩｎＴｅ2 に５×１０4 Ｗ／ｃｍ2 、曲線（Ｃ2 ）は
ＣｕＩｎＳ2 に５×１０4 Ｗ／ｃｍ2 、曲線（Ｄ2 ）は
ＣｕＩｎＳｅ2 に４×１０4 Ｗ／ｃｍ2 とそれぞれ強い
レーザ光を照射した場合を示す。このように、ＡｇＩｎ
Ｓｅ2 ，ＣｕＩｎＴｅ2 ，ＣｕＩｎＳ2 ，ＣｕＩｎＳｅ
2 にレーザ光を強く照射したときには図３に示すような
波形が共通して観測されるが、ＣｕＧａＳｅ2 やＡｇＧ
ａＳｅ2 のようにＩｎを含まないものにレーザ光を照射
したときには観測されない。したがって、このようなラ
マンスペクトルはＩｎを含むカルコパイライト型化合物
において共通に観測されることが推測される。すなわ
ち、これらのラマンスペクトルを共通に示すＡｇＩｎＳ
ｅ2，ＣｕＩｎＴｅ2 ，ＣｕＩｎＳ2 ，ＣｕＩｎＳｅ2
に共有する元素はＩｎだけであり、ＣｕＧａＳｅ2 ，Ａ
ｇＧａＳｅ2 に共有されない元素はＩｎだけだからであ
る。ところが、金属ＩｎやＣｕ−Ｉｎ合金には強力なレ
ーザ光線の照射を行ってもラマンスペクトルは観測され
ない。一方、得られたラマンスペクトルを示す物質はＡ
ｒガス中または真空中で照射しているので、酸素や窒素
の混入はあり得ず、したがって、これまでに知られてい
ないＩｎ単体またはＩｎ化合物である。
【００１３】図４は、ＣｕＩｎＳｅ2 をレーザ照射して
できた新物質の電気抵抗の温度変化を示す図である。こ
のような抵抗の変化を有する既知の物質は存在しない。
できた新物質の電気抵抗の温度変化を示す図である。こ
のような抵抗の変化を有する既知の物質は存在しない。
【００１４】なお、上記した実施例では、レーザ光を照
射に用いたが、これに代えて他のエネルギー線、例えば
電子線等を用いることもできる。
射に用いたが、これに代えて他のエネルギー線、例えば
電子線等を用いることもできる。
【００１５】また、照射に当ってはパルス的に断続させ
てもよい。また、Ａｒガス中に代え、他の不活性ガス中
や真空中を用いてもよい。
てもよい。また、Ａｒガス中に代え、他の不活性ガス中
や真空中を用いてもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるＩ
ｎ化合物は、全く新規な構成の物質と認められ、新規な
電気材料として今後の広い利用が期待される。例えば、
ＣｕＩｎＳｅ2 やＣｕＧａx Ｉｎ1-x Ｓｅ2 を用いた太
陽電池において、電極材料としての利用が可能となる。
ｎ化合物は、全く新規な構成の物質と認められ、新規な
電気材料として今後の広い利用が期待される。例えば、
ＣｕＩｎＳｅ2 やＣｕＧａx Ｉｎ1-x Ｓｅ2 を用いた太
陽電池において、電極材料としての利用が可能となる。
【００１７】また、本発明にかかるＩｎ化合物の製造方
法は、Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物を真空中ま
たは不活性ガス中におき、４×１０4 Ｗ／ｃｍ2 以上の
エネルギー線を上記Ｉｎを含むカルコパイライト型化合
物に所要時間照射することによりＩｎ化合物を得るもの
であるので、比較的簡単に新規な構造のＩｎ化合物が得
られる。
法は、Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物を真空中ま
たは不活性ガス中におき、４×１０4 Ｗ／ｃｍ2 以上の
エネルギー線を上記Ｉｎを含むカルコパイライト型化合
物に所要時間照射することによりＩｎ化合物を得るもの
であるので、比較的簡単に新規な構造のＩｎ化合物が得
られる。
【図１】本発明によるＩｎ化合物の製造に使用されるＣ
ＩＳの結晶構造を示す図である。
ＩＳの結晶構造を示す図である。
【図２】本発明によるＩｎ化合物とＣＩＳのラマン散乱
スペクトルを示す図である。
スペクトルを示す図である。
【図３】本発明の種々の実施例におけるラマン散乱スペ
クトルを示す図である。
クトルを示す図である。
【図４】ＣｕＩｎＳｅ2 をレーザ照射してできた新物質
の電気抵抗の温度依存性を示す図である。
の電気抵抗の温度依存性を示す図である。
Ａ1 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣＩＳ） Ｂ1 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣＩＳ） Ｃ1 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣＩＳ） Ｄ1 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣＩＳ） Ａ2 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＡｇＩｎＳｅ2） Ｂ2 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣｕＩｎＴｅ2） Ｃ2 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣｕＩｎＳ2 ） Ｄ2 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣｕＩｎＳｅ2）
曲線（ＣＩＳ） Ｂ1 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣＩＳ） Ｃ1 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣＩＳ） Ｄ1 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣＩＳ） Ａ2 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＡｇＩｎＳｅ2） Ｂ2 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣｕＩｎＴｅ2） Ｃ2 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣｕＩｎＳ2 ） Ｄ2 本発明によるＩｎ化合物のラマン散乱スペクトル
曲線（ＣｕＩｎＳｅ2）
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物
に、真空中または不活性ガス中において、４×１０4 Ｗ
／ｃｍ2 以上のエネルギー線を所要時間照射して得られ
たことを特徴とするＩｎ化合物。 - 【請求項２】 Ｉｎを含むカルコパイライト型化合物を
真空中または不活性ガス中におき、４×１０4 Ｗ／ｃｍ
2 以上のエネルギー線を上記Ｉｎを含むカルコパイライ
ト型化合物に所要時間照射することによりＩｎ化合物を
得ることを特徴とするＩｎ化合物の製造方法。 - 【請求項３】 照射するエネルギー線は、波長が３００
〜１０００ｎｍのレーザ光である請求項２に記載のＩｎ
化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264174A JPH0797213A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | Ｉｎ化合物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264174A JPH0797213A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | Ｉｎ化合物およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0797213A true JPH0797213A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17399494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5264174A Pending JPH0797213A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | Ｉｎ化合物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007360A (ja) * | 1999-05-10 | 2001-01-12 | Ist Inst Fuer Solartechnologien Gmbh | Ｉｂ−ｉｉｉａ−ｖｉａ族化合物半導体ベースの薄膜太陽電池素子およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428380A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-30 | Fuji Electric Co Ltd | Formation of cuinse2 film |
| JPH0541532A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPH05234894A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-10 | Fuji Electric Co Ltd | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法および製造装置 |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP5264174A patent/JPH0797213A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428380A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-30 | Fuji Electric Co Ltd | Formation of cuinse2 film |
| JPH0541532A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPH05234894A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-10 | Fuji Electric Co Ltd | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法および製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007360A (ja) * | 1999-05-10 | 2001-01-12 | Ist Inst Fuer Solartechnologien Gmbh | Ｉｂ−ｉｉｉａ−ｖｉａ族化合物半導体ベースの薄膜太陽電池素子およびその製造方法 |
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