CN109841697B - 一种基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,将低熔点(为221℃)、强光敏性的Se引入CuO,并通过低温退火(Se的熔点附近),使Se熔化,利用熔化的Se对CuO的浸润来消除或减少CuO膜中的空洞和悬挂键等缺陷,从而得到一种结晶性良好的CuO/Se复合材料薄膜,以该薄膜作为太阳能电池的p型材料层,制作太阳能电池。该太阳能电池结合了CuO对光强吸收、带隙合适,Se的熔点低、适合低温制备和处理且具有强的光敏性的优点,克服了CuO熔点高且高温分解,Se带隙过大(约1.8eV)的缺点,显著提高了电池效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池。
背景技术
铜在地壳中含量丰富,氧化铜(CuO)价格低廉,并且无毒。CuO是一种重要的半导体材料,其光学禁带宽度约为1.4eV,接近理想太阳能电池的带隙,其太阳能电池理论光电转化效率为31%。并且CuO对光有强的吸收能力(光吸收率约达106/cm)。因而,CuO是一种非常理想的光伏材料。但是由于CuO在熔点附近(1026℃)会分解,因此不能用真空热蒸发制备和用高温退火的方法提高其结晶性。目前CuO薄膜的制备主要用磁控溅射、电化学沉积、化学溶液旋涂等方法。用这些方法制备的CuO薄膜结晶性差,缺陷多,导致载流子复合严重,其太阳能电池效率低(<6%)。
发明内容
为了解决目前CuO薄膜太阳能电池效率低的问题,本发明提出将低熔点(221℃)、强光敏性的Se引入CuO,制作基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,从而提高电池效率。
解决上述问题所采用的太阳能电池包含基底、下电极、n型材料层、p型材料层、上电极,其中所述p型材料层为CuO/Se复合材料薄膜,p型材料层与n型材料层形成p-n结。
上述的CuO/Se复合材料薄膜为CuO和Se的复合物薄膜,且CuO和Se的复合物中存在中间相CuSe2和CuSe中任意一种或两种;该薄膜中Cu元素的原子百分含量为10%~60%,O元素的原子百分含量与Cu元素相同,Se元素的原子百分含量为10%~60%。
作为优选,上述CuO和Se的复合物薄膜中Cu元素的原子百分含量为20%~40%,O元素的原子百分含量与Cu元素相同,Se元素的原子百分含量为20%~50%。
本发明进一步优选所述CuO和Se的复合物薄膜中掺杂Si、Fe、Ge中任意一种,掺杂的Si或Fe或Ge元素的原子百分含量为3%~10%。
上述CuO和Se的复合物薄膜采用磁控溅射法制备,具体制备方法为:采用CuO和Se共溅射的方式在n型材料层或下电极上沉积一层CuO/Se复合材料薄膜,然后在空气或氮气中300~400℃退火1~3分钟,得到p型材料层;或先用磁控溅射法在n型材料层或下电极上沉积一层CuO膜,再在CuO膜上用常规的热蒸发沉积一层Se膜,接着在空气或氮气中300~400℃退火10~60分钟,得到p型材料层。
上述CuO和Se的复合物薄膜还可采用化学溶液法制备,具体制备方法为:将CuO粉末和Se粉末按摩尔比为1:2~3研磨混合均匀后加入二甲亚砜中,在50~70℃下搅拌6~10小时,所得反应液旋涂于n型材料层或下电极上,然后在150~200℃下退火5~10分钟,制备成p型材料层。
上述太阳能电池中,所述下电极为氧化铟锡、掺氟氧化锡、Mo中任意一种。
上述太阳能电池中,所述上电极为Au、Ag、Al、Cu、Ti中任意一种。
上述太阳能电池中,所述n型材料层为TiO2、ZnO、SnO2、CdS薄膜中任意一种或两种。
本发明的有益效果如下:
本发明将低熔点(为221℃)、强光敏性的Se引入CuO,并通过低温退火(Se的熔点附近),使Se熔化,利用熔化的Se对CuO的浸润来消除或减少CuO膜中的空洞和悬挂键等缺陷,从而得到一种结晶性良好的CuO/Se复合材料薄膜,以该薄膜作为太阳能电池的p型材料层,制作太阳能电池。该太阳能电池结合了CuO对光强吸收、带隙合适,Se的熔点低、适合低温制备和处理且具有强的光敏性的优点,克服了CuO熔点高且高温分解,Se带隙过大(约1.8eV)的缺点,显著提高了电池效率。
附图说明
图1是实施例1制作的基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池在光照下的I-V曲线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步详细说明,但本发明的保护范围不仅限于这些实施例。
实施例1
将FTO导电玻璃依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10分钟,用氮气吹干。使用移液枪取纯度为99.99%的TiCl4水溶液4.5mL(4.5mol),滴入200mL超纯水结成的冰中,静置融化,生成TiO2水溶液。将清洗后的FTO导电玻璃放入紫外处理机中,在波长为100~280nm的紫外光下处理导电面15分钟,然后置于培养皿中,导电面朝上放置,用3mm宽的胶带粘贴导电面的一侧,将其固定在培养皿底部。将TiO2水溶液倒入培养皿中,浸没FTO导电玻璃,加盖,放入恒温烘箱,70℃保温1小时,在FTO导电玻璃表面沉积致密型TiO2层。沉积完后,将FTO导电玻璃/TiO2样品取出用超纯水和乙醇清洗并吹干。然后将FTO导电玻璃/TiO2样品放入磁控溅射沉积室内,用机械泵和分子泵将沉积室抽真空至2×10-4Pa,调节FTO导电玻璃/TiO2样品和靶材的距离为6cm,然后将FTO导电玻璃/TiO2样品加热至200℃,接着打开氩气通气阀,向沉积室通入氩气,并打开质量流量计,控制氩气流量为30sccm,调节沉积室压强至0.6Pa,采用CuO和Se共溅射的方式,溅射功率为60W,并同时旋转衬底,在FTO导电玻璃/TiO2样品上沉积CuO/Se复合材料薄膜,溅射时间为30分钟,膜厚度约4μm。溅射结束后,自然冷却至室温,在空气中350℃退火1分钟。接着将样品放入热蒸发真空室,再在CuO/Se复合材料薄膜上蒸发3mm×3mm、厚度为80nm的金膜作为上电极。所制作的电池结构为:玻璃/FTO/TiO2/(CuO/Se)/Au。
对上述制作的电池作光照下(AM 1.5)的I-V特性测试,结果如图1所示。由图可见,所得电池的开路电压为0.99V,短路电流密度为13.10mA/cm2,填充因子为0.70,光电转换效率为9.11%。
实施例2
本实施例中,先采用磁控溅射在FTO导电玻璃上沉积60nm厚的ZnO膜,然后按照实施例1的方法采用CuO和Se共溅射的方式沉积CuO/Se复合材料薄膜,最后热蒸发铜膜作为上电极,制成作电池结构为:玻璃/FTO/ZnO/(CuO/Se)/Cu的太阳能电池。所得电池的光电转换效率为4.25%。
实施例3
本实施例中,先在普通玻璃上用磁控溅射沉积一层100nm厚的金属钼,然后按照实施例1的方法采用CuO和Se共溅射的方式沉积CuO/Se复合材料薄膜,再磁控溅射沉积60nm厚的ZnO膜,最后热蒸发铝作为上电极,制作成电池结构为:玻璃/Mo/(CuO/Se)/ZnO/Al的太阳能电池。所得电池的光电转换效率为5.15%。
实施例4
本实施例中,先采用磁控溅射在FTO导电玻璃上沉积60nm厚的SnO2膜,然后按照实施例1的方法采用CuO和Se共溅射的方式沉积CuO/Se复合材料薄膜,最后热蒸发金膜作为上电极,制作成电池结构为:玻璃/FTO/SnO2/(CuO/Se)/Au的太阳能电池。所得电池的光电转换效率为6.25%。
实施例5
本实施例中,先按照实施例1的方法在FTO导电玻璃上沉积致密型TiO2层,然后按照实施例1的方法采用CuO和Se共溅射的方式沉积CuO/Se复合材料薄膜,再采用化学浴法在CuO/Se复合材料薄膜上沉积80nm厚的n型CdS膜,最后热蒸发金膜作为上电极,制作成电池结构为:玻璃/FTO/TiO2/(CuO/Se)/CdS/Au的太阳能电池。所得电池的光电转换效率为5.42%。
Claims (8)
1.一种基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,包含基底、下电极、n型材料层、p型材料层、上电极,其特征在于:所述p型材料层为CuO/Se复合材料薄膜,p型材料层与n型材料层形成p-n结;
上述的CuO/Se复合材料薄膜为CuO和Se的复合物薄膜,且CuO和Se的复合物中存在中间相CuSe2和CuSe中任意一种或两种;该薄膜中Cu元素的原子百分含量为10%~60%,O元素的原子百分含量与Cu元素相同,Se元素的原子百分含量为10%~60%;
上述CuO和Se的复合物薄膜采用磁控溅射法制备,具体制备方法如下:
采用CuO和Se共溅射的方式在n型材料层或下电极上沉积一层CuO/Se复合材料薄膜,然后在空气中300~400℃退火1~3分钟,得到p型材料层;
或先用磁控溅射法在n型材料层或下电极上沉积一层CuO膜,再在CuO膜上用常规的热蒸发沉积一层Se膜,接着在空气中300~400℃退火10~60分钟,得到p型材料层。
2.根据权利要求1所述的基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,其特征在于:所述CuO和Se的复合物薄膜中Cu元素的原子百分含量为20%~40%,O元素的原子百分含量与Cu元素相同,Se元素的原子百分含量为20%~50%。
3.根据权利要求1或2所述的基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,其特征在于:所述CuO和Se的复合物薄膜中还掺杂有Si、Fe、Ge中任意一种。
4.根据权利要求3所述的基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,其特征在于:所述CuO和Se的复合物薄膜中掺杂的Si或Fe或Ge元素的原子百分含量为3%~10%。
5.根据权利要求1所述的基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,其特征在于:所述CuO和Se的复合物薄膜采用化学溶液法制备而成,具体制备方法为:将CuO粉末和Se粉末按摩尔比为1:2~3研磨混合均匀后加入二甲亚砜中,在50~70℃下搅拌6~10小时,所得反应液旋涂于n型材料层或下电极上,然后在150~200℃下退火5~10分钟,制备成p型材料层。
6.根据权利要求1所述的基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,其特征在于:所述下电极为氧化铟锡、掺氟氧化锡、Mo中任意一种。
7.根据权利要求1所述的基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,其特征在于:所述上电极为Au、Ag、Al、Cu、Ti中任意一种。
8.根据权利要求1所述的基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池,其特征在于:所述n型材料层为TiO2、ZnO、SnO2、CdS薄膜中任意一种或两种。
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