JPH05218146A - フィルムキャリアテープの製造方法 - Google Patents
フィルムキャリアテープの製造方法Info
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- JPH05218146A JPH05218146A JP9242A JP4292A JPH05218146A JP H05218146 A JPH05218146 A JP H05218146A JP 9242 A JP9242 A JP 9242A JP 4292 A JP4292 A JP 4292A JP H05218146 A JPH05218146 A JP H05218146A
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- carrier tape
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- H—ELECTRICITY
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フィルムキャリアテープのリードに半導体チッ
プの電極と接続するためのバンプを形成することによ
り、半導体チップとの接続の際の半導体チップ電極の破
壊を低減させる。 【構成】絶縁フィルム６の上にリード４を形成し、先端
部に金属ボール１１を有する金属細線１０をリード４に
ボンディングし、金属ボール１１と金属細線１０とを切
り離すことによって、リード４の上にバンプ７を形成す
る。
プの電極と接続するためのバンプを形成することによ
り、半導体チップとの接続の際の半導体チップ電極の破
壊を低減させる。 【構成】絶縁フィルム６の上にリード４を形成し、先端
部に金属ボール１１を有する金属細線１０をリード４に
ボンディングし、金属ボール１１と金属細線１０とを切
り離すことによって、リード４の上にバンプ７を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリアテー
プの製造方法に関する。
プの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリア方式による半導
体装置は、図６に示すように、搬送及び位置決め用のス
プロケットホール１と、半導体チップ２が入るデバイス
ホール１７とを有するポリイミド等の絶縁フィルム６の
上に銅等の金属箔を接着し、この金属箔を選択的にエッ
チングして所望の形状のリード４及び電気選別の為のパ
ッド５を形成したフィルムキャリアテープと、あらかじ
め電極端子上に金属突起物であるバンプ７を設けた半導
体チップ２とを準備し、次に、フィルムキャリアテープ
のリード４と半導体チップのバンプ７とを熱圧着法また
は共晶法等によりインナーリードボンディングし、フィ
ルムキャリアテープの状態で電気選別用パッド５上に接
触子を接触させて電気選別やバイアス試験を実施し、次
に、リード４を所望の長さに切断する。
体装置は、図６に示すように、搬送及び位置決め用のス
プロケットホール１と、半導体チップ２が入るデバイス
ホール１７とを有するポリイミド等の絶縁フィルム６の
上に銅等の金属箔を接着し、この金属箔を選択的にエッ
チングして所望の形状のリード４及び電気選別の為のパ
ッド５を形成したフィルムキャリアテープと、あらかじ
め電極端子上に金属突起物であるバンプ７を設けた半導
体チップ２とを準備し、次に、フィルムキャリアテープ
のリード４と半導体チップのバンプ７とを熱圧着法また
は共晶法等によりインナーリードボンディングし、フィ
ルムキャリアテープの状態で電気選別用パッド５上に接
触子を接触させて電気選別やバイアス試験を実施し、次
に、リード４を所望の長さに切断する。
【０００３】次に、図７に示すように、プリント基板８
上に接着剤９により半導体チップ２を固着し、リード４
をプリント基板８上のボンディングパッドにアウターリ
ードボンディングして構成する。
上に接着剤９により半導体チップ２を固着し、リード４
をプリント基板８上のボンディングパッドにアウターリ
ードボンディングして構成する。
【０００４】このようなフィルムキャリア方式による半
導体装置は、ボンディングがリードの数と無関係に一度
で可能であるため、スピードが速いこと、フィルムキャ
リアテープを使用するためボンディング等の組立と電気
選別作業の自動化がはかれ量産性が優れている等の利点
を有している。
導体装置は、ボンディングがリードの数と無関係に一度
で可能であるため、スピードが速いこと、フィルムキャ
リアテープを使用するためボンディング等の組立と電気
選別作業の自動化がはかれ量産性が優れている等の利点
を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリア半導体装置は、半導体チップの電極上にバン
プを形成する必要があり、ウェーハ状態で電気めっき法
によりバンプを形成するとコストが高くなるという欠点
がある。これを解決するために幾つかのバンプ形成方法
が紹介されている。一例としてソリッド・ステート・テ
クノロジー（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ）日本版、１９７８年、１１月号、３３〜３５頁
に紹介されているバンプ付きフィルムキャリアテープ
（以下Ｂ−Ｔａｐｅと記す），ナショナル・テクニカル
・レポート（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ）１９８５年，第３１巻，第３号，１１６
〜１２４頁に紹介されている転写バンプ、又は特開昭５
４−２６６２号公報や特開昭６０−１９４５４３号公報
で公開されているワイヤーボンディングにおける金属ボ
ールをバンプとする方法（以下ボールバンプ）等があ
る。
ムキャリア半導体装置は、半導体チップの電極上にバン
プを形成する必要があり、ウェーハ状態で電気めっき法
によりバンプを形成するとコストが高くなるという欠点
がある。これを解決するために幾つかのバンプ形成方法
が紹介されている。一例としてソリッド・ステート・テ
クノロジー（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ）日本版、１９７８年、１１月号、３３〜３５頁
に紹介されているバンプ付きフィルムキャリアテープ
（以下Ｂ−Ｔａｐｅと記す），ナショナル・テクニカル
・レポート（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ）１９８５年，第３１巻，第３号，１１６
〜１２４頁に紹介されている転写バンプ、又は特開昭５
４−２６６２号公報や特開昭６０−１９４５４３号公報
で公開されているワイヤーボンディングにおける金属ボ
ールをバンプとする方法（以下ボールバンプ）等があ
る。
【０００６】これらのうち、Ｂ−Ｔａｐｅはフィルムキ
ャリアテープのリード先端部を残して他のリード部分を
ハーフエッチングし、ハーフエッチングされずに凸状で
残ったリード先端部をバンプとするものであるが、リー
ドの一部をハーフエッチングするため金属箔の両面を各
々パターニングしてエッチングする必要があり、一般に
は金属箔のみの一層フィルムキャリアで実施する。従っ
て各リードは電気的に接続されており、フィルムキャリ
アテープ状態での電気的選別が困難であるという欠点を
有している。これを解決するため従来のような絶縁フィ
ルム上に形成されたリードに同様にバンプを形成するこ
とも可能であるが、工程が複雑となり、逆にコスト高に
なるという欠点がある。
ャリアテープのリード先端部を残して他のリード部分を
ハーフエッチングし、ハーフエッチングされずに凸状で
残ったリード先端部をバンプとするものであるが、リー
ドの一部をハーフエッチングするため金属箔の両面を各
々パターニングしてエッチングする必要があり、一般に
は金属箔のみの一層フィルムキャリアで実施する。従っ
て各リードは電気的に接続されており、フィルムキャリ
アテープ状態での電気的選別が困難であるという欠点を
有している。これを解決するため従来のような絶縁フィ
ルム上に形成されたリードに同様にバンプを形成するこ
とも可能であるが、工程が複雑となり、逆にコスト高に
なるという欠点がある。
【０００７】転写バンプは、ガラス等の基板上に電気め
っき法によりバンプを形成し、フィルムキャリアテープ
のリードをボンディングして、バンプを基板からリード
に転写する方法であるが、バンプを電気めっき法により
形成すること、リードに転写するためのボンディングが
必要であること等から、従来のウェーハ状態でのバンプ
形成法と比べて、コスト的に利点は、多いが完全ではな
い。
っき法によりバンプを形成し、フィルムキャリアテープ
のリードをボンディングして、バンプを基板からリード
に転写する方法であるが、バンプを電気めっき法により
形成すること、リードに転写するためのボンディングが
必要であること等から、従来のウェーハ状態でのバンプ
形成法と比べて、コスト的に利点は、多いが完全ではな
い。
【０００８】ボールバンプは熱圧着ワイヤーボンディン
グの際、形成する金属ボールのみを半導体チップの電極
上に接着してバンプとするものであるが、バンプ形成時
及びフィルムキャリアテープのリードをバンプにボンデ
ィングする時の２度にわたり、半導体チップの電極に熱
的及び機械的ストレスを加えるため電極部が破壊し易く
信頼性が劣るという欠点がある。
グの際、形成する金属ボールのみを半導体チップの電極
上に接着してバンプとするものであるが、バンプ形成時
及びフィルムキャリアテープのリードをバンプにボンデ
ィングする時の２度にわたり、半導体チップの電極に熱
的及び機械的ストレスを加えるため電極部が破壊し易く
信頼性が劣るという欠点がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
アテープの製造方法は、絶縁フィルム上に金属からなる
リードを配置して形成する工程と、前記リードの所定の
位置に金属細線の先端に形成した金属ボールをボンディ
ングした後前記金属ボールを金属細線より切離してバン
プを形成する工程と、前記絶縁フィルムを選択的にエッ
チングして除去しインナーリード用開孔部及びアウター
リード用開孔部を形成する工程とを含んで構成される。
アテープの製造方法は、絶縁フィルム上に金属からなる
リードを配置して形成する工程と、前記リードの所定の
位置に金属細線の先端に形成した金属ボールをボンディ
ングした後前記金属ボールを金属細線より切離してバン
プを形成する工程と、前記絶縁フィルムを選択的にエッ
チングして除去しインナーリード用開孔部及びアウター
リード用開孔部を形成する工程とを含んで構成される。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例を説明するための工程順に示した平面図、図２
（ａ），（ｂ）は図１（ａ），（ｂ）の模式的断面図で
ある。
例を説明するための工程順に示した平面図、図２
（ａ），（ｂ）は図１（ａ），（ｂ）の模式的断面図で
ある。
【００１２】まず、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すよ
うに、スプロケットホール１を設けた絶縁フィルム６の
上に所望の形状にパターニングされたリード４及び電気
選別用パッド５が設けられ、リード４の上の所定の位置
に金属ボールからなるバンプ７が形成されている。
うに、スプロケットホール１を設けた絶縁フィルム６の
上に所望の形状にパターニングされたリード４及び電気
選別用パッド５が設けられ、リード４の上の所定の位置
に金属ボールからなるバンプ７が形成されている。
【００１３】次に、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すよ
うに、絶縁フィルム６を選択的にエッチングしてアウタ
ーリード用開孔部１４及びインナーリード用開孔部３並
びに樹脂封止用開孔部１５を形成し、フィルムキャリア
テープを構成する。
うに、絶縁フィルム６を選択的にエッチングしてアウタ
ーリード用開孔部１４及びインナーリード用開孔部３並
びに樹脂封止用開孔部１５を形成し、フィルムキャリア
テープを構成する。
【００１４】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明のフィルムキ
ャリアテープのバンプの形成方法を説明するための工程
順に示した断面図である。
ャリアテープのバンプの形成方法を説明するための工程
順に示した断面図である。
【００１５】図３（ａ）に示すように、ポリイミド等の
エッチング加工可能な絶縁フィルム６の上に無電解めっ
きや蒸着によって銅等の金属層を薄く形成し、次に、金
属層の上にフォトレジスト膜を選択的に設け、金属層を
電極とし、フォトレジスト膜をマスクとして銅等の金属
を電気めっきして３５μｍ程度の厚さの金属層を形成
し、次に、全体を軽くエッチングして不要な部分の薄い
金属層を除去することによりリード４を形成する。次に
リード４の表面に金，錫又は半田等のめっきを施してお
く。次に、金，銀，銅，アルミニウム等の金属細線１０
の先端に、電気放電または水素炎等で金属ボール１１を
形成する。
エッチング加工可能な絶縁フィルム６の上に無電解めっ
きや蒸着によって銅等の金属層を薄く形成し、次に、金
属層の上にフォトレジスト膜を選択的に設け、金属層を
電極とし、フォトレジスト膜をマスクとして銅等の金属
を電気めっきして３５μｍ程度の厚さの金属層を形成
し、次に、全体を軽くエッチングして不要な部分の薄い
金属層を除去することによりリード４を形成する。次に
リード４の表面に金，錫又は半田等のめっきを施してお
く。次に、金，銀，銅，アルミニウム等の金属細線１０
の先端に、電気放電または水素炎等で金属ボール１１を
形成する。
【００１６】次に、図３（ｂ）に示すように、金属ボー
ル１１をリード４の所定の位置に熱圧着法または超音波
圧着法等の接続手段によって接続する。
ル１１をリード４の所定の位置に熱圧着法または超音波
圧着法等の接続手段によって接続する。
【００１７】次に、図３（ｃ）に示すように、クランプ
１２で金属細線１０を押さえながら上昇することにより
金属細線１０を金属ボール１１との結合部で切断し所望
のバンプ７を得る。
１２で金属細線１０を押さえながら上昇することにより
金属細線１０を金属ボール１１との結合部で切断し所望
のバンプ７を得る。
【００１８】ここで、ボンディング性を良好にするた
め、バンプ形成部分のリードのめっきを金または銀等の
ボンディングに適当な金属でめっきを行ない、他の部分
は半導体装置の実装性を良好とする半田等のめっきを選
択的にあらかじめ行なっておくことも可能である。めっ
きを実施する際においても、リードは絶縁フィルムに固
定されているので選択めっきにおけるマスキング時のリ
ードの変形等の不具合を生じることなく選択めっきが可
能である。
め、バンプ形成部分のリードのめっきを金または銀等の
ボンディングに適当な金属でめっきを行ない、他の部分
は半導体装置の実装性を良好とする半田等のめっきを選
択的にあらかじめ行なっておくことも可能である。めっ
きを実施する際においても、リードは絶縁フィルムに固
定されているので選択めっきにおけるマスキング時のリ
ードの変形等の不具合を生じることなく選択めっきが可
能である。
【００１９】図４（ａ），（ｂ）は本発明の応用例を示
す平面図及び模式的断面図である。
す平面図及び模式的断面図である。
【００２０】図４（ａ），（ｂ）に示すように、本発明
のフィルムキャリアテープを使用して半導体チップ２の
電極とバンプ７とを位置合わせした後、インナーリード
用の開孔部３を通して加熱ツールを圧接することによ
り、ボンディングを行ない、次いで、樹脂封止用開孔部
１５に封止樹脂１６を滴下して硬化させ、フィルムキャ
リア半導体装置を形成する。
のフィルムキャリアテープを使用して半導体チップ２の
電極とバンプ７とを位置合わせした後、インナーリード
用の開孔部３を通して加熱ツールを圧接することによ
り、ボンディングを行ない、次いで、樹脂封止用開孔部
１５に封止樹脂１６を滴下して硬化させ、フィルムキャ
リア半導体装置を形成する。
【００２１】図５（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００２２】図５（ａ）に示すように、第１の実施例と
同様にポリイミド等のエッチング加工可能な絶縁フィル
ム６の上にリード４及び電気選別用パッド等を形成す
る。
同様にポリイミド等のエッチング加工可能な絶縁フィル
ム６の上にリード４及び電気選別用パッド等を形成す
る。
【００２３】次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁フィ
ルム６を選択エッチングしてアウターリード用開孔部１
４を形成し、金，錫，半田等のめっきを施す。ここで第
１の実施例と同様に、インナーリード部とアウターリー
ド部のめっきの種類を変えてめっき加工することは機械
的なマスキング法でもフォトレジスト法でも容易に実施
することができる。
ルム６を選択エッチングしてアウターリード用開孔部１
４を形成し、金，錫，半田等のめっきを施す。ここで第
１の実施例と同様に、インナーリード部とアウターリー
ド部のめっきの種類を変えてめっき加工することは機械
的なマスキング法でもフォトレジスト法でも容易に実施
することができる。
【００２４】次に、図５（ｃ）に示すように、熱圧着ワ
イヤーボンディング法により金属ボールをリード４の所
定の位置に圧着してバンプ７を形成する。
イヤーボンディング法により金属ボールをリード４の所
定の位置に圧着してバンプ７を形成する。
【００２５】次に図５（ｄ）に示すように、絶縁フィル
ム６を選択的にエッチングしてインナーリード用開孔部
３を形成し、フィルムキャリアテープを構成する。この
実施例では、アウターリード用開孔部１４を形成してか
らめっきを施すので、アウターリードの全面にめっき層
が形成され、半導体チップをボンディングしたフィルム
キャリア半導体装置を表裏どちらの方向にも実装できる
という利点を有する。
ム６を選択的にエッチングしてインナーリード用開孔部
３を形成し、フィルムキャリアテープを構成する。この
実施例では、アウターリード用開孔部１４を形成してか
らめっきを施すので、アウターリードの全面にめっき層
が形成され、半導体チップをボンディングしたフィルム
キャリア半導体装置を表裏どちらの方向にも実装できる
という利点を有する。
【００２６】第１及び第２の実施例のいずれもリード先
端を絶縁フィルム６に支持されている状態で金属ボール
１１をリード４に圧着できるため、リードの変形、特に
金属細線１０から金属ボール１１を切り離すときの、リ
ードの持ち上がりが無い。
端を絶縁フィルム６に支持されている状態で金属ボール
１１をリード４に圧着できるため、リードの変形、特に
金属細線１０から金属ボール１１を切り離すときの、リ
ードの持ち上がりが無い。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ワイヤー
ボンディングにおける金属ボールをフィルムキャリアテ
ープのリードに圧着してバンプを形成することにより、
従来の半導体チップの電極に金属ボールを圧着する場合
のバンプ形成時及びフィルムキャリアテープのリードを
バンプにボンディングする時の２度にわたり、半導体チ
ップの電極に熱的及び機械的ストレスを加えるのに対し
て、本発明はフィルムキャリアテープのリードに形成さ
れているバンプを半導体チップの電極に一度ボンディン
グするだけであるので、電極部の破壊を著しく減少させ
ることができ、信頼性を向上させるという効果を有す
る。
ボンディングにおける金属ボールをフィルムキャリアテ
ープのリードに圧着してバンプを形成することにより、
従来の半導体チップの電極に金属ボールを圧着する場合
のバンプ形成時及びフィルムキャリアテープのリードを
バンプにボンディングする時の２度にわたり、半導体チ
ップの電極に熱的及び機械的ストレスを加えるのに対し
て、本発明はフィルムキャリアテープのリードに形成さ
れているバンプを半導体チップの電極に一度ボンディン
グするだけであるので、電極部の破壊を著しく減少させ
ることができ、信頼性を向上させるという効果を有す
る。
【００２８】また、従来のワイヤーボンディングの技術
の応用により容易にバンプを形成することができるた
め、従来のウェーハ状態でめっき法により実施する場合
と比べて安価に形成でき、さらにＢ−Ｔａｐｅのように
１層のフィルムキャリアと２層及び３層のフィルムキャ
リアでバンプ形成コストが大幅に異なることもなく、フ
ィルムキャリアの種類・形状に無関係に安価にバンプ形
成ができるという効果を有する。
の応用により容易にバンプを形成することができるた
め、従来のウェーハ状態でめっき法により実施する場合
と比べて安価に形成でき、さらにＢ−Ｔａｐｅのように
１層のフィルムキャリアと２層及び３層のフィルムキャ
リアでバンプ形成コストが大幅に異なることもなく、フ
ィルムキャリアの種類・形状に無関係に安価にバンプ形
成ができるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した平面図。
に示した平面図。
【図２】図１の模式的断面図。
【図３】本発明のフィルムキャリアテープのバンプの形
成方法を説明するための工程順に示した断面図。
成方法を説明するための工程順に示した断面図。
【図４】本発明のフィルムキャリアテープの使用例を示
す平面図及び模式的断面図。
す平面図及び模式的断面図。
【図５】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図６】従来のフィルムキャリアテープの一例を示す平
面図。
面図。
【図７】従来のフィルムキャリアテープの使用例を示す
断面図。
断面図。
１ スプロケットホール ２ 半導体チップ ３ インナーリード用開孔部 ４ リード ５ 選別用パッド ６ 絶縁フィルム ７ バンプ ８ プリント基板 ９ 接着剤 １０ 金属細線 １１ 金属ボール １２ クランプ １３ 放電ロッド １４ アウターリード用開孔部 １５ 樹脂封止用開孔部 １６ 封止樹脂 １７ デバイスホール
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁フィルム上に金属からなるリードを
配置して形成する工程と、前記リードの所定の位置に金
属細線の先端に形成した金属ボールをボンディングした
後前記金属ボールを金属細線より切離してバンプを形成
する工程と、前記絶縁フィルムを選択的にエッチングし
て除去しインナーリード用開孔部及びアウターリード用
開孔部を形成する工程とを含むことを特徴とするフィル
ムキャリアテープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000042A JP2748759B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000042A JP2748759B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218146A true JPH05218146A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2748759B2 JP2748759B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=11463249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4000042A Expired - Lifetime JP2748759B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748759B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867068B2 (en) | 1996-10-17 | 2005-03-15 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of making the same, circuit board, and film carrier tape |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362937A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Nec Corp | フィルムキャリヤ型半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP4000042A patent/JP2748759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362937A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Nec Corp | フィルムキャリヤ型半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867068B2 (en) | 1996-10-17 | 2005-03-15 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of making the same, circuit board, and film carrier tape |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748759B2 (ja) | 1998-05-13 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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