JPH05217969A - 半導体発光素子のウエハ劈開方法 - Google Patents

半導体発光素子のウエハ劈開方法

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JPH05217969A
JPH05217969A JP9215892A JP1589292A JPH05217969A JP H05217969 A JPH05217969 A JP H05217969A JP 9215892 A JP9215892 A JP 9215892A JP 1589292 A JP1589292 A JP 1589292A JP H05217969 A JPH05217969 A JP H05217969A
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JP
Japan
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wafer
semiconductor laser
semiconductor light
cleaving
light emitting
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9215892A
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English (en)
Inventor
Yasumasa Kashima
保昌 鹿島
Hiroshi Arimoto
洋志 有元
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 劈開時に発生する粘着のり等による汚染をな
くすことができる半導体発光素子のウエハ劈開方法を提
供する。 【構成】 半導体レーザウエハ23を接着した紫外線硬
化型テープ20を円型のリング21に固定し、半導体レ
ーザウエハ23と同等の大きさの領域にのみ紫外線を照
射して、粘着のりを硬化し、透明カバーテープ24によ
り半導体レーザウエハ23を挟み込み固定し、円型のリ
ング21上の半導体レーザウエハ23を半導体レーザウ
エハ劈開装置に装着し、劈開する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、端面放射型の半導体レ
ーザや発光ダイオードなどの半導体発光素子のウエハ劈
開方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、実開平2−11367号公報に開示されるよう
なものがあった。図3は従来の半導体レーザウエハ劈開
装置の構成図である。この図において、4は半導体レー
ザウエハ1を貼り付けた粘着テープ2にテンションを加
えて、その粘着テープ2の外周縁を固定するフラットリ
ング、12はフラットリング4を直交する2軸方向X,
Y及び回軸方向θに作動・位置決め可能なステージ、7
は半導体レーザウエハ1を劈開させるための劈開用ブレ
ードである。10は半導体レーザウエハ1の上方に位置
する劈開バーの中にあわせて溝9を有する透明スリット
板、5,11は劈開後の半導体レーザウエハ1が貼り付
いた粘着テープ2をテンションをなくすことなく、取り
外すダブルリング内・外輪である。
【0003】ここで、半導体レーザウエハ1を粘着テー
プ2と透明カバーテープ3により挟み込んで固定し、粘
着テープ2はフラットリング4に貼り付けて固定され
る。そのフラットリング4をステージ12に装着した
後、粘着テープ2の下方にセットしたダブルリング内輪
5を用いて、粘着テープ2にテンションを加える。そこ
で、半導体レーザウエハ1端部のケガキキズ6と、下方
に位置した劈開用ブレード7を顕微鏡8を用いて位置合
せする。
【0004】半導体レーザウエハ1上方には劈開バー所
要幅に適した幅の溝9を有する透明スリット板10を、
透明カバーテープ3上面と僅かな隙間を持たせて固定す
る。劈開用ブレード7をパルスモータの駆動により上方
へ低速にて移動させ、半導体レーザウエハ1のケガキ部
分に力を加える。劈開用ブレード7は予め設定された位
置まで精度良く上昇し、半導体レーザウエハ1のケガキ
キズ6を起点として、半導体レーザウエハ1を劈開す
る。
【0005】次に、ステージ12を動かし、次のケガキ
キズ6に目合わせを行ない、同様に劈開作業を行なう。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体レーザウエハ劈開方法では、半導体レー
ザウエハを粘着テープにより固定しているため、劈開の
時、グレードが粘着テープを押し上げ、劈開面を汚染し
てしまう。このため、端面に無反射膜及び反射膜をコー
トした場合、屈折率及び膜の均一性という点から品質の
十分な膜を形成できないという問題点があった。
【0007】本発明は、以上述べた半導体レーザの端面
の汚染という問題点を除去するため、劈開時に発生する
粘着のり等による汚染をなくすことができる半導体発光
素子のウエハ劈開方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体発光素子のウエハ劈開方法におい
て、半導体発光素子ウエハを接着した紫外線硬化型テー
プをリングに固定し、前記半導体発光素子ウエハと同等
の大きさの領域にのみ紫外線を照射して、粘着のりを硬
化し、透明カバーテープにより前記半導体発光素子ウエ
ハを挟み込み固定し、前記リング上の半導体発光素子ウ
エハを半導体発光素子ウエハ劈開装置に装着し、劈開す
るようにしたものである。
【0009】
【作用】本発明によれば、上記したように、半導体発光
素子のウエハ劈開工程における半導体発光素子の固定に
あたり、半導体発光素子のウエハと接触する部分のみ、
予め粘着のりを除去したテープを使用する。したがっ
て、従来のように、半導体発光素子のウエハの端面に粘
着テープが接触することはなくなり、劈開時に発生する
粘着のり等による端面の汚染を防止することができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示す半導
体レーザウエハ劈開方法の説明図、図2は本発明の実施
例を示す半導体レーザウエハの固定工程図である。ま
ず、図2(a)に示すように、テープとして紫外線硬化
型テープ(以下、UVテープ)20を用いて、円型のリ
ング21にそのUVテープ20を固定する。
【0011】次に、図2(b)に示すように、半導体レ
ーザウエハと同等の大きさの領域にのみUV(紫外線)
を照射する。この時、UVを照射したUV照射部分22
は粘着のりが硬化し、粘着がなくなる。次に、図2
(c)に示すように、透明カバーテープ24により、半
導体レーザウエハ23を挟み込み、固定する。
【0012】その後、図1に示すように、円型のリング
21上の半導体レーザウエハ23を半導体レーザウエハ
劈開装置に装着し、劈開する。図1において、27は劈
開用ブレード、30は半導体レーザウエハ23を貼り付
けたUVテープ20にテンションを加えて、そのUVテ
ープ20の外周縁を固定するフラットリング、31は劈
開後のUVテープ20をテンションをなくすことなく、
取り外す外輪である。
【0013】そこで、半導体レーザウエハ23と下方に
位置した劈開用ブレード27を顕微鏡40を用いて位置
合せする。そして、劈開用ブレード27をパルスモータ
の駆動により、上方へ低速にて移動させ、半導体レーザ
ウエハ23の部分に力を加える。劈開用ブレード27は
予め設定された位置まで精度良く上昇し、半導体レーザ
ウエハ23の劈開部分を起点として、半導体レーザウエ
ハ23を劈開する。
【0014】この場合、半導体レーザウエハ23の劈開
時に、劈開用ブレード27は、UVテープ20と接触し
ないようにしたので、半導体レーザウエハ23の端面に
UVテープが接触しなくなり、劈開時に発生する粘着の
り等による端面の汚染を防止することができる。次に、
ステージ34を動かし、次の半導体レーザウエハ23の
劈開部分に目合わせを行ない、同様に劈開作業を行な
う。
【0015】なお、上記実施例においては、ウエハは、
半導体レーザウエハを例に挙げて、説明したが、半導体
発光ダイオードなどの半導体素子ウエハであってもよ
い。また、本発明は、上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、
それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0016】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、半導体発光素子ウエハの劈開時に、半導体発光
素子ウエハが粘着テープと接触しないようにしたので、
従来のように、半導体発光素子ウエハの端面に粘着テー
プが接触することはなくなり、劈開時に発生する粘着の
り等による端面の汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す半導体レーザウエハ劈開
方法の説明図である。
【図2】本発明の実施例を示す半導体レーザウエハの固
定工程図である。
【図3】従来の半導体レーザウエハ劈開装置を示す図で
ある。
【符号の説明】
20 紫外線硬化型テープ(UVテープ) 21 円型のリング 22 UV照射部分 23 半導体レーザウエハ 24 透明カバーテープ 27 劈開用ブレード 30 フラットリング 31 外輪 34 ステージ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)半導体発光素子ウエハを接着した紫
    外線硬化型テープをリングに固定し、(b)前記半導体
    発光素子ウエハと同等の大きさの領域にのみ紫外線を照
    射して、粘着のりを硬化し、(c)透明カバーテープに
    より前記半導体発光素子ウエハを挟み込み固定し、
    (d)前記リング上の半導体発光素子ウエハを半導体発
    光素子ウエハ劈開装置に装着し、劈開することを特徴と
    する半導体発光素子のウエハ劈開方法。
JP9215892A 1992-01-31 1992-01-31 半導体発光素子のウエハ劈開方法 Withdrawn JPH05217969A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8216868B2 (en) 2009-05-14 2012-07-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of fabricating semiconductor laser
JP2012136632A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ貼着用粘着シート
JP2018086784A (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断方法及び分断装置

Cited By (3)

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JP2012136632A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ貼着用粘着シート
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Effective date: 19990408