JPH05217840A - 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置Info
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- JPH05217840A JPH05217840A JP4626592A JP4626592A JPH05217840A JP H05217840 A JPH05217840 A JP H05217840A JP 4626592 A JP4626592 A JP 4626592A JP 4626592 A JP4626592 A JP 4626592A JP H05217840 A JPH05217840 A JP H05217840A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路パターンの形状及び照明方法を適切に設
定し、高解像度の投影パターン像が得られる半導体デバ
イスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置を得るこ
と。 【構成】 主波長λの光束で斜め照明した原板上の微細
パターンから生じる回折光を開口数ＮＡの投影光学系の
瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感光性
基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原板上
の微細パターンは周期的に配列した複数の格子パターン
より成り、該感光性基板上に投影される該格子パターン
像の一辺から垂直方向に測った距離をＤとしたとき、Ｄ
≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンがない部分
的孤立パターンに対して線幅をＬとしたとき、Ｌ≦０．
２（λ／Ｎａ）の補助パターンを該部分的孤立パターン
の一辺の少なくとも一部に平行に該一辺から垂直方向に
測った距離をＳとしたとき、０≦Ｓ≦０．１（λ／Ｎ
Ａ）の範囲内に設けていること。
定し、高解像度の投影パターン像が得られる半導体デバ
イスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置を得るこ
と。 【構成】 主波長λの光束で斜め照明した原板上の微細
パターンから生じる回折光を開口数ＮＡの投影光学系の
瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感光性
基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原板上
の微細パターンは周期的に配列した複数の格子パターン
より成り、該感光性基板上に投影される該格子パターン
像の一辺から垂直方向に測った距離をＤとしたとき、Ｄ
≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンがない部分
的孤立パターンに対して線幅をＬとしたとき、Ｌ≦０．
２（λ／Ｎａ）の補助パターンを該部分的孤立パターン
の一辺の少なくとも一部に平行に該一辺から垂直方向に
測った距離をＳとしたとき、０≦Ｓ≦０．１（λ／Ｎ
Ａ）の範囲内に設けていること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの製造方
法及びそれを用いた投影露光装置に関し、具体的には半
導体素子（半導体デバイス）の製造装置である所謂ステ
ッパーにおいてレチクル面上のパターンを適切に構成
し、及びそれを適切なる光強度分布で投影し、高い光学
性能を良好に維持するようにしたものである。
法及びそれを用いた投影露光装置に関し、具体的には半
導体素子（半導体デバイス）の製造装置である所謂ステ
ッパーにおいてレチクル面上のパターンを適切に構成
し、及びそれを適切なる光強度分布で投影し、高い光学
性能を良好に維持するようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体素子の製造技術の進展は目
覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。
特に光加工技術は１ＭＤＲＡＭの半導体素子の製造を境
にサブミクロンの解像力を有する微細加工を技術まで達
している。解像力を向上させる手段としてこれまで多く
の場合、露光波長を固定して光学系のＮＡ（開口数）を
大きくしていく方法を用いていた。しかし最近では露光
波長をｇ線からｉ線に変えて、超高圧水銀灯を用いた露
光法により解像力を向上させる試みも種々と行われてい
る。
覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。
特に光加工技術は１ＭＤＲＡＭの半導体素子の製造を境
にサブミクロンの解像力を有する微細加工を技術まで達
している。解像力を向上させる手段としてこれまで多く
の場合、露光波長を固定して光学系のＮＡ（開口数）を
大きくしていく方法を用いていた。しかし最近では露光
波長をｇ線からｉ線に変えて、超高圧水銀灯を用いた露
光法により解像力を向上させる試みも種々と行われてい
る。
【０００３】露光波長としてｇ線やｉ線を用いる方法の
発展と共にレジストプロセスも同様に発展してきた。こ
の光学系とプロセスの両者が相まって、光リソグラフィ
が急激に進歩してきた。
発展と共にレジストプロセスも同様に発展してきた。こ
の光学系とプロセスの両者が相まって、光リソグラフィ
が急激に進歩してきた。
【０００４】一般にステッパーの焦点深度は光学系のＮ
Ａの２乗に反比例することが知られている。この為サブ
ミクロンの解像力を得ようとすると、それと共に焦点深
度が浅くなってくるという問題点が生じてくる。
Ａの２乗に反比例することが知られている。この為サブ
ミクロンの解像力を得ようとすると、それと共に焦点深
度が浅くなってくるという問題点が生じてくる。
【０００５】これに対してエキシマレーザに代表される
更に短い波長の光を用いることにより、解像力の向上を
図る方法が種々と提案されている。短波長の光を用いる
効果は一般に波長に反比例する効果を持っていることが
知られており、波長を短くした分だけ焦点深度は深くな
る。
更に短い波長の光を用いることにより、解像力の向上を
図る方法が種々と提案されている。短波長の光を用いる
効果は一般に波長に反比例する効果を持っていることが
知られており、波長を短くした分だけ焦点深度は深くな
る。
【０００６】短波長化の光を用いる他に解像力を向上さ
せる方法として位相シフトマスクを用いる方法（位相シ
フト法）が種々と提案されている。この方法は従来のマ
スクの一部分に他の部分とは通過光に対して１８０度の
位相差を与える薄膜を形成し、解像力を向上させようと
するものであり、ＩＢＭ社（米国）のＬｅｖｅｎｓｏｎ
らにより提案されている。解像力ＲＰは波長をλ、パラ
メータをｋ1 ，開口数をＮＡとすると一般に式 ＲＰ＝ｋ1 λ／ＮＡ で示される。通常０．７〜０．８が実用域とされるパラ
メータｋ1 は、位相シフト法によれば０．３５ぐらい迄
大幅に改善できることが知られている。
せる方法として位相シフトマスクを用いる方法（位相シ
フト法）が種々と提案されている。この方法は従来のマ
スクの一部分に他の部分とは通過光に対して１８０度の
位相差を与える薄膜を形成し、解像力を向上させようと
するものであり、ＩＢＭ社（米国）のＬｅｖｅｎｓｏｎ
らにより提案されている。解像力ＲＰは波長をλ、パラ
メータをｋ1 ，開口数をＮＡとすると一般に式 ＲＰ＝ｋ1 λ／ＮＡ で示される。通常０．７〜０．８が実用域とされるパラ
メータｋ1 は、位相シフト法によれば０．３５ぐらい迄
大幅に改善できることが知られている。
【０００７】位相シフト法には空間周波数変調型等、種
々のものが知られておりそれらは例えば、日経マイクロ
デバイス１９９０年７月号１０８ページ以降の福田等の
論文に詳しく記載されている。
々のものが知られておりそれらは例えば、日経マイクロ
デバイス１９９０年７月号１０８ページ以降の福田等の
論文に詳しく記載されている。
【０００８】しかしながら実際に例えば空間周波数変調
型の位相シフトマスクを用いて解像力を向上させるため
には未だ多くの問題点が残っている。例えば現状で問題
点となっているものとして以下のものがある。 （イ）．位相シフト膜を形成する技術が未確立。 （ロ）．位相シフト膜用の最適なＣＡＤの開発が未確
立。 （ハ）．位相シフト膜を付けれないパターンの存在。 （ニ）．（ハ）に関連してネガ型レジストを使用せざる
を得ないこと。 （ホ）．検査、修正技術が未確立。
型の位相シフトマスクを用いて解像力を向上させるため
には未だ多くの問題点が残っている。例えば現状で問題
点となっているものとして以下のものがある。 （イ）．位相シフト膜を形成する技術が未確立。 （ロ）．位相シフト膜用の最適なＣＡＤの開発が未確
立。 （ハ）．位相シフト膜を付けれないパターンの存在。 （ニ）．（ハ）に関連してネガ型レジストを使用せざる
を得ないこと。 （ホ）．検査、修正技術が未確立。
【０００９】このため実際に空間周波数変調型位相シフ
トマスクを利用して半導体素子を製造するには様々な障
害があり、現在のところ大変困難である。
トマスクを利用して半導体素子を製造するには様々な障
害があり、現在のところ大変困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】空間周波数変調型の位
相シフトマスクを利用する方法ではレチクル面上の複数
のパターンが互いに隣接している密集パターンのときは
解像力を効果的に向上させることができる。
相シフトマスクを利用する方法ではレチクル面上の複数
のパターンが互いに隣接している密集パターンのときは
解像力を効果的に向上させることができる。
【００１１】前者はパターンのうち隣接する透過部の位
相を１８０度反転させた繰り返しによって高コントラス
トを得ている。
相を１８０度反転させた繰り返しによって高コントラス
トを得ている。
【００１２】一方、後者はレチクル面に斜方向から光を
入射させることによってレチクル面上のパターンの０次
光と１次回折光又は０次光と−１次回折光の組み合わせ
が結像に関与することにより位相シフト効果を得てい
る。
入射させることによってレチクル面上のパターンの０次
光と１次回折光又は０次光と−１次回折光の組み合わせ
が結像に関与することにより位相シフト効果を得てい
る。
【００１３】次に後者の解像力が向上する理由を述べ
る。今、露光光の波長をλ、投影光学系の開口数をＮ
Ａ、投影光学系の瞳の半径を１と正規化し、レチクル面
上のパターンの透過部と非透過部が等間隔で並んだ格子
パターンとする。このときのパターンの線幅Ｌをパラメ
ータｋ1 とし、Ｌ＝ｋ1 ・（λ／ＮＡ）とすると瞳面上
での０次光と±１次光の間隔ａは ａ＝１／２ｋ1 となる。
る。今、露光光の波長をλ、投影光学系の開口数をＮ
Ａ、投影光学系の瞳の半径を１と正規化し、レチクル面
上のパターンの透過部と非透過部が等間隔で並んだ格子
パターンとする。このときのパターンの線幅Ｌをパラメ
ータｋ1 とし、Ｌ＝ｋ1 ・（λ／ＮＡ）とすると瞳面上
での０次光と±１次光の間隔ａは ａ＝１／２ｋ1 となる。
【００１４】又、複数のパターンの繰り返しによる回折
像の間隔ａ´は２つの透過部の間隔が２ｋ1 であるから ａ´＝１／４ｋ1 となる。
像の間隔ａ´は２つの透過部の間隔が２ｋ1 であるから ａ´＝１／４ｋ1 となる。
【００１５】このときの間隔ａの広い極大の間に間隔ａ
´で副極大が生じ、透過部と非透過部の繰り返しの数が
多くなればなるほど、これらの回折像は鋭くなる。
´で副極大が生じ、透過部と非透過部の繰り返しの数が
多くなればなるほど、これらの回折像は鋭くなる。
【００１６】従って密集パターンでは回折像が鋭くなる
ため、瞳に取り込まれる０次光と１次光の組み合わせの
回折像の強度が増加する。このような理由により解像力
を向上させている。
ため、瞳に取り込まれる０次光と１次光の組み合わせの
回折像の強度が増加する。このような理由により解像力
を向上させている。
【００１７】本発明は本出願人が先に提案した投影露光
装置を更に改良発展させ、レチクル面上のパターンの構
成及びその照明方法を適切に設定することにより、密集
パターンのうち側方のパターンの片辺の所定の範囲内に
隣接するパターンがない所謂部分的孤立パターンにおい
ても近接効果の影響を同様にし、ウエハ面上での投影パ
ターン像のコントラストをそろえ、又歪みを少なくし、
解像力を効果的に向上させることができる半導体デバイ
スの製造方法及びそれを用いた投影露光装置の提供を目
的とする。
装置を更に改良発展させ、レチクル面上のパターンの構
成及びその照明方法を適切に設定することにより、密集
パターンのうち側方のパターンの片辺の所定の範囲内に
隣接するパターンがない所謂部分的孤立パターンにおい
ても近接効果の影響を同様にし、ウエハ面上での投影パ
ターン像のコントラストをそろえ、又歪みを少なくし、
解像力を効果的に向上させることができる半導体デバイ
スの製造方法及びそれを用いた投影露光装置の提供を目
的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体デバイス
の製造方法としては、 （１−イ） 主波長λの光束で斜め照明した原板上の微
細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡの投影光学系
の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感光
性基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原板
上の微細パターンは周期的に配列した複数の格子パター
ンより成り、該感光性基板上に投影される該格子パター
ン像の一辺から垂直方向に測った距離をＤとしたとき、
Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンがない部
分的孤立パターンに対して線幅をＬとしたとき、Ｌ≦
０．２（λ／ＮＡ）の補助パターンを該部分的孤立パタ
ーンの一辺の少なくとも一部に平行に該一辺から垂直方
向に測った距離をＳとしたとき、 ０≦Ｓ≦０．１（λ／ＮＡ） の範囲内に設けていること。
の製造方法としては、 （１−イ） 主波長λの光束で斜め照明した原板上の微
細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡの投影光学系
の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感光
性基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原板
上の微細パターンは周期的に配列した複数の格子パター
ンより成り、該感光性基板上に投影される該格子パター
ン像の一辺から垂直方向に測った距離をＤとしたとき、
Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンがない部
分的孤立パターンに対して線幅をＬとしたとき、Ｌ≦
０．２（λ／ＮＡ）の補助パターンを該部分的孤立パタ
ーンの一辺の少なくとも一部に平行に該一辺から垂直方
向に測った距離をＳとしたとき、 ０≦Ｓ≦０．１（λ／ＮＡ） の範囲内に設けていること。
【００１９】（１−ロ） 主波長λの光束で斜め照明し
た原板上の微細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡ
の投影光学系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パ
ターンを感光性基板に投影して半導体デバイスを製造す
る際、該原板上の微細パターンは線幅Ｌ、間隔Ｌで周期
的に配列した複数の格子パターンより成り、該感光性基
板上に投影される該格子パターン像の一辺から垂直方向
に測った距離をＤとしたとき、Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に
隣接する格子パターンがない部分的孤立パターンの線幅
をＬａとしたとき、 Ｌ≦Ｌａ≦Ｌ＋０．２（λ／ＮＡ） となるようにしたこと。
た原板上の微細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡ
の投影光学系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パ
ターンを感光性基板に投影して半導体デバイスを製造す
る際、該原板上の微細パターンは線幅Ｌ、間隔Ｌで周期
的に配列した複数の格子パターンより成り、該感光性基
板上に投影される該格子パターン像の一辺から垂直方向
に測った距離をＤとしたとき、Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に
隣接する格子パターンがない部分的孤立パターンの線幅
をＬａとしたとき、 Ｌ≦Ｌａ≦Ｌ＋０．２（λ／ＮＡ） となるようにしたこと。
【００２０】（１−ハ） 主波長λの光束で斜め照明し
た原板上の微細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡ
の投影光学系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パ
ターンを感光性基板に投影して半導体デバイスを製造す
る際、該原板上の微細パターンは周期的に配列した複数
の格子パターンより成り、該感光性基板上に投影される
該格子パターン像の一辺から垂直方向に測った距離をＤ
としたとき、Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パタ
ーンがない部分的孤立パターン以外の一部の格子パター
ンの両側に他の領域を通過する通過光束に比べて所定の
位相差を付与する位相シフト膜を施したことを特徴とし
ている。
た原板上の微細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡ
の投影光学系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パ
ターンを感光性基板に投影して半導体デバイスを製造す
る際、該原板上の微細パターンは周期的に配列した複数
の格子パターンより成り、該感光性基板上に投影される
該格子パターン像の一辺から垂直方向に測った距離をＤ
としたとき、Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パタ
ーンがない部分的孤立パターン以外の一部の格子パター
ンの両側に他の領域を通過する通過光束に比べて所定の
位相差を付与する位相シフト膜を施したことを特徴とし
ている。
【００２１】又本発明の投影露光装置としては、照明系
から射出した主波長λの光束で原板上の微細パターンを
斜め照明し、該原板上の微細パターンから生じる回折光
を開口数ＮＡの投影光学系の瞳面上に入射させて、該投
影光学系により該原板上の微細パターンを感光性基板に
投影する投影露光装置において、該原板上の微細パター
ンは周期的に配列した複数の格子パターンより成り、該
感光性基板上に投影される該格子パターン像の一辺から
垂直方向に測った距離をＤとしたとき、Ｄ≦λ／ＮＡの
範囲内に隣接する格子パターンがない部分的孤立パター
ンに対して線幅をＬとしたとき、Ｌ≦０．２（λ／Ｎ
Ａ）の補助パターンを該部分的孤立パターンの一辺の少
なくとも一部に平行に該一辺から垂直方向に測った距離
をＳとしたとき、 ０≦Ｓ≦０．１（λ／ＮＡ） の範囲内に設けていることを特徴としている。
から射出した主波長λの光束で原板上の微細パターンを
斜め照明し、該原板上の微細パターンから生じる回折光
を開口数ＮＡの投影光学系の瞳面上に入射させて、該投
影光学系により該原板上の微細パターンを感光性基板に
投影する投影露光装置において、該原板上の微細パター
ンは周期的に配列した複数の格子パターンより成り、該
感光性基板上に投影される該格子パターン像の一辺から
垂直方向に測った距離をＤとしたとき、Ｄ≦λ／ＮＡの
範囲内に隣接する格子パターンがない部分的孤立パター
ンに対して線幅をＬとしたとき、Ｌ≦０．２（λ／Ｎ
Ａ）の補助パターンを該部分的孤立パターンの一辺の少
なくとも一部に平行に該一辺から垂直方向に測った距離
をＳとしたとき、 ０≦Ｓ≦０．１（λ／ＮＡ） の範囲内に設けていることを特徴としている。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の半導体デバイスの製造方法を
投影露光装置に適用したときの要部概略図である。
投影露光装置に適用したときの要部概略図である。
【００２３】図１において、Ｍはレチクルであり、レチ
クルＭには後述する本発明の特徴とする構成の回路パタ
ーン（微細パターン）が形成されている。Ｗはウエハで
あり、ウエハＷにはレジストが塗布している。１０は投
影露光装置の光軸、２０は光源（１次光源）で波長λの
光束を放射している。３０は光源２０からの光をレチク
ルＭに向ける照明光学系、３０Ａは照明光学系３０の開
口絞り（絞り）であり、絞り３０Ａは照明光学系３０の
不図示の光学式インテグレーター（フライアイレンズ）
の光射出面の近傍に置かれ、光学式インテグレーターと
共にその開口に２次光源を形成する。
クルＭには後述する本発明の特徴とする構成の回路パタ
ーン（微細パターン）が形成されている。Ｗはウエハで
あり、ウエハＷにはレジストが塗布している。１０は投
影露光装置の光軸、２０は光源（１次光源）で波長λの
光束を放射している。３０は光源２０からの光をレチク
ルＭに向ける照明光学系、３０Ａは照明光学系３０の開
口絞り（絞り）であり、絞り３０Ａは照明光学系３０の
不図示の光学式インテグレーター（フライアイレンズ）
の光射出面の近傍に置かれ、光学式インテグレーターと
共にその開口に２次光源を形成する。
【００２４】４０はレチクルＭを保持するレチクルステ
ージ、５０は照明光学系３０の環状の２次光源からの光
束で均一照明されたレチクルＭの回路パターンの縮小像
を投影する投影レンズ系（投影光学系）で、開口数ＮＡ
である。５０Ａは投影レンズ系５０の開口絞り（絞り）
であり、この絞り５０Ａが投影レンズ系５０の瞳を定め
る。ここでは絞り５０Ａの開口の位置を瞳位置として説
明を行う。６０はウエハＷを保持するウエハステージで
あり、ウエハステージ６０はウエハＷ上の表面が投影レ
ンズ系５０によりレチクルＭの回路パターンの結像面に
一致するようウエハＷを保持する。
ージ、５０は照明光学系３０の環状の２次光源からの光
束で均一照明されたレチクルＭの回路パターンの縮小像
を投影する投影レンズ系（投影光学系）で、開口数ＮＡ
である。５０Ａは投影レンズ系５０の開口絞り（絞り）
であり、この絞り５０Ａが投影レンズ系５０の瞳を定め
る。ここでは絞り５０Ａの開口の位置を瞳位置として説
明を行う。６０はウエハＷを保持するウエハステージで
あり、ウエハステージ６０はウエハＷ上の表面が投影レ
ンズ系５０によりレチクルＭの回路パターンの結像面に
一致するようウエハＷを保持する。
【００２５】以上の構成で、光源２０と照明光学系３０
とを用いてレチクルＭを照明すると、レチクルＭの回路
パターン（主として縦横パターンの集合より成る。）で
生じる回折光が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開口に
捕らえられ、投影レンズ系５０がこれらの回折光により
レチクルＭの回路パターンの像をウエハＷ上に投影し、
回路パターン像をウエハＷのレジストに転写する。この
ような露光−転写の工程を経てウエハＷから半導体デバ
イスが製造される。
とを用いてレチクルＭを照明すると、レチクルＭの回路
パターン（主として縦横パターンの集合より成る。）で
生じる回折光が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開口に
捕らえられ、投影レンズ系５０がこれらの回折光により
レチクルＭの回路パターンの像をウエハＷ上に投影し、
回路パターン像をウエハＷのレジストに転写する。この
ような露光−転写の工程を経てウエハＷから半導体デバ
イスが製造される。
【００２６】図１の投影露光装置では、照明光学系３０
の絞り３０Ａの位置と投影レンズ系５０の絞り５０Ａの
位置とが互いに共役な位置に設定されており、絞り３０
Ａの開口（２次光源）の像が投影レンズ系５０の絞り５
０Ａの開口中に投影される。従って、絞り３０Ａの開口
の形状や大きさ（２次光源の形状や大きさ）を後述する
ように適宜定めることにより、絞り５０Ａの開口即ち瞳
に形成する絞り３０Ａの開口像即ち有効光源の形状と大
きさが決まる。尚、絞り５０Ａの開口は円形である。
の絞り３０Ａの位置と投影レンズ系５０の絞り５０Ａの
位置とが互いに共役な位置に設定されており、絞り３０
Ａの開口（２次光源）の像が投影レンズ系５０の絞り５
０Ａの開口中に投影される。従って、絞り３０Ａの開口
の形状や大きさ（２次光源の形状や大きさ）を後述する
ように適宜定めることにより、絞り５０Ａの開口即ち瞳
に形成する絞り３０Ａの開口像即ち有効光源の形状と大
きさが決まる。尚、絞り５０Ａの開口は円形である。
【００２７】本発明では絞り５０Ａの開口（瞳面）上の
光強度分布が中心領域に比べて周辺領域で強くなるよう
に各要素を設定している。
光強度分布が中心領域に比べて周辺領域で強くなるよう
に各要素を設定している。
【００２８】図２は図１の投影露光装置の投影レンズ系
５０の瞳（以下「瞳５０Ａ」と記す）に形成される有効
光源の代表的な光源像の模式図を瞳の半径を１として示
している。尚図２では投影レンズ系５０の瞳５０Ａの中
心を原点にしたｘｙ座標系に瞳５０Ａと有効光源を図示
している。このｘｙ座標系のｘ軸はレチクルＭの横パタ
ーン（「横」方向に伸びる線状パターン）の長手方向
に、このｘｙ座標系のｙ軸はレチクルＭの縦パターン
（「縦」方向に伸びる線状パターン）の長手方向に対応
している。
５０の瞳（以下「瞳５０Ａ」と記す）に形成される有効
光源の代表的な光源像の模式図を瞳の半径を１として示
している。尚図２では投影レンズ系５０の瞳５０Ａの中
心を原点にしたｘｙ座標系に瞳５０Ａと有効光源を図示
している。このｘｙ座標系のｘ軸はレチクルＭの横パタ
ーン（「横」方向に伸びる線状パターン）の長手方向
に、このｘｙ座標系のｙ軸はレチクルＭの縦パターン
（「縦」方向に伸びる線状パターン）の長手方向に対応
している。
【００２９】図２（Ａ）は従来の照明法による光源像で
あり、本発明の照明法との差を説明するために示したも
のである。図２（Ａ）では瞳５０Ａの原点を中心に半径
σ＝０．５の内側に円形の有効光源２００ａを形成した
場合を示している。
あり、本発明の照明法との差を説明するために示したも
のである。図２（Ａ）では瞳５０Ａの原点を中心に半径
σ＝０．５の内側に円形の有効光源２００ａを形成した
場合を示している。
【００３０】図２（Ｂ）はｘ軸に対して反時計回りに計
った角度θがθ＝４５°，１３５°，２２５°，２７０
°の角度をなす直線上に半径σ＝０．２の円形の４つの
有効光源２１ａ〜２１ｄが形成されるように構成した本
発明に係る照明法を用いた場合を示している。図２
（Ｂ）の有効光源２１ａ〜２１ｄの中心座標は各々
（０．５，０．５），（−０．５，０．５），（−０．
５，−０．５），（０．５，−０．５）である。
った角度θがθ＝４５°，１３５°，２２５°，２７０
°の角度をなす直線上に半径σ＝０．２の円形の４つの
有効光源２１ａ〜２１ｄが形成されるように構成した本
発明に係る照明法を用いた場合を示している。図２
（Ｂ）の有効光源２１ａ〜２１ｄの中心座標は各々
（０．５，０．５），（−０．５，０．５），（−０．
５，−０．５），（０．５，−０．５）である。
【００３１】図２（Ｃ）は瞳５０Ａの原点を中心に一辺
が２Ｌ１と２Ｌ２の２つの正方形を形成し、この２つの
正方形で囲まれた環状領域（中抜けの環状領域）２０１
ａに有効光源が形成されるように構成した本発明に係る
照明法を用いた場合を示している。同図ではＬ１＝０．
３，Ｌ２＝０．６である。
が２Ｌ１と２Ｌ２の２つの正方形を形成し、この２つの
正方形で囲まれた環状領域（中抜けの環状領域）２０１
ａに有効光源が形成されるように構成した本発明に係る
照明法を用いた場合を示している。同図ではＬ１＝０．
３，Ｌ２＝０．６である。
【００３２】尚、本発明に係る照明法により瞳５０Ａに
形成される有効光源は原点領域に比べて周辺領域の光強
度が強くなるようなものであれば、どのような形状であ
っても良い。例えば瞳５０Ａ上の各有効光源が弱い光で
連続してつながっているような形状のものであっても良
い。
形成される有効光源は原点領域に比べて周辺領域の光強
度が強くなるようなものであれば、どのような形状であ
っても良い。例えば瞳５０Ａ上の各有効光源が弱い光で
連続してつながっているような形状のものであっても良
い。
【００３３】この他本発明においては、本出願人が先に
出願した例えば特願平３−１２８４４６号、特願平３−
２２５２２２号、特願平３−２２５２２５号等で提案し
た照明法が適用可能である。
出願した例えば特願平３−１２８４４６号、特願平３−
２２５２２２号、特願平３−２２５２２５号等で提案し
た照明法が適用可能である。
【００３４】本発明はレチクルに斜めから光を入射させ
ることによってレチクル面上の回路パターンの０次光と
１次回折光又は０次光と−１次回折光のペアを用い、そ
のペアの各々の回折光が瞳の中心から等距離に入るよう
にし、結像させている。
ることによってレチクル面上の回路パターンの０次光と
１次回折光又は０次光と−１次回折光のペアを用い、そ
のペアの各々の回折光が瞳の中心から等距離に入るよう
にし、結像させている。
【００３５】即ち、空間周波数の高い回路パターンの前
記回折光のペアを効率良く有効光源に取り入れるように
し、かつ像性能を悪化させるような回路パターンの回折
光を有効光源に取り入れないようにして解像力を向上さ
せている。
記回折光のペアを効率良く有効光源に取り入れるように
し、かつ像性能を悪化させるような回路パターンの回折
光を有効光源に取り入れないようにして解像力を向上さ
せている。
【００３６】以下このような照明法を「本発明に係る照
明法」と称する。
明法」と称する。
【００３７】次に本発明に係るレチクルＭの回路パター
ン（微細パターン）の特徴について説明する。本発明に
係るレチクル面上の回路パターンの構成は回路パターン
が連続的に繰り返し配置した複数の格子パターンより成
り、かつ本発明に係る照明法を用いたときにウエハ面上
に形成される格子パターン像の光強度分布（コントラス
ト）を向上させ、このとき全ての格子パターン像が略均
一な強度分布とすることができる。
ン（微細パターン）の特徴について説明する。本発明に
係るレチクル面上の回路パターンの構成は回路パターン
が連続的に繰り返し配置した複数の格子パターンより成
り、かつ本発明に係る照明法を用いたときにウエハ面上
に形成される格子パターン像の光強度分布（コントラス
ト）を向上させ、このとき全ての格子パターン像が略均
一な強度分布とすることができる。
【００３８】まず格子パターン像のコントラストをそろ
える方法について説明する。
える方法について説明する。
【００３９】図３は本発明に係る回路パターンの説明図
である。回路パターンは連続的（周期的）に配列した複
数の格子パターンより成っているのを対象としている。
同図では例として５つの格子パターンより成る場合を示
している。格子パターンの線幅と間隔は共にウエハ面上
でＬ（Ｌ＝０．５λ／ＮＡ）となるようにしている。以
下格子パターンに関する寸法は全てウエハ面上での値を
用いている。
である。回路パターンは連続的（周期的）に配列した複
数の格子パターンより成っているのを対象としている。
同図では例として５つの格子パターンより成る場合を示
している。格子パターンの線幅と間隔は共にウエハ面上
でＬ（Ｌ＝０．５λ／ＮＡ）となるようにしている。以
下格子パターンに関する寸法は全てウエハ面上での値を
用いている。
【００４０】本発明ではウエハ面上に投影される格子パ
ターン像（線幅Ｌ）の一辺から垂直方向（格子パターン
の並び方向、ｘ方向）に測った距離をＤとし、Ｄ≦λ／
ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンがない格子パター
ンを部分的孤立パターンと定義する。
ターン像（線幅Ｌ）の一辺から垂直方向（格子パターン
の並び方向、ｘ方向）に測った距離をＤとし、Ｄ≦λ／
ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンがない格子パター
ンを部分的孤立パターンと定義する。
【００４１】図３（Ａ）では部分的孤立パターン（３１
ａ，３１ｅ）の一辺（３１ａａ，３１ｅｅ）に平行に
（ｙ方向に）線幅をＬ３１ａとしたとき、 Ｌ３１ａ≦０．２（λ／ＮＡ） を満足する補助パターン３２を該１辺（３１ａａ，３１
ｅｅ）から垂直方向（ｘ方向）に測った距離をＳとした
とき、 Ｓ≦０．１（λ／ＮＡ） を満足する領域に設けている。（以下「補助パターン」
という。）図３（Ｂ）では回路パターンの複数の格子パ
ターン（３３ａ〜３３ｅ）が線幅し、間隔Ｌで周期的に
配列しているとき部分的孤立パターン（３３ａ，３３
ｅ）の線幅をＬ３４としたとき、 Ｌ≦Ｌ３４≦Ｌ＋０．２（λ／ＮＡ） を満足するようにしている。
ａ，３１ｅ）の一辺（３１ａａ，３１ｅｅ）に平行に
（ｙ方向に）線幅をＬ３１ａとしたとき、 Ｌ３１ａ≦０．２（λ／ＮＡ） を満足する補助パターン３２を該１辺（３１ａａ，３１
ｅｅ）から垂直方向（ｘ方向）に測った距離をＳとした
とき、 Ｓ≦０．１（λ／ＮＡ） を満足する領域に設けている。（以下「補助パターン」
という。）図３（Ｂ）では回路パターンの複数の格子パ
ターン（３３ａ〜３３ｅ）が線幅し、間隔Ｌで周期的に
配列しているとき部分的孤立パターン（３３ａ，３３
ｅ）の線幅をＬ３４としたとき、 Ｌ≦Ｌ３４≦Ｌ＋０．２（λ／ＮＡ） を満足するようにしている。
【００４２】パターン間の光の通らない間隔をすべてＬ
として両端のパターンの線幅のみをＬ３４とする。即ち
部分的孤立パターン３３ａ（３３ｅ）と隣接する格子パ
ターン３３ｂ（３３ｄ）との中心間隔を（３×Ｌ＋Ｌ３
４）／２としている。（以下「線幅変換パターン」とい
う。）図３（Ｃ）では部分的孤立パターン（３５ａ，３
５ｅ）以外の一部分の格子パターン、同図では（３５
ｂ，３５ｃ，３５ｄ）の両側に他の領域（格子パターン
が形成されていない領域）を通過する光束に比べて所定
の位相差（例えば１８０度）を付与する位相シフト膜３
８を設けている。
として両端のパターンの線幅のみをＬ３４とする。即ち
部分的孤立パターン３３ａ（３３ｅ）と隣接する格子パ
ターン３３ｂ（３３ｄ）との中心間隔を（３×Ｌ＋Ｌ３
４）／２としている。（以下「線幅変換パターン」とい
う。）図３（Ｃ）では部分的孤立パターン（３５ａ，３
５ｅ）以外の一部分の格子パターン、同図では（３５
ｂ，３５ｃ，３５ｄ）の両側に他の領域（格子パターン
が形成されていない領域）を通過する光束に比べて所定
の位相差（例えば１８０度）を付与する位相シフト膜３
８を設けている。
【００４３】このときの位相シフト膜３８の線幅をＬ３
７としたとき Ｌ３７≦０．２（λ／ＮＡ） であり、格子パターン（３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ）の線
幅Ｌ３６が Ｌ−２×Ｌ３７≦Ｌ３６≦Ｌ＋２×Ｌ３７ となるようにしている。又格子パターン（３３ａ〜３３
ｅ）の中心間隔は２×Ｌとなっている。（以下「部分的
エッジ強調パターン」という。）次に図３（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）に示す回路パターンを用いたときのウエ
ハ面上の格子パターン像の光強度分布（コントラスト）
について説明する。（ベストフォーカス）図４（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）は各々図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）で示
す回路パターンを用いたときのウエハ面上における回路
パターン像の強度分布の説明図である。
７としたとき Ｌ３７≦０．２（λ／ＮＡ） であり、格子パターン（３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ）の線
幅Ｌ３６が Ｌ−２×Ｌ３７≦Ｌ３６≦Ｌ＋２×Ｌ３７ となるようにしている。又格子パターン（３３ａ〜３３
ｅ）の中心間隔は２×Ｌとなっている。（以下「部分的
エッジ強調パターン」という。）次に図３（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）に示す回路パターンを用いたときのウエ
ハ面上の格子パターン像の光強度分布（コントラスト）
について説明する。（ベストフォーカス）図４（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）は各々図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）で示
す回路パターンを用いたときのウエハ面上における回路
パターン像の強度分布の説明図である。
【００４４】図４（Ａ）は図３（Ａ）の回路パターンに
おいてＳ＝０．０２５（λ／ＮＡ），Ｌ３１ａ＝０．０
５（λ／ＮＡ）としたときを示している。
おいてＳ＝０．０２５（λ／ＮＡ），Ｌ３１ａ＝０．０
５（λ／ＮＡ）としたときを示している。
【００４５】図４（Ｂ）は図３（Ｂ）の回路パターンに
おいて線幅Ｌ３４をＬ３４＝Ｌ＋０．１，Ｌ＝０．５と
したときを示している。
おいて線幅Ｌ３４をＬ３４＝Ｌ＋０．１，Ｌ＝０．５と
したときを示している。
【００４６】図４（Ｃ）は図３（Ｃ）の回路パターンに
おいて位相シフト膜３８の線幅Ｌ３７をＬ３７＝０．０
２（λ／ＮＡ）とし、位相シフト膜３８を中央の３つの
格子パターン（３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ）に設けたとき
を示している。
おいて位相シフト膜３８の線幅Ｌ３７をＬ３７＝０．０
２（λ／ＮＡ）とし、位相シフト膜３８を中央の３つの
格子パターン（３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ）に設けたとき
を示している。
【００４７】図５（Ａ）は従来の回路パターンとして５
本の格子パターン（５本格子パターン）を用いたときの
ウエハ面上での線幅Ｌ、間隔Ｌの５つの格子パターン像
のベストフォーカスでの強度分布である。
本の格子パターン（５本格子パターン）を用いたときの
ウエハ面上での線幅Ｌ、間隔Ｌの５つの格子パターン像
のベストフォーカスでの強度分布である。
【００４８】図５（Ｂ）は回路パターンとして線幅Ｌ、
間隔Ｌの５つの格子パターンを用い、その両側に線幅
０．０２（λ／ＮＡ）の位相シフト膜を施した従来の格
子パターン（エッジ強調型パターン）を用いた場合の格
子パターン像の強度分布である。
間隔Ｌの５つの格子パターンを用い、その両側に線幅
０．０２（λ／ＮＡ）の位相シフト膜を施した従来の格
子パターン（エッジ強調型パターン）を用いた場合の格
子パターン像の強度分布である。
【００４９】図５（Ａ），（Ｂ）に示すように従来の回
路パターンを用いたときや、従来の位相シフト膜を用い
たときは複数の格子パターン像のうち、両側の格子パタ
ーン像の強度が内側の格子パターン像の強度に比べて低
くなってくる。
路パターンを用いたときや、従来の位相シフト膜を用い
たときは複数の格子パターン像のうち、両側の格子パタ
ーン像の強度が内側の格子パターン像の強度に比べて低
くなってくる。
【００５０】これに比べて図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）
に示す回路パターンを用いれば図４（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）に示すように両側の格子パターン像の強度は向上
し、全ての格子パターン像の強度を略均一とすることが
できる。
に示す回路パターンを用いれば図４（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）に示すように両側の格子パターン像の強度は向上
し、全ての格子パターン像の強度を略均一とすることが
できる。
【００５１】即ち、本発明に係る照明法と回路パターン
を用いれば全ての格子パターン像の解像力を平均的に向
上させることができる。
を用いれば全ての格子パターン像の解像力を平均的に向
上させることができる。
【００５２】又実際、露光を行なった場合通常のパター
ンでは両端の２本は中央の３本に比べてパターンの線幅
が細くなり均一性が悪かったが図３の方法を用いること
により５本すべて等しくなり均一性が向上した。
ンでは両端の２本は中央の３本に比べてパターンの線幅
が細くなり均一性が悪かったが図３の方法を用いること
により５本すべて等しくなり均一性が向上した。
【００５３】参考の為に表１に格子パターン像の強度の
最大値をＩ0 ´、最小値をＩ0 としたときの強度分布の
バラツキとコントラストＣ（Ｃ＝（Ｉ0 ´−Ｉ0 ）／
（Ｉ0´＋Ｉ0 ））のバラツキを従来の回路パターンと
本発明の回路パターンを用いたときについて示す。
最大値をＩ0 ´、最小値をＩ0 としたときの強度分布の
バラツキとコントラストＣ（Ｃ＝（Ｉ0 ´−Ｉ0 ）／
（Ｉ0´＋Ｉ0 ））のバラツキを従来の回路パターンと
本発明の回路パターンを用いたときについて示す。
【００５４】
【表１】 コントラストの均一性は若干の改善がみられる。これに
より両端のテーパーのだれは改善され、パターンの傾斜
角（Wall angle）の均一性が向上する。
より両端のテーパーのだれは改善され、パターンの傾斜
角（Wall angle）の均一性が向上する。
【００５５】更に図４，図５ではベストフォーカスのみ
を示しているがデフォーカス時には、本発明の照明系に
より強度ピーク、コントラストが密集パターンでは向上
し、更に図３の方法を用いるとベストフォーカス時と同
様、線幅、Wall angleが密集パターンと同様の向上を示
すので結果として深度の向上が著しく認められた。
を示しているがデフォーカス時には、本発明の照明系に
より強度ピーク、コントラストが密集パターンでは向上
し、更に図３の方法を用いるとベストフォーカス時と同
様、線幅、Wall angleが密集パターンと同様の向上を示
すので結果として深度の向上が著しく認められた。
【００５６】次に本実施例において主として所謂近接効
果から生じる投影パターン像の形状の歪みを補正し、解
像力を向上させる方法について説明する。
果から生じる投影パターン像の形状の歪みを補正し、解
像力を向上させる方法について説明する。
【００５７】図６に示すような縦横の複数の格子パター
ンの場合は近接するパターンの有無によって近接効果が
一様でないため、端のパターン６１の投影パターン像は
パターンに隣接している領域に歪みが生じてくる。
ンの場合は近接するパターンの有無によって近接効果が
一様でないため、端のパターン６１の投影パターン像は
パターンに隣接している領域に歪みが生じてくる。
【００５８】図６（Ｂ）はこのときの投影パターン像の
歪みを２次元シュミレーションを行い、強度分布の等高
線で示した説明図である。等高線は強度Ｉ＝０．２，
０．３，０．４，０．５，０．６で表している。以下投
影パターン像の強度分布は同様にして示している。図６
（Ｂ）に示すようにｋ2 ＝±０．５のパターンは部分的
孤立パターン６１のうちパターンに隣接した領域に歪み
が生じている。
歪みを２次元シュミレーションを行い、強度分布の等高
線で示した説明図である。等高線は強度Ｉ＝０．２，
０．３，０．４，０．５，０．６で表している。以下投
影パターン像の強度分布は同様にして示している。図６
（Ｂ）に示すようにｋ2 ＝±０．５のパターンは部分的
孤立パターン６１のうちパターンに隣接した領域に歪み
が生じている。
【００５９】そこで本発明では図７（Ａ）に示すように
部分的孤立パターン７１の辺のうち隣接するパターンが
ない領域に補助パターン７２を設けている。このときの
補助パターン７２はパターン７１より、距離をＳとした
とき、 ０＜Ｓ＜０．１ だけ離し、かつ幅をＬ７２としたとき、 ０＜Ｌ７２＜０．２ としている。
部分的孤立パターン７１の辺のうち隣接するパターンが
ない領域に補助パターン７２を設けている。このときの
補助パターン７２はパターン７１より、距離をＳとした
とき、 ０＜Ｓ＜０．１ だけ離し、かつ幅をＬ７２としたとき、 ０＜Ｌ７２＜０．２ としている。
【００６０】図７（Ｂ）は図７（Ａ）に示す如く補助パ
ターン７２を設けたときの投影パターン像の強度分布の
説明図である。図７（Ｂ）に示すように補助パターンを
設けることにより、投影パターン像の歪みが補正されて
いることがわかる。
ターン７２を設けたときの投影パターン像の強度分布の
説明図である。図７（Ｂ）に示すように補助パターンを
設けることにより、投影パターン像の歪みが補正されて
いることがわかる。
【００６１】本発明ではこれにより連続したパターンを
投影するときの投影パターン像の歪みを少なくし、解像
力をバランス良く維持している。
投影するときの投影パターン像の歪みを少なくし、解像
力をバランス良く維持している。
【００６２】図８（Ａ）は連続パターン８１ａ〜８１ｅ
のうち末端の歪みを補正する為に各パターンの端部に補
助パターン８２を設けたときの説明図である。同図では
縦パターン８１ａ〜８１ｅと補助パターン８２との間隔
Ｓを ０＜Ｓ＜０．１ とし、補助パターン８２の幅Ｌ８２を ０＜Ｌ８２＜０．２ としている。
のうち末端の歪みを補正する為に各パターンの端部に補
助パターン８２を設けたときの説明図である。同図では
縦パターン８１ａ〜８１ｅと補助パターン８２との間隔
Ｓを ０＜Ｓ＜０．１ とし、補助パターン８２の幅Ｌ８２を ０＜Ｌ８２＜０．２ としている。
【００６３】図８（Ｂ）はこのときの投影パターン像の
強度分布の説明図である。
強度分布の説明図である。
【００６４】図９（Ａ）は補助パターン９２を複数の連
続パターン９１ａ〜９１ｅの末端に連続して設けたとき
の説明図である。図９（Ｂ）は図９（Ａ）における投影
パターン像の強度分布の等高線の説明図である。
続パターン９１ａ〜９１ｅの末端に連続して設けたとき
の説明図である。図９（Ｂ）は図９（Ａ）における投影
パターン像の強度分布の等高線の説明図である。
【００６５】図１０（Ａ）に示すようなパターンのとき
は内部の密集パターン１０１ｄに比べて端部のパターン
（部分的孤立パターン）１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ
は図１０（Ｂ）に示すように投影パターン像の形状に歪
みが発生してくる。
は内部の密集パターン１０１ｄに比べて端部のパターン
（部分的孤立パターン）１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ
は図１０（Ｂ）に示すように投影パターン像の形状に歪
みが発生してくる。
【００６６】そこで本発明では図１１（Ａ），図１２
（Ａ），図１３（Ａ）に示すように各々端部のパターン
（部分的孤立パターン）であり図１１（Ａ）ではパター
ン１１１ａ〜１１１ｅ，図１２（Ａ）ではパターン１２
１ａ〜１２１ｅ，図１３（Ａ）ではパターン（１３１ａ
〜１３１ｅ）に補助パターン（１１２，１２２，１３
２）を設けている。
（Ａ），図１３（Ａ）に示すように各々端部のパターン
（部分的孤立パターン）であり図１１（Ａ）ではパター
ン１１１ａ〜１１１ｅ，図１２（Ａ）ではパターン１２
１ａ〜１２１ｅ，図１３（Ａ）ではパターン（１３１ａ
〜１３１ｅ）に補助パターン（１１２，１２２，１３
２）を設けている。
【００６７】これにより図１１（Ｂ），図１２（Ｂ），
図１３（Ｂ）に示すような歪みの少ない投影パターン像
を得ている。尚図１１（Ａ），図１２（Ａ），図１３
（Ａ）において補助パターンの部分的孤立パターンの辺
からの距離をＳ、幅をＬＬとするとＳ＝０．０５，ＬＬ
＝０．０５である。
図１３（Ｂ）に示すような歪みの少ない投影パターン像
を得ている。尚図１１（Ａ），図１２（Ａ），図１３
（Ａ）において補助パターンの部分的孤立パターンの辺
からの距離をＳ、幅をＬＬとするとＳ＝０．０５，ＬＬ
＝０．０５である。
【００６８】又、本発明においてパターンが図１４
（Ａ），図１５（Ａ）に示すようなコンタクトホール列
であるときは端部のパターン（１４１ａ〜１４１ｅ）の
寸法を図１２に示すように（Ｌ＋ΔＬ）の如く増大して
いる。これにより図１４（Ｂ），図１５（Ｂ）に示すよ
うに投影パターン像の形状の歪みを少なくしている。
（Ａ），図１５（Ａ）に示すようなコンタクトホール列
であるときは端部のパターン（１４１ａ〜１４１ｅ）の
寸法を図１２に示すように（Ｌ＋ΔＬ）の如く増大して
いる。これにより図１４（Ｂ），図１５（Ｂ）に示すよ
うに投影パターン像の形状の歪みを少なくしている。
【００６９】この他、本発明では図１６（Ａ）に示すよ
うなｋ1 ≧２．０のような比較的大きなコンタクトホー
ルのときは近接効果は少ないが投影レンズのデフォーカ
スのときに図１６（Ｂ）に示すように投影パターン像の
形状に歪みが発生してくる。そこで本発明では図１７
（Ａ）に示すように全てのパターン（図では１つのパタ
ーンを示している）の辺に平行に間隔Ｓが０＜Ｓ＜０．
１で、幅Ｌ１７が０＜Ｌ１７＜０．３、長さＬＬ１７が
０＜ＬＬ１７＜０．５の補助パターン１７２を設けてい
る。これにより図１７（Ｂ）に示すようにデフォーカス
したときの投影パターン像の形状に歪みが少なくなるよ
うにしている。
うなｋ1 ≧２．０のような比較的大きなコンタクトホー
ルのときは近接効果は少ないが投影レンズのデフォーカ
スのときに図１６（Ｂ）に示すように投影パターン像の
形状に歪みが発生してくる。そこで本発明では図１７
（Ａ）に示すように全てのパターン（図では１つのパタ
ーンを示している）の辺に平行に間隔Ｓが０＜Ｓ＜０．
１で、幅Ｌ１７が０＜Ｌ１７＜０．３、長さＬＬ１７が
０＜ＬＬ１７＜０．５の補助パターン１７２を設けてい
る。これにより図１７（Ｂ）に示すようにデフォーカス
したときの投影パターン像の形状に歪みが少なくなるよ
うにしている。
【００７０】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、レチクル
面上のパターンの構成及びその照明方法を適切に設定す
ることにより、密集パターンのうち側方のパターンの片
辺の所定の範囲内に隣接するパターンがない所謂部分的
孤立パターンにおいても近接効果の影響を少なくし、ウ
エハ面上での投影パターン像のパターン形状、即ち線
幅、Wall angleをそろえ、又歪みを少なくし解像力及び
深度を効果的に向上させることができる半導体デバイス
の製造方法及びそれを用いた投影露光装置を達成するこ
とができる。
面上のパターンの構成及びその照明方法を適切に設定す
ることにより、密集パターンのうち側方のパターンの片
辺の所定の範囲内に隣接するパターンがない所謂部分的
孤立パターンにおいても近接効果の影響を少なくし、ウ
エハ面上での投影パターン像のパターン形状、即ち線
幅、Wall angleをそろえ、又歪みを少なくし解像力及び
深度を効果的に向上させることができる半導体デバイス
の製造方法及びそれを用いた投影露光装置を達成するこ
とができる。
【図１】 本発明の半導体デバイスの製造方法を投
影露光装置に適用したときの実施例１の要部概略図
影露光装置に適用したときの実施例１の要部概略図
【図２】 図１の投影光学系の瞳面上の光強度分布
の説明図
の説明図
【図３】 本発明に係る回路パターンの説明図
【図４】 図３の回路パターンを用いたときの投影
パターン像の強度分布の説明図
パターン像の強度分布の説明図
【図５】 従来の回路パターンを用いたときの投影
パターン像の強度分布の説明図
パターン像の強度分布の説明図
【図６】 従来の連続パターンと投影パターン像の
強度分布の説明図
強度分布の説明図
【図７】 本発明に係る連続パターンと投影パター
ン像の強度分布の説明図
ン像の強度分布の説明図
【図８】 本発明に係る連続パターンと投影パター
ン像の強度分布の説明図
ン像の強度分布の説明図
【図９】 本発明に係る連続パターンと投影パター
ン像の強度分布の説明図
ン像の強度分布の説明図
【図１０】 従来のパターンと投影パターン像の強度
分布の説明図
分布の説明図
【図１１】 本発明に係るパターンと投影パターン像
の強度分布の説明図
の強度分布の説明図
【図１２】 本発明に係るパターンと投影パターン像
の強度分布の説明図
の強度分布の説明図
【図１３】 本発明に係るパターンと投影パターン像
の強度分布の説明図
の強度分布の説明図
【図１４】 本発明に係るパターンと投影パターン像
の強度分布の説明図
の強度分布の説明図
【図１５】 本発明に係るパターンと投影パターン像
の強度分布の説明図
の強度分布の説明図
【図１６】 従来のパターンと投影パターン像の強度
分布の説明図
分布の説明図
【図１７】 本発明に係るパターンと投影パターン像
の強度分布の説明図
の強度分布の説明図
Ｍ レチクル Ｗ ウエハ ２０ 光源 ３０ 照明光学系 ５０ 投影レンズ系 ３１ａ〜３１ｅ，３３ａ〜３３ｅ，３５ａ〜３５ｅ
連続パターン ３２，７２，８２，９２，１１２，１２２
補助パターン
連続パターン ３２，７２，８２，９２，１１２，１２２
補助パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 主波長λの光束で斜め照明した原板上の
微細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡの投影光学
系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感
光性基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原
板上の微細パターンは周期的に配列した複数の格子パタ
ーンより成り、該感光性基板上に投影される該格子パタ
ーン像の一辺から垂直方向に測った距離をＤとしたと
き、Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンがな
い部分的孤立パターンに対して線幅をＬとしたとき、Ｌ
≦０．２（λ／ＮＡ）の補助パターンを該部分的孤立パ
ターンの一辺の少なくとも一部に平行に該一辺から垂直
方向に測った距離をＳとしたとき、 ０≦Ｓ≦０．１（λ／ＮＡ） の範囲内に設けていることを特徴とする半導体デバイス
の製造方法。 - 【請求項２】 主波長λの光束で斜め照明した原板上の
微細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡの投影光学
系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感
光性基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原
板上の微細パターンは線幅Ｌ、間隔Ｌで周期的に配列し
た複数の格子パターンより成り、該感光性基板上に投影
される該格子パターン像の一辺から垂直方向に測った距
離をＤとしたとき、Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格
子パターンがない部分的孤立パターンの線幅をＬａとし
たとき、 Ｌ≦Ｌａ≦Ｌ＋０．２（λ／ＮＡ） となるようにしたことを特徴とする半導体デバイスの製
造方法。 - 【請求項３】 主波長λの光束で斜め照明した原板上の
微細パターンから生じる回折光を開口数ＮＡの投影光学
系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感
光性基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原
板上の微細パターンは周期的に配列した複数の格子パタ
ーンより成り、該感光性基板上に投影される該格子パタ
ーン像の一辺から垂直方向に測った距離をＤとしたと
き、Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンがな
い部分的孤立パターン以外の一部の格子パターンの両側
に他の領域を通過する通過光束に比べて所定の位相差を
付与する位相シフト膜を施したことを特徴とする半導体
デバイスの製造方法。 - 【請求項４】 照明系から射出した主波長λの光束で原
板上の微細パターンを斜め照明し、該原板上の微細パタ
ーンから生じる回折光を開口数ＮＡの投影光学系の瞳面
上に入射させて、該投影光学系により該原板上の微細パ
ターンを感光性基板に投影する投影露光装置において、
該原板上の微細パターンは周期的に配列した複数の格子
パターンより成り、該感光性基板上に投影される該格子
パターン像の一辺から垂直方向に測った距離をＤとした
とき、Ｄ≦λ／ＮＡの範囲内に隣接する格子パターンが
ない部分的孤立パターンに対して線幅をＬとしたとき、
Ｌ≦０．２（λ／ＮＡ）の補助パターンを該部分的孤立
パターンの一辺の少なくとも一部に平行に該一辺から垂
直方向に測った距離をＳとしたとき、 ０≦Ｓ≦０．１（λ／ＮＡ） の範囲内に設けていることを特徴とする投影露光装置。
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2296577B (en) * | 1994-12-29 | 1998-09-09 | Hyundai Electronics Ind | Light exposure mask for semiconductor devices |
| EP0903635A2 (en) * | 1997-09-17 | 1999-03-24 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask and production method of the same |
| JP2002328460A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Toshiba Corp | パターン形成方法、露光用マスクの形成方法及び露光用マスク |
| JP2004354605A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体設計レイアウトパタン生成方法および図形パタン生成装置 |
| US7217503B2 (en) | 2001-04-24 | 2007-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JP2007206563A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスク、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法 |
| US7384712B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask, exposure method using the same, and method of generating data |
| JP2008262997A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2009212540A (ja) * | 2003-04-09 | 2009-09-17 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1347338B1 (en) * | 1996-03-18 | 2006-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| US5786116A (en) * | 1997-02-14 | 1998-07-28 | Micron Technology, Inc. | Atom lithographic mask having diffraction grating aligned with primary mask pattern |
| US5821014A (en) * | 1997-02-28 | 1998-10-13 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask |
| US5851701A (en) * | 1997-04-01 | 1998-12-22 | Micron Technology, Inc. | Atom lithographic mask having diffraction grating and attenuated phase shifters |
| US5990540A (en) * | 1997-12-15 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6120952A (en) * | 1998-10-01 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Methods of reducing proximity effects in lithographic processes |
| JP3774588B2 (ja) * | 1999-04-06 | 2006-05-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置 |
| US6426269B1 (en) * | 1999-10-21 | 2002-07-30 | International Business Machines Corporation | Dummy feature reduction using optical proximity effect correction |
| KR100652400B1 (ko) * | 2005-02-05 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 위상 충돌 불량을 방지한 위상 변이 마스크 |
| US7738692B2 (en) * | 2006-07-20 | 2010-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods of determining quality of a light source |
| US20090135390A1 (en) * | 2007-11-26 | 2009-05-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithographic alignment marks |
| CN101782720A (zh) * | 2009-01-21 | 2010-07-21 | 钜晶电子股份有限公司 | 测量和监控曝光机台的数值孔径的方法、控片和光掩模 |
| WO2016040306A1 (en) * | 2014-09-08 | 2016-03-17 | The Research Foundation Of State University Of New York | Metallic gratings and measurement methods thereof |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1572805B1 (de) * | 1967-08-05 | 1970-08-27 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Bildvervielfachung |
| IT939738B (it) * | 1970-08-12 | 1973-02-10 | Rank Organisation Ltd | Dispositivo di illuminazione per la stampa fotolitografica dei componenti di microcircuiti |
| GB1391270A (en) * | 1971-12-08 | 1975-04-16 | Rank Organisation Ltd | Photolithography |
| US4159164A (en) * | 1973-10-23 | 1979-06-26 | U.S. Philips Corporation | Method of eliminating errors in images derived from patterns which consist of periodically arranged individual images |
| JPS5762052A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Original plate to be projected for use in transmission |
| US4547037A (en) * | 1980-10-16 | 1985-10-15 | Regents Of The University Of Minnesota | Holographic method for producing desired wavefront transformations |
| JPS5825638A (ja) * | 1981-08-08 | 1983-02-15 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS59100805A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-11 | Canon Inc | 物体観察装置 |
| JPS59141226A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Canon Inc | 観察装置 |
| JPS6045252A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 投影露光装置の照明系 |
| US4895780A (en) * | 1987-05-13 | 1990-01-23 | General Electric Company | Adjustable windage method and mask for correction of proximity effect in submicron photolithography |
| US4947413A (en) * | 1988-07-26 | 1990-08-07 | At&T Bell Laboratories | Resolution doubling lithography technique |
| US5059013A (en) * | 1988-08-29 | 1991-10-22 | Kantilal Jain | Illumination system to produce self-luminous light beam of selected cross-section, uniform intensity and selected numerical aperture |
| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
| EP0653679B1 (en) * | 1989-04-28 | 2002-08-21 | Fujitsu Limited | Mask, mask producing method and pattern forming method using mask |
| JPH0450943A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | マスクパターンとその製造方法 |
| EP0843217A3 (en) * | 1990-09-10 | 1998-12-16 | Fujitsu Limited | Optical mask using phase shift and method of producing the same |
| US5248575A (en) * | 1990-10-12 | 1993-09-28 | Seiko Epson Corporation | Photomask with phase shifter and method of fabricating semiconductor device by using the same |
| EP0486316B1 (en) * | 1990-11-15 | 2000-04-19 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| JPH04221954A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Nec Corp | フォトマスク |
| KR960010023B1 (ko) * | 1991-02-19 | 1996-07-25 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 투영노광(投影露光) 방법 및 투영노광용 광학 마스크 |
| US5305054A (en) * | 1991-02-22 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
| US5357311A (en) * | 1991-02-25 | 1994-10-18 | Nikon Corporation | Projection type light exposure apparatus and light exposure method |
| US5229255A (en) * | 1991-03-22 | 1993-07-20 | At&T Bell Laboratories | Sub-micron device fabrication with a phase shift mask having multiple values of phase delay |
| EP0507487B1 (en) * | 1991-04-05 | 1996-12-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical projection exposure method and system using the same |
| US5194345A (en) * | 1991-05-14 | 1993-03-16 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating phase shift reticles |
| JP3165711B2 (ja) * | 1991-08-02 | 2001-05-14 | キヤノン株式会社 | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
| US5242770A (en) * | 1992-01-16 | 1993-09-07 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Mask for photolithography |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4626592A patent/JP3194155B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-01-29 US US08/010,789 patent/US5587834A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2296577B (en) * | 1994-12-29 | 1998-09-09 | Hyundai Electronics Ind | Light exposure mask for semiconductor devices |
| EP0903635A2 (en) * | 1997-09-17 | 1999-03-24 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask and production method of the same |
| EP0903635A3 (en) * | 1997-09-17 | 2000-04-05 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask and production method of the same |
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| US7217503B2 (en) | 2001-04-24 | 2007-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JP2002328460A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Toshiba Corp | パターン形成方法、露光用マスクの形成方法及び露光用マスク |
| JP2018106179A (ja) * | 2003-04-09 | 2018-07-05 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| JP2014116611A (ja) * | 2003-04-09 | 2014-06-26 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| JP2009212540A (ja) * | 2003-04-09 | 2009-09-17 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2017097372A (ja) * | 2003-04-09 | 2017-06-01 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2016103025A (ja) * | 2003-04-09 | 2016-06-02 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2011097076A (ja) * | 2003-04-09 | 2011-05-12 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2012164993A (ja) * | 2003-04-09 | 2012-08-30 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2015092604A (ja) * | 2003-04-09 | 2015-05-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、照明光学装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7384712B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask, exposure method using the same, and method of generating data |
| US7794899B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask, exposure method using the same, and method of generating data |
| US7662523B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo mask, exposure method using the same, and method of generating data |
| JP2004354605A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体設計レイアウトパタン生成方法および図形パタン生成装置 |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2007206563A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスク、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法 |
| JP2008262997A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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